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Fabricação de imagem flexível Sensor baseado no NIPIN Lateral Phototransistors

DOI :

10.3791/57502-v

June 23rd, 2018

June 23rd, 2018

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1School of Electrical Engineering and Computer Science, Gwangju Institute of Science and Technology

Apresentamos um método detalhado para fabricar uma matriz de fototransistor NIPIN lateral deformável para sensores de imagem curvos. A matriz de fototransistor com uma forma de malha aberta, que é composta de ilhas de silicone fina e elásticos metais interligações, proporciona flexibilidade e elasticidade. O analisador do parâmetro caracteriza a propriedade elétrica do fototransistor fabricado.

Tags

Engenharia

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