Name: fabrication of robust nanoscale contact between a silver nanowire electrode and cds buffer layer in cu(in,ga)se2 thin-film solar cells
Uploaded: 2019-07-19T14:30:00
Description: Watch this Scientific Journal Video about Fabrication of Robust Nanoscale Contact between a Silver Nanowire Electrode and CdS Buffer Layer in CuIn,GaSe2 Thin-film Solar Cells at JoVE.com

Dit onderzoek werd ondersteund door het in-House onderzoeks-en ontwikkelingsprogramma van het Korea Institute of Energy Research (KIER) (B9-2411) en het basis wetenschaps onderzoeksprogramma via de National Research Foundation of Korea (NRF), gefinancierd door het ministerie van Onderwijs (Grant NRF-2016R1D1A1B03934840).

1. bereiding van mo-gecoat glas door DC microgolf sputteren
<ol><li>Laad gereinigde glazen substraten in een DC microgolf en pomp tot onder 4 x 10-6 Torr.</li>
	<li>Debiet en stel de werkdruk in op 20 mTorr.</li>
	<li>Zet plasma aan en verhoog het gelijkstroom vermogen naar 3 kW.</li>
	<li>Na het vooraf sputteren van 3 min voor doel reiniging, begin de mo-depositie tot de mo-filmdikte ongeveer 350 nm bereikt.</li>
	<li>Stel de werkdruk in op 15 mTorr met behoud van hetzelfde uitgangsvermogen (d.w.z. 3 kW).</...

<ol>
	<li>Lee, S., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Determination+of+the+lateral+collection+length+of+charge+carriers+for+silver-nanowire-electrode-based+Cu(In,Ga)Se2+thin-film+solar+cells.">Determination of the lateral collection length of charge carriers for silver-nanowire-electrode-based Cu(In,Ga)Se2 thin-film solar cells.</a> Solar Energy. 180, 519-523 (2019).</li><li>Langley, D., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Flexible+transparent+conductive+materials+based+on+silver+nanowire+networks:+a+review.">Flexible transparent conductive materials based on silver nanowire networks: a review.</a> Nanotechnology. 24 (45), 452001 (2013).</li><li>Chung, C. -. H., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Silver+nanowire+composite+window+layers+for+fully+solution-deposited+thin-film+photovoltaic+devices.">Silver nanowire composite window layers for fully solution-deposited thin-film photovoltaic devices.</a> Advanced Materials. 24 (40), 5499-5504 (2012).</li><li>Liu, C. -. H., Yu, X. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Silver+nanowire-based+transparent,+flexible,+and+conductive+thin+film.">Silver nanowire-based transparent, flexible, and conductive thin film.</a> Nanoscale Research Letters. 6 (1), (2011).</li><li>Yu, Z., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Highly+flexible+silver+nanowire+electrodes+for+shape-memory+polymer+light-emitting+diodes.">Highly flexible silver nanowire electrodes for shape-memory polymer light-emitting diodes.</a> Advanced Materials. 23 (5), 664-668 (2011).</li><li>Chung, C. -. H., Hong, K. -. H., Lee, D. -. K., Yun, J. H., Yang, Y. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Ordered+vacancy+compound+formation+by+controlling+element+redistribution+in+molecular-level+precursor+solution+processed+CuInSe2+thin+films.">Ordered vacancy compound formation by controlling element redistribution in molecular-level precursor solution processed CuInSe2 thin films.</a> Chemistry of Materials. 27 (21), 7244-7247 (2015).</li><li>Kim, A., Won, Y., Woo, K., Kim, C. -. H., Moon, J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Highly+transparent+low+resistance+ZnO/Ag+Nanowire/ZnO+composite+electrode+for+thin+film+solar+cells.">Highly transparent low resistance ZnO/Ag Nanowire/ZnO composite electrode for thin film solar cells.</a> ACS Nano. 7 (2), 1081-1091 (2013).</li><li>Singh, M., Jiu, J., Sugahara, T., Suganuma, K. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Thin-film+copper+indium+gallium+selenide+solar+cell+based+on+low-temperature+all-printing+process.">Thin-film copper indium gallium selenide solar cell based on low-temperature all-printing process.</a> ACS Applied Materials and Interfaces. 6 (18), 16297-16303 (2014).</li><li>Kim, A., Won, Y., Woo, K., Jeong, S., Moon, J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=All-solution-processed+indium-free+transparent+composite+electrodes+based+on+Ag+Nanowire+and+Metal+Oxide+for+thin-film+solar+cells.">All-solution-processed indium-free transparent composite electrodes based on Ag Nanowire and Metal Oxide for thin-film solar cells.</a> Advanced Functional Materials. 24 (17), 2462-2471 (2014).</li><li>Shin, D., Kim, T., Ahn, B. T., Han, S. M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Solution-processed+Ag+Nanowires+++PEDOT:PSS+hybrid+electrode+for+Cu(In,Ga)Se2+thin-film+solar+cells.">Solution-processed Ag Nanowires + PEDOT:PSS hybrid electrode for Cu(In,Ga)Se2 thin-film solar cells.</a> ACS Applied Materials and Interfaces. 7 (24), 13557-13563 (2015).</li><li>Wang, M., Choy, K. -. L. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=All-nonvacuum-processed+CIGS+solar+cells+using+scalable+Ag+NWs/AZO-based+transparent+electrodes.">All-nonvacuum-processed CIGS solar cells using scalable Ag NWs/AZO-based transparent electrodes.</a> ACS Applied Materials and Interfaces. 8 (26), 16640-16648 (2016).</li><li>Jang, J., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Cu(In,Ga)Se2+thin+film+solar+cells+with+solution+processed+silver+nanowire+composite+window+layers:+buffer/window+junctions+and+their+effects.">Cu(In,Ga)Se2 thin film solar cells with solution processed silver nanowire composite window layers: buffer/window junctions and their effects.</a> Solar Energy Materials and Solar Cells. 170, 60-67 (2017).</li><li>Chung, C. -. H., Bob, B., Song, T. -. B., Yang, Y. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Current-voltage+characteristics+of+fully+solution+processed+high+performance+CuIn(S,Se)2+solar+cells:+crossover+and+red+kink.">Current-voltage characteristics of fully solution processed high performance CuIn(S,Se)2 solar cells: crossover and red kink.</a> Solar Energy Materials and Solar Cells. 120, 642-646 (2014).</li><li>Lee, S., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Robust+nanoscale+contact+of+silver+nanowire+electrodes+to+semiconductors+to+achieve+high+performance+chalcogenide+thin+film+solar+cells.">Robust nanoscale contact of silver nanowire electrodes to semiconductors to achieve high performance chalcogenide thin film solar cells.</a> Nano Energy. 53, 675-682 (2018).</li></ol>

