Name: fabrication of robust nanoscale contact between a silver nanowire electrode and cds buffer layer in cu(in,ga)se2 thin-film solar cells
Uploaded: 2019-07-19T14:30:00
Description: Watch this Scientific Journal Video about Fabrication of Robust Nanoscale Contact between a Silver Nanowire Electrode and CdS Buffer Layer in CuIn,GaSe2 Thin-film Solar Cells at JoVE.com

Bu araştırma of-House araştırma ve geliştirme programı Kore Enerji Araştırma Enstitüsü (KıER) (B9-2411) ve temel bilim araştırma programı tarafından desteklenen Kore Ulusal Araştırma Vakfı (NRF) Bakanlığı tarafından finanse Eğitim (Grant NRF-2016R1D1A1B03934840).

1. DC magnetron püskürtme ile Mo-kaplı cam hazırlanması
<ol><li>Temizlenmiş cam substratlar bir DC magnetron içine yük ve aşağı 4 x 10-6 Torr aşağı pompa.</li>
	<li>Debi ar gazı ve çalışma basıncını 20 mTorr olarak ayarlayın.</li>
	<li>Plazma açın ve DC çıkış gücünü artırmak 3 kW.</li>
	<li>Hedef temizlik için 3 dakika ön-fışkırmadan sonra, Mo film kalınlığı yaklaşık 350 NM ulaştığında Mo biriktirme başlar.</li>
	<li>Aynı çıkış gücünü (örn. 3 kW) korur...

<ol>
	<li>Lee, S., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Determination+of+the+lateral+collection+length+of+charge+carriers+for+silver-nanowire-electrode-based+Cu(In,Ga)Se2+thin-film+solar+cells.">Determination of the lateral collection length of charge carriers for silver-nanowire-electrode-based Cu(In,Ga)Se2 thin-film solar cells.</a> Solar Energy. 180, 519-523 (2019).</li><li>Langley, D., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Flexible+transparent+conductive+materials+based+on+silver+nanowire+networks:+a+review.">Flexible transparent conductive materials based on silver nanowire networks: a review.</a> Nanotechnology. 24 (45), 452001 (2013).</li><li>Chung, C. -. H., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Silver+nanowire+composite+window+layers+for+fully+solution-deposited+thin-film+photovoltaic+devices.">Silver nanowire composite window layers for fully solution-deposited thin-film photovoltaic devices.</a> Advanced Materials. 24 (40), 5499-5504 (2012).</li><li>Liu, C. -. H., Yu, X. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Silver+nanowire-based+transparent,+flexible,+and+conductive+thin+film.">Silver nanowire-based transparent, flexible, and conductive thin film.</a> Nanoscale Research Letters. 6 (1), (2011).</li><li>Yu, Z., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Highly+flexible+silver+nanowire+electrodes+for+shape-memory+polymer+light-emitting+diodes.">Highly flexible silver nanowire electrodes for shape-memory polymer light-emitting diodes.</a> Advanced Materials. 23 (5), 664-668 (2011).</li><li>Chung, C. -. H., Hong, K. -. H., Lee, D. -. K., Yun, J. H., Yang, Y. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Ordered+vacancy+compound+formation+by+controlling+element+redistribution+in+molecular-level+precursor+solution+processed+CuInSe2+thin+films.">Ordered vacancy compound formation by controlling element redistribution in molecular-level precursor solution processed CuInSe2 thin films.</a> Chemistry of Materials. 27 (21), 7244-7247 (2015).</li><li>Kim, A., Won, Y., Woo, K., Kim, C. -. H., Moon, J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Highly+transparent+low+resistance+ZnO/Ag+Nanowire/ZnO+composite+electrode+for+thin+film+solar+cells.">Highly transparent low resistance ZnO/Ag Nanowire/ZnO composite electrode for thin film solar cells.</a> ACS Nano. 7 (2), 1081-1091 (2013).</li><li>Singh, M., Jiu, J., Sugahara, T., Suganuma, K. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Thin-film+copper+indium+gallium+selenide+solar+cell+based+on+low-temperature+all-printing+process.">Thin-film copper indium gallium selenide solar cell based on low-temperature all-printing process.</a> ACS Applied Materials and Interfaces. 6 (18), 16297-16303 (2014).</li><li>Kim, A., Won, Y., Woo, K., Jeong, S., Moon, J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=All-solution-processed+indium-free+transparent+composite+electrodes+based+on+Ag+Nanowire+and+Metal+Oxide+for+thin-film+solar+cells.">All-solution-processed indium-free transparent composite electrodes based on Ag Nanowire and Metal Oxide for thin-film solar cells.</a> Advanced Functional Materials. 24 (17), 2462-2471 (2014).</li><li>Shin, D., Kim, T., Ahn, B. T., Han, S. M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Solution-processed+Ag+Nanowires+++PEDOT:PSS+hybrid+electrode+for+Cu(In,Ga)Se2+thin-film+solar+cells.">Solution-processed Ag Nanowires + PEDOT:PSS hybrid electrode for Cu(In,Ga)Se2 thin-film solar cells.</a> ACS Applied Materials and Interfaces. 7 (24), 13557-13563 (2015).</li><li>Wang, M., Choy, K. -. L. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=All-nonvacuum-processed+CIGS+solar+cells+using+scalable+Ag+NWs/AZO-based+transparent+electrodes.">All-nonvacuum-processed CIGS solar cells using scalable Ag NWs/AZO-based transparent electrodes.</a> ACS Applied Materials and Interfaces. 8 (26), 16640-16648 (2016).</li><li>Jang, J., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Cu(In,Ga)Se2+thin+film+solar+cells+with+solution+processed+silver+nanowire+composite+window+layers:+buffer/window+junctions+and+their+effects.">Cu(In,Ga)Se2 thin film solar cells with solution processed silver nanowire composite window layers: buffer/window junctions and their effects.</a> Solar Energy Materials and Solar Cells. 170, 60-67 (2017).</li><li>Chung, C. -. H., Bob, B., Song, T. -. B., Yang, Y. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Current-voltage+characteristics+of+fully+solution+processed+high+performance+CuIn(S,Se)2+solar+cells:+crossover+and+red+kink.">Current-voltage characteristics of fully solution processed high performance CuIn(S,Se)2 solar cells: crossover and red kink.</a> Solar Energy Materials and Solar Cells. 120, 642-646 (2014).</li><li>Lee, S., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Robust+nanoscale+contact+of+silver+nanowire+electrodes+to+semiconductors+to+achieve+high+performance+chalcogenide+thin+film+solar+cells.">Robust nanoscale contact of silver nanowire electrodes to semiconductors to achieve high performance chalcogenide thin film solar cells.</a> Nano Energy. 53, 675-682 (2018).</li></ol>

