Name: niobium oxide films deposited by reactive sputtering: effect of oxygen flow rate
Uploaded: 2019-09-28T14:30:00
Description: Watch this Scientific Journal Video about Niobium Oxide Films Deposited by Reactive Sputtering: Effect of Oxygen Flow Rate at JoVE.com

Работа была поддержана Фондом ампаро-де-Пескиса-ду-Эстадо де Сан-Паулу (FAPESP), Центр де Desenvolvimento де Materiais Cer'micos (CDMF- ФАПЕСП No 2013/07296-2, 2017/11072-3, 2013/09963-6 и 2017/18916-2). Особая благодарность профессору Максимо Сиу Ли за измерения PL.

1. Офорт и очистка подлодки
<ol><li>Используя систему нарезки стекла, сформируйте 2,5 х 2,5 см субстраты фтора тонкого оксида (FTO).</li>
	<li>Защитите часть поверхности подстилки тепловой лентой, оставляя 0,5 см одной стороны.</li>
	<li>Депозит небольшое количество порошка цинка (достаточно, чтобы покры?...

<ol>
	<li>Wasa, K., Kitabatake, M., Adachi, H. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=.">.</a> Thin film materials technology : sputtering of compound materials. , (2004).</li><li>Kelly, P. J., Arnell, R. D. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Magnetron+sputtering:+A+review+of+recent+developments+and+applications.">Magnetron sputtering: A review of recent developments and applications.</a> Vacuum. 56, 159-172 (2000).</li><li>Chen, W. -. C., Peng, C. Y., Chang, L. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Heteroepitaxial+growth+of+TiN+film+on+MgO+(100)+by+reactive+magnetron+sputtering.">Heteroepitaxial growth of TiN film on MgO (100) by reactive magnetron sputtering.</a> Nanoscale Research Letters. 9, 551 (2014).</li><li>Guo, Q. X., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Heteroepitaxial+growth+of+gallium+nitride+on+(+1+1+1+)+GaAs+substrates+by+radio+frequency+magnetron+sputtering.">Heteroepitaxial growth of gallium nitride on ( 1 1 1 ) GaAs substrates by radio frequency magnetron sputtering.</a> Journal of Crystal Growth. 239, 1079-1083 (2002).</li><li>Berg, S., Nyberg, T. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Fundamental+understanding+and+modeling+of+reactive+sputtering+processes.">Fundamental understanding and modeling of reactive sputtering processes.</a> Thin Solid films. (476), 215-230 (2005).</li><li>Wong, M. S., Sproul, W. D., Chu, X., Barnett, S. A. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Reactive+magnetron+sputter+deposition+of+niobium+nitride+films.">Reactive magnetron sputter deposition of niobium nitride films.</a> Journal Vacuum Science &amp; Technology A: Vacuum, Surfaces and Films. 11, 1528-1533 (2002).</li><li>Zoita, C. N., Braic, L., Kiss, A., Braic, M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Characterization+of+NbC+coatings+deposited+by+magnetron+sputtering+method.">Characterization of NbC coatings deposited by magnetron sputtering method.</a> Surface and Coatings Technology. 204, 2002-2005 (2010).</li><li>Nico, C., Monteiro, T., Gra&#231;a, M. P. F. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Niobium+oxides+and+niobates+physical+properties:+Review+and+prospects.">Niobium oxides and niobates physical properties: Review and prospects.</a> Progress in Materials Science. 80, 1-37 (2016).</li><li>Aegerter, M. A., Schmitt, M., Guo, Y. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Sol-gel+niobium+pentoxide+coatings:+Applications+to+photovoltaic+energy+conversion+and+electrochromism.">Sol-gel niobium pentoxide coatings: Applications to photovoltaic energy conversion and electrochromism.</a> International Journal of Photoenergy. 4, 1-10 (2002).</li><li>Fernandes, S. L., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Hysteresis+dependence+on+CH3NH3PbI3+deposition+method+in+perovskite+solar+cells.">Hysteresis dependence on CH3NH3PbI3 deposition method in perovskite solar cells.</a> Proceedings of SPIE - International Society for Optics and Photonics. 9936, 9936 (2016).</li><li>Fernandes, S. L., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Nb2O5hole+blocking+layer+for+hysteresis-free+perovskite+solar+cells.">Nb2O5hole blocking layer for hysteresis-free perovskite solar cells.