Name: light enhanced hydrofluoric acid passivation: a sensitive technique for detecting bulk silicon defects
Uploaded: 2016-01-04T14:00:01
Description: Watch this Scientific Journal Video about Light Enhanced Hydrofluoric Acid Passivation: A Sensitive Technique for Detecting Bulk Silicon Defects at JoVE.com

This program has been supported by the Australian Government through the Australian Renewable Energy Agency (ARENA). Responsibility for the views, information or advice expressed herein is not accepted by the Australian Government.

1. Экспериментальная установка <ol><li> Найдите подходящий вытяжку для измерительной техники, и удалить ненужную оборудование любой позволить лучше поток воздуха и уменьшить захламление. Не используйте какие-либо другие, чем плавиковой кислоты (HF) химических веществ в ...

<ol>
	<li>Sinton, R. A., Cuevas, A. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Contactless+determination+of+current-voltage+characteristics+and+minority-carrier+lifetimes+in+semiconductors+from+quasi-steady-state+photoconductance+data.">Contactless determination of current-voltage characteristics and minority-carrier lifetimes in semiconductors from quasi-steady-state photoconductance data.</a> Appl. Phys. Lett. 69 (17), 2510-2512 (1996).</li><li>Wan, Y., McIntosh, K. R., Thomson, A. F., Cuevas, A. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Low+surface+recombination+velocity+by+low-absorption+silicon+nitride+on+c-Si.">Low surface recombination velocity by low-absorption silicon nitride on c-Si.</a> IEEE J. Photovoltaics. 3 (1), 554-559 (2013).</li><li>Hoex, B., Schmidt, J., Pohl, P., van de Sanden, M. C. M., Kessels, W. M. M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Silicon+surface+passivation+by+atomic+layer+deposited+Al2O3.">Silicon surface passivation by atomic layer deposited Al2O3.</a> J. App. Phys. 104 (4), 044903 (2008).</li><li>Dauwe, S., Schmidt, J., Hezel, R. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Very+low+surface+recombination+velocities+on+p.-+and+n.-type+silicon+wafers+passivated+with+hydrogenated+amorphous+silicon+films.">Very low surface recombination velocities on p.- and n.-type silicon wafers passivated with hydrogenated amorphous silicon films.</a> , 1246-1249 (2012).</li><li>Macdonald, D., Cuevas, A., Wong-Leung, J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Capture+cross-sections+of+the+acceptor+level+of+iron-boron+pairs+in+p-type+silicon+by+injection-level+dependent+lifetime+measurements.">Capture cross-sections of the acceptor level of iron-boron pairs in p-type silicon by injection-level dependent lifetime measurements.</a> J. App. Phys. 89 (12), 7932-7339 (2001).</li><li>Schmidt, J., Bothe, K. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Structure+and+transformation+of+the+metastable+boron-+and+oxygen-related+defect+center+in+crystalline+silicon.">Structure and transformation of the metastable boron- and oxygen-related defect center in crystalline silicon.</a> Phys. Rev. B. 69 (2), 024107 (2004).</li><li>Rougieux, F., Grant, N., Murphy, J., Macdonald, <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=D.+Influence+of+Annealing+and+Bulk+Hydrogenation+on+Lifetime+Limiting+Defects+in+Nitrogen-Doped+Floating+Zone+Silicon.">D. Influence of Annealing and Bulk Hydrogenation on Lifetime Limiting Defects in Nitrogen-Doped Floating Zone Silicon.</a> IEEE J. Photovoltaics. 5 (2), 495-498 (2014).</li><li>Zheng, P., Rougieux, F., Grant, N., Macdonald, D. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Evidence+for+vacancy-related+Recombination+Active+Defects+in+as-grown+n-type+Czochralski+Silicon.">Evidence for vacancy-related Recombination Active Defects in as-grown n-type Czochralski Silicon.</a> IEEE J. Photovoltaics. 5 (1), 183-188 (2014).</li><li>Grant, N. E., Rougieux, F. E., Macdonald, D., Bullock, J., Wan, Y. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Grown-in+point+defects+limiting+the+bulk+lifetime+of+p.-type+float-zone+silicon+wafers.">Grown-in point defects limiting the bulk lifetime of p.-type float-zone silicon wafers.</a> J. App. Phys. 117 (5), 055711 (2015).</li><li>Hallam, B., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Hydrogen+passivation+of+B-O+defects+in+Czochralski+silicon.">Hydrogen passivation of B-O defects in Czochralski silicon.</a> Energy Procedia. 38, 561-570 (2013).</li><li>Hallam, B., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Advanced+bulk+defect+passivation+for+silicon+solar+cells.">Advanced bulk defect passivation for silicon solar cells.</a> IEEE J. Photovoltaics. 4 (1), 88-95 (2014).</li><li>Hornyi, T. S., Pavelka, T., Ttt, P. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=In+situ+bulk+lifetime+measurement+on+silicon+with+a+chemically+passivated+surface.">In situ bulk lifetime measurement on silicon with a chemically passivated surface.