2ND CD katmanının biriktirme süresini en iyi hücre performansını elde etmek için optimize edilmelidir unutmayın. Biriktirme süresi arttıkça, 2ND CD katmanının kalınlığı artar ve sonuç olarak elektrik teması gelişecektir. Ancak, 2ND CD katmanının daha fazla birikimi ışık emilimini azaltan kalın bir tabakaya neden olacak ve cihaz verimliliği azalacak. 2ND CD katmanı için 10 dk birikme süresi ile en iyi hücre performansını elde ettik ve hücre veri...

Gümüş nanotel (agnw) ağlar kapsamlı bir alternatif olarak çalışılmıştır ındum kalay oksit (ITO) Şeffaf iletken ince filmler geleneksel Şeffaf iletken oksitler üzerinden avantajları nedeniyle (TCOS) düşük işlem maliyeti açısından ve daha iyi mekanik esneklik sağlar. Çözüm-işlenmiş AgNW ağ Şeffaf iletken elektrotlar (TCEs) böylece cu (ın, GA) se2 (cigs) ince film güneş hücreleri1,2,3,4,5 istihdam edilmiştir , 6. çözelti-işlenmiş agnw TCEs normalde gömülü-agnw veya sandviç-agnw yapıları PEDOT gibi iletken bir matris şeklinde imal edilmiştir: PSS, Ito, ZnO, vb7,8,9, 10,11 matris katmanları, ücret taşıyıcıları koleksiyonunun agnw ağının boş alanlarda bulunduğunu geliştirebilir.
Ancak, matris katmanları CIGS ince film güneş hücreleri12,13matris katmanı ve temel CDS tampon katmanı arasında arayüzey kusurları üretebilir. Arayüzey kusurları genellikle geçerli yoğunluk voltajında bir kink neden (J-V) eğrisi, düşük Dolgu faktörü sonuçlanan (FF) hücre, hangi güneş hücresi performansı için zararlı olan. Daha önce, AgNWs ve CdS arabellek katmanı14arasında ek bir ince CD katmanı (2ND CD katmanı) yatırarak bu sorunu çözmek için bir yöntem bildirdik. Ek bir CD katmanının birleştirilmesi, AgNW ve CD katmanları arasındaki kavşakta bulunan temas özelliklerini geliştirdi. Sonuç olarak, AgNW ağındaki taşıyıcı koleksiyonu büyük ölçüde iyileştirildi ve hücre performansı geliştirildi. Bu protokolde, biz bir CIGS ince film güneş hücresi 2ND CD katmanı kullanarak agnw ağ ve CD tampon katmanı arasında sağlam elektrik teması üretebilmek için deneysel prosedürü tarif.

