Name: fabrication of robust nanoscale contact between a silver nanowire electrode and cds buffer layer in cu(in,ga)se2 thin-film solar cells
Uploaded: 2019-07-19T14:30:00
Description: Watch this Scientific Journal Video about Fabrication of Robust Nanoscale Contact between a Silver Nanowire Electrode and CdS Buffer Layer in CuIn,GaSe2 Thin-film Solar Cells at JoVE.com

Denne forskningen ble støttet av in-House Research and Development program av Korea Institute of Energy Research (KIER) (B9-2411) og Basic Science Research program gjennom National Research Foundation of Korea (NRF) finansiert av departementet for Utdanning (Grant NRF-2016R1D1A1B03934840).

1. utarbeidelse av Mo-belagt glass ved DC magnetron sputtering
<ol><li>Legg renset glass underlag i en DC-magnetron og Pump ned til under 4 x 10-6 torr.</li>
	<li>Flow AR-gass og sett arbeidstrykket til 20 mTorr.</li>
	<li>Slå på plasma og øke DC utgangseffekt til 3 kW.</li>
	<li>Etter pre-sputtering av 3 min for mål rengjøring, begynner Mo deponering til Mo filmtykkelse når ca 350 NM.</li>
	<li>Sett arbeidstrykket til 15 mTorr samtidig som du opprettholder den samme utgangseffekten (dvs. 3 kW).</li>
	...

<ol>
	<li>Lee, S., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Determination+of+the+lateral+collection+length+of+charge+carriers+for+silver-nanowire-electrode-based+Cu(In,Ga)Se2+thin-film+solar+cells.">Determination of the lateral collection length of charge carriers for silver-nanowire-electrode-based Cu(In,Ga)Se2 thin-film solar cells.</a> Solar Energy. 180, 519-523 (2019).</li><li>Langley, D., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Flexible+transparent+conductive+materials+based+on+silver+nanowire+networks:+a+review.">Flexible transparent conductive materials based on silver nanowire networks: a review.</a> Nanotechnology. 24 (45), 452001 (2013).</li><li>Chung, C. -. H., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Silver+nanowire+composite+window+layers+for+fully+solution-deposited+thin-film+photovoltaic+devices.">Silver nanowire composite window layers for fully solution-deposited thin-film photovoltaic devices.</a> Advanced Materials. 24 (40), 5499-5504 (2012).</li><li>Liu, C. -. H., Yu, X. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Silver+nanowire-based+transparent,+flexible,+and+conductive+thin+film.">Silver nanowire-based transparent, flexible, and conductive thin film.</a> Nanoscale Research Letters. 6 (1), (2011).</li><li>Yu, Z., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Highly+flexible+silver+nanowire+electrodes+for+shape-memory+polymer+light-emitting+diodes.">Highly flexible silver nanowire electrodes for shape-memory polymer light-emitting diodes.</a> Advanced Materials. 23 (5), 664-668 (2011).</li><li>Chung, C. -. H., Hong, K. -. H., Lee, D. -. K., Yun, J. H., Yang, Y. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Ordered+vacancy+compound+formation+by+controlling+element+redistribution+in+molecular-level+precursor+solution+processed+CuInSe2+thin+films.">Ordered vacancy compound formation by controlling element redistribution in molecular-level precursor solution processed CuInSe2 thin films.</a> Chemistry of Materials. 27 (21), 7244-7247 (2015).</li><li>Kim, A., Won, Y., Woo, K., Kim, C. -. H., Moon, J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Highly+transparent+low+resistance+ZnO/Ag+Nanowire/ZnO+composite+electrode+for+thin+film+solar+cells.">Highly transparent low resistance ZnO/Ag Nanowire/ZnO composite electrode for thin film solar cells.</a> ACS Nano. 7 (2), 1081-1091 (2013).</li><li>Singh, M., Jiu, J., Sugahara, T., Suganuma, K. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Thin-film+copper+indium+gallium+selenide+solar+cell+based+on+low-temperature+all-printing+process.">Thin-film copper indium gallium selenide solar cell based on low-temperature all-printing process.</a> ACS Applied Materials and Interfaces. 6 (18), 16297-16303 (2014).</li><li>Kim, A., Won, Y., Woo, K., Jeong, S., Moon, J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=All-solution-processed+indium-free+transparent+composite+electrodes+based+on+Ag+Nanowire+and+Metal+Oxide+for+thin-film+solar+cells.">All-solution-processed indium-free transparent composite electrodes based on Ag Nanowire and Metal Oxide for thin-film solar cells.</a> Advanced Functional Materials. 24 (17), 2462-2471 (2014).</li><li>Shin, D., Kim, T., Ahn, B. T., Han, S. M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Solution-processed+Ag+Nanowires+++PEDOT:PSS+hybrid+electrode+for+Cu(In,Ga)Se2+thin-film+solar+cells.">Solution-processed Ag Nanowires + PEDOT:PSS hybrid electrode for Cu(In,Ga)Se2 thin-film solar cells.</a> ACS Applied Materials and Interfaces. 7 (24), 13557-13563 (2015).</li><li>Wang, M., Choy, K. -. L. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=All-nonvacuum-processed+CIGS+solar+cells+using+scalable+Ag+NWs/AZO-based+transparent+electrodes.">All-nonvacuum-processed CIGS solar cells using scalable Ag NWs/AZO-based transparent electrodes.</a> ACS Applied Materials and Interfaces. 8 (26), 16640-16648 (2016).</li><li>Jang, J., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Cu(In,Ga)Se2+thin+film+solar+cells+with+solution+processed+silver+nanowire+composite+window+layers:+buffer/window+junctions+and+their+effects.">Cu(In,Ga)Se2 thin film solar cells with solution processed silver nanowire composite window layers: buffer/window junctions and their effects.</a> Solar Energy Materials and Solar Cells. 170, 60-67 (2017).</li><li>Chung, C. -. H., Bob, B., Song, T. -. B., Yang, Y. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Current-voltage+characteristics+of+fully+solution+processed+high+performance+CuIn(S,Se)2+solar+cells:+crossover+and+red+kink.">Current-voltage characteristics of fully solution processed high performance CuIn(S,Se)2 solar cells: crossover and red kink.</a> Solar Energy Materials and Solar Cells. 120, 642-646 (2014).</li><li>Lee, S., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Robust+nanoscale+contact+of+silver+nanowire+electrodes+to+semiconductors+to+achieve+high+performance+chalcogenide+thin+film+solar+cells.">Robust nanoscale contact of silver nanowire electrodes to semiconductors to achieve high performance chalcogenide thin film solar cells.</a> Nano Energy. 53, 675-682 (2018).</li></ol>