</a> Materials Letters. 181, 103-107 (2016).</li><li>Hamada, K., Murakami, N., Tsubota, T., Ohno, T. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Solution-processed+amorphous+niobium+oxide+as+a+novel+electron+collection+layer+for+inverted+polymer+solar+cells.">Solution-processed amorphous niobium oxide as a novel electron collection layer for inverted polymer solar cells.</a> Chemical Physics Letters. 586, 81-84 (2013).</li><li>Aegerter, M. a. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Sol-gel+niobium+pentoxide:+A+promising+material+for+electrochromic+coatings,+batteries,+nanocrystalline+solar+cells+and+catalysis.">Sol-gel niobium pentoxide: A promising material for electrochromic coatings, batteries, nanocrystalline solar cells and catalysis.</a> Solar Energy Materials and Solar Cells. 68, 401-422 (2001).</li><li>Rani, R. A., Zoolfakar, A. S., O'Mullane, A. P., Austin, M. W., Kalantar-Zadeh, K. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Thin+films+and+nanostructures+of+niobium+pentoxide:+fundamental+properties,+synthesis+methods+and+applications.">Thin films and nanostructures of niobium pentoxide: fundamental properties, synthesis methods and applications.</a> Journal Materials Chemistry A. 2, 15683-15703 (2014).</li><li>Foroughi-Abari, A., Cadien, K. C. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Growth,+structure+and+properties+of+sputtered+niobium+oxide+thin+films.">Growth, structure and properties of sputtered niobium oxide thin films.</a> Thin Solid Films. 519, 3068-3073 (2011).</li><li>Numata, Y., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Nb-doped+amorphous+titanium+oxide+compact+layer+for+formamidinium-based+high+efficiency+perovskite+solar+cells+by+low-temperature+fabrication.">Nb-doped amorphous titanium oxide compact layer for formamidinium-based high efficiency perovskite solar cells by low-temperature fabrication.</a> Journal Materials Chemistry A. 6, 9583-9591 (2018).</li><li>Gra&#231;a, M. P. F., Meireles, A., Nico, C., Valente, M. A. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Nb2O5+nanosize+powders+prepared+by+sol-gel+-+Structure,+morphology+and+dielectric+properties.">Nb2O5 nanosize powders prepared by sol-gel - Structure, morphology and dielectric properties.</a> Journal of Alloys and Compounds. 553, 177-182 (2013).</li><li>Kogo, A., Numata, Y., Ikegami, M., Miyasaka, T. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Nb+2+O+5+Blocking+Layer+for+High+Open-circuit+Voltage+Perovskite+Solar+Cells.">Nb 2 O 5 Blocking Layer for High Open-circuit Voltage Perovskite Solar Cells.</a> Chemistry Letters. 44, 829-830 (2015).</li><li>Ueno, S., Fujihara, S. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Effect+of+an+Nb2O5+nanolayer+coating+on+ZnO+electrodes+in+dye-sensitized+solar+cells.">Effect of an Nb2O5 nanolayer coating on ZnO electrodes in dye-sensitized solar cells.</a> Electrochimica Acta. 56, 2906-2913 (2011).</li><li>Fernandes, S. L., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Exploring+the+Properties+of+Niobium+Oxide+Films+for+Electron+Transport+Layers+in+Perovskite+Solar+Cells.">Exploring the Properties of Niobium Oxide Films for Electron Transport Layers in Perovskite Solar Cells.</a> Frontiers in Chemistry. 7, 1-9 (2019).</li><li>Shirani, A., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Tribologically+enhanced+self-healing+of+niobium+oxide+surfaces.">Tribologically enhanced self-healing of niobium oxide surfaces.</a> Surface and Coatings Technology. 364, 273-278 (2014).</li><li>Yan, J., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Nb2O5/TiO2+heterojunctions:+Synthesis+strategy+and+photocatalytic+activity.">Nb2O5/TiO2 heterojunctions: Synthesis strategy and photocatalytic activity.</a> Applied Catalysis B: Environmental. 152 (1), 280-288 (2014).</li></ol>

Пленки оксида ниобия, подготовленные в этой работе, использовались в качестве электронного транспортного слоя в перовскитных солнечных элементах. Наиболее важной характеристикой, необходимой для электронного транспортного слоя, является предотвращение рекомбинации, блокирование о?...

