Name: fabrication of robust nanoscale contact between a silver nanowire electrode and cds buffer layer in cu(in,ga)se2 thin-film solar cells
Uploaded: 2019-07-19T14:30:00
Description: Watch this Scientific Journal Video about Fabrication of Robust Nanoscale Contact between a Silver Nanowire Electrode and CdS Buffer Layer in CuIn,GaSe2 Thin-film Solar Cells at JoVE.com

وقد تم دعم هذا البحث من قبل برنامج البحث والتطوير الداخلي للمعهد الكوري لبحوث الطاقة (B9-2411) وبرنامج بحوث العلوم الأساسية من خلال المؤسسة الوطنية للبحوث الكورية (NRF) بتمويل من وزارة التعليم (منحة NRF-2016R1D1A1B03934840).

1. إعداد الزجاج المو المغلفة من قبل العاصمة المغنطرين التأتأة
<ol><li>تحميل الركائز الزجاج تنظيفها في المغناطيس العاصمة ومضخة وصولا الى أقل من 4 × 10-6 تور.</li>
	<li>تدفق الغاز Ar وتعيين ضغط العمل إلى 20 mTorr.</li>
	<li>تشغيل البلازما وزيادة الطاقة الناتجة العاصمة إلى 3 كيلوواط.</li>
	<li>بعد ما قبل التأتأ...