Merk at deponering tid av 2nd CDS laget må optimaliseres for å oppnå optimal celle ytelse. Som deponering tid øker, tykkelsen på 2nd CDS lag øker, og følgelig vil den elektriske kontakten forbedres. Men videre deponering av 2nd CDS laget vil resultere i et tykkere lag som reduserer lys absorpsjon, og enheten effektivitet vil avta. Vi oppnådde den beste cellen ytelse med 10 min av deponering tid for 2nd CDS laget og fastslått at cellen effektiviteten redusert med lengre...

Silver Nanowire (AgNW) nettverk har blitt grundig studert som et alternativ til Indium tinn oksid (ITO) transparent gjennomføre tynne filmer på grunn av sine fordeler fremfor konvensjonelle gjennomsiktige gjennomføre oksider (transparent Conductive oxides) i form av lavere prosesserings kostnader og bedre mekanisk fleksibilitet. Solution-behandlet AgNW nettverk transparent gjennomfører elektroder (TCEs) har dermed vært ansatt i Cu (in, ga) se2 (CIGS) Thin-Film solceller1,2,3,4,5 , 6. Solution-behandlet AgNW TCEs er normalt fabrikkert i form av embedded-AgNW eller sandwich-AgNW strukturer i en ledende matrise som PEDOT: PSS, Ito, ZnO, etc.7,8,9, 10,11 Matrix lag kan forbedre at samlingen av belaste bærere til stede i den tomme områder av AgNW nettverket.
Imidlertid kan Matrix lag generere grenseflate defekter mellom Matrix laget og underliggende CDS buffer laget i CIGS Thin-Film solceller12,13. Grenseflate defekter ofte føre til en knekk i dagens tetthet-spenning (J-V) kurve, noe som resulterer i en lav fylle faktor (FF) i cellen, noe som er skadelig for sol celle ytelse. Vi har tidligere rapportert en metode for å løse dette problemet ved å selektivt sette inn en ekstra tynne CDer laget (2nd CDS lag) mellom AgNWs og CDS buffer lag14. Inkorporering av et ekstra CdS-lag forbedret kontakt egenskapene i krysset mellom AgNW-og CdS-lagene. Derfor ble transportør samlingen i AgNW-nettverket kraftig forbedret, og celle ytelsen ble forbedret. I denne protokollen, beskriver vi den eksperimentelle prosedyren for å dikte robust elektrisk kontakt mellom AgNW nettverket og CdS buffer laget ved hjelp av en 2nd CDS lag i en CIGS tynn-film solcelle.

<table border="0" cellpadding="0" cellspacing="0" style="width:616px;" width="617">
	<tbody>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">Mo</td>
			<td style="width:115px;">Materion</td>
			<td style="width:119px;">Purity: 3N5</td>
			<td style="width:167px;">Mo sputtering</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">Cu</td>
			<td style="width:115px;">5N Plus</td>
			<td style="width:119px;">Purity: 4N7</td>
			<td>CIGS deposition</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">In</td>
			<td style="width:115px;">5N Plus</td>
			<td style="width:119px;">Purity: 5N</td>
			<td>CIGS deposition</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">Ga</td>
			<td style="width:115px;">5N Plus</td>
			<td style="width:119px;">Purity: 5N</td>
			<td>CIGS deposition</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">Se</td>
			<td style="width:115px;">5N Plus</td>
			<td style="width:119px;">Purity: 5N</td>
			<td>CIGS deposition</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">Ammonium acetate</td>
			<td style="width:115px;">Alfa Aesar</td>
			<td style="width:119px;">11599</td>
			<td>CdS reaction solution</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">Ammonium hydroxide</td>
			<td style="width:115px;">Alfa Aesar</td>
			<td style="width:119px;">L13168</td>
			<td>CdS reaction solution</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">Cadmium acetate dihydrate</td>
			<td style="width:115px;">Sigma-Aldrich</td>
			<td style="width:119px;">289159</td>
			<td>CdS reaction solution</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">Thiourea</td>
			<td style="width:115px;">Sigma-Aldrich</td>
			<td style="width:119px;">T8656</td>
			<td>CdS reaction solution</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">Silver Nanowire</td>
			<td style="width:115px;">ACSMaterial</td>
			<td style="width:119px;">AgNW-L30</td>
			<td>AgNW dispersion</td>
		</tr>
	</tbody>
</table>

fabrication of robust nanoscale contact between a silver nanowire electrode and cds buffer layer in cu(in,ga)se2 thin-film solar cells

Silver Nanowire gjennomsiktige elektroder har vært ansatt som vindus lag for Cu (in, ga) se2 tynne-film solceller. Bare sølv Nanowire elektroder normalt føre til svært dårlig celle ytelse. Innebygging eller sandwiching av sølv nanotråder ved hjelp av moderat ledende transparent materiale, for eksempel Indium tinn oksid eller sink oksid, kan forbedre celle ytelsen. Imidlertid kan løsnings behandlede matrise lag forårsake et betydelig antall grenseflate defekter mellom gjennomsiktige elektroder og CDer buffer, som til slutt kan føre til lav celle ytelse. Dette manuskriptet beskriver hvordan å dikte robust elektrisk kontakt mellom en sølv Nanowire elektrode og den underliggende CdS buffer laget i en Cu (in, ga) se2 sol celle, slik at høy celle ytelse ved hjelp av Matrix-fri sølv Nanowire transparent Elektroder. Matrisen-fri sølv Nanowire elektrode fabrikkert ved vår metode beviser at charge-carrier samling evne til sølv Nanowire elektrode-baserte celler er så godt som for standard celler med freste ZnO: Al/i-ZnO så lenge sølv nanotråder og CDer har elektrisk kontakt av høy kvalitet. Høy kvalitet elektrisk kontakt ble oppnådd ved å sette inn et ekstra CdS lag så tynne som 10 NM på sølv Nanowire overflaten.