Техника распыления широко используется для депонирования высококачественных пленок. Его основное применение в полупроводниковой промышленности, хотя он также используется в поверхностном покрытии для улучшения механических свойств, и отражающие слои1. Основным преимуществом распыления является возможность депонирования различных материалов на различных субстратах; хорошая воспроизводимость и контроль над параметрами осаждения. Техника распыления позволяет осаждения однородных пленок, с хорошей сливкой на больших площадях и при недорогой цене по сравнению с другими методами осаждения химических паров (CVD), молекулярной эпитаксии пучка (MBE) и осаждением атомного слоя (ALD) 1,2. Как правило, полупроводниковые пленки, отложенные при распылении, являются аморфными или поликристаллическими, однако, есть некоторые сообщения о росте эпитаксиального путем распыления3,4. Тем не менее, процесс распыления очень сложный и диапазон параметра широк5,поэтому для достижения высококачественных пленок для каждого материала необходимо хорошее понимание процесса и оптимизация параметров.
Есть несколько статей, сообщающих о осаждении оксида ниобия пленки распыления, а также ниобий нитрида6 и ниобия карбида7. Среди Nb-оксидов пентоксид ниобия (Nb2O5) является прозрачным, воздушно-стабильным и водорастворимым материалом, который обладает обширным полиморфизмом. Это n-тип полупроводника с диапазоном разрыв значения в диапазоне от 3,1 до 5,3 eV, давая эти оксиды широкий спектр приложений8,9,10,11,12,13 ,14,15,16,17,18,19. Nb2O5 привлек значительное внимание как перспективный материал, который будет использоваться в перовскитных солнечных элементах из-за его сопоставимой эффективности инъекций электрона и лучшей химической стабильности по сравнению с диоксидом титана (TiO2). Кроме того, разрыв полосы Nb2O5 может улучшить напряжение открытого контура (Voc) клеток14.
В этой работе Nb2O5 откладывался реактивным распылением при различных показателях потока кислорода. При низких уровнях потока кислорода проводимость пленок была увеличена без применения допинга, что вводит примеси в систему. Эти пленки использовались в качестве электронного транспортного слоя в перовскитных солнечных элементах, улучшая производительность этих элементов. Выяснилось, что уменьшение количества кислорода приводит к образованию кислородных вакансий, что повышает проводимость пленок, ведущих к солнечным клеткам с большей эффективностью.

<table>
	<tbody>
		<tr>
			<td>2-propanol</td>
			<td>Merck</td>
			<td>67-63-0</td>
			<td>solvent with maximum of 0.005% H2O</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>4-tert-butylpyridine</td>
			<td>Sigma Aldrich</td>
			<td>3978-81-2</td>
			<td>chemical with 96% purity</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>acetonitrile</td>
			<td>Sigma Aldrich</td>
			<td>75-05-8</td>
			<td>anhydrous solvent , 99.8% purity</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>bis(trifluoromethane)sulfonimide lithium salt</td>
			<td>Sigma Aldrich</td>
			<td>90076-65-6</td>
			<td>chemical with &#8805;99.95% purity</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>chlorobenzene</td>
			<td>Sigma Aldrich</td>
			<td>108-90-7</td>
			<td>anhydrous solvent , 99.8% purity</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>ethanol</td>
			<td>Sigma Aldrich</td>
			<td>200-578-6</td>
			<td>solvent</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Fluorine doped tin oxide (SnO2:F) glass substrate</td>
			<td>Solaronix</td>
			<td>TCO22-7/LI</td>
			<td>substrate to deposit films</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Kaptom tape</td>
			<td>Usinainfo</td>
			<td>04227</td>
			<td>thermal tape used to cover the substrates</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Kurt J Lesker magnetron sputtering system</td>
			<td>Kurt J Lesker</td>
			<td>------</td>
			<td>Sputtering equipment used to deposit compact films</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Lead (II) iodide</td>
			<td>Alfa Aesar</td>
			<td>10101-63-0</td>
			<td>PbI2 salt- 99.998% purity</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>methylammonium iodide</td>
			<td>Dyesol</td>
			<td>14965-49-2</td>
			<td>CH3NH3I salt</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>N2,N2,N2&#8242;,N2&#8242;,N7,N7,N7&#8242;,N7&#8242;-octakis (4-methoxyphenyl)-9,9&#8242;-spirobi [9H-fluorene]-2,2&#8242;,7,7&#8242;-tetramine</td>
			<td>Sigma Aldrich</td>
			<td>207739-72-8</td>
			<td>Spiro-OMeTAD salt, 99% purity</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Niobium target of 3&#8221;</td>
			<td>CBMM- Brazilian Metallurgy and Mining Company</td>
			<td>------</td>
			<td>niobium sputtering target used in the sputtering system</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>N-N dimethylformamide</td>
			<td>Merck</td>
			<td>68-12-2</td>
			<td>solvent with maximum of 0.003% H2O</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>TiO2 paste</td>
			<td>Dyesol</td>
			<td>DSL 30NR-D</td>
			<td>titanium dioxide paste</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>tris(2-(1H-pyrazol-1-yl)-4-tert-butylpyridine)cobalt(III) tri[bis(trifluoromethane)sulfonimide]</td>
			<td>Dyesol</td>
			<td>329768935</td>
			<td>FK 209 Co(III) TFSL salt</td>
		</tr>
	</tbody>
</table>

