Name: electric-field control of electronic states in ws2 nanodevices by electrolyte gating
Uploaded: 2018-04-12T13:30:00
Description: Watch this Scientific Journal Video about Electric-field Control of Electronic States in WS2 Nanodevices by Electrolyte Gating at JoVE.com

Мы признаем, что следующие финансовую поддержку; Субсидий для специально поощрять исследования (№ 25000003) от JSP-страницы, субсидий для исследования деятельности пуска (No.15H06133) и сложных исследований (произвольное) (No. JP17K18748) от МПКСНТ Японии.

1. дисперсия WS 2 нанотрубок (НТС) на подложке
<ol><li>Разогнать WS2 NT порошков в изопропиловый спирт (IPA, концентрация более 99,8%) с соответствующей разреженных пропорции (около 0,1 мг/мл), sonication за 20 мин. Примечание: Долгое время sonication помогает сделать WS2 НТС равномерно взвешенн...

В WS2 НТС и хлопья, мы успешно контролируется электрические свойства электростатический или электро танкер допинг.
В электростатических допинг региона наблюдается амбиполярной транзистор операции. Такие амбиполярной передачи кривой с высоким вкл/выкл соотношение...

Контроль над номер перевозчика является ключевой метод для реализации Квантовый фазовый переход в твердых1. В обычных полевой транзистор (ФЕТ) это достигается путем использования твердых ворота1,2. В таком устройстве электрические потенциальный градиент единым для всей диэлектрических материалов, так что номер индуцированных перевозчика на интерфейс ограничено, показано на Рисунок 1a.
С другой стороны мы можем достичь более высокой плотности несущей на интерфейс или навалом, заменив твердых диэлектрические материалы ионных гели/жидкостей или полимерных электролитов3,4,5,6, 7,8,9,10,11 (рис. 1b). В электростатических допинг использованием ионные жидкости, образуется структура транзистор (EDLT) двойного электрического слоя на стыке между ионные жидкости и образца, создавая сильное электрическое поле (> 0,5 V/Å) даже при низком напряжении смещения. Результирующая высокой несущей плотность (> 1014 см-2) индуцированной на интерфейс10,12,13 причиной Роман электронных свойств или Квантовый фазовый переход такие как электро поле индуцированной Ферромагнетики14, Кулоновская блокада15,, амбиполярной транспорта16,,1718,19,20 21 , 22 , 23 , 24 , 25 , 26 , 27, формирование p-n переход и результирующая electroluminance28,29,30, большая модуляции термоэлектрических полномочия31,32, заряда волны плотности и Мотт переходы33,34,35, и электро поле индуцированной изолятор металл переход36,37 включая сверхпроводимости индуцированного электрического поля9 ,10,11,,3839,40,,4142,43,44 ,45,46,47,48,49.
В электролит стробирования (рис. 1 c), ионы не только накапливаются на интерфейс к форме EDLT, но может быть также интеркалированного в слои двумерных материалов через термодиффузии без повреждения образца под применение напряжения большие ворота, ведущие к электрохимической допинг8,9,11,34,38,50,51,52,53 . Таким образом мы можем кардинально изменить номер перевозчика, по сравнению с обычными полевой транзистор, с помощью сплошной ворота. В частности индуцированного электрического поля сверхпроводимости9,11,34,,3850 реализуется с использованием электролита стробирования в регионе большого перевозчика номер, где мы не может получить доступ обычных твердых стробирования методом.
В этой статье, мы представляем этот уникальный метод номер контроля перевозчика в твердых телах и обзор операции транзистор и индуцированного электрического поля сверхпроводимости в полупроводниковой WS2 образцы как WS2 хлопья и WS2 нанотрубки54,55,56,57.

