Name: fabrication of robust nanoscale contact between a silver nanowire electrode and cds buffer layer in cu(in,ga)se2 thin-film solar cells
Uploaded: 2019-07-19T14:30:00
Description: Watch this Scientific Journal Video about Fabrication of Robust Nanoscale Contact between a Silver Nanowire Electrode and CdS Buffer Layer in CuIn,GaSe2 Thin-film Solar Cells at JoVE.com

이 연구는 한국에너지연구원(KIER)의 사내 연구개발 프로그램과 한국에너지연구원(NRF)의 지원을 받아 한국에너지연구원(NRF)을 통한 기초과학연구프로그램을 통해 지원되었다. 교육 (그랜트 NRF-2016R1D1A1B0393440).

1. DC 마그네트론 스퍼터링에 의한 모 코팅 유리 준비
<ol><li>세척된 유리 기판을 DC 마그네트론에 적재하고 4 x 10-6 Torr 이하로 펌프합니다.</li>
	<li>유동 Ar 가스 및 작업 압력을 20 mTorr로 설정합니다.</li>
	<li>플라즈마를 켜고 DC 출력 전력을 3kW로 늘립니다.</li>
	<li>표적 세척을 위해 3분의 스퍼터링 을 한 후, 모 막 두께가 약 350 nm에 도달할 때까지 모 증착을 시작합니다.</li>
	<li>동일한 출력 전...

<ol>
	<li>Lee, S., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Determination+of+the+lateral+collection+length+of+charge+carriers+for+silver-nanowire-electrode-based+Cu(In,Ga)Se2+thin-film+solar+cells.">Determination of the lateral collection length of charge carriers for silver-nanowire-electrode-based Cu(In,Ga)Se2 thin-film solar cells.</a> Solar Energy. 180, 519-523 (2019).</li><li>Langley, D., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Flexible+transparent+conductive+materials+based+on+silver+nanowire+networks:+a+review.">Flexible transparent conductive materials based on silver nanowire networks: a review.</a> Nanotechnology. 24 (45), 452001 (2013).</li><li>Chung, C. -. H., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Silver+nanowire+composite+window+layers+for+fully+solution-deposited+thin-film+photovoltaic+devices.">Silver nanowire composite window layers for fully solution-deposited thin-film photovoltaic devices.</a> Advanced Materials. 24 (40), 5499-5504 (2012).</li><li>Liu, C. -. H., Yu, X. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Silver+nanowire-based+transparent,+flexible,+and+conductive+thin+film.">Silver nanowire-based transparent, flexible, and conductive thin film.</a> Nanoscale Research Letters. 6 (1), (2011).</li><li>Yu, Z., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Highly+flexible+silver+nanowire+electrodes+for+shape-memory+polymer+light-emitting+diodes.">Highly flexible silver nanowire electrodes for shape-memory polymer light-emitting diodes.</a> Advanced Materials. 23 (5), 664-668 (2011).</li><li>Chung, C. -. H., Hong, K. -. H., Lee, D. -. K., Yun, J. H., Yang, Y. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Ordered+vacancy+compound+formation+by+controlling+element+redistribution+in+molecular-level+precursor+solution+processed+CuInSe2+thin+films.">Ordered vacancy compound formation by controlling element redistribution in molecular-level precursor solution processed CuInSe2 thin films.</a> Chemistry of Materials. 27 (21), 7244-7247 (2015).</li><li>Kim, A., Won, Y., Woo, K., Kim, C. -. H., Moon, J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Highly+transparent+low+resistance+ZnO/Ag+Nanowire/ZnO+composite+electrode+for+thin+film+solar+cells.">Highly transparent low resistance ZnO/Ag Nanowire/ZnO composite electrode for thin film solar cells.</a> ACS Nano. 7 (2), 1081-1091 (2013).</li><li>Singh, M., Jiu, J., Sugahara, T., Suganuma, K. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Thin-film+copper+indium+gallium+selenide+solar+cell+based+on+low-temperature+all-printing+process.">Thin-film copper indium gallium selenide solar cell based on low-temperature all-printing process.</a> ACS Applied Materials and Interfaces. 6 (18), 16297-16303 (2014).</li><li>Kim, A., Won, Y., Woo, K., Jeong, S., Moon, J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=All-solution-processed+indium-free+transparent+composite+electrodes+based+on+Ag+Nanowire+and+Metal+Oxide+for+thin-film+solar+cells.">All-solution-processed indium-free transparent composite electrodes based on Ag Nanowire and Metal Oxide for thin-film solar cells.</a> Advanced Functional Materials. 24 (17), 2462-2471 (2014).</li><li>Shin, D., Kim, T., Ahn, B. T., Han, S. M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Solution-processed+Ag+Nanowires+++PEDOT:PSS+hybrid+electrode+for+Cu(In,Ga)Se2+thin-film+solar+cells.">Solution-processed Ag Nanowires + PEDOT:PSS hybrid electrode for Cu(In,Ga)Se2 thin-film solar cells.</a> ACS Applied Materials and Interfaces. 7 (24), 13557-13563 (2015).</li><li>Wang, M., Choy, K. -. L. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=All-nonvacuum-processed+CIGS+solar+cells+using+scalable+Ag+NWs/AZO-based+transparent+electrodes.">All-nonvacuum-processed CIGS solar cells using scalable Ag NWs/AZO-based transparent electrodes.</a> ACS Applied Materials and Interfaces. 8 (26), 16640-16648 (2016).</li><li>Jang, J., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Cu(In,Ga)Se2+thin+film+solar+cells+with+solution+processed+silver+nanowire+composite+window+layers:+buffer/window+junctions+and+their+effects.">Cu(In,Ga)Se2 thin film solar cells with solution processed silver nanowire composite window layers: buffer/window junctions and their effects.</a> Solar Energy Materials and Solar Cells. 170, 60-67 (2017).</li><li>Chung, C. -. H., Bob, B., Song, T. -. B., Yang, Y. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Current-voltage+characteristics+of+fully+solution+processed+high+performance+CuIn(S,Se)2+solar+cells:+crossover+and+red+kink.">Current-voltage characteristics of fully solution processed high performance CuIn(S,Se)2 solar cells: crossover and red kink.</a> Solar Energy Materials and Solar Cells. 120, 642-646 (2014).</li><li>Lee, S., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Robust+nanoscale+contact+of+silver+nanowire+electrodes+to+semiconductors+to+achieve+high+performance+chalcogenide+thin+film+solar+cells.">Robust nanoscale contact of silver nanowire electrodes to semiconductors to achieve high performance chalcogenide thin film solar cells.</a> Nano Energy. 53, 675-682 (2018).</li></ol>

