Name: fabrication of robust nanoscale contact between a silver nanowire electrode and cds buffer layer in cu(in,ga)se2 thin-film solar cells
Uploaded: 2019-07-19T14:30:00
Description: Watch this Scientific Journal Video about Fabrication of Robust Nanoscale Contact between a Silver Nanowire Electrode and CdS Buffer Layer in CuIn,GaSe2 Thin-film Solar Cells at JoVE.com

Denna forskning stöddes av den egna forsknings-och utvecklingsprogram av Korea Institute of Energy Research (KIER) (B9-2411) och den grundläggande forskningsprogram genom National Research Foundation of Korea (NRF) som finansieras av ministeriet för Utbildning (Grant NRF-2016R1D1A1B03934840).

1. beredning av Mo-belagt glas med DC Magnetron sputtring
<ol><li>Lasta rengjorda glas substrat i en DC-Magnetron och pumpa ner till under 4 x 10-6 torr.</li>
	<li>Flödes gasen och Ställ arbetstrycket på 20 mTorr.</li>
	<li>Slå på plasma och öka DC uteffekten till 3 kW.</li>
	<li>Efter pre-sputtring av 3 min för mål rengöring, börja Mo deposition tills Mo filmtjockleken når cirka 350 nm.</li>
	<li>Ställ arbetstrycket på 15 mTorr med bibehållen uteffekt (d.v.s. 3 kW).</li>
	<li>Återuppta Mo-ned...

