Name: production and characterization of vacuum deposited organic light emitting diodes
Uploaded: 2018-11-16T12:30:00
Duration: 7 min 44 s
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लेखक "Excilight परियोजना" जो H2020 से धन प्राप्त स्वीकार करना चाहूंगा-MSCA-ITN-2015/674990 ।

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	<li>Tang, C. W., VanSlyke, S. A. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Organic+electroluminescent+diodes.">Organic electroluminescent diodes.</a> Applied Physics Letters. 51, 913-915 (1987).</li><li>Shin, H., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Sky-Blue+Phosphorescent+OLEDs+with+34.1%+External+Quantum+Efficiency+Using+a+Low+Refractive+Index+Electron+Transporting+Layer.">Sky-Blue Phosphorescent OLEDs with 34.1% External Quantum Efficiency Using a Low Refractive Index Electron Transporting Layer.</a> Advanced Materials. , 1-6 (2016).</li><li>Bardsley, N., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=.">.</a> Solid-State Lighting R&amp;D Plan. , (2016).</li><li>Richter, B., Vogel, U., Herold, R., Fehse, K., Brenner, S., Kroker, L., Baumgarten, J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Bidirectional+OLED+Microdisplay:+Combining+Display+and+Image+Sensor+Functionality+into+a+Monolithic+CMOS+chip.">Bidirectional OLED Microdisplay: Combining Display and Image Sensor Functionality into a Monolithic CMOS chip.</a> IEEE. 314, (2011).</li><li>Sa Pereira, D., Data, P., Monkman, A. 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P. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Using+Guest-Host+Interactions+to+Optimize+the+Efficiency+of+TADF+OLEDs.">Using Guest-Host Interactions to Optimize the Efficiency of TADF OLEDs.</a> Journal of Physical Chemistry Letters. 7, 3341-3346 (2016).</li><li>Jou, J. -. H., Kumar, S., Agrawal, A., Li, T. -. H., Sahoo, S. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Approaches+for+fabricating+high+efficiency+organic+light+emitting+diodes.">Approaches for fabricating high efficiency organic light emitting diodes.</a> Journal of Materials Chemistry. C. 3, 2974-3002 (2015).</li><li>de Sa Pereira, D., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=An+optical+and+electrical+study+of+full+thermally+activated+delayed+fluorescent+white+organic+light-emitting+diodes.">An optical and electrical study of full thermally activated delayed fluorescent white organic light-emitting diodes.</a> Scientific Reports. 7, (2017).</li><li>Pereira, D., Pinto, A., California, A., Gomes, J., Pereira, L. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Control+of+a+White+Organic+Light+Emitting+Diode's+emission+parameters+using+a+single+doped+RGB+active+layer.">Control of a White Organic Light Emitting Diode's emission parameters using a single doped RGB active layer.</a> Materials Science and Engineering: B. 211, 156-165 (2016).</li><li>Data, P., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Evidence+for+Solid+State+Electrochemical+Degradation+Within+a+Small+Molecule+OLED.">Evidence for Solid State Electrochemical Degradation Within a Small Molecule OLED.</a> Electrochimica Acta. 184, 86-93 (2015).</li><li>Uoyama, H., Goushi, K., Shizu, K., Nomura, H., Adachi, C. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Highly+efficient+organic+light-emitting+diodes+from+delayed+fluorescence.">Highly efficient organic light-emitting diodes from delayed fluorescence.</a> Nature. 492, 234-238 (2012).</li><li>Goushi, K., Yoshida, K., Sato, K., Adachi, C. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Organic+light-emitting+diodes+employing+efficient+reverse+intersystem+crossing+for+triplet-to-singlet+state+conversion.">Organic light-emitting diodes employing efficient reverse intersystem crossing for triplet-to-singlet state conversion.</a> Nature Photonics. 6, 253-258 (2012).</li><li>Jankus, V., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Highly+efficient+TADF+OLEDs:+How+the+emitter-host+interaction+controls+both+the+excited+state+species+and+electrical+properties+of+the+devices+to+achieve+near+100%+triplet+harvesting+and+high+efficiency.">Highly efficient TADF OLEDs: How the emitter-host interaction controls both the excited state species and electrical properties of the devices to achieve near 100% triplet harvesting and high efficiency.</a> Advanced Functional Materials. 24, 6178-6186 (2014).</li><li>Etherington, M. K., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Regio-+and+conformational+isomerization+critical+to+design+of+efficient+thermally-activated+delayed+fluorescence+emitters.">Regio- and conformational isomerization critical to design of efficient thermally-activated delayed fluorescence emitters.</a> Nature Communications. 8, 14987 (2017).</li><li>Okazaki, M., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Thermally+activated+delayed+fluorescent+phenothiazine-dibenzo[a,j]phenazine-phenothiazine+triads+exhibiting+tricolor-changing+mechanochromic+luminescence.">Thermally activated delayed fluorescent phenothiazine-dibenzo[a,j]phenazine-phenothiazine triads exhibiting tricolor-changing mechanochromic luminescence.</a> Chemical Science. 8, 2677-2686 (2017).</li><li>Suzuki, Y., Zhang, Q., Adachi, C. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=A+solution-processable+host+material+of+1,3-bis{3-[3-(9-carbazolyl)phenyl]-9-carbazolyl}benzene+and+its+application+in+organic+light-emitting+diodes+employing+thermally+activated+delayed+fluorescence.">A solution-processable host material of 1,3-bis{3-[3-(9-carbazolyl)phenyl]-9-carbazolyl}benzene and its application in organic light-emitting diodes employing thermally activated delayed fluorescence.</a> Journal of Materials Chemistry. C. 3, 1700-1706 (2015).</li><li>Data, P., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Efficient+p-phenylene+based+OLEDs+with+mixed+interfacial+exciplex+emission.">Efficient p-phenylene based OLEDs with mixed interfacial exciplex emission.</a> Electrochimica Acta. 182, 524-528 (2015).</li><li>Data, P., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Exciplex+Enhancement+as+a+Tool+to+Increase+OLED+Device+Efficiency.">Exciplex Enhancement as a Tool to Increase OLED Device Efficiency.</a> Journal of Physical Chemistry C. 120, 2070-2078 (2016).</li><li>Data, P., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Dibenzo[a,j]phenazine-Cored+Donor-Acceptor-Donor+Compounds+as+Green-to-Red/NIR+Thermally+Activated+Delayed+Fluorescence+Organic+Light+Emitters.">Dibenzo[a,j]phenazine-Cored Donor-Acceptor-Donor Compounds as Green-to-Red/NIR Thermally Activated Delayed Fluorescence Organic Light Emitters.</a> Angewandte Chemie International Edition. 55, 5739-5744 (2016).</li><li>Goushi, K., Adachi, C. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Efficient+organic+light-emitting+diodes+through+up-conversion+from+triplet+to+singlet+excited+states+of+exciplexes.">Efficient organic light-emitting diodes through up-conversion from triplet to singlet excited states of exciplexes.</a> Applied Physics Letters. 23306, 10-14 (2014).</li><li>Dos Santos, P. L., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Engineering+the+singlet-triplet+energy+splitting+in+a+TADF+molecule.">Engineering the singlet-triplet energy splitting in a TADF molecule.</a> Journal of Materials Chemistry. C. 4, 3815-3824 (2016).</li><li>He, G., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Very+high-efficiency+and+low+voltage+phosphorescent+organic+light-emitting+diodes+based+on+a+p-i-n+junction.">Very high-efficiency and low voltage phosphorescent organic light-emitting diodes based on a p-i-n junction.</a> Journal of Applied Physics. 95, 5773-5777 (2004).</li><li>Pereira, L. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=.">.</a> Organic light emitting diodes: the use of rare earth and transition metals. , 33-36 (2011).</li><li>Dias, F. B., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=The+Role+of+Local+Triplet+Excited+States+in+Thermally-Activated+Delayed+Fluorescence:+Photophysics+and+Devices.">The Role of Local Triplet Excited States in Thermally-Activated Delayed Fluorescence: Photophysics and Devices.</a> Advanced Science. 3, 1600080 (2016).</li><li>Kim, Y. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Power-law-type+electron+injection+through+lithium+fluoride+nanolayers+in+phosphorescence+organic+light-emitting+devices.">Power-law-type electron injection through lithium fluoride nanolayers in phosphorescence organic light-emitting devices.</a> Nanotechnology. 19, 0 (2008).</li><li>Reineke, S., Thomschke, M., L&#252;ssem, B., Leo, K. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=White+organic+light-emitting+diodes:+Status+and+perspective.">White organic light-emitting diodes: Status and perspective.</a> Reviews of Modern Physics. 85, 1245-1293 (2013).</li></ol>

