Name: fabrication of robust nanoscale contact between a silver nanowire electrode and cds buffer layer in cu(in,ga)se2 thin-film solar cells
Uploaded: 2019-07-19T14:30:00
Description: Watch this Scientific Journal Video about Fabrication of Robust Nanoscale Contact between a Silver Nanowire Electrode and CdS Buffer Layer in CuIn,GaSe2 Thin-film Solar Cells at JoVE.com

מחקר זה נתמך על ידי תוכנית מחקר ופיתוח של הבית של קוריאה מכון לחקר האנרגיה (B9-2411) ואת התוכנית המדע הבסיסי למחקר באמצעות קרן המחקר הלאומי של קוריאה (NRF) ממומן על ידי משרד ה חינוך (גרנט NRF-2016R1D1A1B03934840).

1. הכנת זכוכית מצופה מו על ידי התזה של מגנטרון DC
<ol><li>לטעון מצעים זכוכית מנוקה לתוך מגנטרון DC ו משאבה מטה למטה למטה 4 x 10-6 Torr.</li>
	<li>לזרום גז ולהגדיר את הלחץ פועל 20 mTorr.</li>
	<li>הפעל את הפלזמה והגדל את כוח הפלט DC ל-3 kW.</li>
	<li>לאחר התזה מראש של 3 דקות עבור ניקוי היעד, להתחיל את התצהיר מו עד עובי הס?...

<ol>
	<li>Lee, S., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Determination+of+the+lateral+collection+length+of+charge+carriers+for+silver-nanowire-electrode-based+Cu(In,Ga)Se2+thin-film+solar+cells.">Determination of the lateral collection length of charge carriers for silver-nanowire-electrode-based Cu(In,Ga)Se2 thin-film solar cells.</a> Solar Energy. 180, 519-523 (2019).</li><li>Langley, D., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Flexible+transparent+conductive+materials+based+on+silver+nanowire+networks:+a+review.">Flexible transparent conductive materials based on silver nanowire networks: a review.</a> Nanotechnology. 24 (45), 452001 (2013).</li><li>Chung, C. -. H., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Silver+nanowire+composite+window+layers+for+fully+solution-deposited+thin-film+photovoltaic+devices.">Silver nanowire composite window layers for fully solution-deposited thin-film photovoltaic devices.</a> Advanced Materials. 24 (40), 5499-5504 (2012).</li><li>Liu, C. -. H., Yu, X. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Silver+nanowire-based+transparent,+flexible,+and+conductive+thin+film.">Silver nanowire-based transparent, flexible, and conductive thin film.</a> Nanoscale Research Letters. 6 (1), (2011).</li><li>Yu, Z., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Highly+flexible+silver+nanowire+electrodes+for+shape-memory+polymer+light-emitting+diodes.">Highly flexible silver nanowire electrodes for shape-memory polymer light-emitting diodes.</a> Advanced Materials. 23 (5), 664-668 (2011).</li><li>Chung, C. -. H., Hong, K. -. H., Lee, D. -. K., Yun, J. H., Yang, Y. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Ordered+vacancy+compound+formation+by+controlling+element+redistribution+in+molecular-level+precursor+solution+processed+CuInSe2+thin+films.">Ordered vacancy compound formation by controlling element redistribution in molecular-level precursor solution processed CuInSe2 thin films.</a> Chemistry of Materials. 27 (21), 7244-7247 (2015).</li><li>Kim, A., Won, Y., Woo, K., Kim, C. -. H., Moon, J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Highly+transparent+low+resistance+ZnO/Ag+Nanowire/ZnO+composite+electrode+for+thin+film+solar+cells.">Highly transparent low resistance ZnO/Ag Nanowire/ZnO composite electrode for thin film solar cells.</a> ACS Nano. 7 (2), 1081-1091 (2013).</li><li>Singh, M., Jiu, J., Sugahara, T., Suganuma, K. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Thin-film+copper+indium+gallium+selenide+solar+cell+based+on+low-temperature+all-printing+process.">Thin-film copper indium gallium selenide solar cell based on low-temperature all-printing process.</a> ACS Applied Materials and Interfaces. 6 (18), 16297-16303 (2014).</li><li>Kim, A., Won, Y., Woo, K., Jeong, S., Moon, J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=All-solution-processed+indium-free+transparent+composite+electrodes+based+on+Ag+Nanowire+and+Metal+Oxide+for+thin-film+solar+cells.">All-solution-processed indium-free transparent composite electrodes based on Ag Nanowire and Metal Oxide for thin-film solar cells.</a> Advanced Functional Materials. 24 (17), 2462-2471 (2014).</li><li>Shin, D., Kim, T., Ahn, B. T., Han, S. M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Solution-processed+Ag+Nanowires+++PEDOT:PSS+hybrid+electrode+for+Cu(In,Ga)Se2+thin-film+solar+cells.">Solution-processed Ag Nanowires + PEDOT:PSS hybrid electrode for Cu(In,Ga)Se2 thin-film solar cells.</a> ACS Applied Materials and Interfaces. 7 (24), 13557-13563 (2015).</li><li>Wang, M., Choy, K. -. L. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=All-nonvacuum-processed+CIGS+solar+cells+using+scalable+Ag+NWs/AZO-based+transparent+electrodes.">All-nonvacuum-processed CIGS solar cells using scalable Ag NWs/AZO-based transparent electrodes.</a> ACS Applied Materials and Interfaces. 8 (26), 16640-16648 (2016).</li><li>Jang, J., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Cu(In,Ga)Se2+thin+film+solar+cells+with+solution+processed+silver+nanowire+composite+window+layers:+buffer/window+junctions+and+their+effects.">Cu(In,Ga)Se2 thin film solar cells with solution processed silver nanowire composite window layers: buffer/window junctions and their effects.</a> Solar Energy Materials and Solar Cells. 170, 60-67 (2017).</li><li>Chung, C. -. H., Bob, B., Song, T. -. B., Yang, Y. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Current-voltage+characteristics+of+fully+solution+processed+high+performance+CuIn(S,Se)2+solar+cells:+crossover+and+red+kink.">Current-voltage characteristics of fully solution processed high performance CuIn(S,Se)2 solar cells: crossover and red kink.</a> Solar Energy Materials and Solar Cells. 120, 642-646 (2014).</li><li>Lee, S., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Robust+nanoscale+contact+of+silver+nanowire+electrodes+to+semiconductors+to+achieve+high+performance+chalcogenide+thin+film+solar+cells.">Robust nanoscale contact of silver nanowire electrodes to semiconductors to achieve high performance chalcogenide thin film solar cells.</a> Nano Energy. 53, 675-682 (2018).</li></ol>