<ol>
	<li>Lee, S., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Determination+of+the+lateral+collection+length+of+charge+carriers+for+silver-nanowire-electrode-based+Cu(In,Ga)Se2+thin-film+solar+cells.">Determination of the lateral collection length of charge carriers for silver-nanowire-electrode-based Cu(In,Ga)Se2 thin-film solar cells.</a> Solar Energy. 180, 519-523 (2019).</li><li>Langley, D., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Flexible+transparent+conductive+materials+based+on+silver+nanowire+networks:+a+review.">Flexible transparent conductive materials based on silver nanowire networks: a review.</a> Nanotechnology. 24 (45), 452001 (2013).</li><li>Chung, C. -. H., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Silver+nanowire+composite+window+layers+for+fully+solution-deposited+thin-film+photovoltaic+devices.">Silver nanowire composite window layers for fully solution-deposited thin-film photovoltaic devices.</a> Advanced Materials. 24 (40), 5499-5504 (2012).</li><li>Liu, C. -. H., Yu, X. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Silver+nanowire-based+transparent,+flexible,+and+conductive+thin+film.">Silver nanowire-based transparent, flexible, and conductive thin film.</a> Nanoscale Research Letters. 6 (1), (2011).</li><li>Yu, Z., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Highly+flexible+silver+nanowire+electrodes+for+shape-memory+polymer+light-emitting+diodes.">Highly flexible silver nanowire electrodes for shape-memory polymer light-emitting diodes.</a> Advanced Materials. 23 (5), 664-668 (2011).</li><li>Chung, C. -. H., Hong, K. -. H., Lee, D. -. K., Yun, J. H., Yang, Y. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Ordered+vacancy+compound+formation+by+controlling+element+redistribution+in+molecular-level+precursor+solution+processed+CuInSe2+thin+films.">Ordered vacancy compound formation by controlling element redistribution in molecular-level precursor solution processed CuInSe2 thin films.</a> Chemistry of Materials. 27 (21), 7244-7247 (2015).</li><li>Kim, A., Won, Y., Woo, K., Kim, C. -. H., Moon, J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Highly+transparent+low+resistance+ZnO/Ag+Nanowire/ZnO+composite+electrode+for+thin+film+solar+cells.">Highly transparent low resistance ZnO/Ag Nanowire/ZnO composite electrode for thin film solar cells.</a> ACS Nano. 7 (2), 1081-1091 (2013).</li><li>Singh, M., Jiu, J., Sugahara, T., Suganuma, K. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Thin-film+copper+indium+gallium+selenide+solar+cell+based+on+low-temperature+all-printing+process.">Thin-film copper indium gallium selenide solar cell based on low-temperature all-printing process.</a> ACS Applied Materials and Interfaces. 6 (18), 16297-16303 (2014).</li><li>Kim, A., Won, Y., Woo, K., Jeong, S., Moon, J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=All-solution-processed+indium-free+transparent+composite+electrodes+based+on+Ag+Nanowire+and+Metal+Oxide+for+thin-film+solar+cells.">All-solution-processed indium-free transparent composite electrodes based on Ag Nanowire and Metal Oxide for thin-film solar cells.</a> Advanced Functional Materials. 24 (17), 2462-2471 (2014).</li><li>Shin, D., Kim, T., Ahn, B. T., Han, S. M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Solution-processed+Ag+Nanowires+++PEDOT:PSS+hybrid+electrode+for+Cu(In,Ga)Se2+thin-film+solar+cells.">Solution-processed Ag Nanowires + PEDOT:PSS hybrid electrode for Cu(In,Ga)Se2 thin-film solar cells.</a> ACS Applied Materials and Interfaces. 7 (24), 13557-13563 (2015).</li><li>Wang, M., Choy, K. -. L. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=All-nonvacuum-processed+CIGS+solar+cells+using+scalable+Ag+NWs/AZO-based+transparent+electrodes.">All-nonvacuum-processed CIGS solar cells using scalable Ag NWs/AZO-based transparent electrodes.</a> ACS Applied Materials and Interfaces. 8 (26), 16640-16648 (2016).</li><li>Jang, J., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Cu(In,Ga)Se2+thin+film+solar+cells+with+solution+processed+silver+nanowire+composite+window+layers:+buffer/window+junctions+and+their+effects.">Cu(In,Ga)Se2 thin film solar cells with solution processed silver nanowire composite window layers: buffer/window junctions and their effects.</a> Solar Energy Materials and Solar Cells. 170, 60-67 (2017).</li><li>Chung, C. -. H., Bob, B., Song, T. -. B., Yang, Y. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Current-voltage+characteristics+of+fully+solution+processed+high+performance+CuIn(S,Se)2+solar+cells:+crossover+and+red+kink.">Current-voltage characteristics of fully solution processed high performance CuIn(S,Se)2 solar cells: crossover and red kink.</a> Solar Energy Materials and Solar Cells. 120, 642-646 (2014).</li><li>Lee, S., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Robust+nanoscale+contact+of+silver+nanowire+electrodes+to+semiconductors+to+achieve+high+performance+chalcogenide+thin+film+solar+cells.">Robust nanoscale contact of silver nanowire electrodes to semiconductors to achieve high performance chalcogenide thin film solar cells.</a> Nano Energy. 53, 675-682 (2018).</li></ol>

Observera att nedfalls tiden för 2nd CDS-skiktet måste optimeras för att uppnå optimal cell prestanda. När nedfall tiden ökar, tjockleken på 2nd CDS skiktet ökar, och därmed kommer den elektriska kontakten förbättras. Men ytterligare deposition av 2nd CDS skiktet kommer att resultera i ett tjockare skikt som minskar ljusabsorption, och enhetens effektivitet kommer att minska. Vi uppnådde den bästa cellen prestanda med 10 min av nedfall tid för 2nd CDS lager och fa...

