Name: atomic layer deposition of vanadium dioxide and a temperature-dependent optical model
Uploaded: 2018-05-23T13:00:00
Duration: 11 min 10 s
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इस काम को अमेरिकी नौसैनिक अनुसंधान प्रयोगशाला में कोर प्रोग्राम्स ने समर्थन दिया था.

<ol>
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लेखकों का खुलासा करने के लिए कुछ नहीं है ।

विकास के तरीकों यहां वर्णित के साथ reproducible परिणाम प्रदान एकरूपता, रसायन विज्ञान, संरचना, और आकृति विज्ञान के संबंध है । vanadium के अग्रदूत के रूप में जमा एलड फिल्मों के सही stoichiometry उत्पादन के लिए महत्वपूर्ण है । यह विशेष रूप से अग्रदूत + 4 vanadium व्यापकता राज्य को बढ़ावा देता है, साहित्य है कि अधिक आम को बढ़ावा देने में सूचीबद्ध दूसरों के कई विपरीत + 5 व्यापकता राज्य । इसके अतिरिक्त, इस विशेष अग्रदूत साबित एक काफी कम भाप दबाव है और हीटिंग के लिए एक पर्याप्त खुराक प्रदान करने की शर्तों के तहत संतृप्त करने की आवश्यकता है । के बाद से इस अग्रदूत के चारों ओर १७५ डिग्री सेल्सियस नीचा करने के लिए शुरू होता है, इस अग्रदूत और एलड विकास के दोनों हीटिंग के लिए एक ऊपरी तापमान सीमा सेट । सही stoichiometry को प्राप्त करने के लिए एक और महत्वपूर्ण पहलू है ओजोन एकाग्रता (~ १२५ mg/L) खुराक के दौरान. अक्सर ओजोन की एकाग्रता विशेष शर्तों के तहत एक जनरेटर द्वारा उत्पादित नीचा या समय के साथ बहती है. यदि ऐसा होता है, ओजोन पल्स और शुद्ध अवधि stoichiometry, आकृति विज्ञान, और वेफर एकरूपता बनाए रखने के लिए समायोजित करना होगा । यहां क्या बताया जाता है कि सी-विमान नीलमणि सब्सट्रेट, जो -सीटू ओजोन पूर्व उपचार में शामिल है पर एलड VO2 बढ़ने के लिए । सफाई और nucleation के लिए विकास से पहले कदम सब्सट्रेट पर निर्भर हैं; हालांकि, प्रक्रिया यहां वर्णित सबसे सब्सट्रेट के लिए काम करता है (निष्क्रिय, आक्साइड, धातुओं, आदि) VO2 विकास के लिए सबसे अच्छा समाप्ति सफाई और तैयारी का निर्धारण करने के लिए, एक प्रजातियों के समापन और vanadium अग्रदूत के बीच जेट पर विचार करना चाहिए, जबकि सब्सट्रेट पर किसी भी देशी ऑक्साइड को कम करने । अंत में, इस प्रक्रिया को उच्च पहलू अनुपात सब्सट्रेट पर प्रदर्शन किया गया है (अप करने के लिए ~ १००) लेकिन चरम मामलों के लिए, एक एक जोखिम या स्थैतिक एलड विधि पर विचार करने के लिए औपचारिकता आगे बढ़ाने चाहिए.
