Name: fabrication of robust nanoscale contact between a silver nanowire electrode and cds buffer layer in cu(in,ga)se2 thin-film solar cells
Uploaded: 2019-07-19T14:30:00
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इस शोध कोरिया ऊर्जा अनुसंधान संस्थान (KIER) (B9-2411) और कोरिया के राष्ट्रीय अनुसंधान फाउंडेशन (एनआरएफ) के मंत्रालय द्वारा वित्त पोषित के माध्यम से बुनियादी विज्ञान अनुसंधान कार्यक्रम के इन-हाउस अनुसंधान और विकास कार्यक्रम द्वारा समर्थित किया गया था शिक्षा (ग्रेंट एनआरएफ-2016R1D1A1B03934840).

1. डीसी मैग्नेटरॉन sputtering द्वारा मो लेपित कांच की तैयारी
<ol><li>लोड साफ ग्लास एक डीसी magnetron में substrates और नीचे करने के लिए पंप 4 x 10-6 Torr.</li>
	<li>प्रवाह Ar गैस और 20 mTorr करने के लिए काम कर दबाव सेट.</li>
	<li>प्लाज्मा चालू करें और 3 क?...

<ol>
	<li>Lee, S., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Determination+of+the+lateral+collection+length+of+charge+carriers+for+silver-nanowire-electrode-based+Cu(In,Ga)Se2+thin-film+solar+cells.">Determination of the lateral collection length of charge carriers for silver-nanowire-electrode-based Cu(In,Ga)Se2 thin-film solar cells.</a> Solar Energy. 180, 519-523 (2019).</li><li>Langley, D., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Flexible+transparent+conductive+materials+based+on+silver+nanowire+networks:+a+review.">Flexible transparent conductive materials based on silver nanowire networks: a review.</a> Nanotechnology. 24 (45), 452001 (2013).</li><li>Chung, C. -. H., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Silver+nanowire+composite+window+layers+for+fully+solution-deposited+thin-film+photovoltaic+devices.">Silver nanowire composite window layers for fully solution-deposited thin-film photovoltaic devices.</a> Advanced Materials. 24 (40), 5499-5504 (2012).</li><li>Liu, C. -. H., Yu, X. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Silver+nanowire-based+transparent,+flexible,+and+conductive+thin+film.">Silver nanowire-based transparent, flexible, and conductive thin film.</a> Nanoscale Research Letters. 6 (1), (2011).</li><li>Yu, Z., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Highly+flexible+silver+nanowire+electrodes+for+shape-memory+polymer+light-emitting+diodes.">Highly flexible silver nanowire electrodes for shape-memory polymer light-emitting diodes.</a> Advanced Materials. 23 (5), 664-668 (2011).</li><li>Chung, C. -. H., Hong, K. -. H., Lee, D. -. K., Yun, J. H., Yang, Y. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Ordered+vacancy+compound+formation+by+controlling+element+redistribution+in+molecular-level+precursor+solution+processed+CuInSe2+thin+films.">Ordered vacancy compound formation by controlling element redistribution in molecular-level precursor solution processed CuInSe2 thin films.</a> Chemistry of Materials. 27 (21), 7244-7247 (2015).</li><li>Kim, A., Won, Y., Woo, K., Kim, C. -. H., Moon, J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Highly+transparent+low+resistance+ZnO/Ag+Nanowire/ZnO+composite+electrode+for+thin+film+solar+cells.">Highly transparent low resistance ZnO/Ag Nanowire/ZnO composite electrode for thin film solar cells.</a> ACS Nano. 7 (2), 1081-1091 (2013).</li><li>Singh, M., Jiu, J., Sugahara, T., Suganuma, K. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Thin-film+copper+indium+gallium+selenide+solar+cell+based+on+low-temperature+all-printing+process.">Thin-film copper indium gallium selenide solar cell based on low-temperature all-printing process.</a> ACS Applied Materials and Interfaces. 6 (18), 16297-16303 (2014).</li><li>Kim, A., Won, Y., Woo, K., Jeong, S., Moon, J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=All-solution-processed+indium-free+transparent+composite+electrodes+based+on+Ag+Nanowire+and+Metal+Oxide+for+thin-film+solar+cells.">All-solution-processed indium-free transparent composite electrodes based on Ag Nanowire and Metal Oxide for thin-film solar cells.</a> Advanced Functional Materials. 24 (17), 2462-2471 (2014).</li><li>Shin, D., Kim, T., Ahn, B. T., Han, S. M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Solution-processed+Ag+Nanowires+++PEDOT:PSS+hybrid+electrode+for+Cu(In,Ga)Se2+thin-film+solar+cells.">Solution-processed Ag Nanowires + PEDOT:PSS hybrid electrode for Cu(In,Ga)Se2 thin-film solar cells.</a> ACS Applied Materials and Interfaces. 7 (24), 13557-13563 (2015).</li><li>Wang, M., Choy, K. -. L. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=All-nonvacuum-processed+CIGS+solar+cells+using+scalable+Ag+NWs/AZO-based+transparent+electrodes.">All-nonvacuum-processed CIGS solar cells using scalable Ag NWs/AZO-based transparent electrodes.</a> ACS Applied Materials and Interfaces. 8 (26), 16640-16648 (2016).</li><li>Jang, J., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Cu(In,Ga)Se2+thin+film+solar+cells+with+solution+processed+silver+nanowire+composite+window+layers:+buffer/window+junctions+and+their+effects.">Cu(In,Ga)Se2 thin film solar cells with solution processed silver nanowire composite window layers: buffer/window junctions and their effects.</a> Solar Energy Materials and Solar Cells. 170, 60-67 (2017).</li><li>Chung, C. -. H., Bob, B., Song, T. -. B., Yang, Y. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Current-voltage+characteristics+of+fully+solution+processed+high+performance+CuIn(S,Se)2+solar+cells:+crossover+and+red+kink.">Current-voltage characteristics of fully solution processed high performance CuIn(S,Se)2 solar cells: crossover and red kink.</a> Solar Energy Materials and Solar Cells. 120, 642-646 (2014).</li><li>Lee, S., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Robust+nanoscale+contact+of+silver+nanowire+electrodes+to+semiconductors+to+achieve+high+performance+chalcogenide+thin+film+solar+cells.">Robust nanoscale contact of silver nanowire electrodes to semiconductors to achieve high performance chalcogenide thin film solar cells.</a> Nano Energy. 53, 675-682 (2018).</li></ol>