Merk op dat de afzetting tijd van de 2ND CDs-laag moet worden geoptimaliseerd om de optimale celprestaties te bereiken. Naarmate de afzetting tijd toeneemt, neemt de dikte van de 2ND CDs-laag toe, en daardoor zal het elektrische contact verbeteren. Echter, verdere afzetting van de 2ND CDs-laag zal resulteren in een dikkere laag die licht absorptie vermindert, en de efficiëntie van het apparaat zal afnemen. We bereikten de beste celprestaties met 10 min afzetting tijd voor de 2ND</su...

Zilver nanodraad-(agnw) netwerken zijn uitgebreid bestudeerd als alternatief voor indium tin oxide (ITO) transparant geleidende dunne folies vanwege hun voordelen ten opzichte van conventionele transparante geleidende oxiden (tcos) in termen van lagere verwerkingskosten en betere mechanische flexibiliteit. Oplossing-verwerkte AgNW-netwerk transparante geleidende elektroden (TCEs) zijn zo werkzaam in Cu (in, ga) se2 (CIGS) dunne-film zonnecellen1,2,3,4,5 , 6. oplossingverwerkte agnw tces worden normaliter vervaardigd in de vorm van embedded-agnw of sandwich-agnw structuren in een geleidende matrix zoals PEDOT: PSS, Ito, ZnO, etc.7,8,9, 10,11 de matrix lagen kunnen de collectie van de laad dragers die in de lege ruimten van het agnw-netwerk aanwezig zijn, versterken.
De matrix lagen kunnen echter interfaciaal defecten genereren tussen de matrix laag en de onderliggende cd's buffer Layer in CIGS thin-film zonnecellen12,13. De interfaciaal defecten veroorzaken vaak een knik in de huidige dichtheids-voltage (J-V) curve, wat resulteert in een lage vulfactor (FF) in de cel, wat schadelijk is voor de zonnecellen. We hebben eerder een methode gemeld om dit probleem op te lossen door selectief een extra Thin CdS Layer (2ND CDs Layer) te storten tussen de agnws en de CDs buffer Layer14. De opname van een extra CdS-laag versterkte de contact eigenschappen in de kruising tussen de AgNW-en CdS-lagen. De carrier-collectie in het AgNW-netwerk werd daardoor sterk verbeterd en de celprestaties werden verbeterd. In dit protocol beschrijven we de experimentele procedure om een robuust elektrisch contact tussen het AgNW-netwerk en de CdS-buffer laag te fabriceren met behulp van een 2ND -CDs-laag in een dun-film Solar Cell van CIGS.