उच्च गुणवत्ता प्राप्त करने की क्षमता, क्रिस्टलीय एलड VO2 फिल्मों के पद-जमाव एनीलिंग मापदंडों पर काफी निर्भर है । सबसे महत्वपूर्ण पहलू दबाव है, विशेष रूप से ऑक्सीजन का आंशिक दबाव । उच्च ऑक्सीजन दबाव पहलू और अनाज विकास के लिए सीसा, अंततः nanowire गठन के कारण, साथ ही साथ परिणाम V2O5 चरण में । अगर ऑक्सीजन का दबाव बहुत कम होता है तो वी2ओ3 फेज में आने वाली फिल्मों से ऑक्सीजन बाहर annealed है । इस प्रकार, सही चरण को बनाए रखने और फिल्म असहजता को कम करने के लिए, ऑक्सीजन दबाव 1x10-4 के लिए 7x10-4 फिलीस्तीनी अथॉरिटी की सीमा में बनाए रखा जाना चाहिए । इसी तरह, तापमान दोनों के लिए महत्वपूर्ण है करने के लिए फिल्म क्रिस्टल, stoichiometry बनाए रखने में सक्षम है, और फिल्म के roughening कम । जबकि VO2 फिल्म के तापमान को मापने के लिए मुश्किल है, अनुभवजंय निष्कर्षों का सुझाव है कि क्रिस्टलीकरण ५०० डिग्री सेल्सियस से अधिक चरण तापमान की आवश्यकता है । उच्च तापमान पर, यह सही stoichiometry और चरण बनाए रखने और pinhole मुक्त फिल्मों का उत्पादन करने के लिए कठिन है । तापमान और ऐनी समय के बीच एक व्यापार बंद भी है, विशेष रूप से उच्च तापमान ऐनी समय को कम कर सकते हैं । इसके अतिरिक्त, ऐनी अवधि सीधे फिल्म की मोटाई से बंधा हुआ है । मोटा फिल्मों अधिकतम क्रिस्टलीकरण को प्राप्त करने के लिए अब समय की आवश्यकता है । इस प्रकार, ऑक्सीजन दबाव, ऐनी तापमान, और ऐनी ऊपर के तरीकों में वर्णित समय उच्च गुणवत्ता VO2 फिल्मों है कि एक लगभग आदर्श संक्रमण के तापमान पर ऑप्टिकल संपत्तियों में सबसे बड़ा परिवर्तन प्रदर्शित उत्पादन अनुकूलित किया गया । अंत में, ऑक्सीजन ऐनी के दौरान रैंप और शीतलन दरों में किसी न किसी और आकृति विज्ञान पर असर पड़ता है; धीमी गति से ये हैं, चिकनी फिल्मों ।
एलड साठा और उसके बाद VO के एनएन2 बड़े क्षेत्र एकरूपता के साथ उंमुख polycrystalline फिल्मों का उत्पादन । एलड लगभग किसी भी सब्सट्रेट के तीन आयामी नेनो morphologies पर औपचारिक रूप से विकसित फिल्मों प्रदान करता है. इस उपंयास अनुप्रयोगों में VO2 एकीकरण सक्षम बनाता है, और विशेष रूप से अच्छी तरह से ऑप्टिकल उपकरणों के लिए अनुकूल है ।
विकास और ऑप्टिकल माप के बाद, एक मॉडल है जो दोनों के ट्रांसमीटर और VO के प्रतिबिंबित करने के लिए डेटा के लिए एक अच्छा फिट प्रदान करता है2 के पास अवरक्त वर्णक्रमीय क्षेत्र में अपने धातु और अछूता चरणों में (आर2 = 0.96-0.99) । इंफ्रारेड अछूता चरण के चिंतनशील इस मॉडल को बनाने में सबसे चुनौतीपूर्ण प्रक्रिया है । अतिरिक्त थरथरानवाला शर्तों जोड़ा गया है, लेकिन इस मॉडल जटिलता बढ़ गई, केवल मामूली इस क्षेत्र में फिट में सुधार. यह इस मॉडल में, Lorentz oscillators के superposition एक आम ऑप्टिकल मॉडल है और जरूरी विशिष्ट इलेक्ट्रॉनिक संक्रमण के अनुरूप नहीं है कि ध्यान दिया जाना चाहिए. शुरू में, मॉडल एक Drude शब्द शामिल है, तथापि, गणितीय अनुकूलन के बाद, Drude शब्द अनिवार्य रूप से समाप्त हो गया था । इस कारण से, कई ंयूनतम तकनीकों की जांच की गई । हालांकि, इन विभिंन तकनीकों समान समाधान है कि एक Drude शब्द शामिल नहीं किया पर एकाग्र । एलड VO2 में एक Drude पद के अभाव कारकों की एक संख्या के कारण हो सकता है, जैसे 1) मैगनीज-अर्धचालक की तरह प्रतिरोधकता, या 2) कम ऊर्जा और/या बड़ी टक्कर दर (भिगोने शब्द) के लिए एक प्लाज्मा आवृत्ति बदलाव, धातु के साथ समझौते में इन फिल्मों के गुण ।