<table border="1" fo:keep-together.within-page="1" fo:keep-with-next.within-page="always">
	<tbody>
		<tr>
			<td>Sonication machine</td>
			<td>SND Co., Ltd.</td>
			<td>US-2</td>
			<td>http://www.senjyou.jp/</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Spin-coater machine</td>
			<td>ACTIVE Co.,Ltd.</td>
			<td>ACT-300AII</td>
			<td>http://www.acti-ve.co.jp/spincoater/standard/act300a2.html</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Hot-plate</td>
			<td>TAIYO</td>
			<td>HP131224</td>
			<td>http://www.taiyo-kabu.co.jp/products/detail.php?product_id=431</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Optical Microscopy</td>
			<td>OLYMPUS</td>
			<td>BX51</td>
			<td>https://www.olympus-ims.com/ja/microscope/bx51p/</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Electron Beam Lithography machine</td>
			<td>ELIONIX INC.</td>
			<td>ELS-7500I</td>
			<td>https://www.elionix.co.jp/index.html</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Scribing machine</td>
			<td>TOKYO SEIMITSU CO., LTD.</td>
			<td>A-WS-100A</td>
			<td>http://www.accretech.jp/english/product/semicon/wms/aws100s.html</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Wire-bonding machine</td>
			<td>WEST&#183;BOND&#160;</td>
			<td>7476D-79</td>
			<td>https://www.hisol.jp/products/bonder/wire/mgb/b.html</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Physical Properties Measurement System</td>
			<td>Quantum Design</td>
			<td>PPMS</td>
			<td>http://www.qdusa.com/products/ppms.html</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Lock-in amplifier</td>
			<td>Stanford Research Systems</td>
			<td>SRS830</td>
			<td>http://www.thinksrs.com/products/SR810830.htm</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Source meter</td>
			<td>Textronix</td>
			<td>KEITHLEY 2612A</td>
			<td>http://www.tek.com/keithley-source-measure-units/smu-2600b-series-sourcemeter</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>KClO4</td>
			<td>Sigma-Aldrich</td>
			<td>241830</td>
			<td>http://www.sigmaaldrich.com/catalog/product/sigald/241830?lang=ja&#38;region=JP</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>PEG</td>
			<td>WAKO</td>
			<td>168-09075</td>
			<td>http://www.siyaku.com/uh/Shs.do?dspCode=W01W0116-0907</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>IPA</td>
			<td>WAKO</td>
			<td>169-28121</td>
			<td>http://www.siyaku.com/uh/Shs.do?dspWkfcode=169-28121</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>MIBK</td>
			<td>WAKO</td>
			<td>131-05645</td>
			<td>http://www.siyaku.com/uh/Shs.do?dspCode=W01W0113-0564</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>PMMA</td>
			<td>MicroChem</td>
			<td>PMMA</td>
			<td>http://microchem.com/Prod-PMMA.htm</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Acetone</td>
			<td>WAKO</td>
			<td>012-26821</td>
			<td>http://www.siyaku.com/uh/Shs.do?dspWkfcode=012-26821</td>
		</tr>
	</tbody>
</table>

electric-field control of electronic states in ws2 nanodevices by electrolyte gating

Продемонстрировал метод номер контроля перевозчика стробирования электролита. Мы получили WS2 тонкие хлопья с атомарным образом плоскую поверхность через метод скотч или индивидуальные нанотрубки WS2 путем диспергирования подвеска WS2 нанотрубок. Отобранные образцы были сфабрикованы в устройства с помощью Электронная литография и электролит помещается на устройствах. Мы были характерны электронные свойства устройств под применение напряжения ворот. В регионе малые ворота напряжения ионов в электролите накапливаются на поверхности образцов, что приводит к большой электрические потенциальных падение и результирующая электростатического перевозчика допинг на интерфейс. В этом электростатический допинг регионе наблюдается амбиполярной передачи кривой. Когда напряжение затвор еще более возрастает, мы встретили еще резкое увеличение тока источника стока, который подразумевает, что ионы интеркалированного в слои WS2 и электрохимических перевозчик допинг реализуется. В таких электрохимических допинг регионе наблюдается сверхпроводимости. Сфокусированные техника обеспечивает мощная стратегия для достижения электро подала индуцированной Квантовый фазовый переход.

Типичный транзистор операций отдельных NT2 WS и WS2 чешуйчатого устройств приведены в рисунке 3а и 3Б, соответственно, где источник утечки тока (яDS) как функция ворот напряжения (V G) прекрасно работает в амбиполярно...