ध्यान दें कि 2nd CDS परत के जमा समय इष्टतम सेल प्रदर्शन को प्राप्त करने के लिए अनुकूलित किया जाना चाहिए। के रूप में जमा समय बढ़ जाती है, 2एन डी सीडीएस परत की मोटाई बढ़ जाती है, और इसके परिणामस्वरूप, बिज...

रजत नैनोवायर (एग्एनडब्ल्यू) नेटवर्क का बड़े पैमाने पर कम प्रसंस्करण लागत के मामले में पारंपरिक पारदर्शी चालक ऑक्साइड (टीसीओ) पर अपने फायदे के कारण इंडियम टिन ऑक्साइड (ITO) पारदर्शी पतली फिल्मों के एक विकल्प के रूप में अध्ययन किया गया है और बेहतर यांत्रिक लचीलापन. समाधान संसाधित AgNW नेटवर्क पारदर्शी चालक इलेक्ट्रोड (TCEs) इस प्रकार Cu (इन,Ga)Se2 (CIGS) पतली फिल्म सौर कोशिकाओं1,2,3,4,5 में नियोजित किया गया है , 6.समाधान-प्रसंस्कृत एजीएनडब्ल्यू टीसीएस को सामान्य रूप से एम्बेडेड-एग्नवा या सैंडविच-एग्नडब्ल्यू संरचनाओं के रूप में निर्मित किया जाता है जैसे कि पीईडीओटी: पी एस एस, आई टी ओ, आदि7,8,9, 10,11 मैट्रिक्स परतों में वृद्धि कर सकते हैं कि AgNW नेटवर्क के खाली स्थान में मौजूद प्रभारी वाहक का संग्रह.
तथापि, मैट्रिक्स परतों मैट्रिक्स परत और CIGS पतली फिल्म सौर कोशिकाओं12,13में अंतर्निहित सीडीएस बफर परत के बीच interfacial दोष उत्पन्न कर सकते हैं. interfacial दोष अक्सर वर्तमान घनत्व वोल्टेज (जे-वी) वक्र में एक kink कारण, सेल में एक कम भरने कारक (एफएफ) में जिसके परिणामस्वरूप, जो सौर सेल के प्रदर्शन के लिए हानिकारक है. हम पहले चुनिंदा AgNWs और CDS बफ़र परत14के बीच एक अतिरिक्त पतली CdS परत (2एन डी सीडीएस परत) जमा करके इस समस्या को हल करने के लिए एक विधि की रिपोर्ट की है। एक अतिरिक्त सीडीएस परत का समावेश AgNW और सीडीएस परतों के बीच जंक्शन में संपर्क गुण बढ़ाया. नतीजतन, AgNW नेटवर्क में वाहक संग्रह बहुत सुधार हुआ था, और सेल प्रदर्शन बढ़ाया गया था। इस प्रोटोकॉल में, हम एक CIGS पतली फिल्म सौर सेल में एक 2एन सीडीएस परत का उपयोग कर AgNW नेटवर्क और सीडीएस बफर परत के बीच मजबूत विद्युत संपर्क बनाने के लिए प्रयोगात्मक प्रक्रिया का वर्णन.

<table border="0" cellpadding="0" cellspacing="0" style="width:616px;" width="617">
	<tbody>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">Mo</td>
			<td style="width:115px;">Materion</td>
			<td style="width:119px;">Purity: 3N5</td>
			<td style="width:167px;">Mo sputtering</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">Cu</td>
			<td style="width:115px;">5N Plus</td>
			<td style="width:119px;">Purity: 4N7</td>
			<td>CIGS deposition</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">In</td>
			<td style="width:115px;">5N Plus</td>
			<td style="width:119px;">Purity: 5N</td>
			<td>CIGS deposition</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">Ga</td>
			<td style="width:115px;">5N Plus</td>
			<td style="width:119px;">Purity: 5N</td>
			<td>CIGS deposition</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">Se</td>
			<td style="width:115px;">5N Plus</td>
			<td style="width:119px;">Purity: 5N</td>
			<td>CIGS deposition</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">Ammonium acetate</td>
			<td style="width:115px;">Alfa Aesar</td>
			<td style="width:119px;">11599</td>
			<td>CdS reaction solution</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">Ammonium hydroxide</td>
			<td style="width:115px;">Alfa Aesar</td>
			<td style="width:119px;">L13168</td>
			<td>CdS reaction solution</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">Cadmium acetate dihydrate</td>
			<td style="width:115px;">Sigma-Aldrich</td>
			<td style="width:119px;">289159</td>
			<td>CdS reaction solution</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">Thiourea</td>
			<td style="width:115px;">Sigma-Aldrich</td>
			<td style="width:119px;">T8656</td>
			<td>CdS reaction solution</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">Silver Nanowire</td>
			<td style="width:115px;">ACSMaterial</td>
			<td style="width:119px;">AgNW-L30</td>
			<td>AgNW dispersion</td>
		</tr>
	</tbody>
</table>

fabrication of robust nanoscale contact between a silver nanowire electrode and cds buffer layer in cu(in,ga)se2 thin-film solar cells