<table border="0" cellpadding="0" cellspacing="0" style="width:616px;" width="617">
	<tbody>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">Mo</td>
			<td style="width:115px;">Materion</td>
			<td style="width:119px;">Purity: 3N5</td>
			<td style="width:167px;">Mo sputtering</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">Cu</td>
			<td style="width:115px;">5N Plus</td>
			<td style="width:119px;">Purity: 4N7</td>
			<td>CIGS deposition</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">In</td>
			<td style="width:115px;">5N Plus</td>
			<td style="width:119px;">Purity: 5N</td>
			<td>CIGS deposition</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">Ga</td>
			<td style="width:115px;">5N Plus</td>
			<td style="width:119px;">Purity: 5N</td>
			<td>CIGS deposition</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">Se</td>
			<td style="width:115px;">5N Plus</td>
			<td style="width:119px;">Purity: 5N</td>
			<td>CIGS deposition</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">Ammonium acetate</td>
			<td style="width:115px;">Alfa Aesar</td>
			<td style="width:119px;">11599</td>
			<td>CdS reaction solution</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">Ammonium hydroxide</td>
			<td style="width:115px;">Alfa Aesar</td>
			<td style="width:119px;">L13168</td>
			<td>CdS reaction solution</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">Cadmium acetate dihydrate</td>
			<td style="width:115px;">Sigma-Aldrich</td>
			<td style="width:119px;">289159</td>
			<td>CdS reaction solution</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">Thiourea</td>
			<td style="width:115px;">Sigma-Aldrich</td>
			<td style="width:119px;">T8656</td>
			<td>CdS reaction solution</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:216px;">Silver Nanowire</td>
			<td style="width:115px;">ACSMaterial</td>
			<td style="width:119px;">AgNW-L30</td>
			<td>AgNW dispersion</td>
		</tr>
	</tbody>
</table>

fabrication of robust nanoscale contact between a silver nanowire electrode and cds buffer layer in cu(in,ga)se2 thin-film solar cells

Gümüş nanotel şeffaf elektrotlar cu (ın, GA) se2 ince film güneş pilleri için pencere katmanları olarak istihdam edilmiştir. Çıplak gümüş nanotel elektrotlar normalde çok kötü hücre performansı neden. Indum kalay oksit veya çinko oksit gibi orta iletkenli şeffaf malzemeler kullanarak gümüş nanoteller katıştırma veya sandviç, hücre performansını artırabilir. Ancak, çözelti işlenmiş matris katmanları şeffaf elektrotlar ve CD tampon arasında önemli sayıda arayüzey kusurları neden olabilir, bu da sonunda düşük hücre performansına neden olabilir. Bu yazıda bir gümüş nanotel elektrot ve temel CD tampon katmanı arasında bir cu (ın, GA) se2 güneş hücresi arasında sağlam elektrik teması imal açıklar, matris içermeyen gümüş nanotel şeffaf kullanarak yüksek hücre performansı sağlayan Elektrot -lar. Bizim yöntemi tarafından imal matris ücretsiz gümüş nanotel elektrot gümüş nanotel elektrot tabanlı hücrelerin şarj taşıyıcı toplama yeteneği gibi iyi olduğunu kanıtlıyor standart hücreler olarak balonaklı ZNO: Al/i-ZNO uzun gümüş nanoteller ve CD 'Lerin yüksek kaliteli elektrik teması vardır. Yüksek kaliteli elektrik teması, gümüş nanotel yüzeyine 10 Nm kadar ince bir ek CD tabakası yatırarak elde edilmiştir.