שים לב שזמן התצהיר של שכבת התקליטוריםהשנייה חייב להיות מיטבי כדי להשיג את ביצועי התא המיטביים. ככל שהזמן מגדיל את הזמן, עובי השכבההשנייה של התקליטורים מגדיל, וכתוצאה מכך, המגע החשמלי ישתפר. עם זאת, הפקדת נוספת של 2 שכבת התקליטורים תגרום לשכבה עבה יותר המפחית את ספיגת האור, ...

הרשתות הכסוף (agnw) למדו בהרחבה כחלופה ל-תחמוצת בדיל (ITO) שקוף מנהל סרטים דקים בשל יתרונותיה של תחמוצות מוליך שקוף קונבנציונאלי (tcos) במונחים של עלות העיבוד הנמוכה ו גמישות מכנית טובה יותר. פתרון-מעובד הרשת AgNW שקוף מוליך אלקטרודות (TCEs) יש כך הועסק Cu (ב, Ga) Se2 (סיגריות) סרט דק תאים סולריים1,2,3,4,5 , 6. פתרון-מעובד agnw tces הם בדרך כלל מפוברק בצורה של מוטבע-agnw או סנדוויץ ' agnw מבנים במטריצה מוליך כגון pedot: pss, איטו, zno, וכו '7,8,9, 10,11 שכבות המטריצה יכולות לשפר את העובדה שאוסף נושאות המטען נמצא בחללים הריקים של רשת agnw.
עם זאת, שכבות מטריקס יכולים ליצור פגמים אינטרפנים בין שכבת מטריקס בבסיס תקליטורים מאגר שכבת בסיגריות הסרט דק תאים סולריים12,13. פגמים הפנים לעתים קרובות לגרום קינקיות בצפיפות הנוכחית מתח (J-V) עקומת, וכתוצאה מכך גורם מילוי נמוך (FF) בתא, אשר פוגעת בביצועי התא הסולארי. בעבר דיווחו על שיטה לפתרון בעיה זו על-ידי הפקדת באופן סלקטיבי שכבת תקליטורים דקים נוספים (שכבת תקליטורים 2) בין ה-agnws לבין שכבת מאגר התקליטורים14. שילוב של שכבת תקליטורים נוספים הגדילו את מאפייני איש הקשר בצומת שבין השכבות AgNW ו-CdS. כתוצאה מכך, אוסף המנשא ברשת AgNW השתפר מאוד וביצועי התא שופרו. בפרוטוקול זה, אנו מתארים את ההליך הניסיוני ליצירת מגע חשמלי חזק בין רשת AgNW לבין שכבת מאגר תקליטורים באמצעות שכבת תקליטורים 2 שכבה של סיגריות סרט דק השמש תא.

