Name: preparation of large-area vertical 2d crystal hetero-structures through the sulfurization of transition metal films for device fabrication
Uploaded: 2017-11-28T13:00:00
Description: Watch this Scientific Journal Video about Preparation of Large-area Vertical 2D Crystal Hetero-structures Through the Sulfurization of Transition Metal Films for Device Fabrication at JoVE.com

هذا العمل وأيده في الجزء المشاريع الأكثر 105-2221-E-001-011-MY3 والأكثر 105-2622-8-002-001 الممولة من وزارة العلوم والتكنولوجيا، وتايوان، وجزئياً بمركزه المشروع الممولة من مركز البحوث "العلوم التطبيقية"، سينيكا، تايوان.

1-نمو فرادى المواد 2D (MoS2 و WS2)
<ol><li>
ترسب المعادن الانتقالية استخدام الترددات اللاسلكية اﻷخرق النظام
	<ol>
<li>ركيزة2 ياقوت نظيفة 2 × 2 سم توضع على صاحب العينة مع الجانب المصقول نحو أهداف النظام اﻷخرق لترسب المعادن الانتقالية. ويتم اختيار ركائز الياقوت بسبب الاستقرار ...

<ol>
	<li>Moldt, T., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=High-Yield+Production+and+Transfer+of+Graphene+Flakes+Obtained+by+Anodic+Bonding.">High-Yield Production and Transfer of Graphene Flakes Obtained by Anodic Bonding.</a> ACS Nano. 5, 7700-7706 (2011).</li><li>Choi, W., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=High-Detectivity+Multilayer+MoS2+Phototransistors+with+Spectral+Response+from+Ultraviolet+to+Infrared.">High-Detectivity Multilayer MoS2 Phototransistors with Spectral Response from Ultraviolet to Infrared.</a> Adv. Mater. 24, 5832-5836 (2012).</li><li>Liu, H., Neal, A. T., Ye, P. D. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Channel+Length+Scaling+of+MoS2+MOSFETs.">Channel Length Scaling of MoS2 MOSFETs.</a> ACS Nano. 6, 8563-8569 (2012).</li><li>Wang, Q. H., Kalantar-Zadeh, K., Kis, A., Coleman, J. N., Strano, M. S. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Electronics+and+optoelectronics+of+two-dimensional+transition+metal+dichalcogenides.">Electronics and optoelectronics of two-dimensional transition metal dichalcogenides.</a> Nat. Nanotechnol. 7, 699-712 (2012).</li><li>Radisavljevic, B., Radenovic, A., Brivio, J., Giacometti, V., Kis, A. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Single-layer+MoS2+transistors.">Single-layer MoS2 transistors.</a> Nat. Nanotechnol. 6, 147-150 (2011).</li><li>Lee, Y. H., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Synthesis+of+Large-Area+MoS2+Atomic+Layers+with+Chemical+Vapor+Deposition.">Synthesis of Large-Area MoS2 Atomic Layers with Chemical Vapor Deposition.</a> Adv. Mater. 24, 2320-2325 (2012).</li><li>Yu, Y., Li, C., Liu, Y., Su, L., Zhang, Y., Cao, L. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Controlled+Scalable+Synthesis+of+Uniform,+High-Quality+Monolayer+and+Few-layer+MoS2+Films.">Controlled Scalable Synthesis of Uniform, High-Quality Monolayer and Few-layer MoS2 Films.</a> Sci. Rep. 3, 1866 (2013).</li><li>Ling, X., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Role+of+the+Seeding+Promoter+in+MoS2+Growth+by+Chemical+Vapor+Deposition.">Role of the Seeding Promoter in MoS2 Growth by Chemical Vapor Deposition.</a> Nano Lett. 14, 464-472 (2014).</li><li>Lee, Y., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Synthesis+of+wafer-scale+uniform+molybdenum+disulfide+films+with+control+over+the+layer+number+using+a+gas+phase+sulfur+precursor.">Synthesis of wafer-scale uniform molybdenum disulfide films with control over the layer number using a gas phase sulfur precursor.</a> Nanoscale. 6, 2821-2826 (2014).</li><li>Lin, M. Y., Su, C. F., Lee, S. C., Lin, S. Y. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=The+Growth+Mechanisms+of+Graphene+Directly+on+Sapphire+Substrates+using+the+Chemical+Vapor+Deposition.">The Growth Mechanisms of Graphene Directly on Sapphire Substrates using the Chemical Vapor Deposition.</a> J. Appl. Phys. 115, 223510 (2014).</li><li>Wu, C. R., Chang, X. R., Chang, S. W., Chang, C. E., Wu, C. H., Lin, S. Y. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Multilayer+MoS2+prepared+by+one-time+and+repeated+chemical+vapor+depositions:+anomalous+Raman+shifts+and+transistors+with+high+ON/OFF+ratio.">Multilayer MoS2 prepared by one-time and repeated chemical vapor depositions: anomalous Raman shifts and transistors with high ON/OFF ratio.</a> J. Phys. D Appl. Phys. 48, 435101 (2015).</li><li>Li, M. Y., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Epitaxial+growth+of+a+monolayer+WSe2-MoS2+lateral+p-n+junction+with+an+atomically+sharp+interface.">Epitaxial growth of a monolayer WSe2-MoS2 lateral p-n junction with an atomically sharp interface.</a> Science. 349, 524-528 (2015).</li><li>Zhan, Y., Liu, Z., Najmaei, S., Ajayan, M. P., Lou, J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Large-area+vapor-phase+growth+and+characterization+of+MoS2+atomic+layers+on+a+SiO2+substrate.">Large-area vapor-phase growth and characterization of MoS2 atomic layers on a SiO2 substrate.</a> Small. 8, 966 (2012).</li><li>Woods, J. M., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=One-Step+Synthesis+of+MoS2/WS2+Layered+Heterostructures+and+Catalytic+Activity+of+Defective+Transition+Metal+Dichalcogenide+Films.">One-Step Synthesis of MoS2/WS2 Layered Heterostructures and Catalytic Activity of Defective Transition Metal Dichalcogenide Films.</a> ACS Nano. 10, 2004-2009 (2016).</li><li>Wu, C. R., Chang, X. R., Wu, C. H., Lin, S. Y. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=The+Growth+Mechanism+of+Transition+Metal+Dichalcogenides+using+Sulfurization+of+Pre-deposited+Transition+Metals+and+the+2D+Crystal+Hetero-structure+Establishment.">The Growth Mechanism of Transition Metal Dichalcogenides using Sulfurization of Pre-deposited Transition Metals and the 2D Crystal Hetero-structure Establishment.</a> Sci. Rep. 7, 42146 (2017).</li><li>Chen, K. C., Chu, T. W., Wu, C. R., Lee, S. C., Lin, S. Y. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Layer+Number+Controllability+of+Transition-metal+Dichalcogenides+and+The+Establishment+of+Hetero-structures+using+Sulfurization+of+Thin+Transition+Metal+Films.">Layer Number Controllability of Transition-metal Dichalcogenides and The Establishment of Hetero-structures using Sulfurization of Thin Transition Metal Films.</a> J. of Phys. D: Appl. Phy. 50, 064001 (2017).</li><li>Wu, C. R., Chang, X. R., Chu, T. W., Chen, H. A., Wu, C. H., Lin, S. Y. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Establishment+of+2D+Crystal+Heterostructures+by+Sulfurization+of+Sequential+Transition+Metal+Depositions:+Preparation,+Characterization,+and+Selective+Growth.">Establishment of 2D Crystal Heterostructures by Sulfurization of Sequential Transition Metal Depositions: Preparation, Characterization, and Selective Growth.</a> Nano Lett. 16, 7093-7097 (2016).</li><li>Lin, M. Y., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Toward+epitaxially+grown+two-dimensional+crystal+hetero-structures:+Single+and+double+MoS2/graphene+hetero-structures+by+chemical+vapor+depositions.">Toward epitaxially grown two-dimensional crystal hetero-structures: Single and double MoS2/graphene hetero-structures by chemical vapor depositions.</a> Appl. Phys. Lett. 105, 073501 (2014).</li><li>Lee, C., Yan, H., Brus, L. E., Heinz, T. F., Hone, J., Ryu, S. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Anomalous+Lattice+Vibrations+of+Single+and+Few-Layer+MoS2.">Anomalous Lattice Vibrations of Single and Few-Layer MoS2.</a> ACS Nano. 4, 2695-2700 (2010).</li><li>Chen, K. C., Chu, T. W., Wu, C. R., Lee, S. C., Lin, S. Y. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Atomic+Layer+Etchings+of+Transition+Metal+Dichalcogenides+with+Post+Healing+Procedures:+Equivalent+Selective+Etching+of+2D+Crystal+Hetero-structures.">Atomic Layer Etchings of Transition Metal Dichalcogenides with Post Healing Procedures: Equivalent Selective Etching of 2D Crystal Hetero-structures.</a> 2D Mater. 4, 034001 (2017).</li></ol>