CIGS güneş hücrelerinin katman yapıları (a) standart ZnO: Al/i-ZnO ve (b) AgNW TCE Şekil 3' te gösterilir. CIGS 'nin yüzey morfolojisi pürüzlü ve AgNW tabakası ile altta yatan CdS tampon katmanı arasında Nanoölçek boşluğu ortaya çıkarabilir. Şekil 3A'da vurgulanan 2ND CD katmanı, istikrarlı bir elektrik teması oluşturmak için nano ölçek boşluğu üzerine seçici olarak yatırılabilir. Elek...

Watch this Scientific Journal Video about Fabrication of Robust Nanoscale Contact between a Silver Nanowire Electrode and CdS Buffer Layer in CuIn,GaSe2 Thin-film Solar Cells at JoVE.com

Fabrication of Robust Nanoscale Contact between a Silver Nanowire Electrode and CdS Buffer Layer in CuIn,GaSe2 Thin-film Solar Cells

Bu protokolde, biz bir gümüş nanotel ağ ve CD tampon katmanı arasında bir CIGS ince film güneş hücresi arasında sağlam bir nano temas imalat için ayrıntılı deneysel prosedür açıklanmaktadır.

Gümüş Nanowire elektrot ve CD tampon katmanı arasında cu (ın, GA) se2 ince-film güneş pilleri arasında sağlam Nanoölçek temas imalatı

Silver nanowire transparent electrodes have been employed as window layers for Cu(In,Ga)Se2 thin-film solar cells. Bare silver nanowire electrodes ...