<table border="0" cellpadding="0" cellspacing="0" style="width:616px;" width="617">
	<tbody>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">Mo</td>
			<td style="width:115px;">Materion</td>
			<td style="width:119px;">Purity: 3N5</td>
			<td style="width:167px;">Mo sputtering</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">Cu</td>
			<td style="width:115px;">5N Plus</td>
			<td style="width:119px;">Purity: 4N7</td>
			<td>CIGS deposition</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">In</td>
			<td style="width:115px;">5N Plus</td>
			<td style="width:119px;">Purity: 5N</td>
			<td>CIGS deposition</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">Ga</td>
			<td style="width:115px;">5N Plus</td>
			<td style="width:119px;">Purity: 5N</td>
			<td>CIGS deposition</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">Se</td>
			<td style="width:115px;">5N Plus</td>
			<td style="width:119px;">Purity: 5N</td>
			<td>CIGS deposition</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">Ammonium acetate</td>
			<td style="width:115px;">Alfa Aesar</td>
			<td style="width:119px;">11599</td>
			<td>CdS reaction solution</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">Ammonium hydroxide</td>
			<td style="width:115px;">Alfa Aesar</td>
			<td style="width:119px;">L13168</td>
			<td>CdS reaction solution</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">Cadmium acetate dihydrate</td>
			<td style="width:115px;">Sigma-Aldrich</td>
			<td style="width:119px;">289159</td>
			<td>CdS reaction solution</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">Thiourea</td>
			<td style="width:115px;">Sigma-Aldrich</td>
			<td style="width:119px;">T8656</td>
			<td>CdS reaction solution</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">Silver Nanowire</td>
			<td style="width:115px;">ACSMaterial</td>
			<td style="width:119px;">AgNW-L30</td>
			<td>AgNW dispersion</td>
		</tr>
	</tbody>
</table>

fabrication of robust nanoscale contact between a silver nanowire electrode and cds buffer layer in cu(in,ga)se2 thin-film solar cells

כסף שקוף ננו-שקיפות אלקטרודות המועסקים כשכבות חלון עבור Cu (ב, Ga) Se2 הסרט דק תאים סולאריים. אלקטרודות של ננו-חוט מכסף בדרך כלל. גורמות לביצועי תא מאוד ירודים הטבעה או הsandwiching נאנו-חוט באמצעות חומרים שקופים מוליך בינוני, כגון תחמוצת האינדיום או תחמוצת אבץ, יכול לשפר את ביצועי התא. עם זאת, שכבות המטריצה המעובדות על-ידי פתרון יכולות לגרום למספר משמעותי של פגמים בין האלקטרודות השקופות ומאגר התקליטורים, שיכול בסופו של דבר לגרום לביצועי תא נמוכים. כתב יד זה מתאר כיצד ליצור מגע חשמלי חזק בין אלקטרודה הפלזמה כסף ואת שכבת מאגר התקליטורים בבסיס Cu (ב, Ga) Se2 תא סולארי, המאפשר ביצועים בתאים גבוהים באמצעות מטריקס-ננו-חוט כסף שקוף אלקטרודות. האלקטרודות מטריצה כסף חינם, מפוברק על ידי השיטה שלנו מוכיחה כי החיוב-נושאת המטען של תאים מבוססי האלקטרודה הכסף של הפלזמה הוא טוב כמו זה של תאים סטנדרטיים עם הרוק zno: אל/אני-zno כל עוד הכסף ננו-חוט ו לתקליטורים יש מגע חשמלי באיכות גבוהה. המגע החשמלי באיכות גבוהה הושג על ידי הפקדת שכבת תקליטורים נוספת רזה כמו 10 ננומטר על פני השטח הכסוף של ננו-חוט.