चांदी नैनोवायर पारदर्शी इलेक्ट्रोड Cu (इन, Ga)Se2 पतली फिल्म सौर कोशिकाओं के लिए खिड़की परतों के रूप में नियोजित किया गया है. नंगे चांदी नैनोवायर इलेक्ट्रोड सामान्य रूप से बहुत खराब सेल प्रदर्शन में परिणाम. मामूली प्रवाहकीय पारदर्शी सामग्री, जैसे इंडियम टिन ऑक्साइड या जस्ता ऑक्साइड का उपयोग करके चांदी के नैनोवायर्स को एम्बेड करना या सैंडविच करना सेल प्रदर्शन में सुधार कर सकता है। हालांकि, समाधान संसाधित मैट्रिक्स परतों पारदर्शी इलेक्ट्रोड और सीडीएस बफर के बीच interfacial दोषों की एक महत्वपूर्ण संख्या पैदा कर सकते हैं, जो अंततः कम सेल प्रदर्शन में परिणाम कर सकते हैं. इस पांडुलिपि का वर्णन कैसे एक चांदी नैनोवायर इलेक्ट्रोड और अंतर्निहित सीडीएस बफर परत के बीच एक Cu (में, Ga)Se2 सौर सेल में मजबूत विद्युत संपर्क बनाने के लिए, मैट्रिक्स मुक्त चांदी नैनोवायर पारदर्शी का उपयोग कर उच्च सेल प्रदर्शन को सक्षम करने इलेक्ट्रोड. मैट्रिक्स मुक्त चांदी नैनोवायर इलेक्ट्रोड हमारी विधि द्वारा निर्मित साबित होता है कि चार्ज वाहक संग्रह क्षमता चांदी नैनोवायर इलेक्ट्रोड आधारित कोशिकाओं के रूप में है कि sputtered के साथ मानक कोशिकाओं के रूप में के रूप में अच्छा है [nO:Al/i-nO के रूप में लंबे समय के रूप में चांदी नैनोवायर और सीडीएस उच्च गुणवत्ता वाले विद्युत संपर्क किया है. उच्च गुणवत्ता वाले विद्युत संपर्क चांदी नैनोवायर सतह पर 10 एनएम के रूप में पतली के रूप में एक अतिरिक्त सीडीएस परत जमा करके हासिल किया गया था।

(क) मानक nO: Al/i-nO और (b) AgNW TCE के साथ CIGS सौर कोशिकाओं की परत संरचनाओं चित्र 3में दिखाए गए हैं। CIGS की सतह आकृति विज्ञान किसी न किसी है, और एक नैनोस्केल अंतर AgNW परत और अंतर्निहित सीडीएस बफर परत क?...

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Fabrication of Robust Nanoscale Contact between a Silver Nanowire Electrode and CdS Buffer Layer in CuIn,GaSe2 Thin-film Solar Cells

इस प्रोटोकॉल में, हम एक CIGS पतली फिल्म सौर सेल में एक चांदी नैनोवायर नेटवर्क और सीडीएस बफर परत के बीच एक मजबूत नैनोस्केल संपर्क के निर्माण के लिए विस्तृत प्रयोगात्मक प्रक्रिया का वर्णन.

क्यू (इन,Ga)Se2 पतली फिल्म सौर कोशिकाओं में एक रजत Nanowire इलेक्ट्रोड और सीडीएस बफर परत के बीच मजबूत Nanoscale संपर्क का निर्माण

Silver nanowire transparent electrodes have been employed as window layers for Cu(In,Ga)Se2 thin-film solar cells. Bare silver nanowire electrodes ...