Silvernanowire (AgNW) nätverk har studerats i stor utsträckning som ett alternativ till indium Tin Oxide (ITO) transparent bedriva tunna filmer på grund av deras fördelar jämfört med konventionella transparenta ledande oxider (TCOs) i form av lägre bearbetning kostnader och bättre mekanisk flexibilitet. Lösning-bearbetade AgNW nätverk transparenta ledande elektroder (TCEs) har således varit anställda i Cu (in, ga) se2 (CIGS) thin-film solceller1,2,3,4,5 , 6. lösning-bearbetade agnw tces är normalt tillverkas i form av inbäddade-agnw eller Sandwich-agnw strukturer i en ledande matris som PEDOT: PSS, Ito, ZnO, etc.7,8,9, 10,11 matrisen lagren kan förbättra att insamlingen av laddningsbärare som finns i de tomma utrymmena i agnw nätet.
Mat ris lagren kan emellertid generera mellanansiktsdefekter mellan mat ris skiktet och underliggande CDS-buffertlager i CIGS-tunnfilms-solceller12,13. De gränsskikts defekter orsakar ofta en kink i den nuvarande densitet-spänning (J-V) kurva, vilket resulterar i en låg fyllningsfaktor (FF) i cellen, vilket är skadligt för sol cells prestanda. Vi har tidigare rapporterat en metod för att lösa detta problem genom att selektivt deponera en extra tunn CdS lager (2nd CDS Layer) mellan agnws och CDs buffert Layer14. Införlivandet av en ytterligare CdS lager förstärkt kontaktegenskaper i korsningen mellan AgNW och CdS lager. Följaktligen har transportören i AgNW-nätverket förbättrats avsevärt och cell prestandan har förbättrats. I detta protokoll beskriver vi det experimentella förfarandet för att tillverka robust elektrisk kontakt mellan AgNW-nätverket och CdS-buffertlagret med hjälp av ett 2nd CDS-skikt i en CIGS-tunnfilms-solcell.

<table border="0" cellpadding="0" cellspacing="0" style="width:616px;" width="617">
	<tbody>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">Mo</td>
			<td style="width:115px;">Materion</td>
			<td style="width:119px;">Purity: 3N5</td>
			<td style="width:167px;">Mo sputtering</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">Cu</td>
			<td style="width:115px;">5N Plus</td>
			<td style="width:119px;">Purity: 4N7</td>
			<td>CIGS deposition</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">In</td>
			<td style="width:115px;">5N Plus</td>
			<td style="width:119px;">Purity: 5N</td>
			<td>CIGS deposition</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">Ga</td>
			<td style="width:115px;">5N Plus</td>
			<td style="width:119px;">Purity: 5N</td>
			<td>CIGS deposition</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">Se</td>
			<td style="width:115px;">5N Plus</td>
			<td style="width:119px;">Purity: 5N</td>
			<td>CIGS deposition</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">Ammonium acetate</td>
			<td style="width:115px;">Alfa Aesar</td>
			<td style="width:119px;">11599</td>
			<td>CdS reaction solution</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">Ammonium hydroxide</td>
			<td style="width:115px;">Alfa Aesar</td>
			<td style="width:119px;">L13168</td>
			<td>CdS reaction solution</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">Cadmium acetate dihydrate</td>
			<td style="width:115px;">Sigma-Aldrich</td>
			<td style="width:119px;">289159</td>
			<td>CdS reaction solution</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">Thiourea</td>
			<td style="width:115px;">Sigma-Aldrich</td>
			<td style="width:119px;">T8656</td>
			<td>CdS reaction solution</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">Silver Nanowire</td>
			<td style="width:115px;">ACSMaterial</td>
			<td style="width:119px;">AgNW-L30</td>
			<td>AgNW dispersion</td>
		</tr>
	</tbody>
</table>

fabrication of robust nanoscale contact between a silver nanowire electrode and cds buffer layer in cu(in,ga)se2 thin-film solar cells

Silvernanowire transparenta elektroder har använts som fönsterskikt för Cu (in, ga) se2 thin-film solceller. Kala silvernanowire-elektroder resulterar normalt i mycket dålig cell prestanda. Inbäddning eller sandwiching silvernanotrådar med måttligt ledande transparenta material, såsom indium tenn oxid eller zinkoxid, kan förbättra cellernas prestanda. De lösningsbehandlade mat ris lagren kan dock orsaka ett betydande antal interansiktsdefekter mellan genomskinliga elektroder och CdS-bufferten, vilket så småningom kan resultera i låga cell prestanda. Detta manuskript beskriver hur man fabricera robust elektrisk kontakt mellan en silvernanowire elektrod och den underliggande CdS buffertlagret i en Cu (i, ga) se2 solcell, vilket möjliggör hög cell prestanda med hjälp av Matrix-fri silvernanowire transparent Elektroder. Den Matrix-fri silvernanowire elektrod fabricerade av vår metod bevisar att laddning-Carrier insamling förmåga silver nanowire elektrod-baserade celler är lika bra som för standard celler med finfördelat ZNO: Al/i-ZNO så länge silvernanotrådar och CdS har elektrisk kontakt av hög kvalitet. Den högkvalitativa elektriska kontakten uppnåddes genom att deponera ett extra CdS-skikt så tunt som 10 nm på silvernanowire-ytan.