<ol>
	<li>Lee, S., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Determination+of+the+lateral+collection+length+of+charge+carriers+for+silver-nanowire-electrode-based+Cu(In,Ga)Se2+thin-film+solar+cells.">Determination of the lateral collection length of charge carriers for silver-nanowire-electrode-based Cu(In,Ga)Se2 thin-film solar cells.</a> Solar Energy. 180, 519-523 (2019).</li><li>Langley, D., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Flexible+transparent+conductive+materials+based+on+silver+nanowire+networks:+a+review.">Flexible transparent conductive materials based on silver nanowire networks: a review.</a> Nanotechnology. 24 (45), 452001 (2013).</li><li>Chung, C. -. H., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Silver+nanowire+composite+window+layers+for+fully+solution-deposited+thin-film+photovoltaic+devices.">Silver nanowire composite window layers for fully solution-deposited thin-film photovoltaic devices.</a> Advanced Materials. 24 (40), 5499-5504 (2012).</li><li>Liu, C. -. H., Yu, X. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Silver+nanowire-based+transparent,+flexible,+and+conductive+thin+film.">Silver nanowire-based transparent, flexible, and conductive thin film.</a> Nanoscale Research Letters. 6 (1), (2011).</li><li>Yu, Z., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Highly+flexible+silver+nanowire+electrodes+for+shape-memory+polymer+light-emitting+diodes.">Highly flexible silver nanowire electrodes for shape-memory polymer light-emitting diodes.</a> Advanced Materials. 23 (5), 664-668 (2011).</li><li>Chung, C. -. H., Hong, K. -. H., Lee, D. -. K., Yun, J. H., Yang, Y. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Ordered+vacancy+compound+formation+by+controlling+element+redistribution+in+molecular-level+precursor+solution+processed+CuInSe2+thin+films.">Ordered vacancy compound formation by controlling element redistribution in molecular-level precursor solution processed CuInSe2 thin films.</a> Chemistry of Materials. 27 (21), 7244-7247 (2015).</li><li>Kim, A., Won, Y., Woo, K., Kim, C. -. H., Moon, J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Highly+transparent+low+resistance+ZnO/Ag+Nanowire/ZnO+composite+electrode+for+thin+film+solar+cells.">Highly transparent low resistance ZnO/Ag Nanowire/ZnO composite electrode for thin film solar cells.</a> ACS Nano. 7 (2), 1081-1091 (2013).</li><li>Singh, M., Jiu, J., Sugahara, T., Suganuma, K. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Thin-film+copper+indium+gallium+selenide+solar+cell+based+on+low-temperature+all-printing+process.">Thin-film copper indium gallium selenide solar cell based on low-temperature all-printing process.</a> ACS Applied Materials and Interfaces. 6 (18), 16297-16303 (2014).</li><li>Kim, A., Won, Y., Woo, K., Jeong, S., Moon, J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=All-solution-processed+indium-free+transparent+composite+electrodes+based+on+Ag+Nanowire+and+Metal+Oxide+for+thin-film+solar+cells.">All-solution-processed indium-free transparent composite electrodes based on Ag Nanowire and Metal Oxide for thin-film solar cells.</a> Advanced Functional Materials. 24 (17), 2462-2471 (2014).</li><li>Shin, D., Kim, T., Ahn, B. T., Han, S. M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Solution-processed+Ag+Nanowires+++PEDOT:PSS+hybrid+electrode+for+Cu(In,Ga)Se2+thin-film+solar+cells.">Solution-processed Ag Nanowires + PEDOT:PSS hybrid electrode for Cu(In,Ga)Se2 thin-film solar cells.</a> ACS Applied Materials and Interfaces. 7 (24), 13557-13563 (2015).</li><li>Wang, M., Choy, K. -. L. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=All-nonvacuum-processed+CIGS+solar+cells+using+scalable+Ag+NWs/AZO-based+transparent+electrodes.">All-nonvacuum-processed CIGS solar cells using scalable Ag NWs/AZO-based transparent electrodes.</a> ACS Applied Materials and Interfaces. 8 (26), 16640-16648 (2016).</li><li>Jang, J., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Cu(In,Ga)Se2+thin+film+solar+cells+with+solution+processed+silver+nanowire+composite+window+layers:+buffer/window+junctions+and+their+effects.">Cu(In,Ga)Se2 thin film solar cells with solution processed silver nanowire composite window layers: buffer/window junctions and their effects.</a> Solar Energy Materials and Solar Cells. 170, 60-67 (2017).</li><li>Chung, C. -. H., Bob, B., Song, T. -. B., Yang, Y. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Current-voltage+characteristics+of+fully+solution+processed+high+performance+CuIn(S,Se)2+solar+cells:+crossover+and+red+kink.">Current-voltage characteristics of fully solution processed high performance CuIn(S,Se)2 solar cells: crossover and red kink.</a> Solar Energy Materials and Solar Cells. 120, 642-646 (2014).</li><li>Lee, S., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Robust+nanoscale+contact+of+silver+nanowire+electrodes+to+semiconductors+to+achieve+high+performance+chalcogenide+thin+film+solar+cells.">Robust nanoscale contact of silver nanowire electrodes to semiconductors to achieve high performance chalcogenide thin film solar cells.</a> Nano Energy. 53, 675-682 (2018).</li></ol>

لاحظ أنه يجب تحسين وقت الترسيب لطبقة CdSالثانية لتحقيق أداء الخلية الأمثل. مع زيادة وقت الترسيب، يزيد سمك طبقة CDS الثانية، وبالتالي، سيتحسن الاتصال الكهربائي. ومع ذلك، فإن مزيد من ترسيب طبقة CDSالثانية سوف يؤدي إلى طبقة أكثر سمكا أن يقلل من امتصاص الضوء، وسوف تنخفض كفاءة ال?...