लेखकों का खुलासा करने के लिए कुछ नहीं है ।

वर्तमान प्रोटोकॉल का उद्देश्य, उत्पादन, encapsulation और छोटे आणविक-भार TADF-उत्सर्जक या exciplex-उत्सर्जन परतों पर आधारित oleds के लक्षण वर्णन के लिए एक प्रभावी उपकरण प्रस्तुत करना है । कार्बनिक वैक्यूम थर्मल वाष्पीकरण पतली फिल्मों के उत्पादन के लिए अनुमति देता है (कुछ Å से एनएम के सैकड़ों करने के लिए) दोनों कार्बनिक और अकार्बनिक सामग्री और प्रभारी वाहकों के लिए रास्ते का उत्पादन से गठबंधन है जो प्रकाश उत्सर्जित किया जाएगा । हालांकि बहुमुखी, डिवाइस उत्पादन काफी वाष्पीकरण अर्थात् करने के लिए सीमित है , कार्बनिक और अकार्बनिक उपलब्ध स्रोतों या एक ही समय में एक से अधिक वाष्पीकरण की संभावना की संख्या (सह और त्रि-वाष्पीकरण बहुत आम हैं, विशेष रूप से TADF उपकरणों में) । अधिक उंनत सिस्टम एक ही समय में 3 से अधिक स्रोतों के वाष्पीकरण के लिए अनुमति दे सकता है, जो अनुप्रयोगों के लिए उपयोगी हो सकता है जैसे सफेद oleds28 प्रदर्शित करता है और सामांय प्रकाश व्यवस्था के लिए । फिर भी, एक व्यापार बंद युक्ति जटिलता और उसके प्रदर्शन के बीच से मुलाकात की जानी चाहिए । इस वाष्पीकरण प्रक्रिया के multifunctionality भी अलग अध्ययन है कि इस काम से परे जाने की अनुमति देता है । ये परत मोटाई, dopant एकाग्रता, परत कार्यशीलता के प्रभाव या यहां तक कि नई परतों के अंतर्निहित मोबिल का अध्ययन शामिल हैं । एकल और सह-काफूर परतों की दरों पर ठीक नियंत्रण भी महत्वपूर्ण है क्योंकि यह नियंत्रित सटीक राशन के साथ वर्दी फिल्मों के गठन के लिए अनुमति देता है ।
यह सिफारिश की है कि इस प्रोटोकॉल के सभी कदम एक नियंत्रित वातावरण में किया जाता है और, encapsulation के लिए और अधिक महत्वपूर्ण बात, एक glovebox के अंदर किसी भी परिवेश से संबंधित क्षरण से बचने के लिए । अंत में, एक एकीकृत क्षेत्र सबसे अधिक के रूप में यह एक अधिक विस्तृत विद्युत और ऑप्टिकल विश्लेषण के लिए प्रदान करता है का स्वागत किया है । इस मन के साथ, TADF के उत्पादन और लक्षण वर्णन के लिए सैद्धांतिक परिचय से सभी कदम-oleds आधारित इस प्रोटोकॉल में प्रस्तुत किया गया था इन सभी विभिंन स्थिर उपकरणों के उत्पादन की अनुमति चरणों पर प्रकाश डाला है कि, जब encapsulated, पिछले कर सकते है समय की बड़ी अवधि के लिए ।