بالمقارنة مع مواد أشباه الموصلات التقليدية مثل Si و GaAs، استفادة المواد ثنائية الأبعاد لتطبيقات الجهاز يكمن في إمكانية تصنيع الجهاز مع الهيئات رقيقة جداً وصولاً إلى عدة طبقات ذرية. عندما تقدم الصناعة سي إلى < 10 عقده التكنولوجيا في شمال البحر الأبيض المتوسط، نسبة العرض إلى الارتفاع ارتفاع ا?...

هو واحد من النهج الأكثر شيوعاً للحصول على الأفلام كريستال 2D باستخدام التقشير الميكانيكي من معظم المواد1،2،3،،من45. على الرغم من أن الأفلام كريستال 2D مع بلورات ذات جودة عالية ويمكن بسهولة الحصول على استخدام هذا الأسلوب، لا تتوفر الأفلام كريستال 2D قابلة للتطوير من خلال هذا النهج، وغير ملائم للتطبيقات العملية. وقد ثبت في المنشورات السابقة أن استخدام ترسب البخار الكيميائي (الرسوم التعويضية)، الأفلام كريستال 2D مساحة كبيرة وموحدة يمكن أن استعداد6،7،،من89. النمو المباشر من الجرافين على ركائز الياقوت والسيطرة عليها طبقة-عدد الأفلام2 موس أعده تكرار دورة النمو نفسها أيضا أظهر استخدام الرسوم التعويضية نمو تقنية10،11. في منشور مؤخرا، ملفقة في الطائرة WSe رقائق هترو-هيكل2/MoS2 أيضا استخدام تقنية النمو الرسوم التعويضية12. على الرغم من أن أسلوب النمو الرسوم التعويضية واعدة في تقديم الأفلام قابلة البلورة 2D، العيب الرئيسي لهذا الأسلوب النمو أن السلائف مختلفة يجب أن تكون موجودة لبلورات مختلفة في 2D. كما تختلف شروط النمو بين بلورات مختلفة في 2D. وفي هذه الحالة، إجراءات النمو سوف تصبح أكثر تعقيداً عندما ينمو الطلب لكريستال 2D هترو-الهياكل.
بالمقارنة مع تقنية النمو الرسوم التعويضية، قدم سولفوريزيشن الأفلام المودعة قبل انتقال المعدن نهج نمو مشابهة ولكنها أبسط بكثير ل TMDs13،14. حيث يتضمن الإجراء النمو ترسب المعادن وسولفوريزيشن الإجراء التالي فقط، فمن الممكن تنمو TMDs مختلفة عن طريق النمو نفس الإجراءات. من ناحية أخرى، يمكن أيضا تحقيق التحكم رقم طبقة من بلورات 2D عن طريق تغيير سمك المودعة قبل انتقال المعدن. وفي هذه الحالة، النمو الأمثل وطبقة التحكم رقم وصولاً إلى طبقة واحدة مطلوبة من أجل مختلف TMDs. فهم آليات النمو أيضا مهم جداً لإقامة أنظمة الدفاع الصاروخي التكتيكي معقدة هترو-هياكل باستخدام هذا الأسلوب.
في هذه الورقة، موس2 و WS2 تعد أفلام تحت إجراءات نمو مماثلة لترسب المعادن متبوعاً الإجراء سولفوريزيشن. مع النتائج التي تم الحصول عليها من سولفوريزيشن الأفلام مو ظروف كافية ونقص الكبريت، لوحظت الآليتين النمو أثناء إجراء سولفوريزيشن15. بشرط كاف الكبريت، يمكن الحصول على موس موحدة والسيطرة عليها طبقة رقم2 فيلم بعد إجراء سولفوريزيشن. عندما هو سولفوريزيد العينة بشرط نقص الكبريت، الكبريت الخلفية ليست كافية لتشكيل فيلم2 موس كاملة حيث فصل أكسيد مو والتلاحم لا تكون الآلية المسيطرة في مرحلة النمو المبكر. وسيتم الحصول على عينة مع مجموعات أكسيد مو تغطيها طبقات قليلة من موس2 بعد إجراء سولفوريزيشن15. من خلال ترسب المعادن متسلسلة والإجراءات سولفوريزيشن التالية، يمكن إعداد WS2/MoS2 عمودي هترو-الهياكل مع طبقة التحكم رقم وصولاً إلى طبقة واحدة15،16. باستخدام هذا الأسلوب، يتم الحصول على عينة على الركازة ياقوت واحدة مع أربع مناطق: (ط) فارغة الركازة الياقوت، (ثانيا) مستقل موس2و WS (ثالثا)2/MoS2 هترو-هيكل، و (رابعا) مستقل WS217 . تظهر النتائج أن أسلوب النمو هو مفيد لإنشاء العمودي كريستال 2D هترو-هيكل وقادر على النمو الانتقائي. أداء كريستال 2D هترو-هياكل الأجهزة المحسنة سيمثل الخطوة الأولى نحو التطبيقات العملية لبلورات 2D.