وقد درست شبكات الأسلاك النانوية الفضية (AgNW) على نطاق واسع كبديل لأكسيد القصدير الإنديوم (ITO) شفافة إجراء رقيقة نظرا لمزاياها على أكاسيد إجراء شفافة التقليدية (TCOs) من حيث انخفاض تكلفة المعالجة و مرونة ميكانيكية أفضل. وبالتالي تم استخدام الحلول المجهزة AgNW شبكة شفافة إجراء الأقطاب الكهربائية (TCEs) في Cu (في، Ga) Se2 (CIGS) الخلايا الشمسية رقيقة الفيلم1،2،3،4،5 , 6.عادة ما يتم تصنيع هاجإنو Tces المصنعة الحل في شكل جزءا لا يتجزأ من AgNW أو ساندويتش AgNW الهياكل في مصفوفة موصلة مثل PEDOT: PSS، ITO، ZnO، الخ 7،8،9، 10،11 طبقات المصفوفة يمكن أن تعزز أن جمع الناقلين تهمة موجودة في المساحات الفارغة من شبكة AgNW.
ومع ذلك، طبقات المصفوفة يمكن أن تولد عيوب بين الوجه بين طبقة المصفوفة وطبقة عازلة CDS الكامنة في CIGS الخلايا الشمسية رقيقة الفيلم12،13. غالبًا ما تسبب العيوب بين الوجهين وجودًا في منحنى الجهد الكثافة (J-V) الحالي، مما يؤدي إلى عامل تعبئة منخفض (FF) في الخلية، وهو ما يضر بأداء الخلايا الشمسية. لقد أبلغنا مسبقاً عن طريقة لحل هذه المشكلة عن طريق إيداع طبقة CdS رقيقة إضافية (طبقة CDS2 nd) بشكل انتقائي بين AgNWs وطبقة المخزن المؤقت CdS14. وأدى إدراج طبقة إضافية من طبقات CdS إلى تحسين خصائص جهة الاتصال في التقاطع بين طبقات AgNW وCdS. ونتيجة لذلك، تم تحسين مجموعة الناقل في شبكة AgNW إلى حد كبير، وتم تعزيز أداء الخلية. في هذا البروتوكول، ونحن نصف الإجراء التجريبي لتلفيق اتصال كهربائي قوي بين شبكة AgNW وطبقة المخزن المؤقت CdS باستخدام طبقة CDS 2nd في خلية شمسية رقيقة الأغشية CIGS.

<table border="0" cellpadding="0" cellspacing="0" style="width:616px;" width="617">
	<tbody>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">Mo</td>
			<td style="width:115px;">Materion</td>
			<td style="width:119px;">Purity: 3N5</td>
			<td style="width:167px;">Mo sputtering</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">Cu</td>
			<td style="width:115px;">5N Plus</td>
			<td style="width:119px;">Purity: 4N7</td>
			<td>CIGS deposition</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">In</td>
			<td style="width:115px;">5N Plus</td>
			<td style="width:119px;">Purity: 5N</td>
			<td>CIGS deposition</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">Ga</td>
			<td style="width:115px;">5N Plus</td>
			<td style="width:119px;">Purity: 5N</td>
			<td>CIGS deposition</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">Se</td>
			<td style="width:115px;">5N Plus</td>
			<td style="width:119px;">Purity: 5N</td>
			<td>CIGS deposition</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">Ammonium acetate</td>
			<td style="width:115px;">Alfa Aesar</td>
			<td style="width:119px;">11599</td>
			<td>CdS reaction solution</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">Ammonium hydroxide</td>
			<td style="width:115px;">Alfa Aesar</td>
			<td style="width:119px;">L13168</td>
			<td>CdS reaction solution</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">Cadmium acetate dihydrate</td>
			<td style="width:115px;">Sigma-Aldrich</td>
			<td style="width:119px;">289159</td>
			<td>CdS reaction solution</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">Thiourea</td>
			<td style="width:115px;">Sigma-Aldrich</td>
			<td style="width:119px;">T8656</td>
			<td>CdS reaction solution</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">Silver Nanowire</td>
			<td style="width:115px;">ACSMaterial</td>
			<td style="width:119px;">AgNW-L30</td>
			<td>AgNW dispersion</td>
		</tr>
	</tbody>
</table>

fabrication of robust nanoscale contact between a silver nanowire electrode and cds buffer layer in cu(in,ga)se2 thin-film solar cells