सिल्वर नैनोवायर नेटवर्क पतली फिल्म सौर सेल आवेदन में पारंपरिक पारदर्शी प्रवाहकीय ऑक्साइड को बदलने के लिए एक उभरती हुई तकनीक है। हालांकि, अंतर्निहित परत के लिए विद्युत संपर्क एक समस्या रही है । हमारा प्रोटोकॉल चांदी नैनोवायर नेटवर्क और CIGS पतली फिल्म सौर कोशिकाओं में अंतर्निहित सीडीएस बफर परत के बीच विद्युत संपर्क संपत्ति को बढ़ाने के लिए एक सरल प्रक्रिया विधि है।हमारी विधि एक बहुत ही सरल, प्रजनन योग्य और सस्ते समाधान आधारित प्रक्रिया है। यह मौजूदा समाधान आधारित प्रक्रिया के बराबर है, सीआईजीएस पतली फिल्म सौर कोशिकाओं को गढ़ने के लिए । सबसे पहले, लोड साफ ग्लास एक डीसी मैग्नेट्रॉन में सब्सट्रेट्स, और नीचे पंप करने के लिए चार बार 10 शूंय से छह टोर को उड़ाने के लिए ।आर्गन गैस प्रवाह, और 20 मिलिटोर के लिए काम करने का दबाव निर्धारित करते हैं । प्लाज्मा चालू करें, और डीसी आउटपुट पावर को तीन किलोवाट तक बढ़ाएं। लक्ष्य सफाई के लिए तीन मिनट पूर्व-स्पंदन के बाद, मोलिब्डेनम बयान शुरू करें जब तक कि मोलिब्डेनम फिल्म की मोटाई लगभग 350 नैनोमीटर तक न पहुंच जाए।इसके बाद, 3 किलोवाट पर आउटपुट पावर बनाए रखते हुए, 15 मिलिटर के लिए काम करने का दबाव निर्धारित करें। मोलिब्डेनम जमाव को तब तक फिर से शुरू करें जब तक कि मोलिब्डेनम की कुल मोटाई लगभग 750 नैनोमीटर तक न पहुंच जाए। मोलिब्डेनम-लेपित ग्लास को 5 गुना 10 से कम वैक्यूम के नीचे एक पूर्व गरम सह-वाष्पीकरण में लोड करें माइनस 6 टोर तक।क्रमशः 2.5, 1.3 और 15 एंग्स्ट्रॉम की जमाव दरों वाले इंडियम, गैलियम और सेलेनियम एफफ्यूजियन कोशिकाओं का तापमान निर्धारित करें। क्वार्ट्ज क्रिस्टल माइक्रोबैलेंस तकनीक का उपयोग करके जमा दरों की जांच करें। 450 डिग्री सेल्सियस के सब्सट्रेट तापमान पर एक माइक्रोमीटर-मोटी इंडियम-गैलियम-सेलेनियम अग्रदूत परत बनाने के लिए मोलिब्डेनम-लेपित ग्लास पर इंडियम, गैलियम और सेलेनियम की आपूर्ति शुरू करें।15 मिनट के बाद, इंडियम और गैलियम की आपूर्ति बंद करें और सब्सट्रेट तापमान को 550 डिग्री सेल्सियस तक बढ़ाएं। इसके बाद, इंडियम-गैलियम-सेलेनियम अग्रदूत पर तांबे की आपूर्ति शुरू करें और तब तक जारी रखें जब तक कि फिल्म का कॉपर-टू-इंडियम + गैलियम रचनात्मक अनुपात 1.15 तक न पहुंच जाए। तांबे की आपूर्ति बंद करो और पहले चरण के रूप में एक ही जमा दरों के साथ फिर से इंडियम और गैलियम वाष्पित करने के लिए एक तांबे के साथ एक लगभग 2 माइक्रोमीटर मोटी CIGS फिल्म बनाने के लिए ०.