De skikt strukturer av CIGS solceller med (a) standard ZnO: Al/i-ZnO och (b) AgNW TCE visas i figur 3. Ytan morfologi av CIGS är grov, och ett nanoskala gap kan bildas mellan agnw skiktet och underliggande CDS buffertskiktet. Som lyfts fram i figur 3akan det 2nd -CDS-skiktet selektivt sättas in på nanoskalgapet för att skapa en stabil elektrisk kontakt. Den detaljerade förklaringen om bildandet av elektrisk kontak...

Watch this Scientific Journal Video about Fabrication of Robust Nanoscale Contact between a Silver Nanowire Electrode and CdS Buffer Layer in CuIn,GaSe2 Thin-film Solar Cells at JoVE.com

Fabrication of Robust Nanoscale Contact between a Silver Nanowire Electrode and CdS Buffer Layer in CuIn,GaSe2 Thin-film Solar Cells

I detta protokoll beskriver vi det detaljerade experimentella förfarandet för tillverkning av en robust nanoskalig kontakt mellan ett silvernanowire-nät och CdS-buffertlager i en CIGS-tunnfilms-solcell.

Tillverkning av robust Nanoscale kontakt mellan en Silvernanowire elektrod och CdS buffertskikt i Cu (i, ga) se2 thin-film solceller

Silver nanowire transparent electrodes have been employed as window layers for Cu(In,Ga)Se2 thin-film solar cells. Bare silver nanowire electrodes ...