पृथक करने के चरण में, T < 60 ° c, एलड VO के permittivity और अपवर्तन सूचकांक2 अन्य निर्माण विधियों के साथ अच्छी तरह से सहमत हैं (sputtered4,20,21 और स्पंदित-लेजर साठा22 ,23). धातु राज्य में, टी > 70 ° c, इन एलड फिल्मों VO से कम नुकसान प्रदर्शन2 अंय तरीकों से गढ़े । यह ध्यान रखना महत्वपूर्ण है कि जब अलग निर्माण तरीके VO2के permittivity और अपवर्तन सूचकांक के लिए कुछ अलग मूल्यों का उत्पादन करते हैं, तो सभी फिल्में इसी तरह की प्रवृत्तियों को दर्शाती हैं ।
तापमान और ऑप्टिकल permittivity और अपवर्तन सूचकांक की तरंग दैर्ध्य निर्भरता के इस पत्र में मॉडल अच्छी तरह से मापा डेटा के साथ सहमत हैं । मापा ऑप्टिकल डेटा के लिए एक अच्छी गुणवत्ता फिट उत्पादन करने के लिए इस मॉडल की क्षमता यह मज़बूती से एक धातु के लिए एक इंसुलेटर से चरण परिवर्तन के रूप में VO2 के ऑप्टिकल गुणों का अनुमान कर सकते है दर्शाता है । इन मॉडलों का प्रयोग, VO के ऑप्टिकल गुण2 अनुमान के अनुसार तापमान, मोटाई, और तरंग दैर्ध्य को ऑप्टिकल प्रणालियों कि स्थिर और गतिशील लक्ष्यों को प्राप्त करने के लिए डिजाइन द्वारा देखते हो सकता है । इन मॉडलों के डिजाइन और ऑप्टिकल फिल्म की मोटाई के साथ ही तापमान को संशोधित करके निष्क्रिय और सक्रिय प्रणालियों में VO2 का उपयोग कर प्रणालियों के विकास को सक्षम करें ।

Vanadium डाइऑक्साइड ६८ डिग्री सेल्सियस के पास एक क्रिस्टलीय चरण संक्रमण से गुजरती है । यह monoclinic से चतुष्कोणीय के लिए एक संरचनात्मक क्रिस्टल परिवर्तन पैदा करता है । इस संक्रमण के मूल1विवादास्पद रहता है, लेकिन हाल ही में अनुसंधान की प्रक्रिया है कि इस संक्रमण2,3,4 का उत्पादन की समझ विकसित करने में मदद कर रहा है । मूल के बावजूद, चरण संक्रमण एक और अधिक धातु सामग्री के लिए कमरे के तापमान पर एक इंसुलेटर (प्रकाश संचारण) से VO2 के ऑप्टिकल गुण परिवर्तन (प्रतिबिंबित और प्रकाश को अवशोषित) संक्रमण तापमान2 से ऊपर .
तरीकों की एक किस्म के लिए अतीत में VO2 बनाना इस्तेमाल किया गया है (sputtering, शारीरिक वाष्प जमाव, रासायनिक वाष्प जमाव, आणविक बीम epitaxy, समाधान, आदि.) 5. VO2 के गुण मोटे तौर पर6फिल्मों, जो विभिंन विकास तकनीकों और बाद में ऐनी के बीच महत्वपूर्ण परिवर्तनशीलता का उत्पादन किया गया है और crystallinity और फिल्म अलग करने के लिए नेतृत्व के निर्माण के लिए इस्तेमाल प्रौद्योगिकी पर निर्भर गुण. इस काम के लिए परमाणु परत जमा (एलड) की ऑप्टिकल संपत्तियों की जांच की बढ़ी फिल्मों, तथापि, दृष्टिकोण VO के सभी प्रकार की मॉडलिंग2 फिल्मों के लिए लागू है ।
हाल ही में, समूहों ऑप्टिकल सब्सट्रेट पर VO2 की पतली फिल्मों को शामिल करके ऑप्टिकल उपकरणों का निर्माण कर रहे हैं । एक तेजी से बढ़ते नए जमाव विधि के रूप में, एलड इन ऑप्टिकल उपकरणों के निर्माण में सहायता कर सकते है और इस तरह के बड़े क्षेत्र एकरूपता, angstrom स्तर मोटाई नियंत्रण, और अनुरूप फिल्म कवरेज के रूप में वैकल्पिक तकनीक पर कई फायदे हैं7 ,8,9. एलड एक स्वयं की आवश्यकता होती है अनुप्रयोगों के लिए पसंदीदा तकनीक है परत दर परत जमाव दृष्टिकोण, सब्सट्रेट सामग्री की एक विस्तृत विविधता पर निर्माण (उदा., विषम एकीकरण के लिए), या 3 डी संरचनाओं के अनुरूप कोटिंग10 . अंत में, एलड प्रक्रिया के 3 डी संरचनाओं के अनुरूप कोटिंग ऑप्टिकल अनुप्रयोगों में विशेष रूप से उपयोगी है ।