<table border="0" cellpadding="0" cellspacing="0" style="width:616px;" width="617">
	<tbody>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">Mo</td>
			<td style="width:115px;">Materion</td>
			<td style="width:119px;">Purity: 3N5</td>
			<td style="width:167px;">Mo sputtering</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">Cu</td>
			<td style="width:115px;">5N Plus</td>
			<td style="width:119px;">Purity: 4N7</td>
			<td>CIGS deposition</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">In</td>
			<td style="width:115px;">5N Plus</td>
			<td style="width:119px;">Purity: 5N</td>
			<td>CIGS deposition</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">Ga</td>
			<td style="width:115px;">5N Plus</td>
			<td style="width:119px;">Purity: 5N</td>
			<td>CIGS deposition</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">Se</td>
			<td style="width:115px;">5N Plus</td>
			<td style="width:119px;">Purity: 5N</td>
			<td>CIGS deposition</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">Ammonium acetate</td>
			<td style="width:115px;">Alfa Aesar</td>
			<td style="width:119px;">11599</td>
			<td>CdS reaction solution</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">Ammonium hydroxide</td>
			<td style="width:115px;">Alfa Aesar</td>
			<td style="width:119px;">L13168</td>
			<td>CdS reaction solution</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">Cadmium acetate dihydrate</td>
			<td style="width:115px;">Sigma-Aldrich</td>
			<td style="width:119px;">289159</td>
			<td>CdS reaction solution</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">Thiourea</td>
			<td style="width:115px;">Sigma-Aldrich</td>
			<td style="width:119px;">T8656</td>
			<td>CdS reaction solution</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">Silver Nanowire</td>
			<td style="width:115px;">ACSMaterial</td>
			<td style="width:119px;">AgNW-L30</td>
			<td>AgNW dispersion</td>
		</tr>
	</tbody>
</table>

fabrication of robust nanoscale contact between a silver nanowire electrode and cds buffer layer in cu(in,ga)se2 thin-film solar cells

Zilver nanodraad-transparante elektroden zijn gebruikt als venster lagen voor cu (in, ga) se2 dunne-film zonnecellen. Kale zilver nanodraad-elektroden resulteren normaal in zeer slechte celprestaties. Het insluiten of inbedden van zilverkleurige nanodraden met matig geleidende transparante materialen, zoals indium tin oxide of zinkoxide, kan de celprestaties verbeteren. De oplossings-verwerkte matrix lagen kunnen echter een significant aantal interfaciaal defecten veroorzaken tussen transparante elektroden en de CdS-buffer, wat uiteindelijk kan resulteren in lage celprestaties. Dit manuscript beschrijft hoe een robuust elektrisch contact tussen een zilver nano-elektrode en de onderliggende CDs-buffer laag in een cu (in, ga) se2 zonnecel te fabriceren, waardoor hoge celprestaties mogelijk zijn met behulp van matrix-vrije zilver nanodraad-transparant Elektroden. De matrix vrije zilver nanodraad--elektrode, gefabriceerd volgens onze methode, bewijst dat de charge-Carrier Collection-capaciteit van zilver nanodraad-elektrode cellen zo goed is als die van standaard cellen met gesputterde ZnO: al/i-ZnO zolang de zilveren nanodraden en Cd's hebben een kwalitatief hoogwaardig elektrisch contact. Het hoogwaardige elektrische contact werd bereikt door een extra CDs-laag zo dun als 10 nm op het zilverkleurige nanodraad-oppervlak te storten.