최적의 셀 성능을 달성하기 위해 2nd CdS 층의 증착 시간을 최적화해야 합니다. 증착 시간이 증가함에 따라 2nd CdS 층의 두께가 증가하여 결과적으로 전기 접촉이 향상됩니다. 그러나, 2nd CdS 층의 추가 증착은 빛 흡수를 감소시키는 두꺼운 층을 초래할 것이고, 장치 효율은 감소할 것이다. 우리는 2nd CdS 층에 대한 증착 시간 10 분으로 최고의 세포 성능을 달성하고 더 ?...

실버 나노와이어(AgNW) 네트워크는 낮은 처리 비용 측면에서 기존의 투명 전도산화물(TCO)에 비해 장점으로 인해 인듐 주석 산화물(ITO) 투명 전도 박막의 대안으로 광범위하게 연구되어 왔다. 기계적 유연성이 향상됩니다. 솔루션 처리 AgNW 네트워크 투명 전도전극 (TC)는 따라서 Cu (In,Ga)Se2 (CIGS) 박막 태양 전지1,2,3,4,5에 사용되었습니다. , 6. 솔루션 처리 AgNW TC는 일반적으로 PEDOT : PSS, ITO, ZnO등과 같은 전도성 매트릭스에서 임베디드AgNW 또는 샌드위치 AgNW 구조의 형태로 제작됩니다. 도 10,도 11 매트릭스 층은 AgNW 네트워크의 빈 공간에 존재하는 전하 반송파의 수집을 향상시킬 수 있다.
그러나, 매트릭스 층은 CIGS 박막 태양전지(12,13)에서매트릭스 층과 기본 CdS 버퍼 층 사이의 계면 결함을 생성할 수 있다. 계면 결함은 종종 전류 밀도 전압 (J-V) 곡선에 꼬임을 일으켜 셀의 낮은 충진 계수 (FF)를 초래하여 태양 전지 성능에 해롭습니다. 이전에는 AgNWs와 CdS 버퍼 층(14) 사이에 추가적인 얇은 CdS 층(2nd CdS 계층)을 선택적으로 증착하여 이 문제를 해결하는 방법을 보고하였다. 추가 CdS 레이어의 통합은 AgNW 및 CdS 레이어 사이의 접합부에서 접촉 특성을 향상시켰습니다. 결과적으로, AgNW 네트워크의 반송파 수집이 크게 향상되었고, 셀 성능이 향상되었다. 이 프로토콜에서는 CIGS 박막 태양 전지에서 2nd CdS 층을 사용하여 AgNW 네트워크와 CdS 버퍼 층 간의 강력한 전기 적 접촉을 제조하는 실험 절차를 설명합니다.