מבנים שכבה של סיגריות השמש הסולארית עם (a) רגיל ZnO: אל/i-ZnO ו (ב) AgNW לספירה מוצגים באיור 3. המבנה של פני השטח של סיגריות הוא מחוספס, ופער ננו בקנה מידה יכול ליצור בין שכבת AgNW ואת שכבת מאגר התקליטורים הבסיסיים. כפי שמסומן באיור 3A, 2 שכבת התקלי?...

Watch this Scientific Journal Video about Fabrication of Robust Nanoscale Contact between a Silver Nanowire Electrode and CdS Buffer Layer in CuIn,GaSe2 Thin-film Solar Cells at JoVE.com

Fabrication of Robust Nanoscale Contact between a Silver Nanowire Electrode and CdS Buffer Layer in CuIn,GaSe2 Thin-film Solar Cells

בפרוטוקול זה, אנו מתארים את ההליך הניסיוני המפורט לייצור של קשר ננו בקנה מידה חזק בין רשת פלזמה כסף ותקליטורים מאגר שכבה בסרט סיגריות דק השמש תא.

הייצור של הקשר ננו בקנה מידה חזק בין אלקטרודות כסף ננו ושכבת מאגר תקליטורים Cu (ב, Ga) Se2 דק-סרט תאים סולריים

Silver nanowire transparent electrodes have been employed as window layers for Cu(In,Ga)Se2 thin-film solar cells. Bare silver nanowire electrodes ...