Laget strukturer av CIGS solceller med (a) standard ZnO: Al/i-ZnO og (b) AgNW TCE er vist i Figur 3. Overflaten morfologi av CIGS er grov, og en nanoskala gap kan danne mellom AgNW laget og den underliggende CdS buffer laget. Som uthevet i figur 3a, kan 2nd CDS-laget selektivt settes inn på nanoskala gap for å skape en stabil elektrisk kontakt. Den detaljerte forklaringen på dannelsen av elektrisk kontakt og forbedr...

Watch this Scientific Journal Video about Fabrication of Robust Nanoscale Contact between a Silver Nanowire Electrode and CdS Buffer Layer in CuIn,GaSe2 Thin-film Solar Cells at JoVE.com

Fabrication of Robust Nanoscale Contact between a Silver Nanowire Electrode and CdS Buffer Layer in CuIn,GaSe2 Thin-film Solar Cells

I denne protokollen, beskriver vi detaljert eksperimentell prosedyre for fabrikasjon av en robust nanoskala kontakt mellom en sølv Nanowire nettverk og CDer buffer laget i en CIGS tynn-film solcelle.

Fabrikasjon av robust nanoskala kontakt mellom en Silver Nanowire elektrode og CD buffer lag i Cu (in, ga) se2 Thin-Film solceller

Silver nanowire transparent electrodes have been employed as window layers for Cu(In,Ga)Se2 thin-film solar cells. Bare silver nanowire electrodes ...

