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Efeito da flexão no Características elétricas dos transistores de efeito de campo baseados em cristal flexível Orgânico Um único

DOI :

10.3791/54651-v

November 7th, 2016

November 7th, 2016

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1Institution of Chemistry, Academia Sinica, 2Department of Chemistry, National Central University

Este manuscrito descreve o processo de dobra de um único transistor de efeito de campo baseados em cristal orgânico para manter um dispositivo de funcionamento para a medição de propriedades eletrônico. Os resultados sugerem que provoca alterações da flexão no espaçamento molecular no cristal e, portanto, da taxa de saltos de carga, que é importante em electrónica flexíveis.

Tags

Engenharia

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