Gümüş nanofil ağları ince film güneş pili uygulamasında geleneksel şeffaf iletken oksitler yerine gelişmekte olan bir teknolojidir. Ancak, altta yatan katmana elektriksel temas bir sorun olmuştur. Protokolümüz gümüş nanowire ağ ve CIGS ince film güneş hücrelerinde altta yatan CdS tampon tabakası arasındaki elektriksel temas özelliğini geliştirmek için basit bir işlem yöntemidir.Yöntemimiz çok basit, tekrarlanabilir ve ucuz çözüm tabanlı bir süreçtir. Ayrıca mevcut çözüm tabanlı süreç ile karşılaştırılabilir, CIGS ince film güneş pilleri imal etmek. İlk olarak, temizlenmiş cam yüzeyleri dc magnetron'a yükleyin ve eksi altı torr'a dört kez 10 darbe yapmak için pompalayın.Akış argon gazı, ve 20 militorr çalışma basıncı ayarlayın. Plazmayı açın ve DC çıkış gücünü üç kilowatt'a çıkarın. Hedef temizleme için üç dakika önceden püskürttükten sonra, mobdenum film kalınlığı yaklaşık 350 nanometreye ulaşana kadar mobdenum birikimine başlayın.Daha sonra, çalışma basıncını 15 militorr'a ayarlayın, çıkış gücünü 3 kilowatt'ta korurken. Mobibdenum toplam kalınlığı yaklaşık 750 nanometre ulaşana kadar mobdenum birikimi devam edin. Mobibdenum kaplı camı, 5 kereden 10'dan eksi 6 torr'a kadar olan vakumun altında önceden ısıtılmış bir co-evaporatöre yükleyin.İndiyum, galyum ve selenyum efüzyon hücrelerinin sıcaklıklarını ayarlayın ve saniyede sırasıyla 2,5, 1,3 ve 15 angstrom birikimi elde edin. Kuvars kristal mikrodenge tekniğini kullanarak biriktirme oranlarını kontrol edin. 450 santigrat derecelik bir substrat sıcaklığında bir mikrometre kalınlığında indiyum-galyum-selenyum öncül tabakası oluşturmak için mobdenum kaplı cam üzerine indiyum, galyum ve selenyum kaynağı başlar.15 dakika sonra, indiyum ve galyum kaynaklarını durdurun ve substrat sıcaklığını 550 santigrat dereceye yükseltin. Daha sonra, indiyum-galyum-selenyum öncül üzerine bakır beslemeye başlar ve filmin bakır-to-indium+galyum kompozisyon oranı 1.15 ulaşana kadar devam eder. Bakır tedarik etmeyi bırakın ve indiyum ve galyumun buharlaşması, yaklaşık 2 mikrometre kalınlığında bir CIGS filmi oluşturmak için ilk aşamada0,9 bakır-to-indiyum+galyum kompozisyon oranı ile aynı biriktirme oranlarıyla tekrar buharlaştırın.Selenyum biriliş hızını ve substrat sıcaklığını saniyede 15 angstrom ve sırasıyla 550 santigrat derecede koruyun. Tam bir reaksiyon sağlamak için, 550 santigrat derece bir substrat sıcaklığında 5 dakika ortam selenyum altında yatırılan CIGS film anneal. Ortam selenyumaltında substrat sıcaklığını 450 dereceye düşürün ve substrat sıcaklığı 250 santigrat derecenin altında olduğunda CIGS biriken substratı boşaltın.Deiyonize su, kadmiyum asetat dihidrat, tiourea ve amonyum asetat ekleyerek, 250 mililitrelik bir kabın içinde kadmiyum sülfür reaksiyon banyosu çözeltisi hazırlayın. Homojen olana kadar çözeltiyi birkaç dakika karıştırın. Banyo çözeltisine 3 mililitre amonyum hidroksit ekleyin ve 2 dakika karıştırın.Daha sonra, BIR Teflon örnek tutucu kullanarak reaksiyon banyosu çözeltisi içine CIGS örnek yerleştirin. Bir su ısı banyosu içine reaksiyon banyo yerleştirin, 65 santigrat derece muhafaza. Biriktirme işlemi sırasında reaksiyon banyosu çözeltisini 200 RPM'de karıştırın ve reaksiyonun 20 dakika boyunca devam ederek CIGS'te yaklaşık 70-80 nanometrelik kadmiyum sülfür tampon tabakası oluşturmasını sağlar.Reaksiyondan sonra, reaksiyon banyosundan numuneyi çıkarın, deiyonize su akışı ile yıkayın ve azot gazı ile kurulayın. Önceden ısıtılmış bir ocakta 30 dakika boyunca 120 santigrat derecede numuneyi verin. 90 mililitre etanol ile mililitre lik 20 miligramlık etanol bazlı gümüş nanotel dağılıma 1 mililitre karıştırarak mililitre başına 1 miligram lık gümüş nanofon dağılımıhazırlayın.Tüm yüzeyi kapsayacak şekilde bir kadmiyum sülfür CIGS numunesi üzerine seyreltilmiş gümüş nanofon dağılımının 0,2 mililitresini dökün ve numuneyi 1000 RPM'de 30 saniye döndürün. Bunu takiben, gümüş nanoteller 3 kez spin-coat. Spin-kaplamadan sonra, numuneyi önceden ısıtılmış bir ocakta 5 dakika boyunca 120 derecede niçin ısıtın.Daha önce açıklandığı gibi yeni bir kadmiyum sülfür reaksiyon banyo çözeltisi hazırlayın. Mevduat kadmiyum sülfür daha önce açıklandığı gibi, reaksiyon süresini değiştirmek dışında, gerektiği gibi. Şimdi, optik mikroskopi ile kadmiyum sülfür kaplı gümüş nanotelleryüzey morfolojisi karakterize.Bir güneş simülatörü ile donatılmış bir akım gerilim kaynağı kullanarak güneş pili performansını ölçün. Cigs güneş hücrelerinin içsel çinko oksit ve gümüş nanofil ağ şeffaf iletken elektrotlar üzerinde standart alüminyum doped çinko oksit ile katman yapıları burada gösterilmiştir. İkinci kadmiyum sülfür tabakası, kararlı bir elektriksel temas oluşturmak için nanoölçekli boşluğa seçici olarak birikebilir.Kesitsel iletim elektron mikroskobu görüntüleri, kadmiyum sülfür CIGS yapısında gümüş nanoteller ağ üzerinde biriken ikinci kadmiyum sülfür tabakası boyunca ve gümüş nanowire ağ üzerinde biriken ikinci kadmiyum sülfür tabakası boyunca, burada gösterilmiştir. İkinci kadmiyum sülfür tabakası gümüş nanotellerin yüzeyinde düzgün bir şekilde birikir ve çekirdek kabuğu gümüş nanofon yapısındaki kadmiyum tabakası üretilir. İkinci kadmiyum sülfür tabakası kadmiyum tamponu ile gümüş nanonal tabakalar arasındaki hava boşluklarını doldurur ve kararlı elektriksel temas sağlanır.Çıplak gümüş nanoteller ile bir CIGS ince film güneş pili cihaz performansı, ve çekirdek kabuğu gümüş nanowire şeffaf iletken elektrotlar üzerinde kadmiyum sülfür tabakası burada gösterilmiştir. Kararsız elektriksel temas nedeniyle çıplak gümüş nanoteller ile hücre kötü cihaz performansı vardır. İkinci bir kadmiyum tabakasının birikimi hücre performansını büyük ölçüde artırır.Protokolümüzdeki en önemli adım gümüş nanoteller ağında ikinci bir CDS katmanı imal etmektir. Cigs ince film güneş pili cihaz performansını ölçerek farklı zaman optimize edilebilir. Biz CIGS sisteminde sağlam nano ölçekli elektrik selakaramı imal etmek için bir yöntem öneriyoruz.Yöntemimizin, elektriksel temas özelliklerinin geliştirilmesini gerektiren diğer güneş pili sistemlerine uygulanabileceğine inanıyoruz.