इस समाचार पत्र में प्रयोगों के लिए, ultrathin, अमली एलड फिल्मों को उच्च गुणवत्ता वाली क्रिस्टलीय फिल्मों का उत्पादन करने के लिए एक ऑक्सीजन वातावरण में कम तापमान और annealed पर डबल साइड पॉलिश, सी-प्ले नीलमणि सब्सट्रेट पर उगाया गया । प्रयोगात्मक माप का उपयोग कर, एक मॉडल तापमान और तरंग दैर्ध्य निर्भर VO में ऑप्टिकल परिवर्तन के लिए बनाया गया है2 एक स्वरित्र अपवर्तन सूचकांक सामग्री11के रूप में इसके उपयोग को सक्षम करने के लिए ।

<table border="0" cellpadding="0" cellspacing="0" width="731">
	<tbody>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:343px;">c-Al2O3</td>
			<td style="width:111px;"></td>
			<td style="width:111px;"></td>
			<td style="width:167px;"></td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:343px;">UHP Oxygen</td>
			<td style="width:111px;">Air Products</td>
			<td style="width:111px;"></td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:343px;">UHP Nitrogen</td>
			<td style="width:111px;">Air Products</td>
			<td style="width:111px;"></td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;">Tetrakis(ethylmethylamido)vanadium(IV) (TEMAV)&#160;</td>
			<td style="width:111px;">Air Liquide</td>
			<td style="width:111px;"></td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="42">
			<td height="42" style="height:42px;width:343px;">Acetone</td>
			<td style="width:111px;">Fischer Scientific&#160;</td>
			<td style="width:111px;">A18-4</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="42">
			<td height="42" style="height:42px;width:343px;">2-propanol</td>
			<td style="width:111px;">Fischer Scientific&#160;</td>
			<td style="width:111px;">A416P-4</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="42">
			<td height="42" style="height:42px;">Savannah S200-G2&#160;</td>
			<td>Veeco - CNT</td>
			<td style="width:111px;">Savannah S200-G2&#160;</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="42">
			<td height="42" style="height:42px;width:343px;">ozone generator&#160;</td>
			<td style="width:111px;">Veeco - CNT</td>
			<td style="width:111px;">&#160;ozone generator&#160;</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:343px;">Platinum wire heater</td>
			<td style="width:111px;">HeatWave Labs</td>
			<td style="width:111px;">custom</td>
			<td></td>
		</tr>
	</tbody>
</table>

atomic layer deposition of vanadium dioxide and a temperature-dependent optical model