Watch this Scientific Journal Video about Electric-field Control of Electronic States in WS2 Nanodevices by Electrolyte Gating at JoVE.com

Electric-field Control of Electronic States in WS2 Nanodevices by Electrolyte Gating

Здесь мы представляем протокол управления номер перевозчика в твердых тел с помощью электролита.

Электрическое поле контроля электронных состояний в WS2 наноустройства, электролит стробирования

A method of carrier number control by electrolyte gating is demonstrated. We have obtained WS2 thin flakes with atomically flat surface via scotch tape ...

Research

Education

JoVE Core

JoVE Journal

Physics

Engineering

Unit 1

Electric-field Control of Electronic States in WS2 Nanodevices by Electrolyte Gating

Electric Charges and Fields

SCIENTISTS IN ACTION

Development of Whispering Gallery Mode Polymeric Micro-optical Electric Field Sensors

Развитие шепчущей галереи Режим полимерные микро-оптические датчики электрического поля

Optical modes of dielectric micro-cavities have received significant attention in recent years for their potential in a broad range of applications. The ...

Gain-compensation Methodology for a Sinusoidal Scan of a Galvanometer Mirror in Proportional-Integral-Differential Control Using Pre-emphasis Techniques

Gain-компенсация Методика синусоидального сканирования гальванометра Зеркало в пропорционально-интегрально-дифференциального контроля с использованием предыскажений методов

Galvanometer mirrors are used for optical applications such as target tracking, drawing, and scanning control because of their high speed and accuracy. ...

Microfluidic Imaging Flow Cytometry by Asymmetric-detection Time-stretch Optical Microscopy (ATOM)

Microfluidic Imaging Flow Cytometry by Asymmetric-detection Time-stretch Optical Microscopy ATOM

Микрофлюидная имитационная проточная цитометрия с помощью асимметричного детектирования оптической микроскопии с временным растяжением (ATOM)

Scaling the number of measurable parameters, which allows for multidimensional data analysis and thus higher-confidence statistical results, has been the ...

Study of Siphon Breaker Experiment and Simulation for a Research Reactor

Исследование сифон выключатель эксперимента и моделирования для исследовательского реактора

Under the design conditions of a research reactor, the siphon phenomenon induced by pipe rupture can cause continuous outward flow of water. To prevent ...

Measurements of Soil Carbon by Neutron-Gamma Analysis in Static and Scanning Modes

Измерения почвенного углерода путем анализа нейтронного гамма в статических и режимы сканирования

The herein described application of the inelastic neutron scattering (INS) method for soil carbon analysis is based on the registration and analysis of ...

Design and Characterization Methodology for Efficient Wide Range Tunable MEMS Filters

Проектирование и характеристика методологии для эффективного широкий диапазон МЭМС Перестраиваемые фильтры

Here, we demonstrate the advantages of the laser Doppler vibrometer (LDV) over conventional techniques (the network analyzer), as well as the techniques ...

Flow-assisted Dielectrophoresis: A Low Cost Method for the Fabrication of High Performance Solution-processable Nanowire Devices

При содействии потока диэлектрофореза: Низкая стоимость метод для изготовления высокой производительности решения обрабатываемых нанопроволоки устройств

Flow-assisted dielectrophoresis (DEP) is an efficient self-assembly method for the controllable and reproducible positioning, alignment, and selection of ...

Generation and Coherent Control of Pulsed Quantum Frequency Combs

Поколение и согласованного контроля импульсных квантовой частоты Комбс

We present a method for the generation and coherent manipulation of pulsed quantum frequency combs. Until now, methods of preparing high-dimensional ...

Generation and Control of Electrohydrodynamic Flows in Aqueous Electrolyte Solutions

Поколения и контроль над Электрогидродинамическое потоков в водный электролит решения

To drive electrohydrodynamic (EHD) flows in aqueous solutions, the separation of cation and anion transport pathways is essential because a directed ...

Controllable Nucleation of Cavitation from Plasmonic Gold Nanoparticles for Enhancing High Intensity Focused Ultrasound Applications

Контролируемый нуклеации кавитации от плазмонных наночастиц золота для укрепления высокой интенсивности сосредоточены УЗИ приложений

In this study, plasmonic gold nanoparticles were simultaneously exposed to pulsed near-infrared laser light and high intensity focused ultrasound (HIFU) ...