Silver nanowire nettverk er en fremvoksende teknologi for å erstatte tradisjonelle gjennomsiktige ledende oksider i tynnfilm solcelleapplikasjon. Den elektriske kontakten til det underliggende laget har imidlertid vært et problem. Vår protokoll er en enkel prosessmetode for å forbedre elektrisk kontaktegenskap mellom sølv nanowire nettverk og det underliggende CdS bufferlaget i CIGS tynnfilm solceller.Vår metode er en veldig enkel, reproduserbar og billig løsningsbasert prosess. Det kan også sammenlignes med den eksisterende løsningsbaserte prosessen, for å fremstille CIGS tynnfilmsolceller. Last først ned rengjort glass i en DC magnetron, og pump ned for å blåse fire ganger 10 til minus seks torr.Flow argon gass, og sette arbeidstrykket til 20 millitorr. Slå på plasmaet, og øk likestrømseffekten til tre kilowatt. Etter pre-sputtering tre minutter for målrengjøring, start molybdendeponeringen til molybdenfilmtykkelsen når ca. 350 nanometer.Deretter setter du arbeidstrykket til 15 millitorr, samtidig som utgangseffekten opprettholdes med 3 kilowatt. Gjenoppta molybden deponering til den totale tykkelsen på molybden når ca 750 nanometer. Legg det molybdenbelagte glasset i en forvarmet kofordamper under et vakuum lavere enn 5 ganger 10 til minus 6 torr.Sett temperaturene i indium-, gallium- og selens effusjonscellene som gir avsetningshastigheter på henholdsvis 2,5, 1,3 og 15 angstrom per sekund. Kontroller avsetningshastighetene ved hjelp av kvartskrystallmikrovektsteknikken. Begynn å levere indium, gallium og selen på det molybdenbelagte glasset for å danne et en-mikrometertykt indium-gallium-selen-selen forløperlag ved en substrattemperatur på 450 grader Celsius.Etter 15 minutter, stopp indium- og galliumforsyningene og øk substrattemperaturen til 550 grader Celsius. Deretter begynner å levere kobber på indium-gallium-selen-selen forløperen og fortsette til kobber-til-indium + gallium komposisjonsforholdet av filmen når 1,15. Slutt å levere kobber og fordampe indium og gallium igjen med samme avsetningshastigheter som den første fasen for å danne en ca 2-mikrometer-tykk CIGS film med en kobber-til-indium + gallium komposisjonsforhold på 0,9.Opprettholde selen deponering rate og substrat temperatur på 15 angstroms per sekund og 550 grader Celsius, henholdsvis. For å sikre en fullstendig reaksjon, anneal den avseponerte CIGS-filmen under omgivelsesselen i 5 minutter ved en substrattemperatur på 550 grader Celsius. Reduser substrattemperaturen til 450 grader Celsius under omgivelsesselen, og loss deretter CIGS deponert substrat når substrattemperaturen er under 250 grader Celsius.Forbered en kadmiumsulfidreaksjonsbadløsning i et 250 milliliter beger, ved å tilsette deionisert vann, kadmiumacetatdihydrat, tiourea og ammoniumacetat. Rør løsningen i flere minutter til homogen. Tilsett 3 milliliter ammoniumhydroksid til badeløsningen og rør i 2 minutter.Deretter