Name: fabrication of robust nanoscale contact between a silver nanowire electrode and cds buffer layer in cu(in,ga)se2 thin-film solar cells
Uploaded: 2019-07-19T14:30:00
Description: Watch this Scientific Journal Video about Fabrication of Robust Nanoscale Contact between a Silver Nanowire Electrode and CdS Buffer Layer in CuIn,GaSe2 Thin-film Solar Cells at JoVE.com

Это исследование было поддержано Программой исследований и разработок Корейского института энергетических исследований (KIER) (B9-2411) и Программой фундаментальных научных исследований через Национальный исследовательский фонд Кореи (NRF), финансируемую Министерством Образование (Грант NRF-2016R1D1A1B03934840).

1. Подготовка мо покрытием стекла DC магнетрон распыления
<ol><li>Загрузите очищенные стеклянные субстраты в магнитрон ПОСТОЯННОГО тока и нагните их ниже 4 x 10-6 Торра.</li>
	<li>Поток Ar газа и установить рабочее давление до 20 mTorr.</li>
	<li>Включите плазму и увеличиваем мощность выхода постоянн...

<ol>
	<li>Lee, S., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Determination+of+the+lateral+collection+length+of+charge+carriers+for+silver-nanowire-electrode-based+Cu(In,Ga)Se2+thin-film+solar+cells.">Determination of the lateral collection length of charge carriers for silver-nanowire-electrode-based Cu(In,Ga)Se2 thin-film solar cells.</a> Solar Energy. 180, 519-523 (2019).</li><li>Langley, D., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Flexible+transparent+conductive+materials+based+on+silver+nanowire+networks:+a+review.">Flexible transparent conductive materials based on silver nanowire networks: a review.</a> Nanotechnology. 24 (45), 452001 (2013).</li><li>Chung, C. -. H., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Silver+nanowire+composite+window+layers+for+fully+solution-deposited+thin-film+photovoltaic+devices.">Silver nanowire composite window layers for fully solution-deposited thin-film photovoltaic devices.</a> Advanced Materials. 24 (40), 5499-5504 (2012).</li><li>Liu, C. -. H., Yu, X. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Silver+nanowire-based+transparent,+flexible,+and+conductive+thin+film.">Silver nanowire-based transparent, flexible, and conductive thin film.</a> Nanoscale Research Letters. 6 (1), (2011).</li><li>Yu, Z., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Highly+flexible+silver+nanowire+electrodes+for+shape-memory+polymer+light-emitting+diodes.">Highly flexible silver nanowire electrodes for shape-memory polymer light-emitting diodes.</a> Advanced Materials. 23 (5), 664-668 (2011).</li><li>Chung, C. -. H., Hong, K. -. H., Lee, D. -. K., Yun, J. H., Yang, Y. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Ordered+vacancy+compound+formation+by+controlling+element+redistribution+in+molecular-level+precursor+solution+processed+CuInSe2+thin+films.">Ordered vacancy compound formation by controlling element redistribution in molecular-level precursor solution processed CuInSe2 thin films.</a> Chemistry of Materials. 27 (21), 7244-7247 (2015).</li><li>Kim, A., Won, Y., Woo, K., Kim, C. -. H., Moon, J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Highly+transparent+low+resistance+ZnO/Ag+Nanowire/ZnO+composite+electrode+for+thin+film+solar+cells.">Highly transparent low resistance ZnO/Ag Nanowire/ZnO composite electrode for thin film solar cells.</a> ACS Nano. 7 (2), 1081-1091 (2013).</li><li>Singh, M., Jiu, J., Sugahara, T., Suganuma, K. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Thin-film+copper+indium+gallium+selenide+solar+cell+based+on+low-temperature+all-printing+process.">Thin-film copper indium gallium selenide solar cell based on low-temperature all-printing process.</a> ACS Applied Materials and Interfaces. 6 (18), 16297-16303 (2014).</li><li>Kim, A., Won, Y., Woo, K., Jeong, S., Moon, J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=All-solution-processed+indium-free+transparent+composite+electrodes+based+on+Ag+Nanowire+and+Metal+Oxide+for+thin-film+solar+cells.">All-solution-processed indium-free transparent composite electrodes based on Ag Nanowire and Metal Oxide for thin-film solar cells.</a> Advanced Functional Materials. 24 (17), 2462-2471 (2014).</li><li>Shin, D., Kim, T., Ahn, B. T., Han, S. M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Solution-processed+Ag+Nanowires+++PEDOT:PSS+hybrid+electrode+for+Cu(In,Ga)Se2+thin-film+solar+cells.">Solution-processed Ag Nanowires + PEDOT:PSS hybrid electrode for Cu(In,Ga)Se2 thin-film solar cells.</a> ACS Applied Materials and Interfaces. 7 (24), 13557-13563 (2015).</li><li>Wang, M., Choy, K. -. L. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=All-nonvacuum-processed+CIGS+solar+cells+using+scalable+Ag+NWs/AZO-based+transparent+electrodes.">All-nonvacuum-processed CIGS solar cells using scalable Ag NWs/AZO-based transparent electrodes.</a> ACS Applied Materials and Interfaces. 8 (26), 16640-16648 (2016).</li><li>Jang, J., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Cu(In,Ga)Se2+thin+film+solar+cells+with+solution+processed+silver+nanowire+composite+window+layers:+buffer/window+junctions+and+their+effects.">Cu(In,Ga)Se2 thin film solar cells with solution processed silver nanowire composite window layers: buffer/window junctions and their effects.</a> Solar Energy Materials and Solar Cells. 170, 60-67 (2017).</li><li>Chung, C. -. H., Bob, B., Song, T. -. B., Yang, Y. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Current-voltage+characteristics+of+fully+solution+processed+high+performance+CuIn(S,Se)2+solar+cells:+crossover+and+red+kink.">Current-voltage characteristics of fully solution processed high performance CuIn(S,Se)2 solar cells: crossover and red kink.</a> Solar Energy Materials and Solar Cells. 120, 642-646 (2014).</li><li>Lee, S., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Robust+nanoscale+contact+of+silver+nanowire+electrodes+to+semiconductors+to+achieve+high+performance+chalcogenide+thin+film+solar+cells.">Robust nanoscale contact of silver nanowire electrodes to semiconductors to achieve high performance chalcogenide thin film solar cells.</a> Nano Energy. 53, 675-682 (2018).</li></ol>