</a> App. Surf. Sci. 63 (1-4), 306-311 (1993).</li><li>Meier, D. L., Page, M. R., Iwaniczko, E., Xu, Y., Wang, Q., Branz, H. M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Determination+of+surface+recombination+velocities+for+thermal+oxide+and+amorphous+silicon+on+float+zone+silicon.">Determination of surface recombination velocities for thermal oxide and amorphous silicon on float zone silicon.</a> , (2007).</li><li>Chhabra, B., Bowden, S., Opila, R. L., Honsberg, C. B. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=High+effective+minority+carrier+lifetime+on+silicon+substrates+using+quinhydrone-methanol+passivation.">High effective minority carrier lifetime on silicon substrates using quinhydrone-methanol passivation.</a> App. Phys. Lett. 96 (6), 063502 (2010).</li><li>Chhabra, B., Weiland, C., Opila, R. L., Honsberg, C. B. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Surface+characterization+of+quinhydrone-methanol+and+iodine-methanol+passivated+silicon+substrates+using+X-ray+photoelectron+spectroscopy.">Surface characterization of quinhydrone-methanol and iodine-methanol passivated silicon substrates using X-ray photoelectron spectroscopy.</a> Phys. Stat. Sol. (a). 208 (1), 86-90 (2011).</li><li>Yablonovitch, E., Allara, D. L., Chang, C. C., Gmitter, T., Bright, T. B. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Unusually+low+surface+recombination+velocity+on+silicon+and+germanium+surfaces.">Unusually low surface recombination velocity on silicon and germanium surfaces.</a> Phys. Rev. Lett. 57 (2), 249-252 (1986).</li><li>Grant, N. E., McIntosh, K. R., Tan, J. T. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Evaluation+of+the+bulk+lifetime+of+silicon+wafers+by+immersion+in+hydrofluoric+acid+and+illumination.">Evaluation of the bulk lifetime of silicon wafers by immersion in hydrofluoric acid and illumination.</a> J. Solid State Sci. Technol. 1 (2), P55-P61 (2012).</li><li>Grant, N. E., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Light+enhanced+hydrofluoric+acid+passivation+for+evaluating+silicon+bulk+lifetimes.">Light enhanced hydrofluoric acid passivation for evaluating silicon bulk lifetimes.</a> 28.th. European Photovoltaic Solar Energy Conference. , 883-887 (2013).</li><li>Grant, N. E. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=.">.</a> Surface passivation and characterization of crystalline silicon by wet chemical treatments. , (2012).</li><li>Kern, W. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=The+evolution+of+silicon+wafer+cleaning+technology.">The evolution of silicon wafer cleaning technology.</a> J. Electrochem. Soc. 137 (6), 1887-1892 (1990).</li><li>Angermann, H., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Wet-chemical+passivation+of+atomically+flat+and+structured+silicon+substrates+for+solar+cell+application.">Wet-chemical passivation of atomically flat and structured silicon substrates for solar cell application.</a> App. Surf. Sci. 254 (12), 3615-3625 (2008).</li><li>Angermann, H., Henrion, W., Rseler, A., Rebien, M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Wet-chemical+passivation+of+Si(111)-+and+Si(100)-substrates.">Wet-chemical passivation of Si(111)- and Si(100)-substrates.</a> Mat. Sci. Eng. B. 73 ((1-3)), 178-183 (2000).</li><li>Bertagna, V., Plougonven, C., Rouelle, F., Chemla, M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=p-+and+n-type+silicon+electrochemical+properties+in+dilute+hydrofluoric+acid+solutions.">p- and n-type silicon electrochemical properties in dilute hydrofluoric acid solutions.</a> J. Electrochem. Soc. 143 (11), 3532-3538 (1996).</li><li>Bertagna, V., Erre, R., Rouelle, F., Chemla, M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Ionic+components+dependence+of+the+charge+transfer+reactions+at+the+silicon/HF+solution+interface.">Ionic components dependence of the charge transfer reactions at the silicon/HF solution interface.</a> J. Solid State Electrochem. 4 (1), 42-51 (1999).</li><li>Kolasinski, K. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=The+mechanism+of+Si+etching+in+fluoride+solutions.">The mechanism of Si etching in fluoride solutions.</a> Phys. Chem. Chem. Phys. 5 (6), 1270-1278 (2003).</li><li>Trucks, G. W., Raghavachari, K., Higashi, G. S., Chabal, Y. J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Mechanism+of+HF+etching+of+silicon+surfaces:+A+theoretical+understanding+of+hydrogen+passivation.">Mechanism of HF etching of silicon surfaces: A theoretical understanding of hydrogen passivation.</a> Phys. Rev. Lett. 65 (4), 504-507 (1990).</li><li>Zhang, X. G. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=.">.</a> Electrochemistry of silicon and its oxide. , (2001).</li></ol>