plasserer DU CIGS-prøven i reaksjonsbadløsningen ved hjelp av en Teflon-prøveholder. Plasser reaksjonsbadet i et varmtvannsbad, vedlikeholdt ved 65 grader Celsius. Rør reaksjonsbadløsningen ved 200 o/min under avsetningsprosessen, slik at reaksjonen kan fortsette i 20 minutter for å generere et ca. 70-80 nanometer kadmiumsulfidbufferlag på CIGS.Etter reaksjonen, fjern prøven fra reaksjonsbadet, vask med en strøm av deionisert vann og tørk med nitrogengass. Anneal prøven på 120 grader Celsius i 30 minutter på en forvarmet kokeplate. Forbered en 1 mg per milliliter sølv nanowire dispersjon ved å blande 90 milliliter etanol med 1 milliliter av en 20-milligram per milliliter etanowire-basert sølv nanowire dispersjon.Hell 0,2 milliliter av den fortynnede sølv nanowire dispergering på en kadmiumsulfid CIGS prøve, for å dekke hele overflaten, og rotere prøven ved 1000 RPM i 30 sekunder. Etter dette, spin-coat sølv nanowires 3 ganger. Etter spin-belegg, anneal prøven på 120 grader Celsius i 5 minutter på en forvarmet kokeplate.Forbered en ny kadmiumsulfidreaksjonsbadløsning som tidligere beskrevet. Deponer kadmiumsulfid som tidligere beskrevet, bortsett fra endre reaksjonstiden, etter behov. Nå karakteriserer overflaten morfologi av kadmiumsulfidbelagte sølv nanoledninger av optisk mikroskopi.Mål solcelleytelse ved hjelp av en strømspenningskilde utstyrt med en solsimulator. Lagstrukturene til CIGS-solcellene med standard aluminium-dopet sinkoksid på iboende sinkoksid og sølv nanowire nettverk gjennomsiktig ledende elektroder er vist her. Det andre kadmiumsulfidlaget kan selektivt deponeres på nanoskalagapet for å skape en stabil elektrisk kontakt.Tverrsnittsoverføring elektron mikroskopi bilder, langs den andre kadmium sulfid lag, deponert på sølv nanowire nettverk på kadmium sulfid CIGS struktur, og over den andre kadmium sulfid lag avsekom på sølv nanowire nettverk, er vist her. Det andre kadmiumsulfidlaget er jevnt avseponert på overflaten av sølvnanowirene og kadmiumlaget på kjerneskallet sølv nanowire struktur produseres. Det andre kadmiumsulfidlaget fyller lufthullene mellom kadmiumbufferen og sølvnanowirelagene, og stabil elektrisk kontakt oppnås.Enhetens ytelse av en CIGS tynnfilm solcelle med nakne sølv nanowires, og kadmiumsulfidlaget på kjerneskallet sølv nanowire gjennomsiktig ledende elektroder er vist her. På grunn av ustabil elektrisk kontakt har cellen med nakne sølv nanowires dårlig enhetsytelse. Deponering av et andre kadmiumlag forbedrer celleytelsen betydelig.Det viktigste trinnet i vår protokoll er å dikte et nytt CdS-lag på sølv nanowire-nettverket. Divergerende tid kan optimaliseres ved å måle enhetens ytelse av CIGS tynnfilm solcelle. Vi foreslår en metode for å fremstille robust nanoskala elektrisk kontakt i CIGS-systemet.Vi tror vår metode kan brukes på andre solcellesystemer, som krever forbedring av elektriske kontaktegenskaper.