Vanadium डाइऑक्साइड एक सामग्री है कि ६८ डिग्री सेल्सियस के पास एक प्रतिवर्ती धातु-इंसुलेटर चरण परिवर्तन है । सब्सट्रेट की एक विस्तृत विविधता पर VO2 बढ़ने के लिए, वेफर पैमाने पर एकरूपता और मोटाई के angstrom स्तर पर नियंत्रण के साथ, परमाणु परत जमाव की विधि चुना गया था । इस एलड प्रक्रिया में सक्षम बनाता है उच्च गुणवत्ता, कम तापमान (≤ १५० ° c) ultrathin फिल्मों की वृद्धि (100-1000 Å) की VO2। इस प्रदर्शन के लिए VO2 फिल्में नीलम सब्सट्रेट पर उगाई गईं । यह कम तापमान वृद्धि तकनीक ज्यादातर अमली VO2 फिल्मों का उत्पादन करती है । 7x10 के एक दबाव के साथ एक अल्ट्रा उच्च निर्वात चैंबर में एक बाद में ऐनी-4 अल्ट्रा के Pa-उच्च शुद्धता (९९.९९९%) ऑक्सीजन उन्मुख, polycrystalline VO2 फिल्मों का उत्पादन किया । crystallinity, चरण, और VO के तनाव2 रमन स्पेक्ट्रोस्कोपी और एक्स-रे विवर्तन द्वारा निर्धारित किया गया, जबकि stoichiometry और नापाक स्तर एक्स-रे photoelectron स्पेक्ट्रोस्कोपी द्वारा निर्धारित किया गया था, और अंत में आकृति विज्ञान द्वारा निर्धारित किया गया था परमाणु शक्ति माइक्रोस्कोपी । इन आंकड़ों से इस तकनीक द्वारा उगाई गई फिल्मों की उच्च गुणवत्ता प्रदर्शित होती है । एक मॉडल के पास अवरक्त वर्णक्रमीय क्षेत्र में अपनी धातु और अछूता चरणों में2 VO के लिए डेटा को फिट करने के लिए बनाया गया था । एलड VO के permittivity और अपवर्तन सूचकांक2 अपने पृथकीकरण चरण में अंय निर्माण विधियों के साथ अच्छी तरह से सहमत हुए, लेकिन इसकी धातु राज्य में एक अंतर दिखाया । अंत में, फिल्मों के विश्लेषण के ऑप्टिकल गुण एक स्वरित्र अपवर्तन सूचकांक सामग्री के रूप में VO2 के विकास के लिए जटिल ऑप्टिकल अपवर्तन सूचकांक के एक तरंग दैर्ध्य और तापमान पर निर्भर मॉडल के निर्माण में सक्षम होना चाहिए ।

एलड उगाए vanadium ऑक्साइड की गुणवत्ता की पहचान करने के लिए, एक्स-रे photoelectron स्पेक्ट्रोस्कोपी (XPS) के रूप में जमा पर प्रदर्शन किया गया था, मुख्य रूप से अमली VO2 फिल्मों (चित्रा 1) के रूप में अच्छी तरह के रूप में annealed क्रिस्टलीय VO2 फिल्मों (नहीं दिखाया गया है) । एक्स-रे विवर्तन (XRD) का प्रदर्शन annealed VO2 फिल्मों (चित्रा 2) पर किया गया । इसके अलावा, में मदद करने के लिए फिल्म के भीतर रसायन विज्ञान के ऊर्ध्वाधर प्रोफ़ाइल यों तो, गहराई profiling एक क्लस्टर आयन स्रोत के साथ प्रदर्शन के लिए कटियन/आयनों प्रजातियों के अधिमान नक़्क़ाशी कम करना था । दो प्रतिनिधि अंश चित्रा 1, सतह पर एक और थोक में एक में दिखाए जाते हैं । गहराई प्रोफ़ाइल और बाद में XPS माप बताते है कि शीर्ष 1 के रूप में जमा फिल्म के एनएम VO नहीं है2 अतिरिक्त पर्यावरण (आकस्मिक) ऑक्सीजन और कार्बन के कारण है, लेकिन कम दबाव ऑक्सीजन में एक अधिक नियंत्रित एनीलिंग प्रक्रिया के बाद भी सतह स्थिर VO करने के लिए2। एक्स-रे विवर्तन माप एक घन K-अल्फा एक्स-रे ऊर्जा स्रोत और शो के साथ प्रदर्शन किया, चित्रा 2में, एक एकल VO2 चोटी पर ३९.९ ˚ । इस चोटी के हस्ताक्षर एलड-उगाया VO2 की गुणवत्ता की पुष्टि के साथ ही है कि (020) क्रिस्टल अभिविंयास नीलमणि सब्सट्रेट शिखर के साथ संरेखित करता है ।
crystallinity, चरण, और तनाव का विश्लेषण करने के लिए, रमन स्पेक्ट्रोस्कोपी उत्तेजना के लिए एक ५३२ एनएम लेजर का उपयोग किया गया था । चित्रा 3 VO2 फिल्म के एक रमण स्पेक्ट्रम से पता चलता है और उच्च क्रिस्टलीय गुणवत्ता का संकेत है जो संकीर्ण चोटियों से पता चलता है. इसके अलावा, vanadium में बढ़ी हुई ऊर्जा-vanadium कम आवृत्ति phonons (१९३ और २२२ सेमी-1) और ६१२ सेमी-1 मोड, साथ ही ३८९ सेमी-1 मोड की घटी हुई ऊर्जा, इन फिल्मों में तंयता तनाव का सुझाव12, 13.