De laag structuren van de CIGS-zonnecellen met (a) standaard ZnO: al/i-ZnO en (b) AgNW TCE worden weergegeven in Figuur 3. De oppervlaktemorfologie van CIGS is ruw en een nanoschaal kloof kan ontstaan tussen de AgNW-laag en de onderliggende CdS-buffer laag. Zoals aangegeven in Figuur 3a, kan de 2ND CDs-laag selectief worden afgezet op de nanoschaal-kloof om een stabiel elektrisch contact te creëren. De gedetailleerde ...

Watch this Scientific Journal Video about Fabrication of Robust Nanoscale Contact between a Silver Nanowire Electrode and CdS Buffer Layer in CuIn,GaSe2 Thin-film Solar Cells at JoVE.com

Fabrication of Robust Nanoscale Contact between a Silver Nanowire Electrode and CdS Buffer Layer in CuIn,GaSe2 Thin-film Solar Cells

In dit protocol beschrijven we de gedetailleerde experimentele procedure voor de fabricage van een robuust nano weegschaal contact tussen een zilver nanodraad-netwerk en een CDs-buffer laag in een dun-film Solar Cell van CIGS.

Fabricage van robuust Nanoscale contact tussen een zilver Nanowire elektrode en CdS buffer Layer in Cu (in, ga) se2 dunne-film zonnecellen

Silver nanowire transparent electrodes have been employed as window layers for Cu(In,Ga)Se2 thin-film solar cells. Bare silver nanowire electrodes ...