רשתות nanowire כסף הן טכנולוגיה מתפתחת להחליף תחמוצות מוליך שקוף מסורתי ביישום תאים סולאריים סרט דק. עם זאת, המגע החשמלי לשכבה המשמשת כבסיס היווה בעיה. הפרוטוקול שלנו הוא שיטת תהליך פשוטה כדי לשפר את רכוש מגע חשמלי בין רשת nanowire כסף שכבת חיץ CdS הבסיסית CIGS דק סרט תאים סולריים.השיטה שלנו היא תהליך מאוד פשוט, ניתן לשחזור וזול המבוסס על פתרון. זה גם דומה לתהליך מבוסס פתרון קיים, כדי להמציא CIGS סרט דק תאים סולריים. ראשית, לטעון מצעי זכוכית ניקה לתוך מגנטרון DC, ולשאוב למטה לפוצץ ארבע פעמים 10 למינוס שש טור.תזרים גז ארגון, ותפעיל לחץ עבודה ל-20 מיליטר. הפעל את הפלזמה, ולהגדיל את כוח פלט DC לשלושה קילוואט. לאחר טרום sputtering שלוש דקות לניקוי היעד, להתחיל את התצהיר מוליבדן עד עובי הסרט מוליבדן מגיע כ 350 ננומטר.לאחר מכן, הגדר את לחץ העבודה ל-15 מילימטר, תוך שמירה על כוח הפלט ב-3 קילוואט. לחדש את התצהיר מוליבדן עד העובי הכולל של מוליגדן מגיע כ 750 ננומטר. טען את הזכוכית מצופה מוליבדן לתוך מאד משותף שחומם מראש תחת ואקום נמוך מ 5 פעמים 10 למינוס 6 טור.הגדר את הטמפרטורות של אינדיום, גליום, תאים תפוקת סלניום מניב שיעורי תצהיר של 2.5, 1.3, ו 15 אנגסטרום לשנייה, בהתאמה. בדוק את שיעורי התצהיר באמצעות טכניקת מיקרו איזון גביש קוורץ. התחל לספק אינדיום, גליום וסלניום על הזכוכית מצופה מוליבדנום כדי ליצור שכבת אינדיום-גליום-סלניום-מבשר בעובי של מיקרומטר אחד בטמפרטורת מצע של 450 מעלות צלזיוס.לאחר 15 דקות, לעצור את אספקת אינדיום גליום ולהגדיל את טמפרטורת המצע ל 550 מעלות צלזיוס. לאחר מכן, להתחיל לספק נחושת על מבשר אינדיום-גליום-סלניום ולהמשיך עד יחס נחושת לאנדיום + גליום קומפוזיציה של הסרט מגיע 1.15. להפסיק לספק נחושת ולאדות את אינדיום וגליום שוב עם שיעורי תצהיר זהים לשלב הראשון כדי ליצור סרט CIGS בעובי 2 מיקרומטר בקירוב עם יחס קומפוזיציה נחושת לאנדיום + גליום של 0.9.שמור על קצב התצהיר סלניום וטמפרטורת המצע ב 15 אנגסטרום לשנייה ו 550 מעלות צלזיוס, בהתאמה. על מנת להבטיח תגובה מלאה, anneal הסרט CIGS שהופקד תחת סלניום הסביבה במשך 5 דקות בטמפרטורת מצע של 550 מעלות צלזיוס. להקטין את טמפרטורת המצע ל 450 מעלות צלזיוס תחת סלניום הסביבה, ולאחר מכן לפרוק את המצע שהופקד CIGS כאשר טמפרטורת המצע הוא מתחת 250 מעלות צלזיוס.הכן פתרון אמבט תגובת קדמיום גופרתי בבקבוק 250 מיליליטר, על ידי הוספת מים deionized, קדמיום אצטט דיהידרט, thiourea, אמוניום אצטט. מערבבים את הפתרון במשך כמה דקות עד הומוגני. מוסיפים 3 מיליליטר של אמוניום הידרוקסיד לתסיר האמבטיה ומערבבים במשך 2 דקות.לאחר מכן, מניחים את דגימת CIGS לתוך פתרון אמבט התגובה באמצעות מחזיק מדגם טפלון. מניחים את אמבט התגובה לתוך אמבט חום מים, מתוחזק ב 65 מעלות צלזיוס. מערבבים את פתרון אמבט התגובה ב 200 סל"ד במהלך תהליך התצהיר, המאפשר את התגובה להמשיך במשך 20 דקות כדי ליצור כ 70-80 ננומטר קדמיום סולפיד חיץ שכבה על CIGS.לאחר התגובה, להסיר את המדגם מן אמבט התגובה, לשטוף עם זרימה של מים deionized, ויבש עם גז חנקן. Anneal המדגם ב 120 מעלות צלזיוס במשך 30 דקות על hotplate שחומם מראש. הכן פיזור ננו-חוט כסף 1 מיליגרם למיליליטר על ידי ערבוב 90 מיליליטר של אתנול עם מיליליטר אחד של פיזור ננו-חוט כסף על בסיס אתנול 20 מיליגרם למיליליטר.יוצקים 0.2 מיליליטר של פיזור nanowire כסף מדולל על מדגם CIGS קדמיום גופרתי, כדי לכסות את פני השטח כולו, ולסובב את המדגם ב 1000 סל"ד במשך 30 שניות. בעקבות זאת, ספין-מעיל nanowires כסף 3 פעמים. לאחר ציפוי ספין, anneal המדגם ב 120 מעלות צלזיוס במשך 5 דקות על hotplate שחומם מראש.הכינו פתרון חדש לאמבט תגובת קדמיום גופרתי כפי שתואר קודם לכן. הפקדת קדמיום גופרתי כמתואר לעיל, למעט לשנות את זמן התגובה, לפי הצורך. עכשיו, לאפיין את מורפולוגיה פני השטח של ננו-חוטי כסף מצופים קדמיום גופרתי על ידי מיקרוסקופיה אופטית.למדוד את ביצועי התא הסולארי באמצעות מקור מתח זרם מצויד סימולטור סולארי. מבני השכבה של התאים הסולאריים CIGS עם תחמוצת אבץ סטנדרטית עם סימום אלומיניום על תחמוצת אבץ פנימית ואלקטרודות מוליכת ננו-חוט כסף מוצגים כאן. שכבת קדמיום גופרתי השנייה יכולה להיות מופקדת באופן סלקטיבי על הפער הננומטרי כדי ליצור מגע חשמלי יציב.תמונות מיקרוסקופיות אלקטרונים מעבר חתך, לאורך שכבת קדמיום סולפיד השנייה, שהופקדו ברשת nanowire כסף על מבנה CIGS קדמיום סולפיד, ועל פני שכבת קדמיום סולפיד השנייה שהופקדה ברשת nanowire כסף, מוצגים כאן. שכבת קדמיום גופרתי השנייה מופקדת באופן אחיד על פני השטח של nanowires כסף ואת שכבת קדמיום על מבנה ננו-חוט כסף מעטפת הליבה מיוצר. שכבת קדמיום גופרתי השנייה ממלאת את פערי האוויר בין חיץ קדמיום לשכבות ננו-חוט כסף, ומגע חשמלי יציב מושג.ביצועי המכשיר של CIGS סרט דק תא סולארי עם nanowires כסף חשוף, ואת שכבת קדמיום סולפיד על core-shell כסף nanowire שקוף מוליכת אלקטרודות מוצג כאן. בשל מגע חשמלי לא יציב התא עם nanowires כסף חשוף יש ביצועים ירודים המכשיר. תצהיר של שכבת קדמיום שנייה משפר מאוד את ביצועי התא.הצעד החשוב ביותר בפרוטוקול שלנו הוא להמציא שכבת CdS שנייה ברשת nanowire הכסף. הזמן המתפצל יכול להיות אופטימיזציה על ידי מדידת ביצועי המכשיר של CIGS סרט דק תא סולארי. אנו מציעים שיטה לפברק מגע חשמלי חזק בקנה מידה ננו במערכת CIGS.אנו מאמינים שניתן ליישם את השיטה שלנו על מערכות אחרות של תאים סולריים, הדורשות שיפור של תכונות מגע חשמליות.