कार्बनिक इलेक्ट्रॉनिक्स भौतिकी के लिए रसायन विज्ञान से सभी क्षेत्रों को एक साथ लाता है, और अधिक कुशल और अधिक स्थिर संरचनाओं और उपकरणों की दिशा में वर्तमान प्रौद्योगिकियों में सुधार करने के क्रम में सामग्री साइंस और इंजीनियरिंग के माध्यम से जा रहे हैं । इस से, कार्बनिक प्रकाश उत्सर्जक डायोड (oleds) एक तकनीक है कि पिछले कुछ वर्षों में महान सुधार दिखाया है, दोनों दक्षता और स्थिरता के मामले में1,2है । रिपोर्टों का कहना है कि प्रदर्शित करने के लिए OLED उद्योग २०१६ में १६,०००,०००,००० डॉलर से २०२० के आसपास ४०,०००,०००,००० डॉलर और ५०,०००,०००,००० से अधिक २०२६ से बढ़ सकता है3। यह भी सामांय प्रकाश और सिर संवर्धित-वास्तविकता4के लिए microdisplays घुड़सवार में अपना रास्ता खोज रहा है । जैव चिकित्सा अनुप्रयोगों के लिए कार्बनिक सेंसर की तरह आवेदन पल में एक भविष्य आवेदन की अधिक है, दोनों उच्च चमकदार और स्थिरता5के लिए आवश्यकताओं को देखते हुए । इस प्रवृत्ति में सुधार डिवाइस संरचनाओं कि प्राकृतिक संसाधनों की कम कीमत पर अधिक कुशल अणुओं को शामिल करने की आवश्यकता की पुष्टि करता है । oleds के लिए इस्तेमाल सामग्री की अंतर्निहित प्रक्रियाओं की एक बेहतर समझ भी काफी महत्व का है जब इन डिजाइनिंग ।
एक OLED एक बहु स्तरित कार्बनिक दो इलेक्ट्रोड के बीच पाटों ढेर, बाद में से कम से एक पारदर्शी है । प्रत्येक परत, उनके सबसे अधिक कब्जा आणविक कक्षीय (होमो) और सबसे कम खाली आणविक कक्षीय (LUMO) और उनके आंतरिक गतिशीलता के लिए तदनुसार डिजाइन, एक विशिष्ट समारोह है (इंजेक्शन, रुकावट, और परिवहन) समग्र डिवाइस में । तंत्र विपरीत चार्ज वाहक (इलेक्ट्रॉनों और छेद) डिवाइस जहां वे एक विशिष्ट परत में मिलने भर में यात्रा पर आधारित है, excitons फार्म और इन excitons की निष्क्रियता से गठबंधन एक फोटॉन6के उत्सर्जन आता है । इस फोटॉन परत की एक विशेषता होगी, जहां निष्क्रियता7,8,9जगह ले रहा है । तो, लंबित आणविक डिजाइन रणनीतियों, अलग लाल, हरे और नीले उत्सर्जक और संश्लेषित किया जा सकता है स्टैक करने के लिए लागू होता है । उंहें एक साथ लाना, सफेद उपकरणों को भी10,11उत्पादन किया जा सकता है । एक OLED ढेर के उत्सर्जन परत आमतौर पर अतिथि-मेजबान (जी एच) प्रणाली जहां अतिथि मेजबान में फैलाया है प्रकाश9 के शमन से बचने के लिए और द्वारा साइड प्रतिक्रियाओं12पर आधारित है ।
वहां कई तरह के अणुओं को धक्का प्रकाश उत्सर्जन, थर्मल के साथ-सक्रिय देरी प्रतिदीप्ति (TADF) और हाल ही में13,14,15कार्यांवित कर रहे हैं । TADF एक ठेठ प्रतिदीप्ति उत्सर्जक के माध्यम से उपकरणों की बाह्य दक्षता की वृद्धि के लिए अनुमति दी 30% करने के लिए एक छोटे स्वेटर-triplet ऊर्जा के माध्यम से triplet संचयन के माध्यम से एक प्रक्रिया में विभाजन रिवर्स प्रणाली पार (rISC) बुलाया । कुशल TADF आधारित oleds के रूप में कई तरीके हैं: साहित्य में सबसे आम में से एक है जी एच प्रणाली जहां छोड़नेवाला राज्य एक एकल अणु द्वारा गठित है16,17,18। एक दूसरी प्रणाली एक exciplex एक इलेक्ट्रॉन दाता के बीच गठित उत्सर्जक का उपयोग करता है (घ) और एक इलेक्ट्रॉन स्वीकारकर्ता (एक) अणुओं, जो बस दाता-स्वीकार (डी-ए) प्रणाली15,19,20, कहा जाता है 21; TADF सामग्री और उपकरणों की एक छोटी सी रेंज की रिपोर्ट किया गया है, बहुत उच्च बाह्य क्वांटम पैदावार14उपज, के एक मूल्यों तक पहुंचने, उदाहरण के लिए, 19% EQE22, स्पष्ट रूप से संकेत है कि बहुत कुशल triplet कटाई होने वाली है और कि १०० % आंतरिक क्वांटम दक्षता संभव है । इन TADF आधारित oleds, देखभाल जब पर्यावरण की ध्रुवीयता के रूप में उचित मेजबान सामग्री को चुनने के प्रभारी स्थानांतरण (सीटी) राज्य स्थानीय उत्तेजित (LE) राज्य से दूर बदल सकते है लिया जाना चाहिए, इसलिए, TADF तंत्र को कम करने । प्रक्रिया को ध्यान में रखा जा करने के लिए अंय फ्लोरोसेंट उत्सर्जक23के समान है । इस तरह के उपकरणों अपेक्षाकृत सरल ढेर संरचनाओं है, आमतौर पर 3 से 5 कार्बनिक परतों, और एक पी-i-n संरचना24की आवश्यकता के बिना, २.७ V के आदेश के अल्ट्रा कम बारी वोल्टेज पर जिसके परिणामस्वरूप और सभी के लिए चारों ओर १३० एनएम की एक अधिकतम मोटाई कार्बनिक परतों के लिए एक अच्छा शुल्क संतुलन की गारंटी ।
इसके अलावा ' सामग्री के गुणों से, बहु स्तरित ढेर के उत्पादन या तो निर्वात थर्मल वाष्पीकरण (VTE) या स्पिन कोटिंग, छोटे अणुओं के लिए पूर्व और अधिक के आधार पर किया जा सकता है । यह तापमान, दबाव, पर्यावरण, दर, और प्रत्येक परत की मोटाई पर सटीक नियंत्रण की आवश्यकता है । जी एच परतों के उत्सर्जन के लिए, सह वाष्पीकरण की दरों को वांछित अनुपात के लिए नियंत्रित किया जा करने के लिए प्राप्त किया जाना है । इसके अलावा अत्यधिक महत्व के oleds जो गैर काम कर रहे उपकरणों या उत्सर्जन पिक्सेल25भर में असमान में परिणाम कर सकते है के लिए इस्तेमाल सब्सट्रेट की सफाई है ।
इसलिए, इस अनुच्छेद तैयारी, उत्पादन, और कार्बनिक उपकरणों के लक्षण वर्णन के सभी कदम पर करना है और सावधान उच्च दक्षता और उत्सर्जन की समता के लिए आवश्यक प्रोटोकॉल पर नए विशेषज्ञों की मदद करना चाहता है । इसमें DPTZ-DBTO2 (2, 8-बीआईएस (10H-phenothiazin-10-yl) dibenzothiophene-एस, एस-डाइऑक्साइड) का उपयोग शामिल है जो एक TADF जी एच सिस्टम16,26में उत्सर्जक अतिथि के रूप में होता है । डीटीBuCz-DBTO2 (2, का उपयोग करते हुए एक exciplex आधारित एक प्रणाली के गठन के लिए इसी तरह के तरीके भी लागू किया जा सकता है 8-भा ज प (3, 6-डि-tert-butyl-9H-carbazol-9-yl) dibenzothiophene-s, s-डाइऑक्साइड) में TAPC (4, 4 ′-Cyclohexylidenebis [n, n-बीआईएस (4- methylphenyl) benzenamine])15, जहां प्रक्रिया में मुख्य अंतर छोड़नेवाला परत की एकाग्रता अनुपात है, लेकिन यह काफी उत्सर्जन की प्रकृति में परिवर्तन (एकल अणु सीटी उत्सर्जन बनाम exciplex सीटी उत्सर्जन) । जी एच प्रणाली यहां वर्णित एक अणु सीटी उत्सर्जक है और 3 कार्बनिक, और 2 अकार्बनिक सामग्री के साथ 5 परतों के वाष्पीकरण शामिल है । डिवाइस इंडियम टिन ऑक्साइड (इतो) anode, एनके ४० एनएम के रूप में से बना है,n′-di (1-naphthyl)-n,n′-diphenyl-(1, 1 ′-biphenyl)-4, 4 '-डायमाइन (NPB) होल ट्रांसपोर्ट लेयर (HTL) के रूप में, और 4 के कुल 20 एनएम, 4 ′-बीआईएस (एन -carbazolyl)-1, 1 ′-biphenyl (CBP) के साथ 10% DPTZ-DBTO2 के साथ उत्सर्जन परत के रूप में जी एच प्रणाली पर आधारित है । ६० एनएम के 2, 2 ', 2 "-(1, 3, 5-benzinetriyl)-tris (1-फिनाइल-1एच-benzimidazole) (TPBi) तो इलेक्ट्रॉन परिवहन परत (ETL) और 1 एनएम लिथियम Floride (लिफ) के रूप में इलेक्ट्रॉन इंजेक्शन परत (ईआईएल) के रूप में प्रयोग किया जाता है । एल्यूमीनियम (अल) के १०० एनएम एक कैथोड के रूप में उपकरण finalizes । पूरी प्रक्रिया का एक आरेख चित्रा 1में पाया जा सकता है । ऑर्गेनिक्स की मोटाई को साहित्य में इस्तेमाल किए जाने वाले अन्य उपकरणों के समान चुना गया. प्रत्येक परत की गतिशीलता सावधानी के रूप में परत के अंदर अच्छा वाहक संतुलन सुनिश्चित करने के लिए जांच की जानी चाहिए । लिफ के आपरेशन एक tunnelling प्रभाव पर आधारित है, यानी, वाहक एक पैक लिफ की सुरंगों के माध्यम से यात्रा, परिवहन परतों के लिए एक बेहतर इंजेक्शन सुनिश्चित. इसका मतलब है पतली परतों (०.८ और १.५ एनएम के बीच)27आवश्यक हैं । अल की परत काफी मोटी किसी भी ऑक्सीकरण को रोकने के लिए होना चाहिए (७० एनएम एक ंयूनतम आवश्यकता है) ।