وقد استخدمت الفضة nanowire أقطاب شفافة كطبقات نافذة لCu (في، Ga) Se2 الخلايا الشمسية رقيقة الفيلم. عادة ما تؤدي أقطاب الأسلاك النانوية الفضية العارية إلى أداء الخلايا الضعيف جدًا. يمكن أن يؤدي تضمين أو وضع أسلاك نانوية فضية باستخدام مواد شفافة موصلة بشكل معتدل، مثل أكسيد القصدير بالإنديوم أو أكسيد الزنك، إلى تحسين أداء الخلايا. ومع ذلك، يمكن أن تسبب طبقات المصفوفة المجهزة بالحلول عدداً كبيراً من العيوب بين الوجهبين الأقطاب الكهربائية الشفافة والمخزن المؤقت CdS، مما قد يؤدي في نهاية المطاف إلى انخفاض أداء الخلايا. تصف هذه المخطوطة كيفية تصنيع اتصال كهربائي قوي بين قطب الأسلاك النانوية الفضية وطبقة احتياطية CdS الأساسية في خلية تعمل بالطاقة الشمسية Cu(In,Ga)Se2، مما يتيح أداء الخلايا العالية باستخدام سلك نانوواير فضي خالي من المصفوفة شفاف اقطاب. ومصفوفة خالية من الأسلاك النانوية القطب ملفقة من قبل طريقتنا يثبت أن القدرة على جمع تهمة الناقل من الفضة نانوواير القطب القائمة على الخلايا جيدة مثل تلك التي من الخلايا القياسية مع ZnO متلعثم: Al / i-ZnO طالما أن الأسلاك النانوية الفضية و CDS لديها اتصال كهربائي عالي الجودة. وقد تحقق الاتصال الكهربائي عالي الجودة عن طريق إيداع طبقة إضافية من CdS رقيقة مثل 10 نانوية على سطح الأسلاك النانوية الفضية.

ويبين الشكل 3هياكل طبقة الخلايا الشمسية لـ CIGS التي تحتوي على (أ) معيار ZnO:Al/i-ZnO و(ب) AgNW TCE. المورفولوجيا السطحية من CIGS الخام، ويمكن أن تشكل فجوة نانوية بين طبقة AgNW وطبقة المخزن المؤقت CDS الكامنة. كما هو موضح في الشكل 3A، يمكن إيداع طبقة CDSالثان...

Watch this Scientific Journal Video about Fabrication of Robust Nanoscale Contact between a Silver Nanowire Electrode and CdS Buffer Layer in CuIn,GaSe2 Thin-film Solar Cells at JoVE.com

Fabrication of Robust Nanoscale Contact between a Silver Nanowire Electrode and CdS Buffer Layer in CuIn,GaSe2 Thin-film Solar Cells

في هذا البروتوكول، نقوم بوصف الإجراء التجريبي المفصل لتصنيع اتصال نانوي قوي بين شبكة أسلاك نانوية فضية وطبقة عازلة من الأقراص المضغوطة في خلية شمسية ذات أغشية رقيقة من سيج.

تصنيع اتصال قوي نانوي بين القطب نانوواير الفضة وطبقة العازلة CDS في Cu (في، Ga) Se2 الخلايا الشمسية رقيقة الفيلم

Silver nanowire transparent electrodes have been employed as window layers for Cu(In,Ga)Se2 thin-film solar cells. Bare silver nanowire electrodes ...