९ के तांबे से indium + गैलियम रचनात्मक अनुपात ।सेलेनियम जमाव दर बनाए रखें और क्रमशः 15 एंगस्ट्रॉम प्रति सेकंड और 550 डिग्री सेल्सियस पर तापमान को सब्सट्रेट करें। एक पूर्ण प्रतिक्रिया सुनिश्चित करने के लिए, 550 डिग्री सेल्सियस के सब्सट्रेट तापमान पर 5 मिनट के लिए परिवेश सेलेनियम के तहत जमा सीआईजीएस फिल्म को एनील करें। एम्बिएंट सेलेनियम के तहत सब्सट्रेट तापमान को घटाकर 450 डिग्री सेल्सियस कर दें, और फिर सब्सट्रेट तापमान 250 डिग्री सेल्सियस से नीचे होने पर जमा किए गए सब्सट्रेट को उतार दें।डिओनाइज्ड वॉटर, कैडमियम एसीटेट डिहाइड्रेट, थियूरिया और अमोनियम एसीटेट डालकर 250 मिलीलीटर बीकर में कैडमियम सल्फाइड रिएक्शन बाथ सॉल्यूशन तैयार करें। सजातीय होने तक कई मिनट के लिए समाधान हिलाओ। स्नान समाधान में 3 मिलीलीटर अमोनियम हाइड्रोक्साइड जोड़ें और 2 मिनट के लिए हलचल करें।इसके बाद, टेफ्लॉन नमूना धारक का उपयोग करके सीआईजीएस नमूना को प्रतिक्रिया स्नान समाधान में रखें। प्रतिक्रिया स्नान को पानी के गर्मी स्नान में रखें, 65 डिग्री सेल्सियस पर बनाए रखा जाए। बयान प्रक्रिया के दौरान 200 आरपीएम पर प्रतिक्रिया स्नान समाधान हिलाओ, प्रतिक्रिया 20 मिनट के लिए आगे बढ़ने के लिए सीआईजीएस पर एक लगभग 70-80 नैनोमीटर कैडमियम सल्फाइड बफर परत उत्पन्न करने की अनुमति ।प्रतिक्रिया के बाद, प्रतिक्रिया स्नान से नमूना निकालें, डिओनाइज्ड पानी के प्रवाह से धोएं, और नाइट्रोजन गैस के साथ सूखें। एक पहले से गरम हॉटप्लेट पर 30 मिनट के लिए १२० डिग्री सेल्सियस पर नमूना Anneal । 20 मिलीग्राम-प्रति-मिलीलीटर इथेनॉल आधारित चांदी नैनोवायर फैलाव के 1 मिलीलीटर के साथ 90 मिलीलीटर इथेनॉल मिलाकर 1 मिलीग्राम-प्रति-मिलीलीटर चांदी नैनोवायर फैलाव तैयार करें।पूरी सतह को कवर करने के लिए, कैडमियम सल्फाइड सीआईजीएस नमूने पर पतला चांदी नैनोवायर फैलाव के 0.2 मिलीलीटर डालें, और 30 सेकंड के लिए 1000 आरपीएम पर नमूना घुमाएं। इसके बाद, स्पिन-कोट चांदी नैनोवायर 3 बार। स्पिन-कोटिंग के बाद, एक प्रीहीटेड हॉटप्लेट पर 5 मिनट के लिए 120 डिग्री सेल्सियस पर नमूना एनील करें।