<table>
	<tbody>
		<tr>
			<td>N,N&#8242;-Di(1-naphthyl)-N,N&#8242;-diphenyl-(1,1&#8242;-biphenyl)-4,4&#8242;-diamine</td>
			<td>NPB</td>
			<td>Sigma Aldrich</td>
			<td>556696</td>
			<td>Sublimed grade</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>4,4&#8242;-Bis(N-carbazolyl)-1,1&#8242;-biphenyl</td>
			<td>CBP</td>
			<td>Sigma Aldrich</td>
			<td>699195</td>
			<td>Sublimed grade</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>2,2&#8242;,2&#34;-(1,3,5-Benzinetriyl)-tris(1-phenyl-1-H-benzimidazole)</td>
			<td>TPBi</td>
			<td>Sigma Aldrich</td>
			<td>806781</td>
			<td>Sublimed grade</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Lithium Floride 99.995%</td>
			<td>LiF</td>
			<td>Sigma Aldrich</td>
			<td>669431</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Aluminum 99.999%</td>
			<td>Al</td>
			<td>Alfa Aesar</td>
			<td>14445</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Acetone 99.9%</td>
			<td>Acetone</td>
			<td>Sigma Aldrich</td>
			<td>439126</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Isopropyl alcohol 99.9 %</td>
			<td>IPA</td>
			<td>Sigma Aldrich</td>
			<td>675431</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Photoresist</td>
			<td></td>
			<td>DOW Electronic Materials</td>
			<td>Microposit S1813</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Developer</td>
			<td></td>
			<td>DOW Electronic Materials</td>
			<td>Microposit 351</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Hydrochloric acid 37%</td>
			<td>HCl</td>
			<td>Sigma Aldrich</td>
			<td>435570</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Nitric acid 70%</td>
			<td>HNO3</td>
			<td>Sigma Aldrich</td>
			<td>258113</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Encapsulation resin</td>
			<td></td>
			<td>Delo</td>
			<td>Kationbond GE680</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Encapsulation square glass 15x15mm</td>
			<td></td>
			<td>Agar</td>
			<td>AGL46s15-4&#38;</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>ITO</td>
			<td></td>
			<td>Naranjo Substrates</td>
			<td>Custom made</td>
			<td></td>
		</tr>
	</tbody>
</table>

