Name: fabrication of robust nanoscale contact between a silver nanowire electrode and cds buffer layer in cu(in,ga)se2 thin-film solar cells
Uploaded: 2019-07-19T14:30:00
Description: Watch this Scientific Journal Video about Fabrication of Robust Nanoscale Contact between a Silver Nanowire Electrode and CdS Buffer Layer in CuIn,GaSe2 Thin-film Solar Cells at JoVE.com

Denne forskning blev støttet af in-House forsknings-og udviklingsprogram af Korea Institute of Energy Research (KIER) (B9-2411) og det grundlæggende videnskabelige forskningsprogram gennem National Research Foundation of Korea (NRF) finansieret af Ministeriet for Uddannelse (Grant NRF-2016R1D1A1B03934840).

1. fremstilling af mo-coated glas ved DC Magne-spruttende
<ol><li>Læg rengjorte glas substrater i en DC Magne og Pump ned til under 4 x 10-6 torr.</li>
	<li>Flow ar gas og indstille arbejdstrykket til 20 mTorr.</li>
	<li>Tænd for plasma, og øg DC-udgangs effekten til 3 kW.</li>
	<li>Efter forsputtering af 3 min til målrensning, Begynd mo-aflejringen, indtil mo-filmtykkelsen når ca. 350 nm.</li>
	<li>Arbejdstrykket indstilles til 15 mTorr, samtidig med at den samme udgangseffekt bevares (dvs. 3 kW).</li>...