Silver nanotrådsnätverk är en framväxande teknik för att ersätta traditionella transparenta ledande oxider i den tunna solcellsapplikationen. Den elektriska kontakten till det underliggande lagret har dock varit ett problem. Vårt protokoll är en enkel processmetod för att förstärka elektrisk kontakt egenskap mellan silver nanowire-nätverk och den underliggande CdS buffertskikt i CIGS thin-film solceller.Vår metod är en mycket enkel, reproducerbar, och billig lösningsbaserad process. Det är också jämförbart med den befintliga lösningsbaserade processen, att fabricera CIGS tunnfilmssolceller. Först ladda rengjorda glassubstrat i en DC magnetron, och pumpa ner för att blåsa fyra gånger 10 till minus sex torr.Flöde argon gas, och ställa arbetstrycket till 20 millitorr. Slå på plasman, och öka DC uteffekten till tre kilowatt. Efter pre-sputtering tre minuter för mål rengöring, börja molybden nedfall tills molybden filmen tjocklek når cirka 350 nanometer.Därefter ställer du in arbetstrycket på 15 millitorr, samtidigt som uteffekten bibehålls på 3 kilowatt. Återuppta molybdendepositionen tills den totala tjockleken på molybden når cirka 750 nanometer. Ladda det molybdenbelagda glaset i en förvärmd co-förångare under ett vakuum som är lägre än 5 gånger 10 till minus 6-torr.Ställ in temperaturerna hos cellerna indium, gallium och selenutgjutning som ger nedfallshastigheter på 2,5, 1,3 respektive 15 ångström per sekund. Kontrollera depositionshastigheterna med hjälp av kvartskristallmibalanstekniken. Börja att leverera indium, gallium och selen på molybden-belagda glaset för att bilda en en-mikrometer-tjock indium-gallium-selen föregångare skikt vid en substrattemperatur på 450 grader Celsius.Efter 15 minuter, stoppa indium och gallium leveranser och öka substrattemperaturen till 550 grader Celsius. Nästa, börja leverera koppar på indium-gallium-selen föregångare och fortsätta tills koppar-till-indium+gallium compositional förhållandet mellan filmen når 1,15. Sluta leverera koppar och avdunsta indium och gallium igen med samma depositionshastigheter som det första steget för att bilda en cirka 2-mikrometertjock CIGS-film med ett koppar-till-indium+galliumsammansättningsförhållande på 0,9.Bibehåll selendepositionshastigheten och substrattemperaturen vid 15 ångström per sekund respektive 550 grader Celsius. För att säkerställa en fullständig reaktion, glödg de deponerade CIGS film under omgivande selen i 5 minuter vid en substrat temperatur på 550 grader Celsius. Minska substrattemperaturen till 450 grader Celsius under omgivande selen, och sedan lossa CIGS deponerade substrat när substrat temperaturen är under 250 grader Celsius.Förbered en kadmiumsulfidreaktionsbadlösning i en 250 milliliter-bägare, genom att tillsätta avjoniserat vatten, kadmiumacetatdihydrat, tioourea och ammoniumacetat. Rör om lösningen i flera minuter tills homogen. Tillsätt 3 milliliter ammoniumhydroxid till badlösningen och rör om i 2 minuter.Därefter placerar CIGS provet i reaktionsbadlösningen med hjälp av en Teflon provhållare. Placera reaktionsbadet i ett vattenvärmebad, som underhålls vid 65 grader Celsius. Rör om reaktionsbadlösningen vid 200 RPM under nedfallsprocessen, vilket gör att reaktionen kan fortsätta i 20 minuter för att generera ett ca 70-80 nanometer kadmiumsulfidbuffertskikt på CIGS.Efter reaktionen, ta bort provet från reaktionsbadet, tvätta med ett flöde av avjoniserat vatten och torka med kvävegas. Glödg provet vid 120 grader Celsius i 30 minuter på en förvärmd värmeplatta. Förbered en 1-milligram-per-milliliter silver nanowire spridning genom att blanda 90 milliliter etanol med 1 milliliter av en 20-milligram-per-milliliter etanol-baserade silver nanowire spridning.Häll 0,2 milliliter av den utspädda silver nanotråd spridning på en kadmiumsulfid CIGS prov, för att täcka hela ytan, och rotera provet på 1000 RPM i 30 sekunder. Efter detta, spin-coat silver nanotrådar 3 gånger. Efter spinn-beläggning, glödg provet vid 120 grader Celsius i 5 minuter på en förvärmd värmeplatta.Förbered en ny kadmiumsulfid reaktion bad lösning som tidigare beskrivits. Deponera kadmiumsulfid som tidigare beskrivits, utom ändra reaktionstiden, vid behov. Nu, karakterisera ytan morfologi av kadmium sulfid-belagda silver nanotrådar av optisk mikroskopi.Mät solcellsprestanda med hjälp av en strömspänningskälla utrustad med en solsimulator. Skiktstrukturerna av CIGS solceller med standard aluminium-dopad zinkoxid på inneboende zinkoxid och silver nanotråd nätverk transparenta ledande elektroder visas här. Det andra kadmiumsulfidskiktet kan selektivt deponeras på gapet i nanoskala för att skapa en stabil elektrisk kontakt.Tvärsnittselektronmikroskopibilder, längs det andra kadmiumsulfidskiktet, som deponerats på silvernanotrådsnätverket på kadmiumsulfid-CIGS-strukturen, och över det andra kadmiumsulfidskiktet som deponeras på silvernanotrådsnätverket, visas här. Det andra kadmiumsulfidskiktet avsätts jämnt på ytan av silvernanotrådarna och kadmiumskiktet på core-shell silver nanotrådsstrukturen produceras. Det andra kadmiumsulfidskiktet fyller luftspalterna mellan kadmiumbufferten och silvernanotrådsskikten, och stabil elektrisk kontakt uppnås.Enhetens prestanda hos en CIGS-tunnfilmssolcell med nakna silvernanotrådar, och kadmiumsulfidskiktet på core-shell silver nanotråd transparenta ledande elektroder visas här. På grund av instabil elektrisk kontakt cellen med kala silver nanotrådar har dålig enhetsprestanda. Deposition av ett andra kadmiumskikt förhöjer i hög utavsättning av cellens prestanda.Det viktigaste steget i vårt protokoll är att fabricera ett andra CdS-lager på silver nanotrådsnätverket. Den avvikande tiden kan optimeras genom att mäta enhetsprestandan hos CIGS tunnfilmssolcell. Vi föreslår en metod för att fabricera robust nano-skala elektrisk kontakt i CIGS-systemet.Vi tror att vår metod kan tillämpas på andra solcellssystem, som kräver förbättring av elektriska kontaktegenskaper.