Silver nanowire netwerken zijn een opkomende technologie ter vervanging van traditionele transparante geleidende oxiden in de dunne-film zonnecel applicatie. Het elektrische contact met de onderliggende laag is echter een probleem geweest. Ons protocol is een eenvoudige procesmethode om elektrische contacteigendom tussen zilvernanowirenetwerk en de onderliggende CdS-bufferlaag in CIGS dunne-film zonnecellen te verbeteren.Onze methode is een zeer eenvoudig, reproduceerbaar en goedkoop oplossingsgebaseerd proces. Het is ook vergelijkbaar met het bestaande oplossingsgebaseerde proces, om CIGS dunne-film zonnecellen te fabriceren. Ten eerste, laad gereinigde glazen substraten in een DC magnetron, en pomp naar beneden te blazen vier keer 10 naar de min zes torr.Stroom argon gas, en zet de werkdruk op 20 millitorr. Zet het plasma aan en verhoog het gelijkstroomvermogen tot drie kilowatt. Na het voorspreten drie minuten voor doel reiniging, beginnen met de molybdeen depositie totdat de molybdeen film dikte bereikt ongeveer 350 nanometer.Stel vervolgens de werkdruk in op 15 millitorr, met behoud van het uitgangsvermogen op 3 kilowatt. Hervat de molybdeendepositie totdat de totale dikte van molybdeen ongeveer 750 nanometer bereikt. Laad het molybdeengecoate glas in een voorverwarmde co-verdamper onder een vacuüm lager dan 5 keer 10 tot de min 6 torr.Stel de temperaturen in van de indium-, gallium- en selenium effusiecellen die depositiesnelheden van respectievelijk 2,5, 1,3 en 15 angstroms per seconde opleveren. Controleer de depositiesnelheden met behulp van de kwartskristal microbalans techniek. Begin te leveren indium, gallium, en selenium op de molybdeen-gecoate glas om een een-micrometer-dikke indium-gallium-selenium precursor laag te vormen bij een substraat temperatuur van 450 graden Celsius.Na 15 minuten, stop de indium en gallium leveringen en verhoging van het substraat temperatuur tot 550 graden Celsius. Vervolgens beginnen om koper te leveren op de indium-gallium-selenium voorloper en ga verder totdat de koper-naar-indium + gallium compositorische verhouding van de film bereikt 1,15. Stop met het leveren van koper en verdampen het indium en gallium opnieuw met dezelfde depositiepercentages als de eerste fase om een ongeveer 2 micrometer dikke CIGS-film te vormen met een koper-naar-indium+gallium compositorische verhouding van 0,9.Houd de seleniumdepositie en substraattemperatuur op respectievelijk 15 angstroms per seconde en 550 graden Celsius. Om een volledige reactie te garanderen, anneal de gedeponeerde CIGS film onder ambient selenium gedurende 5 minuten bij een substraat temperatuur van 550 graden Celsius. Verlaag de substraattemperatuur tot 450 graden Celsius onder omgevingsselenium en onte loss vervolgens het CIGS gedeponeerde substraat wanneer de substraattemperatuur lager is dan 250 graden Celsius.Bereid een cadmiumsulfide reactie bad oplossing in een 250 milliliter bekerglas, door toevoeging van gedeïoniseerd water, cadmium acetaat dihydraat, thiourea, en ammonium acetaat. Roer de oplossing enkele minuten door tot ze homogeen zijn. Voeg 3 milliliter ammoniumhydroxide toe aan de badoplossing en roer gedurende 2 minuten.Plaats vervolgens het CIGS-monster in de reactiebadoplossing met behulp van een Teflon-monsterhouder. Plaats het reactiebad in een waterhitbad, gehandhaafd op 65 graden Celsius. Roer de reactiebadoplossing bij 200 RPM tijdens het depositieproces, waardoor de reactie gedurende 20 minuten kan doorgaan om een cadmiumsulfidebufferlaag van ongeveer 70-80 nanometer op de CIGS te genereren.Na de reactie, verwijder het monster uit het reactiebad, was met een stroom van gedeïsized water en droog met stikstofgas. Anneal het monster op 120 graden Celsius gedurende 30 minuten op een voorverwarmde kookplaat. Bereid een 1-milligram-per-milliliter zilver nanodraad dispersie door het mengen van 90 milliliter ethanol met 1 milliliter van een 20-milligram-per-milliliter ethanol gebaseerde zilver nanodraad dispersie.Giet 0,2 milliliter van de verdunde zilver nanodraad dispersie op een cadmiumsulfide CIGS monster, om het hele oppervlak te dekken, en draai het monster op 1000 RPM gedurende 30 seconden. Hierna u de zilveren nanodraden 3 keer bedek. Na spin-coating, anneal het monster op 120 graden Celsius gedurende 5 minuten op een voorverwarmde kookplaat.Bereid een nieuwe cadmiumsulfide reactie bad oplossing zoals eerder beschreven. Deponeren cadmiumsulfide zoals eerder beschreven, behalve verander de reactietijd, indien nodig. Nu, karakteriseren het oppervlak morfologie van cadmium sulfide-gecoate zilveren nanodraden door optische microscopie.Meet de prestaties van zonnecellen met behulp van een huidige spanningsbron uitgerust met een zonnesimulator. De laagstructuren van de CIGS-zonnecellen met standaard aluminium-gedopt zinkoxide op intrinsiek zinkoxide en zilver nanowire netwerk transparant geleidende elektroden worden hier getoond. De tweede cadmiumsulfidelaag kan selectief op de nanoschaalkloof worden afgezet om een stabiel elektrisch contact te creëren.Cross-sectionele transmissie elektronenmicroscopie beelden, langs de tweede cadmiumsulfide laag, afgezet op de zilveren nanowire netwerk op de cadmiumsulfide CIGS structuur, en over de tweede cadmiumsufide laag afgezet op de zilveren nanowire netwerk, worden hier getoond. De tweede cadmiumsulfidelaag wordt gelijkmatig afgezet op het oppervlak van de zilveren nanodraden en de cadmiumlaag op de kern-shell zilver nanodraadstructuur wordt geproduceerd. De tweede cadmiumsulfidelaag vult de luchtgaten tussen de cadmiumbuffer en de zilvernanodraadlagen en er wordt stabiel elektrisch contact bereikt.De apparaatprestaties van een CIGS dunne-film zonnecel met kale zilveren nanodraden, en de cadmiumsulfide laag op de kern-shell zilveren nanowire transparante geleidende elektroden wordt hier getoond. Als gevolg van onstabiele elektrische contact de cel met kale zilveren nanodraden heeft slechte prestaties van het apparaat. Depositie van een tweede cadmiumlaag verbetert de celprestaties sterk.De belangrijkste stap in ons protocol is het fabriceren van een tweede CdS-laag op het zilveren nanodraadnetwerk. De uiteenlopende tijd kan worden geoptimaliseerd door het meten van de prestaties van het apparaat van de CIGS dunne-film zonnecel. We stellen een methode voor om robuust elektrisch contact op nanoschaal te fabriceren in het CIGS-systeem.Wij geloven dat onze methode kan worden toegepast op andere zonnecelsystemen, die verbetering van elektrische contacteigenschappen vereisen.