شبكات أسلاك النانو الفضية هي تكنولوجيا ناشئة لتحل محل الأكاسيد موصلية شفافة التقليدية في تطبيق الخلايا الشمسية رقيقة الأغشية. ومع ذلك، فإن الاتصال الكهربائي للطبقة الأساسية كان مشكلة. بروتوكول لدينا هو طريقة عملية بسيطة لتعزيز خاصية الاتصال الكهربائية بين شبكة أسلاك النانو الفضة وطبقة العازلة CDS الكامنة في الخلايا الشمسية CIGS رقيقة الأغشية.طريقتنا هي عملية بسيطة جداً، قابلة لإعادة إنتاج، و رخيصة على أساس الحل. كما أنها مماثلة للعملية القائمة القائمة على الحل، لاختلاق خلايا شمسية رقيقة الأغشية الشمسية CIGS. أولاً، تحميل ركائز الزجاج تنظيفها في ماغنيرون العاصمة، وضخ أسفل لتفجير أربع مرات 10 إلى التور ناقص ستة.تدفق غاز الأرجون، وتعيين ضغط العمل إلى 20 millitorr. بدوره على البلازما، وزيادة الطاقة الناتج DC إلى ثلاثة كيلوواط. بعد ما قبل التخبط ثلاث دقائق لتنظيف الهدف، تبدأ ترسب الموليبدينوم حتى سمك الفيلم الموليبدينوم تصل إلى ما يقرب من 350 نانومتر.المقبل، تعيين ضغط العمل إلى 15 millitorr، مع الحفاظ على قوة الانتاج في 3 كيلوواط. استئناف ترسب الموليبدينوم حتى يصل سمك الموليبدينوم الكلي إلى حوالي 750 نانومتر. تحميل الزجاج المغلفة الموليبدينوم في متبخر مشترك مسخن تحت فراغ أقل من 5 مرات 10 إلى 6 ناقص تور.تعيين درجات حرارة الإنديوم، الغاليوم، والسيلينيوم خلايا الانفسار التي تسفر عن معدلات ترسب 2.5، 1.3، و 15 انجستروم في الثانية، على التوالي. تحقق من معدلات الترسب باستخدام تقنية التكوار المجهري البلوري الكوارتز. ابدأ في توريد طبقة السلائف الإينديوم والغليوم والسيلينيوم على الزجاج المغلف الموليبدينوم لتشكيل طبقة السلائف الهيديوم-الغاليوم-السيلينيوم بسمة الركيزة البالغة 450 درجة مئوية.بعد 15 دقيقة، ووقف إمدادات indium و الجاليوم وزيادة درجة حرارة الركيزة إلى 550 درجة مئوية. بعد ذلك، ابدأ في توريد النحاس على السلائف الهيديوم-الغاليوم-السيلينيوم وتستمر حتى تصل نسبة التركيبية من النحاس إلى إنديوم +غاليوم للفيلم إلى 1.15. وقف توريد النحاس وتبخير indium وgalum مرة أخرى مع معدلات ترسب نفس المرحلة الأولى لتشكيل ما يقرب من 2 ميكرومتر سميكة CIGS الفيلم مع النحاس إلى إنديوم + غاليوم نسبة التركيبية من 0.9.الحفاظ على معدل ترسيب السيلينيوم ودرجة حرارة الركيزة عند 15 انغستروم في الثانية و 550 درجة مئوية، على التوالي. من أجل ضمان رد فعل كامل، الحنع الفيلم CIGS المودعة تحت السيلينيوم المحيطة لمدة 5 دقائق في درجة حرارة الركيزة من 550 درجة مئوية. خفض درجة حرارة الركيزة إلى 450 درجة مئوية تحت السيلينيوم المحيط، ثم تفريغ الركيزة CIGS المودعة عندما تكون درجة حرارة الركيزة أقل من 250 درجة مئوية.إعداد محلول حمام تفاعل كبريتيد الكادميوم في بكير 250 ملليلتر، عن طريق إضافة المياه الأيونية، والكادميوم خلات ديهيدرات، الثيوريا، وخلات الأمونيوم. يحرك الحل لعدة دقائق حتى متجانسة. تُضاف 3 ملليلتر من هيدروكسيد الأمونيوم إلى محلول الحمام وتُحرّك لمدة دقيقتين.