Успешное внедрение методики измерений жизни объемной кремния, описанного выше, основана на трех важных шагов, (I) химически чистки и травления кремниевых пластин, (II) погружение в 15% -ный раствор HF и (III) освещения в течение 1 мин 17, 18,19. Без этих шагов, основная жизни не может быть измер...

Высокая продолжительность жизни (&gt; 1 мс) монокристаллического кремния становится все более важным для высокой эффективности солнечных батарей. Понимание рекомбинации характеристики встроенных примесей была и остается важной темой. Одним из наиболее широко используемых методов для изучения рекомбинации активности ростовых дефектов методом фотопроводимости 1. По этой методике, часто трудно полностью отделить от поверхности объемной рекомбинации, что делает его трудно исследовать рекомбинации характеристики взрослых в дефектов. К счастью существует несколько диэлектрических пленок, которые могут достичь очень низких эффективных скоростей поверхностной рекомбинации (S EFF) &lt;5 см / сек, и таким образом эффективно ингибируют поверхностной рекомбинации. К ним относятся, нитрид кремния (SiN х: Н) 2, оксид алюминия (Al 2 O 3) 3 и аморфного кремния (а-Si: H) 4. Отложение иnealing температуры (~ 400 ° C) этих диэлектрических пленок считается достаточно низким, чтобы не навсегда отключить рекомбинации деятельность взрослый дефектами. Примерами этого являются железо-бор 5 и бора кислорода 6 дефекты. Тем не менее, в последнее время было установлено, что вакансия кислорода и фосфора вакансия дефекты н -типа Чохральского (Cz) кремния может быть полностью отключена при температуре 250-350 ° С 7,8. Аналогично дефект в поплавок-зоны (ФЗ) р-типа кремния был найден, чтобы деактивировать при ~ 250 ° C 9. Таким образом, традиционные методы, такие как пассивации плазмостимулированного химического осаждения из паровой (PECVD) и осаждения атомных слоев (ALD), не могут быть пригодны для ингибирования поверхностной рекомбинации изучить взрослые в массовых дефектов. Кроме того, SiN х: Н и А-Si: H пленок, как было показано, чтобы деактивировать объемном кремнии дефектов гидрированием 10,11. Поэтому для изучения рекомбинации активности O<html> е выросла в дефектов, методика пассивации поверхности РТ будет идеальной. Мокрый химический пассивации поверхности выполняет это требование. В 1990-е годы Horanyi др. Показали, что погружение кремниевых пластин в йода-этанол решения (IE) обеспечивает средства для пассивации кремниевых пластин, достижения S эфф &lt;10 см / сек 12. В 2007 Мейер и др. Показали, что йод-метанол растворы (IM) могут уменьшить поверхностной рекомбинации до 7 см / с 13, в то время как в 2009 году Chhabra др. Показали, что S эфф 5 см / сек могут быть достигнуты путем погружения кремниевых пластин в хингидрона-метанол (QM) решений 14,15. Несмотря на отличную пассивации поверхности достигается IE, IM и решений QM, они не обеспечивают адекватной пассивации поверхности (S эфф &lt;5 см / сек), чтобы измерить время жизни объемной кремниевых пластин высокой чистоты. нт &quot;&gt; Еще одно средство для достижения высокого уровня поверхности пассивации путем погружения кремниевых пластин в фтористоводородной кислоты. Понятие использования HF для пассивации кремниевых пластин был впервые введен Yablonavitch др. в 1986 году, который продемонстрировал рекордно низкой S эф 0,25 ± 0,5 см / сек 16. Несмотря на то, отличное пассивации поверхности была достигнута на высоких пластин сопротивления, мы нашли технику, чтобы быть неповторяющиеся, таким образом, добавляя большую неопределенность в измерении жизни. Поэтому, чтобы ограничить неопределенность последовательно достижения очень низкий S эфф (~ 1 см / сек), мы разработали новую технику ВЧ пассивации, который включает три важных шагов, (I) химически очистки и травления кремниевых пластин, (II) погружение в 15% -ный раствор HF и (III) Подсветка в течение 1 мин 17,18. Эта процедура является простым и время эффективным в сравнении с традиционной PECVD и методов ALD осаждения, перечисленных выше.