production and characterization of vacuum deposited organic light emitting diodes

सरल और कुशल थर्मल-सक्रिय देरी प्रतिदीप्ति कार्बनिक प्रकाश उत्सर्जक डायोड (oleds) अतिथि-मेजबान या exciplex दाता-स्वीकारकर्ता उत्सर्जन पर आधारित उत्पादन के लिए एक विधि प्रस्तुत की है । एक कदम दर कदम प्रक्रिया के साथ, पाठकों को दोहराने और सरल कार्बनिक उत्सर्जक पर आधारित OLED उपकरणों का उत्पादन करने में सक्षम हो जाएगा । निजीकृत इंडियम टिन ऑक्साइड (इतो) आकार के निर्माण की अनुमति देने के लिए एक पैटर्न प्रक्रिया दिखाया गया है । यह सभी परतों, encapsulation और प्रत्येक व्यक्ति डिवाइस के लक्षण वर्णन के वाष्पीकरण के द्वारा पीछा किया है । अंत लक्ष्य के लिए एक प्रक्रिया है कि उद्धृत प्रकाशन में प्रस्तुत की जानकारी दोहराने का अवसर देना होगा, लेकिन यह भी अलग यौगिकों और संरचनाओं का उपयोग करने के लिए कुशल oleds तैयार है ।