आकृति विज्ञान परमाणु बल माइक्रोस्कोपी (AFM) द्वारा मनाया गया । चित्रा 4 20-40 एनएम के आदेश पर क्रिस्टल अनाज आकार से पता चलता है और एक जड़-मीन (RMS) के लिए १.४ एनएम के किसी न किसी प्रकार के रूप में जमा फिल्मों (चित्रा 4a) और annealed फिल्मों के लिए २.६ एनएम के एक RMS असहजता (चित्रा 4B) ।
ऑप्टिकल संप्रेषण और चिंतनशील डेटा एक स्कैनिंग monochromator और एक photodetector है, जो दिखाई और निकट अवरक्त क्षेत्र में कवरेज प्रदान के साथ एक सफेद प्रकाश स्रोत का उपयोग कर प्राप्त किया गया । चित्रा 5 यह एक धातु के लिए एक इंसुलेटर से संक्रमण के रूप में फिल्म के तापमान निर्भरता से पता चलता है, ६१ डिग्री सेल्सियस का एक संक्रमण तापमान का प्रदर्शन । प्रयोगात्मक डेटा का विश्लेषण तापमान और VO2 की तरंग दैर्ध्य निर्भर permittivity के मॉडलिंग के रूप में यह धातु के लिए इंसुलेटर से संक्रमण सक्षम बनाता है । चित्रा 5 दिखाता है कि मॉडल सही जब तालिका 1में मानकों का उपयोग कर ऑप्टिकल व्यवहार की भविष्यवाणी की है ।
<img alt="Figure 1" class="xfigimg" src="/files/ftp_upload/57103/57103fig1.jpg"> 1 चित्रा: प्रतिनिधि XPS माप के ३५-एनएम मोटी VO2 पर सी-अल2ओ3। XPS से पता चलता है कि फिल्म का थोक VO है2 जबकि सतह, जिसमें सी और ओ दूषित होता है, वी2ओ5की ओर अधिक खिसक जाता है । Stoichiometry सुझाव VO2. <a href="/files/ftp_upload/57103/57103fig1large.jpg" target="_blank">कृपया यहां क्लिक करें इस आंकड़े का एक बड़ा संस्करण को देखने के लिए ।</a>
<img alt="Figure 2" class="xfigimg" src="/files/ftp_upload/57103/57103fig2v3.jpg"> चित्रा 2: सी-अल2ओ3पर ३५-एनएम मोटी VO2 के XRD माप । यह XRD माप ३९.९ ˚ पर एक एकल VO2 चोटी दिखाता है जो स्वतंत्र रूप से क्रिस्टल की गुणवत्ता को सत्यापित करता है और monoclinic (020) ओरिएंटेशन को दर्शाता है अंतर्निहित नीलमणि चोटी के साथ संरेखित है । <a href="/files/ftp_upload/57103/57103fig2v3large.jpg" target="_blank">कृपया यहां क्लिक करें इस आंकड़े का एक बड़ा संस्करण को देखने के लिए ।</a>
<img alt="Figure 3" class="xfigimg" src="/files/ftp_upload/57103/57103fig3.jpg"> चित्रा 3: रमन स्पेक्ट्रा के VO2 पर सी-अल2ओ3. इस रमन स्पेक्ट्रम संकीर्ण चोटियों है, उच्च क्रिस्टलीय गुणवत्ता का संकेत है, और एक मामूली तंयता तनाव से पता चलता है । <a href="/files/ftp_upload/57103/57103fig3large.jpg" target="_blank">कृपया यहां क्लिक करें इस आंकड़े का एक बड़ा संस्करण को देखने के लिए ।</a>
<img alt="Figure 4" class="xfigimg" src="/files/ftp_upload/57103/57103fig4.jpg"> चित्रा 4: सी-अल2ओ3पर VO2 की आकृति विज्ञान । AFM छवियों के रूप में विकसित फिल्म के लिए (ए) १.४ एनएम के 20-40 एनएम और RMS roughnesses के आदेश पर अनाज के आकार के साथएकसमान, सतत फिल्में दिखाने के लिए और (बी) २.६ एनएम annealed फिल्म के लिए । <a href="/files/ftp_upload/57103/57103fig4large.jpg" target="_blank">कृपया यहां क्लिक करें इस आंकड़े का एक बड़ा संस्करण को देखने के लिए ।</a>