<ol>
	<li>Lee, S., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Determination+of+the+lateral+collection+length+of+charge+carriers+for+silver-nanowire-electrode-based+Cu(In,Ga)Se2+thin-film+solar+cells.">Determination of the lateral collection length of charge carriers for silver-nanowire-electrode-based Cu(In,Ga)Se2 thin-film solar cells.</a> Solar Energy. 180, 519-523 (2019).</li><li>Langley, D., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Flexible+transparent+conductive+materials+based+on+silver+nanowire+networks:+a+review.">Flexible transparent conductive materials based on silver nanowire networks: a review.</a> Nanotechnology. 24 (45), 452001 (2013).</li><li>Chung, C. -. H., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Silver+nanowire+composite+window+layers+for+fully+solution-deposited+thin-film+photovoltaic+devices.">Silver nanowire composite window layers for fully solution-deposited thin-film photovoltaic devices.</a> Advanced Materials. 24 (40), 5499-5504 (2012).</li><li>Liu, C. -. H., Yu, X. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Silver+nanowire-based+transparent,+flexible,+and+conductive+thin+film.">Silver nanowire-based transparent, flexible, and conductive thin film.</a> Nanoscale Research Letters. 6 (1), (2011).</li><li>Yu, Z., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Highly+flexible+silver+nanowire+electrodes+for+shape-memory+polymer+light-emitting+diodes.">Highly flexible silver nanowire electrodes for shape-memory polymer light-emitting diodes.</a> Advanced Materials. 23 (5), 664-668 (2011).</li><li>Chung, C. -. H., Hong, K. -. H., Lee, D. -. K., Yun, J. H., Yang, Y. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Ordered+vacancy+compound+formation+by+controlling+element+redistribution+in+molecular-level+precursor+solution+processed+CuInSe2+thin+films.">Ordered vacancy compound formation by controlling element redistribution in molecular-level precursor solution processed CuInSe2 thin films.</a> Chemistry of Materials. 27 (21), 7244-7247 (2015).</li><li>Kim, A., Won, Y., Woo, K., Kim, C. -. H., Moon, J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Highly+transparent+low+resistance+ZnO/Ag+Nanowire/ZnO+composite+electrode+for+thin+film+solar+cells.">Highly transparent low resistance ZnO/Ag Nanowire/ZnO composite electrode for thin film solar cells.</a> ACS Nano. 7 (2), 1081-1091 (2013).</li><li>Singh, M., Jiu, J., Sugahara, T., Suganuma, K. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Thin-film+copper+indium+gallium+selenide+solar+cell+based+on+low-temperature+all-printing+process.">Thin-film copper indium gallium selenide solar cell based on low-temperature all-printing process.</a> ACS Applied Materials and Interfaces. 6 (18), 16297-16303 (2014).</li><li>Kim, A., Won, Y., Woo, K., Jeong, S., Moon, J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=All-solution-processed+indium-free+transparent+composite+electrodes+based+on+Ag+Nanowire+and+Metal+Oxide+for+thin-film+solar+cells.">All-solution-processed indium-free transparent composite electrodes based on Ag Nanowire and Metal Oxide for thin-film solar cells.</a> Advanced Functional Materials. 24 (17), 2462-2471 (2014).</li><li>Shin, D., Kim, T., Ahn, B. T., Han, S. M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Solution-processed+Ag+Nanowires+++PEDOT:PSS+hybrid+electrode+for+Cu(In,Ga)Se2+thin-film+solar+cells.">Solution-processed Ag Nanowires + PEDOT:PSS hybrid electrode for Cu(In,Ga)Se2 thin-film solar cells.</a> ACS Applied Materials and Interfaces. 7 (24), 13557-13563 (2015).</li><li>Wang, M., Choy, K. -. L. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=All-nonvacuum-processed+CIGS+solar+cells+using+scalable+Ag+NWs/AZO-based+transparent+electrodes.">All-nonvacuum-processed CIGS solar cells using scalable Ag NWs/AZO-based transparent electrodes.</a> ACS Applied Materials and Interfaces. 8 (26), 16640-16648 (2016).</li><li>Jang, J., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Cu(In,Ga)Se2+thin+film+solar+cells+with+solution+processed+silver+nanowire+composite+window+layers:+buffer/window+junctions+and+their+effects.">Cu(In,Ga)Se2 thin film solar cells with solution processed silver nanowire composite window layers: buffer/window junctions and their effects.</a> Solar Energy Materials and Solar Cells. 170, 60-67 (2017).</li><li>Chung, C. -. H., Bob, B., Song, T. -. B., Yang, Y. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Current-voltage+characteristics+of+fully+solution+processed+high+performance+CuIn(S,Se)2+solar+cells:+crossover+and+red+kink.">Current-voltage characteristics of fully solution processed high performance CuIn(S,Se)2 solar cells: crossover and red kink.</a> Solar Energy Materials and Solar Cells. 120, 642-646 (2014).</li><li>Lee, S., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Robust+nanoscale+contact+of+silver+nanowire+electrodes+to+semiconductors+to+achieve+high+performance+chalcogenide+thin+film+solar+cells.">Robust nanoscale contact of silver nanowire electrodes to semiconductors to achieve high performance chalcogenide thin film solar cells.</a> Nano Energy. 53, 675-682 (2018).</li></ol>

Bemærk, at aflejrings tiden for 2nd CDS-laget skal optimeres for at opnå den optimale celle ydelse. Som deposition tid stiger, tykkelsen af 2nd CDS lag stiger, og dermed, den elektriske kontakt vil forbedre. Men yderligere deposition af 2nd CDS lag vil resultere i et tykkere lag, der reducerer lys absorption, og enhedens effektivitet vil falde. Vi opnåede den bedste celle ydeevne med 10 min af deposition tid til 2nd CDS lag og fastslået, at celle effektiviteten faldt med l?...