Research

JoVE Journal

Engineering

Fabrication of Robust Nanoscale Contact between a Silver Nanowire Electrode and CdS Buffer Layer in Cu(In,Ga)Se2 Thin-film Solar Cells

Polycrystalline Silicon Thin-film Solar cells with Plasmonic-enhanced Light-trapping

Polykristallina kisel tunnfilms-solceller med plasmoniska-enhanced Light-svällning

One of major approaches to cheaper solar cells is reducing the amount of semiconductor material used for their fabrication and making cells thinner. To ...

Probing and Mapping Electrode Surfaces in Solid Oxide Fuel Cells

Sondering och Mappa elektrodytorna i fast bränsleceller oxid

Solid oxide fuel cells (SOFCs) are potentially the most efficient and cost-effective solution to utilization of a wide variety of fuels beyond hydrogen ...

Nanomoulding of Functional Materials, a Versatile Complementary Pattern Replication Method to Nanoimprinting

Nanomoulding av funktionella material, en mångsidig Kompletterande Mönster replikering Metod för Nanoimprinting

We describe a nanomoulding technique which  allows low-cost nanoscale patterning of functional materials, materials stacks  and full devices. Nanomoulding ...

Atom Probe Tomography Studies on the Cu(In,Ga)Se2 Grain Boundaries

Atom Probe Tomography Studies on the CuIn,GaSe2 Grain Boundaries

Atom Probe Tomography Studies på Cu (In, Ga) Se-<sub&gt; 2</sub&gt; Korngränser

Compared with the existent techniques, atom probe tomography is a unique technique able to chemically characterize the internal interfaces at the ...

Analysis of Contact Interfaces for Single GaN Nanowire Devices

Analys av kontaktytor för ensamstående GaN Nanowire-enheter

Single GaN nanowire (NW) devices fabricated on SiO2 can exhibit  a strong degradation after annealing due to the  occurrence of void formation at the ...

Fabrication of Uniform Nanoscale Cavities via Silicon Direct Wafer Bonding

Tillverkning av enhetliga håligheter i nanoskala via Silicon Direct Wafer Bonding

Measurements of the heat capacity and superfluid fraction of confined 4He have been performed near the lambda transition using lithographically patterned ...

Making Record-efficiency SnS Solar Cells by Thermal Evaporation and Atomic Layer Deposition

Göra Record-effektivitet SNS solceller genom termisk avdunstning och Atomic Layer Deposition

Tin sulfide (SnS) is a candidate absorber material for Earth-abundant, non-toxic solar cells. SnS offers easy phase control and rapid growth by congruent ...

Ohmic Contact Fabrication Using a Focused-ion Beam Technique and Electrical Characterization for Layer Semiconductor Nanostructures

Resistiv Kontakta Fabrication Med hjälp av en fokuserad-ion Beam Teknik och elektrisk karakterisering för Layer Semiconductor nanostrukturer

Layer semiconductors with easily processed two-dimensional (2D) structures exhibit indirect-to-direct bandgap transitions and superior transistor ...

Integration of Light Trapping Silver Nanostructures in Hydrogenated Microcrystalline Silicon Solar Cells by Transfer Printing

Integration of Light fångst Silver nanostrukturer i Hydromikro Silicon solceller genom Transfer Tryck

One of the potential applications of metal nanostructures is light trapping in solar cells, where unique optical properties of nanosized metals, commonly ...

A Fabrication Method for Highly Stretchable Conductors with Silver Nanowires

En Fabrication Metod för Highly sträck ledare med Silver Nanotrådar

Stretchable electronics are identified as a key technology for electronic applications in the next generation. One of the challenges in fabrication of ...