<table>
	<tbody>
		<tr>
			<td>Hydrofluoric acid (48%)</td>
			<td>Merck Millipore,&#160; &#160;http://www.merckmillipore.com/AU/en/product/Hydrofluoric-acid-48%25,MDA_CHEM-100334</td>
			<td>1003340500</td>
			<td>Harmful and toxic. Any supplier could be used provided the chemical is Analytical Reagent (AR) grade.</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Hydrochloric acid 32%, AR</td>
			<td>ACI Labscan, http://www.rcilabscan.com/modules/productview.php?product_id=1985</td>
			<td>107209</td>
			<td>Harmful and toxic. Any supplier could be used provided the chemical is Analytical Reagent (AR) grade.</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Ammonia (30%) Solution AR</td>
			<td>Chem-supply, https://www.chemsupply.com.au/aa005-500m</td>
			<td>AA005</td>
			<td>Harmful and toxic. Any supplier could be used provided the chemical is Analytical Reagent (AR) grade.</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Hydrogen Peroxide (30%)</td>
			<td>Merck Millipore, http://www.merckmillipore.com/AU/en/product/Hydrogen-peroxide-30%25,MDA_CHEM-107209</td>
			<td>1072092500</td>
			<td>Harmful and toxic. Any supplier could be used provided the chemical is Analytical Reagent (AR) grade.</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Tetramethylammonium hydroxide (25% in H2O)</td>
			<td>J.T Baker, https://us.vwr.com/store/catalog/product.jsp?product_id=4562992</td>
			<td>5879-03</td>
			<td>Harmful and toxic. Any supplier could be used provided the chemical is Analytical Reagent (AR) grade.</td>
		</tr>
		<tr>
			<td></td>
			<td></td>
			<td></td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>640 mL round plastic container</td>
			<td>Sistema, http://sistemaplastics.com/products/klip-it-round/640ml-round</td>
			<td>N/A</td>
			<td>This is a good container for storing the 15% HF solution in.</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>WCT-120 lifetime tester</td>
			<td>Sinton Instruments, http://www.sintoninstruments.com/Sinton-Instruments-WCT-120.html</td>
			<td>N/A</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Dell workstation with Microsoft Office Pro, Data acquisition card and software including Sinton Software under existing license.</td>
			<td>Sinton Instruments, http://www.sintoninstruments.com</td>
			<td>N/A</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Halogen optical lamp, ELH 300W, 120V</td>
			<td>OSRAM Sylvania, http://www.sylvania.com/en-us/products/halogen/Pages/default.aspx</td>
			<td>54776</td>
			<td>Any equivalent lamp could be used.</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Voltage power source</td>
			<td>Home made power supply</td>
			<td>N/A</td>
			<td>Any power supply could be used provided it can produce up to 90 Volts and 1-5 Amps.</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Conductivity meter</td>
			<td>WTW, http://www.wtw.de/uploads/media/US_L_07_Cond_038_049_I_02.pdf</td>
			<td>LF330</td>
			<td></td>
		</tr>
	</tbody>
</table>

light enhanced hydrofluoric acid passivation: a sensitive technique for detecting bulk silicon defects

Процедура для измерения объемной жизни (&gt; 100 мкс) кремниевых пластин, временно достижения очень высокий уровень пассивации поверхности при погружении пластин в плавиковой кислоте (HF) представлена. В результате этой процедуры три критических шагов, которые необходимо достичь объемной жизни. Во-первых, до погружения кремниевых пластин в HF, они химически очищены и затем врезался в 25% гидроксида тетраметиламмония. Во-вторых, химически модифицированный пластины помещают в большой пластиковый контейнер, заполненный смесью HF и соляной кислоты, а затем по центру над индуктивной катушки для фотопроводимости (ПК) измерений. В-третьих, для ингибирования поверхностной рекомбинации и измерить насыпную жизни, вафли освещены в 0,2 солнц в течение 1 мин с помощью галогенной лампы, освещение выключено, и измерение ПК сразу приняты. С помощью этой процедуры, характеристики сыпучих кремния дефектов могут быть точно определены. МехThermore, ожидается, что чувствительный метод РТ пассивации поверхности будет необходимо для изучения объемных дефектов кремния, когда их концентрация низка (&lt;10 12 см -3).