Silver nanowire (AgNW) netværk er blevet grundigt undersøgt som et alternativ til indium tin oxid (ITO) transparent gennemføre tynde film på grund af deres fordele i forhold til konventionelle gennemsigtige ledende oxider (TCOs) i form af lavere forarbejdningsomkostninger og bedre mekanisk fleksibilitet. Løsning-forarbejdet AgNW netværk gennemsigtige ledende elektroderne (TCEs) har således været beskæftiget i Cu (in, GA) Se2 (CIGS) tynde film solceller1,2,3,4,5 , 6. Solution-forarbejdede agnw TCEs er normalt fabrikeret i form af indlejrede-agnw eller sandwich-agnw strukturer i en ledende matrix såsom pedot: PSS, Ito, ZnO, etc.7,8,9, 10,11 matrix lagene kan forbedre, at indsamlingen af de Charge bærere til stede i de tomme rum i agnw netværket.
Men matrix lagene kan generere grænseflade defekter mellem matrixlaget og underliggende cd'er buffer lag i CIGS tynd-film solceller12,13. De grænseflade defekter ofte forårsage en Kink i den nuværende tæthed-spænding (J-V) kurve, hvilket resulterer i en lav fyldnings faktor (FF) i cellen, hvilket er til skade for solens celle ydeevne. Vi har tidligere rapporteret en metode til at løse dette problem ved selektivt at deponere et ekstra tyndt CdS-lag (2nd CDS-lag) mellem agnws og CDS-buffer laget14. Inkorporeringen af et ekstra CdS-lag forbedrede kontakt egenskaberne i krydset mellem AgNW-og CdS-lagene. Derfor blev Carrier-samlingen i AgNW-netværket væsentligt forbedret, og cellens ydeevne blev forbedret. I denne protokol beskriver vi den eksperimentelle procedure for at fabrikere robust elektrisk kontakt mellem AgNW-netværket og CdS-buffer laget ved hjælp af et 2nd -CDS-lag i en CIGS-tynd-film-solcelle.

<table border="0" cellpadding="0" cellspacing="0" style="width:616px;" width="617">
	<tbody>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">Mo</td>
			<td style="width:115px;">Materion</td>
			<td style="width:119px;">Purity: 3N5</td>
			<td style="width:167px;">Mo sputtering</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">Cu</td>
			<td style="width:115px;">5N Plus</td>
			<td style="width:119px;">Purity: 4N7</td>
			<td>CIGS deposition</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">In</td>
			<td style="width:115px;">5N Plus</td>
			<td style="width:119px;">Purity: 5N</td>
			<td>CIGS deposition</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">Ga</td>
			<td style="width:115px;">5N Plus</td>
			<td style="width:119px;">Purity: 5N</td>
			<td>CIGS deposition</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">Se</td>
			<td style="width:115px;">5N Plus</td>
			<td style="width:119px;">Purity: 5N</td>
			<td>CIGS deposition</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">Ammonium acetate</td>
			<td style="width:115px;">Alfa Aesar</td>
			<td style="width:119px;">11599</td>
			<td>CdS reaction solution</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">Ammonium hydroxide</td>
			<td style="width:115px;">Alfa Aesar</td>
			<td style="width:119px;">L13168</td>
			<td>CdS reaction solution</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">Cadmium acetate dihydrate</td>
			<td style="width:115px;">Sigma-Aldrich</td>
			<td style="width:119px;">289159</td>
			<td>CdS reaction solution</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">Thiourea</td>
			<td style="width:115px;">Sigma-Aldrich</td>
			<td style="width:119px;">T8656</td>
			<td>CdS reaction solution</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">Silver Nanowire</td>
			<td style="width:115px;">ACSMaterial</td>
			<td style="width:119px;">AgNW-L30</td>
			<td>AgNW dispersion</td>
		</tr>
	</tbody>
</table>

fabrication of robust nanoscale contact between a silver nanowire electrode and cds buffer layer in cu(in,ga)se2 thin-film solar cells

Silver nanowire gennemsigtige elektroderne er blevet anvendt som vindues lag til cu (in, GA) Se2 tynde film solceller. Bare sølv nanowire elektroderne normalt resulterer i meget dårlig celle ydeevne. Indlejring eller klemning af sølv nanoledninger ved hjælp af moderat ledende gennemsigtige materialer, såsom indium tin oxid eller zinkoxid, kan forbedre cellernes ydeevne. Men den løsning-forarbejdede matrix lag kan forårsage et betydeligt antal grænseflade defekter mellem gennemsigtige elektroder og CDS buffer, som i sidste ende kan resultere i lav celle ydeevne. Dette manuskript beskriver, hvordan man fabrikerer robust elektrisk kontakt mellem en sølv nanowire-elektrode og det underliggende CdS-buffer lag i en cu (in, GA) Se2 -solcelle, der muliggør høj celle ydeevne ved hjælp af matrix-fri sølv nanowire transparent Elektroder. Den matrix-fri sølv nanowire-elektrode, der er fremstillet af vores metode, viser, at det er så godt som standard celler med sprudede ZnO: al/i-ZnO, så længe sølv nanoledningerne og Cd'er har elektrisk kontakt af høj kvalitet. Den elektriske kontakt af høj kvalitet blev opnået ved at deponere en ekstra CdS lag så tynde som 10 nm på sølv nanowire overflade.