<table border="0" cellpadding="0" cellspacing="0" style="width:616px;" width="617">
	<tbody>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">Mo</td>
			<td style="width:115px;">Materion</td>
			<td style="width:119px;">Purity: 3N5</td>
			<td style="width:167px;">Mo sputtering</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">Cu</td>
			<td style="width:115px;">5N Plus</td>
			<td style="width:119px;">Purity: 4N7</td>
			<td>CIGS deposition</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">In</td>
			<td style="width:115px;">5N Plus</td>
			<td style="width:119px;">Purity: 5N</td>
			<td>CIGS deposition</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">Ga</td>
			<td style="width:115px;">5N Plus</td>
			<td style="width:119px;">Purity: 5N</td>
			<td>CIGS deposition</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">Se</td>
			<td style="width:115px;">5N Plus</td>
			<td style="width:119px;">Purity: 5N</td>
			<td>CIGS deposition</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">Ammonium acetate</td>
			<td style="width:115px;">Alfa Aesar</td>
			<td style="width:119px;">11599</td>
			<td>CdS reaction solution</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">Ammonium hydroxide</td>
			<td style="width:115px;">Alfa Aesar</td>
			<td style="width:119px;">L13168</td>
			<td>CdS reaction solution</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">Cadmium acetate dihydrate</td>
			<td style="width:115px;">Sigma-Aldrich</td>
			<td style="width:119px;">289159</td>
			<td>CdS reaction solution</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">Thiourea</td>
			<td style="width:115px;">Sigma-Aldrich</td>
			<td style="width:119px;">T8656</td>
			<td>CdS reaction solution</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">Silver Nanowire</td>
			<td style="width:115px;">ACSMaterial</td>
			<td style="width:119px;">AgNW-L30</td>
			<td>AgNW dispersion</td>
		</tr>
	</tbody>
</table>

fabrication of robust nanoscale contact between a silver nanowire electrode and cds buffer layer in cu(in,ga)se2 thin-film solar cells

실버 나노와이어 투명 전극은 Cu(In,Ga)Se2 박막 태양전지용 윈도우 레이어로 사용되어 왔다. 베어 실버 나노 와이어 전극은 일반적으로 매우 가난한 세포 성능을 초래한다. 인듐 주석 산화물 또는 산화 아연과 같은 적당히 전도성 투명 재료를 사용하여 실버 나노 와이어를 포함하거나 샌드위치하면 세포 성능을 향상시킬 수 있습니다. 그러나, 용액 처리 매트릭스 층은 투명 전극과 CdS 버퍼 사이에 상당한 수의 계면 결함을 일으킬 수 있으며, 이는 결국 낮은 세포 성능을 초래할 수 있습니다. 이 원고는 Cu(In,Ga)Se2 태양전지에서 실버 나노와이어 전극과 기본 CdS 버퍼 층 사이의 강력한 전기 적 접촉을 제조하는 방법을 설명하여 매트릭스가 없는 실버 나노와이어투명을 사용하여 높은 셀 성능을 가능하게 합니다. 전극. 우리의 방법에 의해 제조 된 매트릭스 무료 실버 나노 와이어 전극은 실버 나노 와이어 전극 기반 셀의 충전 캐리어 수집 능력이 실버 나노 와이어만큼 스퍼터링 ZnO : Al / i-ZnO가있는 표준 셀만큼 좋다는 것을 증명합니다. CdS에는 고품질 전기 접촉이 있습니다. 고품질 전기 접촉은 은 나노와이어 표면에 10 nm의 얇은 추가 CdS 층을 증착함으로써 달성되었다.