<img alt="Figure 5" class="xfigimg" src="/files/ftp_upload/57103/57103fig5.jpg"> चित्रा 5: सी-अल2ओ3पर ३५-एनएम मोटी VO2 के निकट अवरक्त ऑप्टिकल संप्रेषण और प्रतिबिंबित करता है । vanadium डाइऑक्साइड फिल्म के ऑप्टिकल संप्रेषण और रिफ्लेक्टर के तापमान पर निर्भर व्यवहार ४०, ६०, ७०, और ९० डिग्री सेल्सियस पर दिखा रहे हैं । साजिश में खुले हलकों मापा संप्रेषण, प्रतिबिंबित करता है, और विभिंन तापमान पर नीलमणि संरचना पर VO2 की गणना absorptance हैं, जबकि ठोस लाइनें दो आयामी तापमान से अनुमानित मूल्यों रहे है-और VO2के तरंग दैर्ध्य पर निर्भर मॉडल । <a href="/files/ftp_upload/57103/57103fig5large.jpg" target="_blank">कृपया यहां क्लिक करें इस आंकड़े का एक बड़ा संस्करण को देखने के लिए ।</a>
<table border="1" fo:keep-together.within-page="1" fo:keep-with-next.within-page="always"><tbody>
<tr>
<td></td>
			<td>ε∞</td>
			<td></td>
			<td>Osc. 1</td>
			<td>Osc. 2</td>
		</tr>
<tr>
<td>विसंवाहक</td>
			<td colspan="4"></td>
		</tr>
<tr>
<td rowspan="3"></td>
			<td rowspan="3">३.४</td>
			<td>ईएन
</td>
			<td>३.८</td>
			<td>१.२</td>
		</tr>
<tr>
<td>An
</td>
			<td>३३</td>
			<td>२.१</td>
		</tr>
<tr>
<td>Bn
</td>
			<td>१.४</td>
			<td>१.३</td>
		</tr>
<tr>
<td>धातु</td>
			<td colspan="4"></td>
		</tr>
<tr>
<td rowspan="3"></td>
			<td rowspan="3">४.५</td>
			<td>ईएन
</td>
			<td>३.२</td>
			<td>०.६</td>
		</tr>
<tr>
<td>An
</td>
			<td>13</td>
			<td>५.३</td>
		</tr>
<tr>
<td>Bn
</td>
			<td>१.१</td>
			<td>1</td>
		</tr>
</tbody></table>तालिका 1: VO के लिए प्रतिनिधि मॉडल पैरामीटर 2 . इन मापदंडों के एक थरथरानवाला मॉडल में इस्तेमाल के लिए अपनी धातु और अछूता चरणों में VO2 के permittivity का अनुमान के प्रतिनिधि हैं ।

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Atomic Layer Deposition of Vanadium Dioxide and a Temperature-dependent Optical Model

vanadium डाइऑक्साइड (VO2) की पतली फिल्मों (100-1000 Å) नीलमणि सब्सट्रेटs पर परमाणु परत जमाव (एलड) द्वारा बनाई गई । इस के बाद, ऑप्टिकल संपत्तियों VO2के धातु-इंसुलेटर संक्रमण के माध्यम से विशेषता थे । मापा ऑप्टिकल गुणों से, एक मॉडल VO2के स्वरित्र अपवर्तन सूचकांक का वर्णन करने के लिए बनाया गया था ।

Vanadium डाइऑक्साइड और एक तापमान पर निर्भर ऑप्टिकल मॉडल के परमाणु परत जमाव

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