आंकड़ा 3 में प्रस्तुत डेटा oleds के इस प्रकार के विश्लेषण के द्वारा प्राप्त कर सकते है एक अलग जानकारी का एक अच्छा उदाहरण है । चित्रा 3से, मोड़ पर वोल्टेज (वोल्टेज जिस पर डिटेक्टर डिवाइस पर प्रकाश का पता लगाने शुरू होता है) निर्धारित किया जा सकता है । इस मामले में, यह 4 v. उच्च वोल्टेज के कारण डिवाइस गिरावट देखा जाता है जब चमकदार काफी कम हो जाती है (करीब 13 वी) । क्षरण तब होता है जब वाहक डिवाइस में कार्बनिक परतों के परिणामस्वरूप बांडों और अणुओं के टूटने के साथ प्रतिक्रिया इंजेक्शन । इसके अलावा, विद्युत तनाव डिवाइस गिरावट के साथ संबद्ध किया जा सकता है । इस डिवाइस की अधिकतम चमक के आसपास है १७००० सीडी/ चित्रा 3 बीसे, अधिकतम E.Q.E. (लगभग 7%) और रोल बंद, डिवाइस विद्युत स्थिरता का एक उपाय निर्धारित कर रहे हैं । इसके माध्यम से प्रवाहित वर्तमान के साथ दक्षता में ड्रॉप के रूप में एक डिवाइस के रोल भी परिभाषित किया गया है । अलग उपकरणों के रोल की तुलना करने के लिए, १०० और १००० सीडी/एम2 के मानक चमकदार पर EQE के मूल्यों आमतौर पर6दिया जाता है । इस मामले में, ६.१ और ५.५%, क्रमशः जो 9% की एक बूंद और उसके अधिकतम मूल्य का 20% का प्रतिनिधित्व करता है । यह एक गरीब रोल बंद का प्रतिनिधित्व करता है । अच्छा मूल्यों के बीच होना चाहिए 0 और 5% चमकदार के उच्च स्तर तक. दक्षता के अन्य मूल्यों चित्रा 3सी में दिखाया गया है, उपकरणों के समान प्रकार के साथ तुलना के अन्य साधन के रूप में. अंत में, EL ५७३ एनएम, एक ठेठ हरे-पीले उत्सर्जन ( चित्रा 3 डीका इनसेट) में नुकीला दिखाया गया है । अलग वोल्टेज पर EL ऑप्टिकल स्थिरता यानी, जहां उत्सर्जन हो रही है में अंतर्दृष्टि देने में मदद कर सकते हैं । इस मामले में, के रूप में यह प्रतीत होता है लागू वोल्टेज के साथ नहीं बदलता है, एक मान सकते है कि डिवाइस ऑप्टिकली स्थिर है । CIE निर्देशांकों की जाँच करना ( चित्रा के साथ बी. सी.
<img alt="Figure 1" class="xfigimg" src="/files/ftp_upload/56593/56593fig1.jpg"> चित्र 1: आरेख वाले सभी चरण इस प्रोटोकॉल में दर्शाए गए हैं । सभी कार्बनिक परतों और लिफ मुखौटा एक का उपयोग कर सुखाया जाता है । धातुरूप (एल्युमिनियम के वाष्पीकरण) के बाद, उपकरणों के दो सेट मुखौटा बी का उपयोग कर उत्पादन किया जा सकता: 2x4 सेमी2 और 4 4x4 सेमी2के साथ एक साथ एक । वोल्टेज इतो के बीच लागू किया जाएगा (anode: +) और एल्यूमीनियम (कैथोड:-) और एक मौजूदा मापा जाएगा । डिवाइस संरचना का एक क्रॉस-सेक्शन भी दिखाया गया है । <a href="https://www.jove.com/files/ftp_upload/56593/56593fig1large.jpg" target="_blank">कृपया यहां क्लिक करें इस आंकड़े का एक बड़ा संस्करण को देखने के लिए ।</a>
<img alt="Figure 2" class="xfigimg" src="/files/ftp_upload/56593/56593fig2.jpg"> चित्रा 2: a) कार्बनिक कम तापमान के आरेख (काला) और अकार्बनिक उच्च तापमान स्रोत (नीला) निर्वात चैंबर में रखा जाना है । प्रत्येक सामग्री के लिए सॉफ्टवेयर के लिए एक विशिष्ट हीटिंग संख्या के साथ निर्दिष्ट स्रोत में डाल के रूप में वे पहले प्रश्न में प्रत्येक सामग्री के लिए अनुकूलित किया गया है । ख) QCM सेंसर पूरे चैंबर में व्यवस्थित । <a href="https://www.jove.com/files/ftp_upload/56593/56593fig2large.jpg" target="_blank">कृपया यहां क्लिक करें इस आंकड़े का एक बड़ा संस्करण को देखने के लिए ।</a>
<img alt="Figure 3" class="xfigimg" src="/files/ftp_upload/56593/56593fig3.jpg"> चित्र 3: a) j-v-L, b) EQE-j, c) ƞP-v-ƞL, d) EL-λ इस अध्ययन में डिवाइस के लिए भिन्न वोल्टेज पर. वोल्टेज के साथ CIE निर्देशांक परिवर्तन बी के इनसेट पर दिखाया गया है), जबकि डिवाइस की एक तस्वीर डी के इनसेट में दिखाया गया है) । <a href="https://www.jove.com/files/ftp_upload/56593/56593fig3large.jpg" target="_blank">कृपया यहां क्लिक करें इस आंकड़े का एक बड़ा संस्करण को देखने के लिए ।</a>
<table border="1" fo:keep-together.within-page="1" fo:keep-with-next.within-page="always"><tbody>
<tr>
<td>वक्र</td>
			<td>एक्स</td>
			<td>स्केल</td>
			<td>y1</td>
			<td>स्केल</td>
			<td>y2</td>
			<td>स्केल</td>
		</tr>
<tr>
<td>J-V-L</td>
			<td rowspan="2">वी</td>
			<td rowspan="2">रैखिक</td>
			<td>जे</td>
			<td>लॉग</td>
			<td>एल</td>
			<td>लॉग</td>
		</tr>
<tr>
<td>ƞP-V-ƞL</td>
			<td>ƞपी
</td>
			<td>लॉग</td>
			<td>ƞL
</td>
			<td>लॉग</td>
		</tr>
<tr>
<td>EQE-जम्मू</td>
			<td>जे</td>
			<td>लॉग</td>
			<td>EQE</td>
			<td>लॉग</td>
			<td></td>
			<td></td>
		</tr>
<tr>
<td>EL-λ</td>
			<td>λ</td>
			<td>रैखिक</td>
			<td>एल</td>
			<td>रैखिक</td>
			<td></td>
			<td></td>
		</tr>
</tbody></table>तालिका 1: oleds के लक्षण वर्णन के एकीकरण के लिए घटता है और संबंधित पैमाने पर विचार किया ।

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Production and Characterization of Vacuum Deposited Organic Light Emitting Diodes

उत्पादन और वैक्यूम जमा कार्बनिक प्रकाश उत्सर्जक डायोड के लक्षण वर्णन

सरल संरचित कार्बनिक प्रकाश उत्सर्जक डायोड (oleds) के उत्पादन के लिए एक प्रोटोकॉल प्रस्तुत किया है ।

A method for producing simple and efficient thermally-activated delayed fluorescence organic light-emitting diodes (OLEDs) based on guest-host or exciplex ...