Обратите внимание, что время осаждения2-го слоя CdS должно быть оптимизировано для достижения оптимальной производительности ячейки. По мере увеличения времени осаждения толщина2-го слоя CdS увеличивается, и, следовательно, электрический контакт улучшится. Однако дальнейшее ?...

Серебряные нанопроводные (AgNW) сети были широко изучены в качестве альтернативы оксида огния индиум (ITO) прозрачного проведения тонких пленок из-за их преимущества по сравнению с обычными прозрачными провода оксидов (TCOs) с точки зрения более низкой стоимости обработки и лучше механическая гибкость. Решение обработанных agNW сети прозрачных проводящих электродов (TCEs), таким образом, были использованы в Cu (In,Ga)Se2 (CIGS) тонкопленочных солнечных элементов1,2,3,4,5 , 6. Решения обработанных AgNW TCEs, как правило, изготовлены в виде встроенных-AgNW или сэндвич-AgNW структур в проводящих матрицы, такие как PEDOT:PSS, ITO, ЗНО, и т.д.7,8,9, 10,11 Матричные слои могут повысить, что сбор носителей заряда присутствует в пустых пространствах сети AgNW.
Тем не менее, матричные слои могут генерировать межлицевые дефекты между матричным слоем и базовым буферным слоем CdS в тонкопленочных солнечных элементах CIGS12,13. Межфамальные дефекты часто вызывают излом в текущей плотности напряжения (J-V) кривой, в результате чего низкий коэффициент заполнения (FF) в ячейке, что вредно для производительности солнечных батарей. Ранее мы сообщали о методе решения этой проблемы путем выборочного депонирования дополнительного тонкого слоя CdS(2-й слой CdS) между AgNWs и буферным слоем CdS14. Включение дополнительного слоя CdS повысило контактные свойства на стыке слоев AgNW и CdS. В результате, коллекция перевозчиков в сети AgNW была значительно улучшена, а производительность ячейки была улучшена. В этом протоколе мы описываем экспериментальную процедуру изготовления надежного электрического контакта между сетью AgNW и буферным слоем CdS с помощью2-го слоя CdS в тонкопленочных солнечных элементах CIGS.