पहले वर्णित एक नया कैडमियम सल्फाइड रिएक्शन बाथ समाधान तैयार करें। जमा कैडमियम सल्फाइड जैसा कि पहले वर्णित है, सिवाय प्रतिक्रिया समय को बदलने के लिए, आवश्यक के रूप में । अब, ऑप्टिकल माइक्रोस्कोपी द्वारा कैडमियम सल्फाइड-लेपित चांदी नैनोवायर की सतह आकृति विज्ञान की विशेषता है।सौर सिम्युलेटर से लैस वर्तमान वोल्टेज स्रोत का उपयोग करके सौर सेल प्रदर्शन को मापें। आंतरिक जिंक ऑक्साइड और सिल्वर नैनोवायर नेटवर्क पारदर्शी संचालन इलेक्ट्रोड पर मानक एल्यूमीनियम-डॉप्ड जिंक ऑक्साइड के साथ सीआईजीएस सौर कोशिकाओं की परत संरचनाओं को यहां दिखाया गया है। एक स्थिर विद्युत संपर्क बनाने के लिए दूसरी कैडमियम सल्फाइड परत को नैनोस्केल गैप पर चुनिंदा रूप से जमा किया जा सकता है।क्रॉस-सेक्शनल ट्रांसमिशन इलेक्ट्रॉन माइक्रोस्कोपी छवियां, दूसरी कैडमियम सल्फाइड परत के साथ, कैडमियम सल्फाइड सीआईजीएस संरचना पर सिल्वर नैनोवायर नेटवर्क पर जमा की गई हैं, और सिल्वर नैनोवायर नेटवर्क पर जमा दूसरी कैडमियम सल्फाइड परत के पार, यहां दिखाए गए हैं । दूसरी कैडमियम सल्फाइड परत समान रूप से चांदी के नैनोवायर की सतह पर जमा होती है और कोर-शेल सिल्वर नैनोवायर संरचना पर कैडमियम परत का उत्पादन होता है। दूसरी कैडमियम सल्फाइड परत कैडमियम बफर और सिल्वर नैनोवायर परतों के बीच हवा के अंतराल को भरती है, और स्थिर विद्युत संपर्क प्राप्त होता है।नंगे चांदी नैनोवायर के साथ एक CIGS पतली फिल्म सौर सेल के डिवाइस प्रदर्शन, और कोर खोल चांदी नैनोवायर पारदर्शी इलेक्ट्रोड का आयोजन पर कैडमियम सल्फाइड परत यहां दिखाया गया है । अस्थिर विद्युत संपर्क के कारण नंगे चांदी नैनोवायर्स के साथ सेल में खराब डिवाइस प्रदर्शन होता है। एक दूसरे कैडमियम परत का जमाव कोशिका के प्रदर्शन को बहुत बढ़ाता है।हमारे प्रोटोकॉल में सबसे महत्वपूर्ण कदम चांदी नैनोवायर नेटवर्क पर एक दूसरी सीडी परत बनाना है। सीआईजीएस पतली फिल्म सौर सेल के डिवाइस प्रदर्शन को मापकर अलग समय को अनुकूलित किया जा सकता है। हम सीआईजीएस प्रणाली में मजबूत नैनो-स्केल विद्युत संपर्क बनाने के लिए एक विधि का सुझाव देते हैं।हमारा मानना है कि हमारी विधि अन्य सौर सेल प्रणालियों पर लागू की जा सकती है, जिसके लिए विद्युत संपर्क गुणों को बढ़ाने की आवश्यकता होती है।