Lag strukturer af CIGS solceller med (a) standard ZnO: al/i-ZnO og (b) AgNW TCE er vist i figur 3. Overfladen morfologi af CIGS er ru, og en nanoskala kløft kan dannes mellem AgNW lag og den underliggende CdS buffer lag. Som fremhævet i figur 3akan 2nd CDS-laget selektivt deponeres på nanoskala-hullet for at skabe en stabil elektrisk kontakt. Den detaljerede forklaring på dannelsen af elektrisk kontakt og forbedrin...

Watch this Scientific Journal Video about Fabrication of Robust Nanoscale Contact between a Silver Nanowire Electrode and CdS Buffer Layer in CuIn,GaSe2 Thin-film Solar Cells at JoVE.com

Fabrication of Robust Nanoscale Contact between a Silver Nanowire Electrode and CdS Buffer Layer in CuIn,GaSe2 Thin-film Solar Cells

I denne protokol beskriver vi den detaljerede eksperimentelle procedure for fabrikation af en robust nanoskala kontakt mellem et sølv nanowire-netværk og CdS-buffer lag i en CIGS-tynd film-solcelle.

Fabrikation af robust nanoskala kontakt mellem en sølv Nanowire elektrode og CdS buffer lag i Cu (in, GA) Se2 tynde film solceller

Silver nanowire transparent electrodes have been employed as window layers for Cu(In,Ga)Se2 thin-film solar cells. Bare silver nanowire electrodes ...