<table border="0" cellpadding="0" cellspacing="0" style="width:616px;" width="617">
	<tbody>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">Mo</td>
			<td style="width:115px;">Materion</td>
			<td style="width:119px;">Purity: 3N5</td>
			<td style="width:167px;">Mo sputtering</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">Cu</td>
			<td style="width:115px;">5N Plus</td>
			<td style="width:119px;">Purity: 4N7</td>
			<td>CIGS deposition</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">In</td>
			<td style="width:115px;">5N Plus</td>
			<td style="width:119px;">Purity: 5N</td>
			<td>CIGS deposition</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">Ga</td>
			<td style="width:115px;">5N Plus</td>
			<td style="width:119px;">Purity: 5N</td>
			<td>CIGS deposition</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">Se</td>
			<td style="width:115px;">5N Plus</td>
			<td style="width:119px;">Purity: 5N</td>
			<td>CIGS deposition</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">Ammonium acetate</td>
			<td style="width:115px;">Alfa Aesar</td>
			<td style="width:119px;">11599</td>
			<td>CdS reaction solution</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">Ammonium hydroxide</td>
			<td style="width:115px;">Alfa Aesar</td>
			<td style="width:119px;">L13168</td>
			<td>CdS reaction solution</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">Cadmium acetate dihydrate</td>
			<td style="width:115px;">Sigma-Aldrich</td>
			<td style="width:119px;">289159</td>
			<td>CdS reaction solution</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">Thiourea</td>
			<td style="width:115px;">Sigma-Aldrich</td>
			<td style="width:119px;">T8656</td>
			<td>CdS reaction solution</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">Silver Nanowire</td>
			<td style="width:115px;">ACSMaterial</td>
			<td style="width:119px;">AgNW-L30</td>
			<td>AgNW dispersion</td>
		</tr>
	</tbody>
</table>

fabrication of robust nanoscale contact between a silver nanowire electrode and cds buffer layer in cu(in,ga)se2 thin-film solar cells

Серебряные нанопроводпрозрачные электроды были использованы в качестве оконных слоев для Cu(In,Ga)Se2 тонкопленочных солнечных элементов. Голые серебряные электроды нанопровода обычно приводят к очень плохой производительности клеток. Встраивание или зажатие серебряных нанопроводов с использованием умеренно проводящих прозрачных материалов, таких как оксид огния индиум или оксид цинка, может улучшить производительность клеток. Однако матричные слои, обработанные решением, могут вызвать значительное количество межфамальных дефектов между прозрачными электродами и буфером CDS, что в конечном итоге может привести к низкой производительности клеток. Данная рукопись описывает, как изготовить надежный электрический контакт между серебряным электродом нанопровода и базовым буферным слоем CdS в солнечной ячейке Cu(In,Ga)Se 2, что позволяет высокой производительности клеток с помощью матрично-свободного серебра нанопровода прозрачным Электроды. Матрично-свободный серебряный нанопровод электрод, изготовленный нашим методом, доказывает, что способность зарядного носителя сбора серебряных нанопроводных электродов так же хороша, как и у стандартных ячеек с распыленными Зно:Аль/и-зоно до тех пор, пока серебряные нанопроводы и CdS имеют высококачественный электрический контакт. Высококачественный электрический контакт был достигнут путем внесения дополнительного слоя CdS тонких, как 10 нм на поверхность серебряного нанопровода.