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Measurements of the heat capacity and superfluid fraction of confined 4He have been performed near the lambda transition using lithographically patterned ...

Making Record-efficiency SnS Solar Cells by Thermal Evaporation and Atomic Layer Deposition

थर्मल वाष्पीकरण और परमाणु परत बयान से रिकॉर्ड दक्षता एसएनएस सौर कोशिकाओं बनाने

Tin sulfide (SnS) is a candidate absorber material for Earth-abundant, non-toxic solar cells. SnS offers easy phase control and rapid growth by congruent ...

Ohmic Contact Fabrication Using a Focused-ion Beam Technique and Electrical Characterization for Layer Semiconductor Nanostructures

Ohmic संपर्क निर्माण एक केंद्रित आयन बीम तकनीक और बिजली के लक्षण वर्णन लेयर सेमीकंडक्टर Nanostructures के लिए उपयोग करना

Layer semiconductors with easily processed two-dimensional (2D) structures exhibit indirect-to-direct bandgap transitions and superior transistor ...

Integration of Light Trapping Silver Nanostructures in Hydrogenated Microcrystalline Silicon Solar Cells by Transfer Printing

अंतरण मुद्रण द्वारा हाइड्रोजनीकृत माइक्रोक्रिस्टलाइन सिलिकॉन सौर कोशिकाओं में प्रकाश को फँसाने रजत Nanostructures की एकता

One of the potential applications of metal nanostructures is light trapping in solar cells, where unique optical properties of nanosized metals, commonly ...

A Fabrication Method for Highly Stretchable Conductors with Silver Nanowires

रजत nanowires के साथ उच्च स्केलेबल कंडक्टर के लिए एक निर्माण विधि

Stretchable electronics are identified as a key technology for electronic applications in the next generation. One of the challenges in fabrication of ...