Research

JoVE Journal

Engineering

Fabrication of Robust Nanoscale Contact between a Silver Nanowire Electrode and CdS Buffer Layer in Cu(In,Ga)Se2 Thin-film Solar Cells

Polycrystalline Silicon Thin-film Solar cells with Plasmonic-enhanced Light-trapping

Polykrystallinsk silisium Thin-film solceller med plasmonic forbedret lys-fangst

One of major approaches to cheaper solar cells is reducing the amount of semiconductor material used for their fabrication and making cells thinner. To ...

Probing and Mapping Electrode Surfaces in Solid Oxide Fuel Cells

Sondering og kartlegging Elektrode Overflater i Solid Oxide Fuel Cells

Solid oxide fuel cells (SOFCs) are potentially the most efficient and cost-effective solution to utilization of a wide variety of fuels beyond hydrogen ...

Nanomoulding of Functional Materials, a Versatile Complementary Pattern Replication Method to Nanoimprinting

Nanomoulding av funksjonelle materialer, et allsidig Complementary Pattern Replication Metode for å Nanoimprinting

We describe a nanomoulding technique which  allows low-cost nanoscale patterning of functional materials, materials stacks  and full devices. Nanomoulding ...

Atom Probe Tomography Studies on the Cu(In,Ga)Se2 Grain Boundaries

Atom Probe Tomography Studies on the CuIn,GaSe2 Grain Boundaries

Atom Probe tomografi Studier på Cu (I, Ga) SE<sub&gt; 2</sub&gt; Grain Boundaries

Compared with the existent techniques, atom probe tomography is a unique technique able to chemically characterize the internal interfaces at the ...

Analysis of Contact Interfaces for Single GaN Nanowire Devices

Analyse av kontaktlinser grensesnitt for Single Gan nanowire Devices

Single GaN nanowire (NW) devices fabricated on SiO2 can exhibit  a strong degradation after annealing due to the  occurrence of void formation at the ...

Fabrication of Uniform Nanoscale Cavities via Silicon Direct Wafer Bonding

Fabrikasjon av ensartede nanoskala hulrom via silisium direkte wafer binding

Measurements of the heat capacity and superfluid fraction of confined 4He have been performed near the lambda transition using lithographically patterned ...

Making Record-efficiency SnS Solar Cells by Thermal Evaporation and Atomic Layer Deposition

Making Record-effektivitet SnS solceller av termisk fordampning og Atomic Layer Nedfall

Tin sulfide (SnS) is a candidate absorber material for Earth-abundant, non-toxic solar cells. SnS offers easy phase control and rapid growth by congruent ...

Ohmic Contact Fabrication Using a Focused-ion Beam Technique and Electrical Characterization for Layer Semiconductor Nanostructures

Ohmsk Kontakt Fabrication Ved hjelp av en Focused-ion Beam Teknikk og elektrisk karakterisering for Layer Semiconductor nanostrukturer

Layer semiconductors with easily processed two-dimensional (2D) structures exhibit indirect-to-direct bandgap transitions and superior transistor ...

Integration of Light Trapping Silver Nanostructures in Hydrogenated Microcrystalline Silicon Solar Cells by Transfer Printing

Integrering av Lys Overlappings sølv nanostrukturer i hydrogenert mikrokrystallinsk silisium solceller ved Transfer Printing

One of the potential applications of metal nanostructures is light trapping in solar cells, where unique optical properties of nanosized metals, commonly ...

A Fabrication Method for Highly Stretchable Conductors with Silver Nanowires

En Fabrication Metode for Meget tøyelig Ledere med sølv Nanowires

Stretchable electronics are identified as a key technology for electronic applications in the next generation. One of the challenges in fabrication of ...