वैक्यूम थर्मल वाष्पीकरण अनुसंधान और उद्योग में प्रयोग किया जाता है, और अब तक कार्बनिक प्रकाश उत्सर्जक डायोड का उत्पादन करने के लिए सबसे अधिक इस्तेमाल की जाने वाली तकनीक है। इस तकनीक का मुख्य लाभ उच्च गुणवत्ता वाले और आसानी से प्रजनन योग्य संरचनाओं का उत्पादन है, जिसे उच्च दक्षता उपकरणों में अनुवादित किया जा सकता है। दो पैटर्न वाले सब्सट्रेट्स से शुरुआत करें।ये 24 मिलीमीटर बाय 24 मिलीमीटर आईटीओ कोटेड ग्लास सब्सट्रेट्स को चार मिलीमीटर स्ट्राइप्स के साथ पैटर्न किया गया था । लगभग 10 सेकंड के लिए एसीटोन के साथ प्रत्येक सब्सट्रेट कुल्ला, तो उन्हें एक नाइट्रोजन बंदूक के साथ सूखी। इसके बाद, एसीटोन के एक कंटेनर में सब्सट्रेट्स को जलमग्न करें, कंटेनर को 15 मिनट के लिए अल्ट्रासोनिक बाथ में रखें।जब किया जाता है, तो सब्सट्रेट्स को आइसोप्रोपिल अल्कोहल के साथ एक कंटेनर में स्थानांतरित करें। आईटीओ फिल्मों का सामना कर रहे साइड पर दोनों कंटेस्टेंट्स को सिग्नल देना न भूलें । इस कंटेनर को एक और 15 मिनट के लिए अल्ट्रासोनिक बाथ में रखें।दूसरे अल्ट्रासोनिक स्नान के बाद, सब्सट्रेट्स को हटा दें और उन्हें नाइट्रोजन बंदूक से सुखा लें। प्लाज्मा क्लीनर के लिए उपयुक्त मंच में सूखे सब्सट्रेट्स रखें। आगे बढ़ने से पहले, सुनिश्चित करें कि सब्सट्रेट्स पर कोई अवशेष या धब्बा नहीं है।आईटीओ को आगे का सामना करना पड़ रहा है सुनिश्चित करने के लिए पैड क्षेत्रों में एक मल्टीमीटर का उपयोग करें। इसके बाद, एक ऑक्सीजन प्लाज्मा क्लीनर के पास जाओ, और सब्सट्रेट्स आईटीओ साइड ऊपर रखा । उन्हें छह मिनट तक साफ करें।प्लाज्मा सफाई के बाद, वाष्पीकरण चरणों के लिए तैयार करें। सभी कार्बनिक परतों के वाष्पीकरण के लिए उपयोग किए जाने वाले मास्क ए के साथ सब्सट्रेट्स को सब्सट्रेट्स अटैच करें, जिससे यह सुनिश्चित हो सके कि आईटीओ नीचे की ओर आ रहा है। संदेह होने पर मल्टीमीटर से दोबारा टेस्ट करें।एल्यूमीनियम के वाष्पीकरण के लिए एक दूसरा मुखौटा तैयार है, मुखौटा बी। फिर मास्क ए ऑन मास्क बी सब्सट्रेट धारक और मास्क को ग्लोवबॉक्स के एंटेचैम्बर में रखें, जहां वाष्पीकरण कक्ष है। इसके बाद, इस डिवाइस के लिए आवश्यक विभिन्न कार्बनिक पाउडर और अन्य सामग्री तैयार करें, और उन्हें कक्ष में जोड़ें।ग्लोवबॉक्स में काम करते समय, कक्ष में कुछ नया जोड़ने से पहले, दस्ताने बॉक्स में प्रवेश करने से किसी भी ऑक्सीजन से बचने के लिए, तीन बार एंटेचैम्बर को खाली और फिर से भरें। बयान शेल्फ पर मुखौटा एक जगह है। एक वैकल्पिक शेल्फ पर मुखौटा बी रखें।अंत में, जैविक पाउडर को अपने-अपने क्षेत्र में रखें। फिर, कक्ष को बंद करें और वैक्यूम प्रक्रिया शुरू करें। दबाव कम होने पर ठंडा पानी का बहाव शुरू करें और रोटेशन सब्सट्रेट करें।यह वाष्पीकरण अनुक्रम की शुरुआत में पिक्सेल के सब्सट्रेट टॉप व्यू और क्रॉस सेक्शन का प्रतिनिधित्व है। प्रीहीटेड एनपीबी के 40 नैनोमीटर जमा करें जब इसकी वाष्पीकरण दर प्रति सेकंड 1 एंगस्ट्रॉम के आसपास हो। एनपीबी क्रूसिबल ठंडा होने के बाद, विभिन्न वाष्पीकरण दरों का उपयोग करके प्रीहीटेड सीबीपी के 18 नैनोमीटर और प्रीहीटेड डीपीजेड-डीबीटीओ 2 के 2 नैनोमीटर को सह-वाष्पित किया जाता है।सह वाष्पीकरण कदम अच्छा डिवाइस प्रदर्शन सुनिश्चित करने के लिए महत्वपूर्ण है । सह वाष्पीकरण की दरों को प्रक्रिया के दौरान बनाए रखा जाना चाहिए, यह सुनिश्चित करने के लिए कि अनुपात पूरी परत में समान है। अगला लगभग एक एंग्स्ट्रॉम प्रति सेकंड पर प्रीहीटेड टीपीबी के 60 नैनोमीटर वाष्पित हो जाते हैं।फिर, प्रीहीटेड लिथियम फ्लोराइड के एक नैनोमीटर को वाष्पित करें। जब लिथियम फ्लोराइड क्रूसिबल शांत है, मुखौटा बी पर मुखौटा एक जगह है और प्रति सेकंड के बारे में एक एंग्स्ट्रॉम पर पूर्व गरम एल्यूमीनियम के १०० नैनोमीटर जमा । वेंटिंग के बाद, निकासी कक्ष से सब्सट्रेट निकालें।