Research

JoVE Journal

Engineering

Fabrication of Robust Nanoscale Contact between a Silver Nanowire Electrode and CdS Buffer Layer in Cu(In,Ga)Se2 Thin-film Solar Cells

Polycrystalline Silicon Thin-film Solar cells with Plasmonic-enhanced Light-trapping

Polykristallijn silicium dunne-film zonnecellen met plasmonische-enhanced Light-trapping

One of major approaches to cheaper solar cells is reducing the amount of semiconductor material used for their fabrication and making cells thinner. To ...

Probing and Mapping Electrode Surfaces in Solid Oxide Fuel Cells

Indringende en in kaart brengen van elektrode-oppervlakken in Solid Oxide Fuel Cells

Solid oxide fuel cells (SOFCs) are potentially the most efficient and cost-effective solution to utilization of a wide variety of fuels beyond hydrogen ...

Nanomoulding of Functional Materials, a Versatile Complementary Pattern Replication Method to Nanoimprinting

Nanomoulding van Functional Materials, een veelzijdige aanvulling patroon replicatie methode om nanoimprinting

We describe a nanomoulding technique which  allows low-cost nanoscale patterning of functional materials, materials stacks  and full devices. Nanomoulding ...

Atom Probe Tomography Studies on the Cu(In,Ga)Se2 Grain Boundaries

Atom Probe Tomography Studies on the CuIn,GaSe2 Grain Boundaries

Atom Probe Tomografie Studies over de Cu (In, Ga) Se<sub&gt; 2</sub&gt; Korrelgrenzen

Compared with the existent techniques, atom probe tomography is a unique technique able to chemically characterize the internal interfaces at the ...

Analysis of Contact Interfaces for Single GaN Nanowire Devices

Analyse van Contact Interfaces for Single GaN Nanodraad Devices

Single GaN nanowire (NW) devices fabricated on SiO2 can exhibit  a strong degradation after annealing due to the  occurrence of void formation at the ...

Fabrication of Uniform Nanoscale Cavities via Silicon Direct Wafer Bonding

Fabricage van uniforme nanoschaalholtes via Silicon Direct Wafer Bonding

Measurements of the heat capacity and superfluid fraction of confined 4He have been performed near the lambda transition using lithographically patterned ...

Making Record-efficiency SnS Solar Cells by Thermal Evaporation and Atomic Layer Deposition

Het maken van Record-efficiëntie SnS Zonnecellen door thermische verdamping en Atomic Layer Deposition

Tin sulfide (SnS) is a candidate absorber material for Earth-abundant, non-toxic solar cells. SnS offers easy phase control and rapid growth by congruent ...

Ohmic Contact Fabrication Using a Focused-ion Beam Technique and Electrical Characterization for Layer Semiconductor Nanostructures

Ohmse Contact Fabrication Met behulp van een Focused-Ion Beam Techniek en elektrische karakterisatie voor Layer halfgeleider nanostructuren

Layer semiconductors with easily processed two-dimensional (2D) structures exhibit indirect-to-direct bandgap transitions and superior transistor ...

Integration of Light Trapping Silver Nanostructures in Hydrogenated Microcrystalline Silicon Solar Cells by Transfer Printing

Integratie van Licht Trapping Silver Nanostructures in gehydrogeneerde Microkristallijn silicium zonnecellen door Transfer Printing

One of the potential applications of metal nanostructures is light trapping in solar cells, where unique optical properties of nanosized metals, commonly ...

A Fabrication Method for Highly Stretchable Conductors with Silver Nanowires

Een Fabrication Methode voor Zeer rekbaar Dirigenten met Zilveren Nanodraden

Stretchable electronics are identified as a key technology for electronic applications in the next generation. One of the challenges in fabrication of ...