Структуры слоя солнечных элементов CIGS с (а) стандартным зно:Аль/и-Зоно и b) AgNW TCE показаны на рисунке 3. Поверхностная морфология CIGS грубая, и между слоем AgNW и базовым буферным слоем CdS может образовываться наноразмерный разрыв. Как подчеркивается на рисун?...

Watch this Scientific Journal Video about Fabrication of Robust Nanoscale Contact between a Silver Nanowire Electrode and CdS Buffer Layer in CuIn,GaSe2 Thin-film Solar Cells at JoVE.com

Fabrication of Robust Nanoscale Contact between a Silver Nanowire Electrode and CdS Buffer Layer in CuIn,GaSe2 Thin-film Solar Cells

В этом протоколе мы описываем детальную экспериментальную процедуру изготовления надежного наномасштабного контакта между серебряной нанопроводной сетью и буферным слоем CdS в тонкопленочной солнечной ячейке CIGS.

Изготовление Robust Nanoscale Контакт между Серебряный Nanowire Электрод и CdS буфер слоя в Cu (In,Ga)Se2 Тонкопленочные солнечные клетки

Silver nanowire transparent electrodes have been employed as window layers for Cu(In,Ga)Se2 thin-film solar cells. Bare silver nanowire electrodes ...

Серебряные сети нанопроводов являются новой технологией для замены традиционных прозрачных проводящих оксидов в тонкой пленке применения солнечных элементов. Тем не менее, электрический контакт с базовым слоем был проблемой. Наш протокол представляет её простой метод обработки для повышения электрического контактного свойства между серебряной сетью нанопроводов и базовым буферным слоем CdS в тонкопрудных солнечных батареях CIGS.Наш метод является очень простым, воспроизводимым и дешевым процессом, основанным на решении. Он также сопоставим с существующим процессом на основе решений, чтобы изготовить CIGS тонкой пленки солнечных элементов. Во-первых, нагрузка очищены стеклянные субстраты в DC магнетрон, и насос вниз, чтобы взорвать четыре раза 10 до минус шести торр.Поток аргон газа, и установить рабочее давление до 20 миллиторр. Включите плазму и увеличьте мощность выхода постоянного тока до трех киловатт. После предварительной распыления три минуты для очистки цели, начать осаждение молибдена, пока толщина молибдена пленки достигает примерно 350 нанометров.Затем установите рабочее давление до 15 миллиторов, сохраняя при этом выходную мощность на уровне 3 киловатт. Возобновление осаждения молибдена до тех пор, пока общая толщина молибдена не достигнет примерно 750 нанометров. Загрузите стекло с покрытием молибдена в разогретый со-испаритель под вакуумом ниже 5 раз в 10 до минус 6 торр.Установите температуру клеток выпота индия, галлия и селена, что даст скорость осаждения 2,5, 1,3 и 15 ангстремов в секунду, соответственно. Проверьте скорость осаждения с помощью техники микробаланса кристалла кварца. Начните поставлять сор, галлий и селен на стекло с покрытием молибдена, чтобы сформировать слой прекурсоров с 1 микрометром толщиной в 1 микрометр- индий-галлий-селен при температуре субстрата 450 градусов по Цельсию.Через 15 минут остановите запасы индиума и галлия и увеличьте температуру субстрата до 550 градусов по Цельсию. Затем начните поставлять медь на прекурсор индия-галлия-селена и продолжайте до тех пор, пока соотношение композиций меди к индиуму и галлию пленки не достигнет 1,15. Прекратите поставлять медь и снова испарите индий и галлий с теми же темпами осаждения, что и на первом этапе, чтобы сформировать примерно 2-микрометровую пленку CIGS с соотношением меди к индиуму-галлия 0,9.Поддержание скорости осаждения селена и температуры субстрата на уровне 15 ангстремов в секунду и 550 градусов по Цельсию, соответственно. Для того, чтобы обеспечить полную реакцию, аннеал отложенной пленки CIGS под окружающим селеном в течение 5 минут при температуре субстрата 550 градусов по Цельсию. Снижение температуры субстрата до 450 градусов по Цельсию под окружающим селеном, а затем выгрузить субстрат CIGS, когда температура субстрата ниже 250 градусов по Цельсию.