Research

JoVE Journal

Engineering

Fabrication of Robust Nanoscale Contact between a Silver Nanowire Electrode and CdS Buffer Layer in Cu(In,Ga)Se2 Thin-film Solar Cells

Polycrystalline Silicon Thin-film Solar cells with Plasmonic-enhanced Light-trapping

סיליקון polycrystalline תאים סולאריים סרט דק עם plasmonic משופרת אור השמנה

One of major approaches to cheaper solar cells is reducing the amount of semiconductor material used for their fabrication and making cells thinner. To ...

Probing and Mapping Electrode Surfaces in Solid Oxide Fuel Cells

חיטוט ומיפוי משטחי אלקטרודה דלק תאי תחמוצת מוצקות

Solid oxide fuel cells (SOFCs) are potentially the most efficient and cost-effective solution to utilization of a wide variety of fuels beyond hydrogen ...

Nanomoulding of Functional Materials, a Versatile Complementary Pattern Replication Method to Nanoimprinting

Nanomoulding של חומרים תפקודיים, שיטה תכליתית משלימת תבנית שכפולה לnanoimprinting

We describe a nanomoulding technique which  allows low-cost nanoscale patterning of functional materials, materials stacks  and full devices. Nanomoulding ...

Atom Probe Tomography Studies on the Cu(In,Ga)Se2 Grain Boundaries

Atom Probe Tomography Studies on the CuIn,GaSe2 Grain Boundaries

Atom לימודי Probe טומוגרפיה על Cu (ב, GA) Se<sub&gt; 2</sub&gt; גבולות גרעין

Compared with the existent techniques, atom probe tomography is a unique technique able to chemically characterize the internal interfaces at the ...

Analysis of Contact Interfaces for Single GaN Nanowire Devices

ניתוח של ממשקי מגע עבור יחיד התקני Nanowire גן

Single GaN nanowire (NW) devices fabricated on SiO2 can exhibit  a strong degradation after annealing due to the  occurrence of void formation at the ...

Fabrication of Uniform Nanoscale Cavities via Silicon Direct Wafer Bonding

ייצור חללים ננומטריים אחידים באמצעות מליטה וופל ישיר סיליקון

Measurements of the heat capacity and superfluid fraction of confined 4He have been performed near the lambda transition using lithographically patterned ...

Making Record-efficiency SnS Solar Cells by Thermal Evaporation and Atomic Layer Deposition

מה שהופך את התאים סולריים שיא יעילות SNS על ידי אידוי תרמי ואטומית שכבת הפקדת

Tin sulfide (SnS) is a candidate absorber material for Earth-abundant, non-toxic solar cells. SnS offers easy phase control and rapid growth by congruent ...

Ohmic Contact Fabrication Using a Focused-ion Beam Technique and Electrical Characterization for Layer Semiconductor Nanostructures

ייצור לתקשר ohmic בטכניקה ממוקד-אלומת יונים וחשמל אפיון לשכבת מבני ננו מוליך למחצה

Layer semiconductors with easily processed two-dimensional (2D) structures exhibit indirect-to-direct bandgap transitions and superior transistor ...

Integration of Light Trapping Silver Nanostructures in Hydrogenated Microcrystalline Silicon Solar Cells by Transfer Printing

שילוב של אור ננו-מבני כסף השמנה בתאים סולריים המוקשה Microcrystalline הסיליקון ידי העברת הדפסה

One of the potential applications of metal nanostructures is light trapping in solar cells, where unique optical properties of nanosized metals, commonly ...

A Fabrication Method for Highly Stretchable Conductors with Silver Nanowires

שיטת ייצור למוליכים מאוד מתיחה עם Nanowires הכסף

Stretchable electronics are identified as a key technology for electronic applications in the next generation. One of the challenges in fabrication of ...