Silver nanowire netværk er en ny teknologi til at erstatte traditionelle gennemsigtige ledende oxider i tynd-film solcelleapplikation. Men den elektriske kontakt til det underliggende lag har været et problem. Vores protokol er en simpel proces metode til at forbedre elektrisk kontakt ejendom mellem sølv nanowire netværk og den underliggende CdS buffer lag i CIGS tynd-film solceller.Vores metode er en meget enkel, reproducerbar og billig løsningsbaseret proces. Det kan også sammenlignes med den eksisterende løsningsbaserede proces, at fremstille CIGS tyndfilmsolceller. Først belastning renset glas substrater i en DC magnetron, og pumpe ned for at blæse fire gange 10 til minus seks torr.Flow argon gas, og sæt arbejdstrykket til 20 millitorr. Tænd for plasmaet, og forøg jævnstrømseffekten til tre kilowatt. Efter pre-sputtering tre minutter for mål rengøring, begynde molybdæn deposition indtil molybdæn filmtykkelse når ca 350 nanometer.Dernæst indstilles arbejdstrykket til 15 millitorr, samtidig med at udgangseffekten bevares ved 3 kilowatt. Genoptag molybdænaflejringen, indtil molybdænens samlede tykkelse når ca. 750 nanometer. Læg det molybdænbelagte glas i en forvarmet co-fordamper under et vakuum, der er lavere end 5 gange 10, til minus 6 torr.Indstil temperaturerne i indiums-, gallium- og selenedfusionscellerne, der giver aflejringsrater på henholdsvis 2,5, 1,3 og 15 angstroms pr. sekund. Kontroller aflejringshastighederne ved hjælp af kvarts krystalmikrobalanceteknikken. Begynd at levere indium, gallium og selen på molybdænbelagt glas for at danne et mikrometer tykt indium-gallium-selenprækursorlag ved en substrattemperatur på 450 grader Celsius.Efter 15 minutter, stoppe indium og gallium forsyninger og øge substrattemperaturen til 550 grader Celsius. Dernæst begynder at levere kobber på indium-gallium-selen forløber og fortsætte, indtil kobber-til-indium + gallium kompositoriske forhold af filmen når 1,15. Stop med at levere kobber og fordampe indium og gallium igen med de samme deposition satser som den første fase til at danne en ca 2-mikrometer-tyk CIGS film med en kobber-til-indium + gallium kompositoriske forhold på 0,9.Hold selenaflejringshastigheden og substrattemperaturen på henholdsvis 15 angstroms pr. sekund og 550 grader Celsius. For at sikre en fuldstændig reaktion, udgløde den deponerede CIGS film under omgivende selen i 5 minutter ved en substrat temperatur på 550 grader Celsius. Sænk substratet temperatur til 450 grader Celsius under omgivende selen, og derefter losse CIGS deponeret substrat, når substratet temperaturen er under 250 grader Celsius.Der tilberedes en cadmiumsulfidreaktionsbadeopløsning i et 250 milliliterbæger ved at tilsætte deioniseret vand, cadmiumacetatdihydrat, thiourea og ammoniumacetat. Opløsningen omrøres i flere minutter, indtil det er homogent. Tilsæt 3 milliliter ammoniumhydroxid til badopløsningen og omrøres i 2 minutter.Dernæst anbringes CIGS-prøven i reaktionsbadopløsningen ved hjælp af en Teflon prøveholder. Placer reaktionbadet i et vandvarmebad, der holdes ved 65 grader Celsius. Rør reaktionsbadopløsningen ved 200 omdr./min. under aflejringsprocessen, så reaktionen kan fortsætte i 20 minutter for at generere et ca. 70-80 nanometer cadmiumsulfidbufferlag på CIGS.Efter reaktionen fjernes prøven fra reaktionsbadet, vaskes med en strøm af deioniseret vand og tørres med nitrogengas. Anneal prøven ved 120 grader Celsius i 30 minutter på en forvarmet kogeplade. Forbered en 1-milligram-per-milliliter sølv nanowire dispersion ved at blande 90 milliliter ethanol med 1 milliliter af en 20-milligram-per-milliliter ethanol-baserede sølv nanowire dispersion.Der hældes 0,2 milliliter den fortyndede sølvnanotrådsspredning på en cadmiumsulfid CIGS-prøve for at dække hele overfladen, og prøven roteres ved 1000 omdr./min. i 30 sekunder. Efter dette, spin-coat sølv nanowires 3 gange. Efter spin-belægning, udglød prøven ved 120 grader Celsius i 5 minutter på en forvarmet kogeplade.Forbered en ny cadmiumsulfidreaktionsbadeopløsning som tidligere beskrevet. Cadmiumsulfid deponeres som tidligere beskrevet, undtagen om nødvendigt ændre reaktionstiden. Nu karakterisere overfladen morfologi af cadmium sulfid-belagt sølv nanowires ved optisk mikroskopi.Mål solcellens ydeevne ved hjælp af en strømspændingskilde udstyret med en solsimulator. Lagstrukturerne i CIGS-solcellerne med standard aluminiumdyderet zinkoxid på iboende zinkoxid og sølvnanilwirenetværket er gennemsigtige ledende elektroder, vises her. Det andet cadmiumsulfidlag kan selektivt deponeres på nanoskalahullet for at skabe en stabil elektrisk kontakt.Tværsnitstransmission elektronmikroskopi billeder, langs det andet cadmiumsulfid lag, deponeret på sølv nanowire netværk på cadmiumsulfid CIGS struktur, og på tværs af den anden cadmiumsulfid lag deponeret på sølv nanowire netværk, er vist her. Det andet cadmiumsulfidlag aflejres ensartet på overfladen af sølvnanskrederne, og cadmiumlaget på kerneskallens sølvnanråstruktur fremstilles. Det andet cadmiumsulfidlag udfylder lufthullerne mellem cadmiumbufferen og sølvnanskredslagene, og der opnås stabil elektrisk kontakt.Enhedens ydeevne af en CIGS tyndfilm solcelle med nøgne sølv nanowirer, og cadmium sulfid lag på kerne-shell sølv nanowire gennemsigtig ledende elektroder er vist her. På grund af ustabil elektrisk kontakt har cellen med nøgne sølvnanowirer dårlig enhedsydelse. Aflejring af et andet cadmiumlag forbedrer i høj grad celleydeevnen.Det vigtigste skridt i vores protokol er at fremstille endnu et CdS-lag på sølvnanilwirenetværket. Den divergerende tid kan optimeres ved at måle enhedens ydeevne af CIGS tyndfilm solcelle. Vi foreslår en metode til at fremstille robust nano-skala elektrisk kontakt i CIGS-systemet.Vi mener, at vores metode kan anvendes på andre solcellesystemer, som kræver forbedring af elektriske kontaktegenskaber.