Приготовьте раствор кадмия сульфидной реакции ванны в стакане 250 миллилитров, добавив деионизированную воду, дигидрат ацетата кадмия, тиурею и ацетат аммония. Перемешать раствор в течение нескольких минут, пока однородно. Добавьте 3 миллилитров гидроксида аммония в раствор ванны и перемешайте в течение 2 минут.Затем поместите образец CIGS в раствор реакционной ванны с помощью держателя образца тефлона. Поместите ответную ванну в водяную тепловую ванну, поддерживаемую при температуре 65 градусов по Цельсию. Перемешать раствор реакционной ванны при 200 об/мин во время процесса осаждения, позволяя реакции продолжать в течение 20 минут, чтобы генерировать примерно 70-80 нанометровый буферный слой кадмия сульфида на CIGS.После реакции удалите образец из реакционной ванны, вымойте потоком деионизированной воды и высушите азотным газом. Аннеал образец при 120 градусах по Цельсию в течение 30 минут на разогретой плите. Подготовка 1 миллиграмм на миллилитр серебра нанопровод дисперсии путем смешивания 90 миллилитров этанола с 1 миллилитр 20-миллиграмм на миллилитр этанола основе серебра nanowire дисперсии.Налейте 0,2 миллилитров разбавленной нанопроводной дисперсии серебра на образец сульфида кадмия CIGS, чтобы покрыть всю поверхность, и поверните образец при 1000 об/мин в течение 30 секунд. После этого, спин-пальто серебряные нанопроводы 3 раза. После спин-покрытие, anneal образец при 120 градусов по Цельсию в течение 5 минут на разогретой плите.Подготовь новый раствор реакционной ванны кадмия сульфида, как описано ранее. Депозит сульфида кадмия, как описано ранее, за исключением изменения времени реакции, по мере необходимости. Теперь характеризуйте поверхностную морфологию серебряных нанопроводов с сульфидным покрытием кадмия оптической микроскопией.Измерьте производительность солнечных батарей с помощью текущего источника напряжения, оснащенного солнечным тренажером. Здесь показаны структуры слоя солнечных элементов CIGS со стандартным оксидом цинка с алюминиевым оксидом на внутренней оксиде цинка и прозрачными проводящими электродами сети нанопроводов. Второй слой сульфида кадмия может быть выборочно отложен на наномасштабный зазор для создания стабильного электрического контакта.Здесь показаны поперечные изображения электронной микроскопии передачи, вдоль второго сульфидного слоя кадмия, отложенного на сети нанопроводов серебра на структуре кадмия сульфида CIGS, а также через второй слой сульфида кадмия, депонированный на сети нанопроводов серебра. Второй сульфидный слой кадмия равномерно откладывается на поверхности серебряных нанопроводов, а на основе корпуса серебра производится слой кадмия. Второй слой сульфида кадмия заполняет воздушные зазоры между буфером кадмия и слоями нанопровода серебра, и достигается стабильный электрический контакт.Здесь показана производительность устройства тонкоп пленкой cigS солнечной батареи с голыми серебряными нанопроводами, а также слой сульфида кадмия на прозрачном электропроводе серебристого нанопровода. Из-за нестабильного электрического контакта ячейка с голыми серебряными нанопроводами имеет плохую производительность устройства. Депозиция второго кадмия значительно повышает производительность клетки.Самый важный шаг в нашем протоколе заключается в изготовлении второго слоя CdS на сети нанопроводов серебра. Разное время может быть оптимизировано путем измерения производительности устройства тонкой пленки cigS солнечных элементов. Мы предлагаем метод изготовления надежного наномасштабного электрического контакта в системе CIGS.Мы считаем, что наш метод может быть применен к другим системам солнечных батарей, которые требуют повышения электрических контактных свойств.