(a) 표준 ZnO:Al/i-ZnO 및 (b) AgNW TCE를 가진 CIGS 태양전지의 층 구조는 그림3에 도시되어 있다. CIGS의 표면 형태는 거칠고, 나노 스케일 갭은 AgNW 층과 기본 CdS 버퍼 층 사이에 형성될 수 있다. 도 3A에서강조한 바와 같이, 2nd CdS 층은 나노 스케일 갭상에 선택적으로 증착되어 안정적인 전기 적 접촉을 생성할 수 있다. 전기적 접?...

Watch this Scientific Journal Video about Fabrication of Robust Nanoscale Contact between a Silver Nanowire Electrode and CdS Buffer Layer in CuIn,GaSe2 Thin-film Solar Cells at JoVE.com

Fabrication of Robust Nanoscale Contact between a Silver Nanowire Electrode and CdS Buffer Layer in CuIn,GaSe2 Thin-film Solar Cells

이 프로토콜에서, 우리는 CIGS 박막 태양 전지에서 은 나노 와이어 네트워크와 CdS 버퍼 층 사이의 강력한 나노 스케일 접촉의 제조에 대한 상세한 실험 절차를 설명합니다.

Cu(In,Ga)Se2 박막 태양전지의 실버 나노와이어 전극과 CdS 버퍼 층 간의 견고한 나노스케일 접촉 제조

Silver nanowire transparent electrodes have been employed as window layers for Cu(In,Ga)Se2 thin-film solar cells. Bare silver nanowire electrodes ...