بعد ذلك، ضع عينة CIGS في محلول حمام التفاعل باستخدام حامل عينة تفلون. وضع حمام رد فعل في حمام حرارة الماء، والحفاظ على درجة حرارة 65. يحرك حل حمام التفاعل في 200 دورة في الدقيقة أثناء عملية الترسب، مما يسمح لتفاعل المضي قدما لمدة 20 دقيقة لتوليد ما يقرب من 70-80 نانومتر الكادميوم طبقة عازلة على CIGS.بعد رد الفعل، وإزالة العينة من حمام رد فعل، وغسل مع تدفق المياه ديوند، وجافة مع غاز النيتروجين. آنال العينة في 120 درجة مئوية لمدة 30 دقيقة على الساخن محمّى مسبقا. إعداد 1 ملليغرام لكل ملليلتر الفضة نانو تشتت عن طريق خلط 90 ملليلتر من الإيثانول مع 1 ملليلتر من 20 ملليغرام لكل ملليلتر الإيثانول الفضة القائمة على تشتت نانو.صب 0.2 ملليلتر من تشتت الأسلاك النانوية الفضية المخففة على عينة CIGS كبريتيد الكادميوم، لتغطية السطح كله، وتدوير العينة في 1000 دورة في الدقيقة لمدة 30 ثانية. بعد ذلك، تدور معطف أسلاك النانو الفضية 3 مرات. بعد طلاء الدوران ، تُقَدِّر العينة عند درجة حرارة 120 درجة مئوية لمدة 5 دقائق على لوحة ساخنة محمّاة مسبقًا.إعداد محلول جديد من محلول الكادميوم للحمّامات كما سبق وصفه. إيداع كبريتيد الكادميوم كما هو موضح سابقا، باستثناء تغيير وقت رد الفعل، حسب الضرورة. الآن، تميز مورفولوجيا السطح من الكادميوم الكبريتيد الفضة المغلفة أسلاك النانو عن طريق المجهر البصري.قياس أداء الخلايا الشمسية باستخدام مصدر الجهد الحالي مجهزة جهاز محاكاة للطاقة الشمسية. تظهر هنا هياكل الطبقة للخلايا الشمسية CIGS مع أكسيد الزنك المُغفَل من الألومنيوم القياسي على أكسيد الزنك الجوهري وشبكة أسلاك النانو الفضية الشفافة التي تجري الأقطاب الكهربائية. ويمكن أن تترسب طبقة كبريتيد الكادميوم الثانية بشكل انتقائي على الفجوة النانوية لخلق اتصال كهربائي مستقر.تظهر هنا صور المجهر الإلكتروني للإرسال المقطعي المقطعي، على طول طبقة كبريتيد الكادميوم الثانية، المودعة على شبكة أسلاك النانو الفضية على هيكل CIGS كبريتيد الكادميوم، وعبر طبقة كبريتيد الكادميوم الثانية المودعة على شبكة أسلاك النانو الفضية. يتم إيداع طبقة كبريتيد الكادميوم الثانية بشكل موحد على سطح الأسلاك النانوية الفضية ويتم إنتاج طبقة الكادميوم على هيكل الأسلاك النانوية الفضية الأساسية. طبقة كبريتيد الكادميوم الثانية تملأ فجوات الهواء بين الكادميوم العازل وطبقات الأسلاك النانوية الفضية ، ويتحقق اتصال كهربائي مستقر.يظهر هنا أداء الجهاز لخلية شمسية رقيقة CIGS مع أسلاك نانوية فضية عارية ، وطبقة كبريتيد الكادميوم على الأسلاك النانوية الفضية الأساسية الشفافة. بسبب اتصال الكهربائية غير مستقرة الخلية مع أسلاك النانو الفضة العارية لديه ضعف أداء الجهاز. ترسب طبقة الكادميوم الثانية يعزز إلى حد كبير أداء الخلية.الخطوة الأكثر أهمية في بروتوكول لدينا هو تصنيع طبقة ثانية من القرص المضغوط على شبكة أسلاك النانو الفضية. يمكن تحسين الوقت المتباين من خلال قياس أداء الجهاز للخلية الشمسية ذات الأغشية الرقيقة CIGS. نقترح طريقة لاصطناق اتصال قوي على نطاق نانو الكهربائية في نظام CIGS.ونحن نعتقد أن طريقتنا يمكن تطبيقها على أنظمة الخلايا الشمسية الأخرى، والتي تتطلب تعزيز خصائص الاتصال الكهربائية.