Research

JoVE Journal

Engineering

Fabrication of Robust Nanoscale Contact between a Silver Nanowire Electrode and CdS Buffer Layer in Cu(In,Ga)Se2 Thin-film Solar Cells

Polycrystalline Silicon Thin-film Solar cells with Plasmonic-enhanced Light-trapping

Поликристаллического кремния тонкопленочные солнечные элементы с Плазмонных повышенной световой захвата

One of major approaches to cheaper solar cells is reducing the amount of semiconductor material used for their fabrication and making cells thinner. To ...

Probing and Mapping Electrode Surfaces in Solid Oxide Fuel Cells

Исследование и картирование поверхности электродов в ТОТЭ

Solid oxide fuel cells (SOFCs) are potentially the most efficient and cost-effective solution to utilization of a wide variety of fuels beyond hydrogen ...

Nanomoulding of Functional Materials, a Versatile Complementary Pattern Replication Method to Nanoimprinting

Nanomoulding функциональных материалов, Универсальный дополнительный метод репликации Шаблон для Nanoimprinting

We describe a nanomoulding technique which  allows low-cost nanoscale patterning of functional materials, materials stacks  and full devices. Nanomoulding ...

Atom Probe Tomography Studies on the Cu(In,Ga)Se2 Grain Boundaries

Atom Probe Tomography Studies on the CuIn,GaSe2 Grain Boundaries

Атомного зонда томографии Исследования по Cu (In, Ga) Se<sub&gt; 2</sub&gt; Границам зерен

Compared with the existent techniques, atom probe tomography is a unique technique able to chemically characterize the internal interfaces at the ...

Analysis of Contact Interfaces for Single GaN Nanowire Devices

Анализ контактных интерфейсов для одиноких GaN нанопроволоки устройств

Single GaN nanowire (NW) devices fabricated on SiO2 can exhibit  a strong degradation after annealing due to the  occurrence of void formation at the ...

Fabrication of Uniform Nanoscale Cavities via Silicon Direct Wafer Bonding

Изготовление однородных наномасштабных полостей с помощью кремниевой прямой вафельной связи

Measurements of the heat capacity and superfluid fraction of confined 4He have been performed near the lambda transition using lithographically patterned ...

Making Record-efficiency SnS Solar Cells by Thermal Evaporation and Atomic Layer Deposition

Создание Записать-эффективность SNS солнечных батарей методом термического испарения и осаждения атомного слоя

Tin sulfide (SnS) is a candidate absorber material for Earth-abundant, non-toxic solar cells. SnS offers easy phase control and rapid growth by congruent ...

Ohmic Contact Fabrication Using a Focused-ion Beam Technique and Electrical Characterization for Layer Semiconductor Nanostructures

Токопроводящее Изготовление, используя технику сфокусированного ионного пучка и характеристик для Электрические слоя полупроводниковых наноструктур

Layer semiconductors with easily processed two-dimensional (2D) structures exhibit indirect-to-direct bandgap transitions and superior transistor ...

Integration of Light Trapping Silver Nanostructures in Hydrogenated Microcrystalline Silicon Solar Cells by Transfer Printing

Интеграция легкими прилипания Серебряные наноструктур в гидрогенизированное микрокристаллическая кремниевых солнечных элементов по трансферная печать

One of the potential applications of metal nanostructures is light trapping in solar cells, where unique optical properties of nanosized metals, commonly ...

A Fabrication Method for Highly Stretchable Conductors with Silver Nanowires

Метод изготовления высокорентабельных Эластичный проводников с серебром Нанопроволоки

Stretchable electronics are identified as a key technology for electronic applications in the next generation. One of the challenges in fabrication of ...