실버 나노와이어 네트워크는 박막 태양전지 애플리케이션에서 기존의 투명 전도성 산화물을 대체하는 신흥 기술입니다. 그러나 기본 층에 대한 전기 접촉이 문제가 되었습니다. 당사의 프로토콜은 실버 나노와이어 네트워크와 CIGS 박막 태양전지의 기본 CdS 버퍼 층 간의 전기 접촉 특성을 향상시키는 간단한 공정 방법입니다.우리의 방법은 매우 간단하고 재현 가능하며 저렴한 솔루션 기반 프로세스입니다. 또한 CIGS 박막 태양전지를 제조하기 위해 기존 솔루션 기반 공정과도 비교할 수 있습니다. 먼저, 청소된 유리 기판을 DC 자강에 적재하고, 아래로 펌프하여 마이너스 6토르로 10번 을 날려버리십시오.유동 아르곤 가스, 20 밀리터로 작동 압력을 설정합니다. 플라즈마를 켜고 DC 출력 전력을 3킬로와트로 늘립니다. 표적 청소를 위해 3분 전에 스퍼터링한 후 몰리브덴 필름 두께가 약 350나노미터에 도달할 때까지 몰리브덴 증착을 시작합니다.다음으로, 3킬로와트에서 출력 전력을 유지하면서 작동 압력을 15 밀리토르로 설정합니다. 몰리브덴의 총 두께가 약 750 나노미터에 도달할 때까지 몰리브덴 증착을 재개한다. 몰리브덴 코팅 유리를 10배 이상 진공 저기압으로 예열된 공동 증발기로 하여 마이너스 6토르로 로드합니다.인듐, 갈륨 및 셀레늄 유출 세포의 온도를 각각 초당 2.5, 1.3 및 15 앙스트롬의 증착 속도를 산출합니다. 석영 결정 마이크로 밸런스 기술을 사용하여 증착 속도를 확인하십시오. 몰리브덴 코팅 유리에 인듐, 갈륨 및 셀레늄을 공급하기 시작하여 섭씨 450도의 기질 온도에서 1마이크로미터 두께의 인듐-갈륨 셀레늄 전구체 층을 형성합니다.15분 후 인듐과 갈륨 공급을 멈추고 기판 온도를 섭씨 550도로 늘립니다. 다음으로, 인듐-갈륨-셀레늄 전구체에 구리를 공급하기 시작하고 필름의 구리-인듐+갈륨 조성비가 1.15에 도달할 때까지 계속한다. 구리 공급을 중단하고 구리-인듐+갈륨 조성비0.9로 약 2마이크로미터 두께의 CIGS 필름을 형성하는 첫 번째 단계와 동일한 증착 속도로 인듐및 갈륨을 다시 증발시다.셀레늄 증착 속도와 기판 온도를 초당 15앙스트롬과 섭씨 550도에서 각각 유지한다. 완전한 반응을 보장하기 위해, 섭씨 550도의 기판 온도에서 5 분 동안 주변 셀레늄 에서 퇴적 된 CIGS 필름을 음침합니다. 기판 온도를 주변 셀레늄 에서 섭씨 450도로 낮춘 다음 기판 온도가 섭씨 250도 미만일 때 CIGS 증착 기판을 언로드합니다.250 밀리리터 비커에 카드뮴 황화물 반응 목욕 용액을 준비하여 탈이온화 물, 카드뮴 아세테이트 이수제, 티우레아 및 암모늄 아세테이트를 첨가합니다. 균일할 때까지 몇 분간 저어줍니다. 수산화 암모늄 3 밀리리터를 목욕 용액에 넣고 2분간 저어줍니다.다음으로, TEflon 샘플 홀더를 사용하여 반응 목욕 용액에 CIGS 샘플을 배치합니다. 반응 목욕을 온수 욕조에 넣고 섭씨 65도에서 유지합니다. 증착 과정에서 200 RPM에서 반응 목욕 용액을 저어, 반응이 CIGS에 약 70-80 나노 미터 카드뮴 황화물 완충층을 생성하기 위해 20 분 동안 진행 할 수 있도록.반응 후, 반응 목욕에서 샘플을 제거하고, 탈이온 된 물의 흐름으로 씻어, 질소 가스로 건조. 예열된 핫플레이트에서 30분 동안 섭씨 120도에서 샘플을 음닐합니다. 밀리리터 당 1밀리그램 당 실버 나노 와이어 분산을 준비 하여 90 밀리리터에 에탄올의 밀리리터를 1 밀리리터당 20밀리그램-밀리리터-에탄올 기반 실버 나노와이어 분산을 준비합니다.희석된 은 나노와이어 분산을 카드뮴 황화물 CIGS 샘플에 0.2 밀리리터를 붓고, 표면 전체를 덮고, 샘플을 1000 RPM에서 30초 동안 회전시. 이에 따라 실버 나노와이어를 3번 스핀 코팅합니다. 스핀 코팅 후 예열된 핫플레이트에서 5분간 120도의 샘플을 음용합니다.이전에 설명한 대로 새로운 카드뮴 황화물 반응 목욕 용액을 준비하십시오. 필요에 따라 반응 시간을 변경하는 것을 제외하고는 이전에 설명된 대로 황화물을 입금하십시오. 지금, 광학 현미경에 의해 황화물 코팅 은 나노 와이어 카드뮴의 표면 형태를 특성화.태양 시뮬레이터가 장착된 전류 전압 소스를 사용하여 태양 전지 성능을 측정합니다. 본질적인 산화 아연과 은 나노 와이어 네트워크 투명 전도 전극에 표준 알루미늄 도핑 산화 아연을 가진 CIGS 태양 전지의 층 구조는 여기에 표시됩니다. 제2 카드뮴 황화물 층은 나노스케일 갭에 선택적으로 증착되어 안정적인 전기접촉을 생성할 수 있다.단면 투과 전자 현미경 이미지는, 제2 카드뮴 황화물 층을 따라, 칼륨 황화물 CIGS 구조에 은 나노 와이어 네트워크에 증착하고, 실버 나노 와이어 네트워크에 증착 된 제 2 의 황화물 층을 가로 질러, 여기에 도시된다. 제2 카드뮴 황화물 층은 은 나노와이어의 표면에 균일하게 증착되고 코어 쉘 은 나노와이어 구조상 카드뮴 층이 생성된다. 제2 카드뮴 황화물 층은 카드뮴 완충제와 은 나노와이어 층 사이의 공기 격차를 채우고 안정적인 전기 접촉을 달성한다.베어 실버 나노와이어를 장착한 CIGS 박막 태양전지의 장치 성능과 코어 쉘 은 나노와이어 투명 전도 전극의 카드뮴 황화물 층이 여기에 나와 있다. 불안정한 전기 접촉으로 인해 베어 실버 나노 와이어가있는 셀은 장치 성능이 좋지 않습니다. 제2 카드뮴 층의 증착은 세포 성능을 크게 향상시킵니다.프로토콜에서 가장 중요한 단계는 실버 나노 와이어 네트워크에서 두 번째 CdS 층을 조작하는 것입니다. CIGS 박막 태양전지의 장치 성능을 측정하여 다양한 시간을 최적화할 수 있다. CIGS 시스템에서 견고한 나노 스케일 전기 접촉을 제조하는 방법을 제안합니다.우리는 우리의 방법이 전기 접촉 특성의 향상을 필요로 다른 태양 전지 시스템에 적용 할 수 있다고 생각합니다.