इस तरह यह वाष्पीकरण चरणों के बाद दिखाई देता है, और ग्लास सब्सट्रेट के माध्यम से देखा जाता है। इसमें चार पिक्सल हैं। इस योजनाबद्ध दृश्य में, ध्यान दें कि विभिन्न पैड आकारों के साथ मास्क बी के उपयोग ने दो अलग-अलग आकारों के साथ चार पिक्सेल की अनुमति दी।दो से चार सेंटीमीटर वर्ग, और चार से चार सेंटीमीटर वर्ग । सब्सट्रेट्स को एक एनकैप्सुलेशन स्टेज पर ले जाएं, उन्हें अपने होल्डर से हटा दें, और उन्हें आगे का सामना कर रही सुखाया फिल्मों के साथ स्टेज पर रखें । राल को एक वर्ग आकर्षित करने के लिए फैलाएं जिसमें सभी सुखाया पिक्सेल शामिल हैं।इसके बाद, डिवाइस पर सुरक्षित करने के लिए राल के शीर्ष पर एक एनकैप्सुलेशन ग्लास रखें। तैयार होने पर, यूवी राल निर्देशों के अनुसार सब्सट्रेट्स का इलाज करते हैं। एनकैप्सुलेशन इस बात की गारंटी देगा कि डिवाइस ऑक्सीजन या आर्द्रता के साथ नहीं नीचा करता है, अंत में, इसकी गुणवत्ता सुनिश्चित करता है।एकीकृत क्षेत्र का उपयोग करके ओएलईडी की विशेषता है। लक्षण वर्णन से पहले, OLED का निरीक्षण करें। चेक करें कि ओएलईडी के एनकैप्सुलेशन ग्लास के बाहर आईटीओ धारियां साफ हैं।ओएलईडी को एकीकृत क्षेत्र में रखें। पुष्टि करें कि एनोड आईटीओ पैड से जुड़ा हुआ है, और कैथोड एल्यूमीनियम पैड से जुड़ा हुआ है। जब कनेक्शन किए जाते हैं, तो एकीकृत क्षेत्र को बंद करें, और लक्षण वर्णन माप के साथ आगे बढ़ें।इस भूखंड में काले रंग में वोल्टेज के एक समारोह के रूप में वर्तमान घनत्व है। यह भी लाल रंग में वोल्टेज के एक समारोह के रूप में चमक है। जिस वोल्टेज पर सबसे पहले लाइट का पता चला है, वह चार वोल्ट है।उच्च वोल्टेज पर, डिवाइस क्षरण स्पष्ट हो जाता है, चमक में गिरावट के साथ यहां लगभग 13 वोल्ट पर दिखाई देता है। ये भूखंड अन्य उपकरणों के साथ तुलना की अनुमति देते हैं। यह वर्तमान घनत्व के एक समारोह के रूप में बाहरी क्वांटम दक्षता है।यहां काले रंग में चमकदार दक्षता है, और बाईं धुरी के साथ संदर्भित किया जाता है, और नीले रंग में वर्तमान दक्षता, और सही धुरी को संदर्भित किया जाता है, प्रत्येक वोल्टेज के एक समारोह के रूप में। अंत में, विभिन्न वोल्टेज के लिए तरंगदैर्ध्य के एक समारोह के रूप में उत्सर्जित प्रकाश की यह साजिश दर्शाता है कि चोटी उत्सर्जन की तरंगदैर्ध्य नहीं बदलता है। इससे पता चलता है कि डिवाइस ऑप्टिकल रूप से स्थिर है ।इस प्रक्रिया का प्रयास करते समय, यह याद रखना महत्वपूर्ण है कि सभी सामग्री और सब्सट्रेट सतह पर्यावरण के प्रति संवेदनशील हैं। तापमान, आर्द्रता, धूल और यहां तक कि ऑक्सीजन जैसे पैरामीटर डिवाइस के प्रदर्शन को प्रभावित करते हैं। इसके विकास के बाद, वैक्यूम थर्मल वाष्पीकरण तकनीक यहां दिखाई गई, ने OLEDs की वर्तमान पीढ़ी के लिए मार्ग प्रशस्त किया।इस पीढ़ी में, हम फ्लैट-पैनल डिस्प्ले और स्मार्टफोन के लिए विभिन्न उत्सर्जक और आवेदन सलाह स्टैक का पता लगाते हैं। यह प्रोटोकॉल कार्बनिक परतों की एक छोटी संख्या के साथ डिवाइस के ढेर बनाने का एक सरल, लेकिन प्रभावी तरीका दिखाता है, जो अभी भी उच्च दक्षता प्रणालियों के उत्पादन की अनुमति देता है। यह न भूलें कि सफाई के लिए इस्तेमाल होने वाले सॉल्वैंट्स के साथ काम करना खतरनाक हो सकता है।इस प्रक्रिया को निष्पादित करते समय उचित दस्ताने, प्रयोगशाला कपड़े और सुरक्षात्मक चश्मे का उपयोग करने जैसी सावधानियां हमेशा ली जानी चाहिए।

Research

JoVE Journal

Engineering

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After reporting on the two-step anodization, nanoporous anodic aluminum oxides (AAOs) have been widely utilized in the versatile fields of fundamental ...

Enhanced Electron Injection and Exciton Confinement for Pure Blue Quantum-Dot Light-Emitting Diodes by Introducing Partially Oxidized Aluminum Cathode

आंशिक रूप से ऑक्सीकरण एल्यूमीनियम कैथोड शुरू करके शुद्ध नीले क्वांटम-डॉट प्रकाश उत्सर्जक डायोड के लिए बढ़ाया इलेक्ट्रॉन इंजेक्शन और Exciton संशोधन

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