<table>
	<tbody>
		<tr>
			<td>RF sputtering system</td>
			<td>Kao Duen Technology</td>
			<td>N/A</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Furnace for sulfurization</td>
			<td>Creating Nano Technologies</td>
			<td>N/A</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Polymethyl methacrylate (PMMA)</td>
			<td>Microchem</td>
			<td>8110788</td>
			<td>Flammable</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>KOH, &#62; 85%</td>
			<td>Sigma-Aldrich</td>
			<td>30603</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Acetone, 99.5%</td>
			<td>Echo Chemical</td>
			<td>CMOS110</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Sulfur (S), 99.5%</td>
			<td>Sigma-Aldrich</td>
			<td>13803</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Molybdenum (Mo), 99.95%</td>
			<td>Summit-Tech</td>
			<td>N/A</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Tungsten (W), 99.95%</td>
			<td>Summit-Tech</td>
			<td>N/A</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>C-plane Sapphire substrate</td>
			<td>Summit-Tech</td>
			<td>X171999</td>
			<td>(0001) &#177; 0.2 &#176; one side polished</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>300 nm SiO2/Si substrate</td>
			<td>Summit-Tech</td>
			<td>2YCDDM</td>
			<td>P-type Si substrate, resistivity: 1-10 &#937; &#183; cm.</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Sample holder (sputtering system)</td>
			<td>Kao Duen Technology</td>
			<td>N/A</td>
			<td>Ceramic material</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Mechanical pump (sputtering system)</td>
			<td>Ulvac</td>
			<td>D-330DK</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Diffusion pump (sputtering system)</td>
			<td>Ulvac</td>
			<td>ULK-06A</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Mass flow controller</td>
			<td>Brooks</td>
			<td>5850E</td>
			<td>The maximum Argon flow is 400 mL/min</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Manual wheel Angle poppet valve</td>
			<td>King Lai</td>
			<td>N/A</td>
			<td>Vacuum range from 2500 ~1 &#215; 10-8 torr</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Raman measurement system</td>
			<td>Horiba</td>
			<td>Jobin Yvon LabRAM HR800</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Transmission electron microscopy</td>
			<td>Fei</td>
			<td>Tecnai G2 F20</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Petri dish</td>
			<td>Kwo Yi</td>
			<td>N/A</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Tweezer</td>
			<td>Venus</td>
			<td>2A</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Digital dry cabinet</td>
			<td>Jwo Ruey Technical</td>
			<td>DRY-60</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Dual-channel system sourcemeter</td>
			<td>Keithley</td>
			<td>2636B</td>
			<td></td>
		</tr>
	</tbody>
</table>

preparation of large-area vertical 2d crystal hetero-structures through the sulfurization of transition metal films for device fabrication