Research

JoVE Journal

Engineering

Fabrication of Robust Nanoscale Contact between a Silver Nanowire Electrode and CdS Buffer Layer in Cu(In,Ga)Se2 Thin-film Solar Cells

Polycrystalline Silicon Thin-film Solar cells with Plasmonic-enhanced Light-trapping

Polykrystallinske silicium tynd-film solceller med plasmoniske-enhanced Light-trapping

One of major approaches to cheaper solar cells is reducing the amount of semiconductor material used for their fabrication and making cells thinner. To ...

Probing and Mapping Electrode Surfaces in Solid Oxide Fuel Cells

Sondering og kortlægning elektrodeoverflader i Solid Oxide Fuel Cells

Solid oxide fuel cells (SOFCs) are potentially the most efficient and cost-effective solution to utilization of a wide variety of fuels beyond hydrogen ...

Nanomoulding of Functional Materials, a Versatile Complementary Pattern Replication Method to Nanoimprinting

Nanomoulding af funktionelle materialer, en alsidig komplementært mønster Replication Metode til Nanoimprinting

We describe a nanomoulding technique which  allows low-cost nanoscale patterning of functional materials, materials stacks  and full devices. Nanomoulding ...

Atom Probe Tomography Studies on the Cu(In,Ga)Se2 Grain Boundaries

Atom Probe Tomography Studies on the CuIn,GaSe2 Grain Boundaries

Atom Probe tomografi Undersøgelser af Cu (I, Ga) Se<sub&gt; 2</sub&gt; Korngrænser

Compared with the existent techniques, atom probe tomography is a unique technique able to chemically characterize the internal interfaces at the ...

Analysis of Contact Interfaces for Single GaN Nanowire Devices

Analyse af kontaktflader til enlige GaN Nanotråd Devices

Single GaN nanowire (NW) devices fabricated on SiO2 can exhibit  a strong degradation after annealing due to the  occurrence of void formation at the ...

Fabrication of Uniform Nanoscale Cavities via Silicon Direct Wafer Bonding

Fremstilling af ensartede nanoskala hulrum via Silicon Direct Wafer Bonding

Measurements of the heat capacity and superfluid fraction of confined 4He have been performed near the lambda transition using lithographically patterned ...

Making Record-efficiency SnS Solar Cells by Thermal Evaporation and Atomic Layer Deposition

Gør Record-effektivitet SnS Solceller ved Termisk fordampning og Atomic Layer Deposition

Tin sulfide (SnS) is a candidate absorber material for Earth-abundant, non-toxic solar cells. SnS offers easy phase control and rapid growth by congruent ...

Ohmic Contact Fabrication Using a Focused-ion Beam Technique and Electrical Characterization for Layer Semiconductor Nanostructures

Ohmsk Kontakt Fabrication Ved hjælp af en Fokuseret-ion Beam Teknik og elektrisk karakterisering for Layer Semiconductor nanostrukturer

Layer semiconductors with easily processed two-dimensional (2D) structures exhibit indirect-to-direct bandgap transitions and superior transistor ...

Integration of Light Trapping Silver Nanostructures in Hydrogenated Microcrystalline Silicon Solar Cells by Transfer Printing

Integration af Light fældefangst Sølv Nanostrukturer i hydrogeneret Mikrokrystallinsk silicium solceller ved Transfer Printing

One of the potential applications of metal nanostructures is light trapping in solar cells, where unique optical properties of nanosized metals, commonly ...

A Fabrication Method for Highly Stretchable Conductors with Silver Nanowires

En Fabrication Metode til Highly Strækbare ledere med Silver nanotråde

Stretchable electronics are identified as a key technology for electronic applications in the next generation. One of the challenges in fabrication of ...