На рисунке 1а показана схема и 1б представлена ​​фотография экспериментальной установки. При кремниевую пластину погружают в ВЧ раствора, затем помещают на стадии жизни тестера и измерение выполняется (до освещения), кривую, которая ограничена поверхностной рекомби...

Watch this Scientific Journal Video about Light Enhanced Hydrofluoric Acid Passivation: A Sensitive Technique for Detecting Bulk Silicon Defects at JoVE.com

Light Enhanced Hydrofluoric Acid Passivation: A Sensitive Technique for Detecting Bulk Silicon Defects

Свет Enhanced плавиковой кислоты пассивация: чувствительного метода для обнаружения объемного кремния дефекты

Поверхности жидкости техника пассивации РТ исследовать рекомбинации деятельность сыпучих кремния дефектов описана. Для техника, чтобы быть успешным, три критические шаги: (I) химическую очистку и травление кремния, (II) погружение кремния в 15% плавиковой кислоты и (III) освещения в течение 1 мин.

A procedure to measure the bulk lifetime (&#62;100 &#181;sec) of silicon wafers by temporarily attaining a very high level of surface passivation when ...

Research

JoVE Journal

Engineering

Polycrystalline Silicon Thin-film Solar cells with Plasmonic-enhanced Light-trapping

Поликристаллического кремния тонкопленочные солнечные элементы с Плазмонных повышенной световой захвата

One of major approaches to cheaper solar cells is reducing the amount of semiconductor material used for their fabrication and making cells thinner. To ...

Synthesis of Phase-shift Nanoemulsions with Narrow Size Distributions for Acoustic Droplet Vaporization and Bubble-enhanced Ultrasound-mediated Ablation

Синтез Фазовый наноэмульсии с узким распределением размера для акустической испарения капель и Bubble повышенной ультразвуковой аблации-опосредованной

High-intensity  focused ultrasound (HIFU) is used clinically to thermally ablate tumors. To  enhance localized heating and improve thermal ablation in ...

Monolayer Contact Doping of Silicon Surfaces and Nanowires Using Organophosphorus Compounds

Монослоя Связаться легирования кремния поверхностей и нанопроволок Использование фосфорорганических соединений

Monolayer Contact Doping (MLCD) is a simple method for doping of surfaces and nanostructures1. MLCD results in the formation of highly controlled, ultra ...

Scalable Nanohelices for Predictive Studies and Enhanced 3D Visualization

Масштабируемые Nanohelices для интеллектуального исследований и Enhanced 3D визуализация

Spring-like materials are ubiquitous in nature and of interest in nanotechnology for energy harvesting, hydrogen storage, and biological sensing ...

Selective Area Modification of Silicon Surface Wettability by Pulsed UV Laser Irradiation in Liquid Environment

Селективный Площадь Модификация поверхности кремния смачиваемости импульсным УФ лазерного облучения в жидкой среде

The wettability of silicon (Si) is one of the important parameters in the technology of surface functionalization of this material and fabrication of ...

Silicon Metal-oxide-semiconductor Quantum Dots for Single-electron Pumping

Кремний Металл-оксид-полупроводниковых квантовых точек для одного электрона Перекачивание

As mass-produced silicon transistors have reached the nano-scale, their behavior and performances are increasingly affected, and often deteriorated, by ...

Integration of Light Trapping Silver Nanostructures in Hydrogenated Microcrystalline Silicon Solar Cells by Transfer Printing

Интеграция легкими прилипания Серебряные наноструктур в гидрогенизированное микрокристаллическая кремниевых солнечных элементов по трансферная печать

One of the potential applications of metal nanostructures is light trapping in solar cells, where unique optical properties of nanosized metals, commonly ...

Printing Fabrication of Bulk Heterojunction Solar Cells and In Situ Morphology Characterization

Printing Fabrication of Bulk Heterojunction Solar Cells and In Situ Morphology Characterization

Печать Изготовление Bulk гетероперехода солнечных элементов и<em&gt; В Ситу</em&gt; Морфология характеристика

Polymer-based materials hold promise as low-cost, flexible efficient photovoltaic devices. Most laboratory efforts to achieve high performance devices ...

Fabrication and Operation of Acoustofluidic Devices Supporting Bulk Acoustic Standing Waves for Sheathless Focusing of Particles

Изготовление и эксплуатация Acoustofluidic устройств с поддержкой объемных акустических стоячих волн для без футляра фокусировки частиц

Acoustophoresis refers to the displacement of suspended objects in response to directional forces from sound energy. Given that the suspended objects must ...