Research

JoVE Journal

Engineering

Fabrication of Robust Nanoscale Contact between a Silver Nanowire Electrode and CdS Buffer Layer in Cu(In,Ga)Se2 Thin-film Solar Cells

Polycrystalline Silicon Thin-film Solar cells with Plasmonic-enhanced Light-trapping

Plasmonic geliştirilmiş Işık-tutucu ile Polycrystalline Silikon İnce-film Solar hücreler

One of major approaches to cheaper solar cells is reducing the amount of semiconductor material used for their fabrication and making cells thinner. To ...

Probing and Mapping Electrode Surfaces in Solid Oxide Fuel Cells

Katı Oksit Yakıt Hücreleri Elektrot Yüzeyler Sondalama ve Haritalama

Solid oxide fuel cells (SOFCs) are potentially the most efficient and cost-effective solution to utilization of a wide variety of fuels beyond hydrogen ...

Nanomoulding of Functional Materials, a Versatile Complementary Pattern Replication Method to Nanoimprinting

Fonksiyonel Malzemelerin Nanomoulding, Nanoimprinting bir yönlü Tamamlayıcı Desen Çoğaltma Yöntemi

We describe a nanomoulding technique which  allows low-cost nanoscale patterning of functional materials, materials stacks  and full devices. Nanomoulding ...

Atom Probe Tomography Studies on the Cu(In,Ga)Se2 Grain Boundaries

Atom Probe Tomography Studies on the CuIn,GaSe2 Grain Boundaries

Cu Atom Probe Tomografi Çalışmaları (In, Ga) Se<sub&gt; 2</sub&gt; Tahıl Sınırları

Compared with the existent techniques, atom probe tomography is a unique technique able to chemically characterize the internal interfaces at the ...

Analysis of Contact Interfaces for Single GaN Nanowire Devices

Tek GaN Nanotel Cihazlar İletişim arabirimleri Analizi

Single GaN nanowire (NW) devices fabricated on SiO2 can exhibit  a strong degradation after annealing due to the  occurrence of void formation at the ...

Fabrication of Uniform Nanoscale Cavities via Silicon Direct Wafer Bonding

Silikon Doğrudan Gofret Yapıştırma ile Tek tip Nano ölçekli Boşlukların İmalatı

Measurements of the heat capacity and superfluid fraction of confined 4He have been performed near the lambda transition using lithographically patterned ...

Making Record-efficiency SnS Solar Cells by Thermal Evaporation and Atomic Layer Deposition

Termal Buharlaşma ve Atomik katman Biriktirme tarafından Record-verimlilik SNS Güneş Pilleri yapma

Tin sulfide (SnS) is a candidate absorber material for Earth-abundant, non-toxic solar cells. SnS offers easy phase control and rapid growth by congruent ...

Ohmic Contact Fabrication Using a Focused-ion Beam Technique and Electrical Characterization for Layer Semiconductor Nanostructures

Ohmik İletişim Fabrikasyon bir Odaklı iyon Işın Tekniği ve Elektriksel Karakterizasyonu Katmanı Yarıiletken Nanoyapıların için kullanma

Layer semiconductors with easily processed two-dimensional (2D) structures exhibit indirect-to-direct bandgap transitions and superior transistor ...

Integration of Light Trapping Silver Nanostructures in Hydrogenated Microcrystalline Silicon Solar Cells by Transfer Printing

Transfer Baskı ile Hidrojene Mikrokristal Silikon Güneş Pilleri Işık Yakalama Gümüş Nanoyapıların Entegrasyonu

One of the potential applications of metal nanostructures is light trapping in solar cells, where unique optical properties of nanosized metals, commonly ...

A Fabrication Method for Highly Stretchable Conductors with Silver Nanowires

Gümüş Nanotel ile son derece Gerilebilir İletkenler için bir Fabrikasyon Yöntemi

Stretchable electronics are identified as a key technology for electronic applications in the next generation. One of the challenges in fabrication of ...