niobium oxide films deposited by reactive sputtering: effect of oxygen flow rate

Реактивный распыление является универсальным методом, используемым для формирования компактных пленок с отличной однородностью. Кроме того, это позволяет легко контролировать параметры осаждения, такие как скорость потока газа, что приводит к изменениям по составу и, таким образом, в пленке требуются свойства. В этом отчете реактивное распыление используется для депонирования оксидов ниобия. Цель ниобия используется в качестве источника металла и различных ставок потока кислорода для депонировании оксидов ниобия. Скорость потока кислорода была изменена с 3 до 10 скм. Пленки, отложенные при низких уровнях подачи кислорода, показывают более высокую электрическую проводимость и обеспечивают лучшие перовскитные солнечные элементы при использовании в качестве слоя электронного транспорта.

В системе распыления скорость осаждения сильно зависит от скорости потока кислорода. Скорость осаждения уменьшается при увеличении потока кислорода. Учитывая нынешние условия используемой целевой области и мощность плазмы, отмечается, что от 3 до 4 скм наблюдается выразительное сниже...

Watch this Scientific Journal Video about Niobium Oxide Films Deposited by Reactive Sputtering: Effect of Oxygen Flow Rate at JoVE.com

Niobium Oxide Films Deposited by Reactive Sputtering: Effect of Oxygen Flow Rate

Здесь мы представляем протокол для осаждения оксидов ниобия путем реактивного распыления с различными тарифами потока кислорода для использования в качестве электронного транспортного слоя в перовскитных солнечных элементах.

Ниобий оксида Пленки депонируется реактивного распыления: Влияние скорости кислородного потока

Reactive sputtering is a versatile technique used to form compact films with excellent homogeneity. In addition, it allows easy control over deposition ...