Research

JoVE Journal

Engineering

Fabrication of Robust Nanoscale Contact between a Silver Nanowire Electrode and CdS Buffer Layer in Cu(In,Ga)Se2 Thin-film Solar Cells

Polycrystalline Silicon Thin-film Solar cells with Plasmonic-enhanced Light-trapping

Plasmonic 강화된 라이트 - 트래핑과 다결정 실리콘 박막 태양 전지

One of major approaches to cheaper solar cells is reducing the amount of semiconductor material used for their fabrication and making cells thinner. To ...

연구

공학

Probing and Mapping Electrode Surfaces in Solid Oxide Fuel Cells

고체 산화물 연료 전지의 전극 표면을 탐색 및 매핑

Solid oxide fuel cells (SOFCs) are potentially the most efficient and cost-effective solution to utilization of a wide variety of fuels beyond hydrogen ...

Nanomoulding of Functional Materials, a Versatile Complementary Pattern Replication Method to Nanoimprinting

기능성 재료 Nanomoulding, Nanoimprinting에 다목적 보완 패턴 복제 방법

We describe a nanomoulding technique which  allows low-cost nanoscale patterning of functional materials, materials stacks  and full devices. Nanomoulding ...

Atom Probe Tomography Studies on the Cu(In,Ga)Se2 Grain Boundaries

Atom Probe Tomography Studies on the CuIn,GaSe2 Grain Boundaries

구리의 원자 조사 단층 촬영 연구 (, 조지아) 괜찮다<sub&gt; 2</sub&gt; 곡물 경계

Compared with the existent techniques, atom probe tomography is a unique technique able to chemically characterize the internal interfaces at the ...

Analysis of Contact Interfaces for Single GaN Nanowire Devices

단 하나의 GaN 나노 와이어 장치에 대한 문의 인터페이스의 분석

Single GaN nanowire (NW) devices fabricated on SiO2 can exhibit  a strong degradation after annealing due to the  occurrence of void formation at the ...

Fabrication of Uniform Nanoscale Cavities via Silicon Direct Wafer Bonding

실리콘 다이렉트 웨이퍼 본딩을 통한 균일한 나노스케일 캐비티 제조

Measurements of the heat capacity and superfluid fraction of confined 4He have been performed near the lambda transition using lithographically patterned ...

Making Record-efficiency SnS Solar Cells by Thermal Evaporation and Atomic Layer Deposition

열 증발 및 원자 층 증착에 의해 기록 효율 SNS 태양 전지 만들기

Tin sulfide (SnS) is a candidate absorber material for Earth-abundant, non-toxic solar cells. SnS offers easy phase control and rapid growth by congruent ...

Ohmic Contact Fabrication Using a Focused-ion Beam Technique and Electrical Characterization for Layer Semiconductor Nanostructures

오믹 접촉 제조 집중 이온 빔 기술 및 전기 특성 계층 반도체 나노 구조를 위해 사용

Layer semiconductors with easily processed two-dimensional (2D) structures exhibit indirect-to-direct bandgap transitions and superior transistor ...

Integration of Light Trapping Silver Nanostructures in Hydrogenated Microcrystalline Silicon Solar Cells by Transfer Printing

전송 인쇄하여 수소 첨가 미세 결정 실리콘 태양 전지에 빛 트래핑 실버 나노 구조의 통합

One of the potential applications of metal nanostructures is light trapping in solar cells, where unique optical properties of nanosized metals, commonly ...

A Fabrication Method for Highly Stretchable Conductors with Silver Nanowires

Stretchable electronics are identified as a key technology for electronic applications in the next generation. One of the challenges in fabrication of ...