Research

JoVE Journal

Engineering

Fabrication of Robust Nanoscale Contact between a Silver Nanowire Electrode and CdS Buffer Layer in Cu(In,Ga)Se2 Thin-film Solar Cells

Polycrystalline Silicon Thin-film Solar cells with Plasmonic-enhanced Light-trapping

الكريستالات السليكون الخلايا الشمسية الأغشية الرقيقة مع Plasmonic معززة للضوء للاحتباس

One of major approaches to cheaper solar cells is reducing the amount of semiconductor material used for their fabrication and making cells thinner. To ...

Probing and Mapping Electrode Surfaces in Solid Oxide Fuel Cells

التحقيق ورسم الخرائط أسطح الكهربائي في خلايا الوقود الصلبة أكسيد

Solid oxide fuel cells (SOFCs) are potentially the most efficient and cost-effective solution to utilization of a wide variety of fuels beyond hydrogen ...

Nanomoulding of Functional Materials, a Versatile Complementary Pattern Replication Method to Nanoimprinting

Nanomoulding من مواد وظيفية، تنوعا النسخ المتماثل خطة التكميلية طريقة لNanoimprinting

We describe a nanomoulding technique which  allows low-cost nanoscale patterning of functional materials, materials stacks  and full devices. Nanomoulding ...

Atom Probe Tomography Studies on the Cu(In,Ga)Se2 Grain Boundaries

Atom Probe Tomography Studies on the CuIn,GaSe2 Grain Boundaries

ذرة دقق دراسات التصوير المقطعي على النحاس (IN، جا) سي<sub&gt; 2</sub&gt; حدود الحبوب

Compared with the existent techniques, atom probe tomography is a unique technique able to chemically characterize the internal interfaces at the ...

Analysis of Contact Interfaces for Single GaN Nanowire Devices

تحليل الاتصال واجهات لأجهزة أسلاك متناهية الصغر واحدة الجاليوم

Single GaN nanowire (NW) devices fabricated on SiO2 can exhibit  a strong degradation after annealing due to the  occurrence of void formation at the ...

Fabrication of Uniform Nanoscale Cavities via Silicon Direct Wafer Bonding

تصنيع تجاويف نانوية موحدة عبر الترابط رقاقة السيليكون المباشر

Measurements of the heat capacity and superfluid fraction of confined 4He have been performed near the lambda transition using lithographically patterned ...

Making Record-efficiency SnS Solar Cells by Thermal Evaporation and Atomic Layer Deposition

جعل السجلات كفاءة SNS خلايا شمسية بواسطة التبخير الحراري وترسب طبقة الذري

Tin sulfide (SnS) is a candidate absorber material for Earth-abundant, non-toxic solar cells. SnS offers easy phase control and rapid growth by congruent ...

Ohmic Contact Fabrication Using a Focused-ion Beam Technique and Electrical Characterization for Layer Semiconductor Nanostructures

أومية الاتصال التصنيع باستخدام تقنية تركز أيون شعاع وتوصيف الكهربائية للطبقة أشباه الموصلات النانوية

Layer semiconductors with easily processed two-dimensional (2D) structures exhibit indirect-to-direct bandgap transitions and superior transistor ...

Integration of Light Trapping Silver Nanostructures in Hydrogenated Microcrystalline Silicon Solar Cells by Transfer Printing

دمج ضوء الاصطياد الفضة النانوية في مهدرج الجريزوفولفين سيليكون الخلايا الشمسية عن طريق التحويل الطباعة

One of the potential applications of metal nanostructures is light trapping in solar cells, where unique optical properties of nanosized metals, commonly ...

A Fabrication Method for Highly Stretchable Conductors with Silver Nanowires

A طريقة تصنيع الموصلات للمط عالية مع الأسلاك المتناهية الصغر فضة

Stretchable electronics are identified as a key technology for electronic applications in the next generation. One of the challenges in fabrication of ...