أننا قد أثبتت ذلك من خلال سولفوريزيشن الأفلام المعادن الانتقالية مثل الموليبدينوم (مو) ومساحة كبيرة من التنغستن (W)، والزي معدنية انتقالية ديتشالكوجينيديس (TMDs) موس2 و WS2 يمكن أن تكون مستعدة على ركائز الياقوت. بالتحكم في سمك الفيلم معدنية، طبقة جيدة للتحكم الرقمي، وصولاً إلى طبقة واحدة من TMDs، يمكن الحصول على استخدام هذا الأسلوب في النمو. استناداً إلى النتائج التي تم الحصول عليها من الفيلم مو سولفوريزيد تحت ظروف نقص الكبريت، وهناك آليتان للنمو2 موس (أ) مستو و (ب) فصل أكسيد مو لاحظ أثناء إجراء سولفوريزيشن. عندما الكبريت الخلفية كافية، مستو أنظمة الدفاع الصاروخي التكتيكي النمو هو إليه النمو السائد، الذي سوف ينتج فيلما2 موس موحدة بعد إجراء سولفوريزيشن. في حالة نقص الكبريت الخلفية، سيكون فصل أكسيد مو إليه النمو السائد في المرحلة الأولى من الإجراءات سولفوريزيشن. وفي هذه الحالة، سيتم الحصول على العينة مع مجموعات أكسيد مو مغطاة بطبقة قليل موس2 . وبعد إنشاء متسلسلة مو ترسب/سولفوريزيشن وث ترسب/سولفوريزيشن الإجراءات، عمودي WS2/MoS2 هترو-هياكل باستخدام هذه التقنية النمو. قمم رامان تناظر WS2 وموس2، على التوالي، وعدد طبقة متطابقة هترو-الهيكل مع ملخص للمواد ثنائية الأبعاد الفردية وقد أكدت النجاح في إنشاء كريستال 2D العمودي هترو-الهيكل. بعد نقل WS2/MoS2 الفيلم على الركازة/Si SiO2مع أقطاب منقوشة قبل المصدر/استنزاف، مختلق ترانزستور السفلي-بوابة. بالمقارنة مع الترانزستور مع موس2 قنوات فقط، التيارات استنزاف أعلى من الجهاز مع WS2/MoS2 هترو-هيكل أظهرت أن مع الأخذ بكريستال 2D هترو-الهياكل، الأجهزة العليا يمكن الحصول على الأداء. وقد كشفت النتائج إمكانات هذا الأسلوب النمو للتطبيق العملي لبلورات 2D.

ويبين الطيف رامان، وصور مقطعية هرتيم الفردية موس2 و WS2 ملفقة باستخدام سولفوريزيشن المودعة قبل انتقال المعادن في الشكل 1 ألف-ب17، على التوالي. اثنين من قمم رامان المميزة ملاحظة بالنسبة لكل من موس2 و WS2، التي تقاب?...

Watch this Scientific Journal Video about Preparation of Large-area Vertical 2D Crystal Hetero-structures Through the Sulfurization of Transition Metal Films for Device Fabrication at JoVE.com

Preparation of Large-area Vertical 2D Crystal Hetero-structures Through the Sulfurization of Transition Metal Films for Device Fabrication

من خلال سولفوريزيشن المودعة قبل انتقال المعادن، يمكن أن تكون ملفقة كريستال 2D مساحة كبيرة والعمودي هترو-الهياكل. كما أظهر الفيلم نقل، وإجراءات تصنيع الجهاز في هذا التقرير.

إعداد مساحة كبيرة الرأسي 2D المتغايرة كريستال-الهياكل من خلال سولفوريزيشن الأفلام المعادن الانتقالية لتصنيع الجهاز

We have demonstrated that through the sulfurization of transition metal films such as molybdenum (Mo) and tungsten (W), large-area and uniform transition ...

Research

JoVE Journal

Engineering

Fabrication And Characterization Of Photonic Crystal Slow Light Waveguides And Cavities

تصنيع وتوصيف الدليل الموجي الكريستال الضوئية الخفيفة بطيئة وتجاويف

Slow light has been one of the hot topics in the photonics community in the past decade, generating great interest both from a fundamental point of view ...