В методе реактивного распыления можно иметь тонкий контроль параметров, что позволяет депонировать дым оксида ниобия с различными стохиометрами и предпочтениями. Основным преимуществом этой техники является осаждение однородных паров с хорошей адгезией на больших площадях и при низкой себестоимости и низкой себестоимости производства. Важно обращать внимание на каждый шаг и не пропускать ни одного.Понимание того, как обращаться с оборудованием и окончательный внешний вид паров помогает достичь хорошего осаждения. Начните с защиты поверхности субстрата тепловой лентой, оставляя 0,5 см одной стороны открытой. Депозит достаточно цинка порошок для покрытия области, которые будут выгравированы на верхней части подвергаются фтора тонкого оксида.Затем медленно падение концентрированной соляной кислоты, пока все цинковый порошок потребляется реакции. Немедленно вымойте субстрат ионизированной водой. Удалите ленту.И sonicate субстрат с мылом в течение 15 минут, а затем два раза в воде, ацетон, и изопропанол алкоголя. После фиксации субстрата через металлическую маску тени, поместите субстрат в распыляемую камеру. После герметизации камеры запустите механический насос и включите турбо-молекулярный насос.Когда вакуум достигает 5 раз от 10 до отрицательных пяти торр, откройте систему охладителя воды и включите систему отопления субстрата. Установите температуру до 500 градусов по Цельсию, увеличиваясь на 100 градусов по Цельсию каждые пять минут, пока она не достигнет желаемого значения. Установите аргон до 40 SCCM, а кислород до трех стандартных кубических сантиметров в минуту.Ввести аргон в камеру. И установить давление в пять раз 10 до отрицательного три торра, и радиочастоты до 120 Вт. Включите радиочастоту.Используя поле impedance сопрягая для того чтобы настроить частоту по мере необходимости. Если плазма не начинается, увеличить давление медленно, пока она не достигнет в два раза 10 до отрицательных двух торр. Использование клапана ворот, который может быть открыт или закрыт, чтобы изменить скорость перекачки, чтобы установить давление.Держите плазму на 120 Вт в течение 10 минут, чтобы очистить цель ниобия и удалить любой слой оксида присутствует на его поверхности. После стабилизации ввемите кислород в камеру, установите мощность РФ до 240 Вт и откройте затвор субстрата. Запустите осаждение и установите время осаждения, чтобы достичь окончательной толщины 100 нанометров.Как только осаждение завершено, закройте затвор, выключите радиочастоту, закройте газы и уменьшите температуру субстрата. По мере того как температура субстрата достигает комнатной температуры, ввемите воздух для того чтобы восстановить окружающее давление перед отверстием камеры, и извлекать substrate. Для строительства солнечных батарей, защитить обе стороны субстрата с куском ленты и использовать спин пальто на 4000 оборотов в минуту в течение 30 секунд, чтобы депозит мезопорный слой диоксида титана на слой оксида ниобия.Затем поместите субстрат в духовку в соответствии с указанной последовательностью потепления. Когда печь достигнет комнатной температуры, используйте спиновое покрытие, чтобы отставить два слоя йодида свинца в слой диоксида титана при 6000 вращениях в минуту в течение 90 секунд. Размещение субстрата на горячей пластине или 70 градусов по Цельсию в течение 10 минут после каждого осаждения.После тепловой обработки, падение 300 миллилитров раствора йодида метиламмония на свинцовый йодид слоев и ждать 20 секунд, прежде чем спиннинг на 4000 оборотов в минуту в течение 30 секунд. В конце спина поместите субстрат на горячую тарелку в течение 10 минут при 100 градусах по Цельсию, прежде чем депонировать раствор Spiro OMetTAD поверх перовскитного слоя в спиновом пальто при 4000 вращениях в минуту в течение 30 секунд. Затем храните пленки в desiccator в воздухе на ночь, чтобы окисить Спиро OMetTAD.На следующее утро, поцарапать перовскит фильм разоблачить FTO. Используйте теневую маску для депонировать золотой контакт в испарительной машине со скоростью 0,2 ангстрема в секунду, пока толщина не достигнет пяти нанометров, прежде чем увеличить скорость до одного ангстрема в секунду, чтобы получить 17 нанометров золотого контакта. Затем ячейка готова к тестированию.В системе распыления скорость осаждения сильно зависит от скорости потока кислорода, уменьшаясь при увеличении потока кислорода. Например, с трех до четырех SCCM, есть выразительное снижение скорости осаждения. Когда кислород увеличен, от 4 до 10 SCCM однако тариф осаждения будет более менее pronounced.Сформированная фаза оксида ниобия зависит от скорости потока кислорода, а для потоков менее трех диоксида SCCM ниобий является основной фазой формирования. Для потоков, равных или выше 3,5 SCCM, объем кислорода слишком высок, чтобы генерировать диоксид ниобия. Вместо этого пентоксид ниобия наблюдается в качестве основной фазы.На снимках электронной микроскопии показаны нано-метрические сферические частицы пленок, депонированные в трех точках пять, четыре и 10 SCCM. В отличие от пленки, отложенной на три SCCM показывает листообразных частиц. Пленки, депонированные реактивным распылением в различных ставках потока кислорода, демонстрируют различные электрические свойства.Проводимость пленок увеличивается при использовании трех СКМ кислорода. При увеличении скорости потока кислорода до трех точки пять, четыре или 10 SCCM, снижение проводимости наблюдается. Производительность перовскитных солнечных элементов также зависит от используемого оксида ниобия.Как ячейка, сделанная с электронными слоями транспорта, отложенной в трех точках пять SCCM имеет лучшую производительность с самым высоким коротким течением замыкания. Не забудьте проверить, что все параметры правильно установлены перед началом осаждения пленок оксида ниобия. Пленки оксидов ниобия также может быть причиной того, что откладывая химические растворы.Тем не менее, металл не позволяет осаждения различных стоихиометрии. Является ли развитие частей, который анализирует, как проводимость паров оксида ниобия влияет на производительность перовскитных солнечных элементов. Позаботьтесь при использовании химических веществ для перовскитных осаждений и не забудьте следовать всем правилам лабораторной безопасности.