Fabrication of Low Temperature Carbon Nanotube Vertical Interconnects Compatible with Semiconductor Technology

تلفيق درجة الحرارة منخفضة الكربون الأنابيب الجزيئية عمودي روابط متوافق مع تكنولوجيا أشباه الموصلات

We demonstrate a method for the low temperature growth (350 &#176;C) of vertically-aligned carbon nanotubes (CNT) bundles on electrically conductive ...

Preparation of Liquid-exfoliated Transition Metal Dichalcogenide Nanosheets with Controlled Size and Thickness: A State of the Art Protocol

إعداد تقشر السائل الانتقال المعادن Dichalcogenide Nanosheets مع تسيطر الحجم والسماكة: دولة على البروتوكول الفن

We summarize recent advances in the production of liquid-exfoliated transition metal dichalcogenide (TMD) nanosheets with controlled size and thickness. ...

Fabrication of 1-D Photonic Crystal Cavity on a Nanofiber Using Femtosecond Laser-induced Ablation

تصنيع 1-D الضوئية التجويف البلوري على ألياف نانوية عن طريق الاجتثاث التي يسببها الليزر الفيمتو ثانية

We present a protocol for fabricating 1-D Photonic Crystal (PhC) cavities on subwavelength-diameter tapered optical fibers, optical nanofibers, using ...

Orientational Transition in a Liquid Crystal Triggered by the Thermodynamic Growth of Interfacial Wetting Sheets

التحول الشرقي في الكريستال السائل الناجم عن النمو الديناميكي للصفائح الرطب بينية

In liquid crystal (LC) physical chemistry, molecules near the surface play a great role in controlling bulk orientation. Thus far, mainly to achieve ...

Preparation of Liquid Crystal Networks for Macroscopic Oscillatory Motion Induced by Light

إعداد شبكات البلورات السائلة للحركة متذبذبة العيانية الناجم عن الضوء

A strategy based on doped liquid crystalline networks is described to create mechanical self-sustained oscillations of plastic films under continuous ...

Atmospheric Pressure Fabrication of Large-Sized Single-Layer Rectangular SnSe Flakes

الضغط الجوي تصنيع رقائق سنسي مستطيلة طبقة واحدة كبيرة الحجم

Tin selenide (SnSe) belongs to the family of layered metal chalcogenide materials with a buckled structure like phosphorene, and has shown potential for ...

Fabrication of Superhydrophobic Metal Surfaces for Anti-Icing Applications

تصنيع سوبيرهيدروفوبيك الأسطح المعدنية لتطبيقات مضادة للتجمد

Several ways to produce superhydrophobic metal surfaces are presented in this work. Aluminum was chosen as the metal substrate due to its wide use in ...

Fused Filament Fabrication (FFF) of Metal-Ceramic Components

Fused Filament Fabrication FFF of Metal-Ceramic Components

تصنيع خيوط تنصهر (FFF) من مكونات معدنية-السيراميك

Technical ceramics are widely used for industrial and research applications, as well as for consumer goods. Today, the demand for complex geometries with ...

Radio Frequency Magnetron Sputtering of GdBa2Cu3O7&#8722;&#948;/ La0.67Sr0.33MnO3 Quasi-bilayer Films on SrTiO3 (STO) Single-crystal Substrates

Radio Frequency Magnetron Sputtering of GdBa2Cu3O7ÃƒÆ’Ã‚Â¢Ãƒâ€¹Ã¢â‚¬Â 'ÃƒÆ’Ã…Â½Ãƒâ€šÃ‚Â´/ La0.67Sr0.33MnO3 Quasi-bilayer Films on SrTiO3 STO Single-crystal Substrates

تردد الراديو ماغي اﻷخرق جدبا2Cu3س7−δ/La0.67ريال0.33منو3 بلير شبه أفلام على ركائز واحدة-كريستال3 (ستو) سرتيو

Here, we demonstrate a method of coating ferromagnetic La0.67Sr0.33MnO3 (LSMO) nanoparticles on (001) SrTiO3 (STO) single-crystal substrates by radio ...