Research

JoVE Journal

Chemistry

Atomically Defined Templates for Epitaxial Growth of Complex Oxide Thin Films

Атомно шаблонов, для эпитаксиального роста сложного оксида тонких пленок

Atomically defined substrate surfaces are prerequisite for the epitaxial growth of complex oxide thin films. In this protocol, two approaches to obtain ...

Fabrication of Large-area Free-standing Ultrathin Polymer Films

Изготовление большой площади свободной стоя ультратонких полимерных пленок

This procedure describes a method for the fabrication of large-area and ultrathin free-standing polymer films.  Typically, ultrathin films are prepared ...

Unraveling Entropic Rate Acceleration Induced by Solvent Dynamics in Membrane Enzymes

Раскрытие Энтропическое Оценить ускорение, растворителем Dynamics в мембранных ферментов

Enzyme catalysis evolved in an aqueous environment. The influence of solvent dynamics on catalysis is, however, currently poorly understood and usually ...

Cooling Rate Dependent Ellipsometry Measurements to Determine the Dynamics of Thin Glassy Films

Охлаждение скоростью, зависящей эллипсометрии измерений для определения динамики тонких пленок стеклообразных

This report aims to fully describe the experimental technique of using ellipsometry for cooling rate dependent Tg (CR-Tg) experiments. These measurements ...

Preparation of Macroporous Epitaxial Quartz Films on Silicon by Chemical Solution Deposition

Подготовка МАКРОПОРИСТОГО эпитаксиальных пленок кварца на кремнии химический раствор осаждения

This work describes the detailed protocol for preparing piezoelectric macroporous epitaxial quartz films on silicon(100) substrates. This is a three-step ...

Dissolution Dynamic Nuclear Polarization Instrumentation for Real-time Enzymatic Reaction Rate Measurements by NMR

Растворение динамическая поляризация ядер Инструментарий в реальном времени ферментативной реакции Стоимость Измерения с помощью ЯМР

The main limitation of NMR-based investigations is low sensitivity. This prompts for long acquisition times, thus preventing real-time NMR measurements of ...

Aerosol-assisted Chemical Vapor Deposition of Metal Oxide Structures: Zinc Oxide Rods

Аэрозоль помощь химического осаждения паров окиси металла структур: оксид цинка стержней

Whilst columnar zinc oxide (ZnO) structures in the form of rods or wires have been synthesized previously by different liquid- or vapor-phase routes, ...

Reactive Vapor Deposition of Conjugated Polymer Films on Arbitrary Substrates

Реактивная парофазное осаждение конъюгированных полимерных пленок на произвольные подложках

We demonstrate a method of conformally coating conjugated polymers on arbitrary substrates using a custom-designed, low-pressure reaction chamber. ...

Solvothermal Synthesis of MIL-96 and UiO-66-NH2 on Atomic Layer Deposited Metal Oxide Coatings on Fiber Mats

Solvothermal Synthesis of MIL-96 and UiO-66-NH2 on Atomic Layer Deposited Metal Oxide Coatings on Fiber Mats

Solvothermal синтез MIL-96 и UiO-66-NH2 атомного слоя на хранение окиси металла покрытия волокно коврики

Metal-organic frameworks (MOFs), which contain reactive metal clusters and organic ligands allowing for large porosities and surface areas, have proven ...

U2O5 Film Preparation via UO2 Deposition by Direct Current Sputtering and Successive Oxidation and Reduction with Atomic Oxygen and Atomic Hydrogen

U2O5 Film Preparation via UO2 Deposition by Direct Current Sputtering and Successive Oxidation and Reduction with Atomic Oxygen and Atomic Hydrogen

U2O5 фильм подготовка через UO2 осаждения путем распыления постоянного тока и последовательных окисления и сокращения с атомарного кислорода и атомарного водорода

We describe a method to produce U2O5 films in situ using the Labstation, a modular machine developed at JRC Karlsruhe. The Labstation, an essential part ...