Name: graphene-assisted quasi-van der waals epitaxy of aln film on nano-patterned sapphire substrate for ultraviolet light emitting diodes
Uploaded: 2020-06-25T12:30:00
Description: Watch this Scientific Journal Video about Graphene-Assisted Quasi-van der Waals Epitaxy of AlN Film on Nano-Patterned Sapphire Substrate for Ultraviolet Light Emitting Diodes at JoVE.com

وقد تم دعم هذا العمل مالياً من قبل برنامج البحث والتطوير الوطني الصيني (رقم 2018YFB0406703)، والمؤسسة الوطنية الصينية للعلوم الطبيعية (رقم 61474109، 61527814، 11474274، 61427901)، ومؤسسة بكين للعلوم الطبيعية (رقم 4182063)

تنبيه: العديد من المواد الكيميائية المستخدمة في هذه الطرق هي شديدة السمية والمسرطنة. يرجى مراجعة جميع أوراق بيانات سلامة المواد ذات الصلة (MSDS) قبل الاستخدام.
1- إعداد نظم NPSS بواسطة الطباعة الحجرية النانوية (NIL)
<ol><li>ترسب SiO2 فيلم<ol>
<li>غسل 2 "ج الطائرة الركيزة الياقوت المسط...

<ol>
	<li>Sakai, Y., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Demonstration+of+AlGaN-Based+Deep-Ultraviolet+Light-Emitting+Diodes+on+High-Quality+AlN+Templates.">Demonstration of AlGaN-Based Deep-Ultraviolet Light-Emitting Diodes on High-Quality AlN Templates.</a> Jappanese Journal of Applied Physics. 49, 022102 (2010).</li><li>Yun, J., Hirayama, H. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Investigation+of+the+light-extraction+efficiency+in+280+nm+AlGaN-based+light-emitting+diodes+having+a+highly+transparent+p-AlGaN+layer.">Investigation of the light-extraction efficiency in 280 nm AlGaN-based light-emitting diodes having a highly transparent p-AlGaN layer.</a> Journal of Applied Physics. 121, 013105 (2017).</li><li>Khan, A., Balakrishnan, K., Katona, T. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Ultraviolet+light-emitting+diodes+based+on+group+three+nitrides.">Ultraviolet light-emitting diodes based on group three nitrides.</a> Nature Photonics. 2, 77-84 (2008).</li><li>Balushi, Z. Y. A., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=The+impact+of+graphene+properties+on+GaN+and+AlN+nucleation.">The impact of graphene properties on GaN and AlN nucleation.</a> Surface Science. 634, 81-88 (2015).</li><li>Motoki, K., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Growth+and+characterization+of+freestanding+GaN+substrates.">Growth and characterization of freestanding GaN substrates.</a> Journal of Crystal Growth. 237, 912-921 (2002).</li><li>Kim, Y., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Remote+epitaxy+through+graphene+enables+two-dimensional+material-based+layer+transfer.">Remote epitaxy through graphene enables two-dimensional material-based layer transfer.</a> Nature. 544, 340-343 (2017).</li><li>Hemmingsson, C., Pozina, G. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Optimization+of+low+temperature+GaN+buffer+layers+for+halide+vapor+phase+epitaxy+growth+of+bulk+GaN.">Optimization of low temperature GaN buffer layers for halide vapor phase epitaxy growth of bulk GaN.</a> Journal of Crystal Growth. 366, 61-66 (2013).</li><li>Chen, Z., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=High-Brightness+Blue+Light-Emitting+Diodes+Enabled+by+a+Directly+Grown+Graphene+Buffer+Layer.">High-Brightness Blue Light-Emitting Diodes Enabled by a Directly Grown Graphene Buffer Layer.</a> Advanced Materials. 30, 1801608 (2018).</li><li>Dong, P., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=282-nm+AlGaN-based+deep+ultraviolet+light-emitting+diodes+with+improved+performance+on+nano-patterned+sapphire+substrates.">282-nm AlGaN-based deep ultraviolet light-emitting diodes with improved performance on nano-patterned sapphire substrates.</a> Applied Physics Letters. 102, 241113 (2013).</li><li>Imura, M., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Epitaxial+lateral+overgrowth+of+AlN+on+trench-patterned+AlN+layers.">Epitaxial lateral overgrowth of AlN on trench-patterned AlN layers.</a> Journal of Crystal Growth. 298, 257-260 (2007).</li><li>Kueller, V., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Growth+of+AlGaN+and+AlN+on+patterned+AlN/sapphire+templates.">Growth of AlGaN and AlN on patterned AlN/sapphire templates.</a> Journal of Crystal Growth. 315, 200-203 (2011).</li><li>Kneissl, M., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Advances+in+group+III-nitride-based+deep+UV+light-emitting+diode+technology.">Advances in group III-nitride-based deep UV light-emitting diode technology.</a> Semiconductor Science &amp; Technology. 26, 014036 (2010).</li><li>Kunook, C., Chul-Ho, L., Gyu-Chul, Y. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Transferable+GaN+layers+grown+on+ZnO-coated+graphene+layers+for+optoelectronic+devices.">Transferable GaN layers grown on ZnO-coated graphene layers for optoelectronic devices.</a> Science. 330, 655-657 (2010).</li><li>Kim, J., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Principle+of+direct+van+der+Waals+epitaxy+of+single-crystalline+films+on+epitaxial+graphene.">Principle of direct van der Waals epitaxy of single-crystalline films on epitaxial graphene.</a> Nature Communications. 5, 4836 (2014).</li><li>Han, N., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Improved+heat+dissipation+in+gallium+nitride+light-emitting+diodes+with+embedded+graphene+oxide+pattern.">Improved heat dissipation in gallium nitride light-emitting diodes with embedded graphene oxide pattern.</a> Nature Communications. 4, 1452 (2013).</li><li>Gupta, P., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=MOVPE+growth+of+semipolar+III-nitride+semiconductors+on+CVD+graphene.">MOVPE growth of semipolar III-nitride semiconductors on CVD graphene.</a> Journal of Crystal Growth. 372, 105-108 (2013).</li><li>Heinke, H., Kirchner, V., Einfeldt, S., Hommel, D. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=X-ray+diffraction+analysis+of+the+defect+structure+in+epitaxial+GaN.">X-ray diffraction analysis of the defect structure in epitaxial GaN.</a> Appllied Physics Letters. 77, 2145-2147 (2000).</li><li>Lughi, V., Clarke, D. R. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Defect+and+Stress+Characterization+of+AlN+Films+by+Raman+Spectroscopy.">Defect and Stress Characterization of AlN Films by Raman Spectroscopy.</a> Appllied Physics Letters. 89, 2653 (2006).</li><li>Li, Y., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Van+der+Waals+epitaxy+of+GaN-based+light-emitting+diodes+on+wet-transferred+multilayer+graphene+film.">Van der Waals epitaxy of GaN-based light-emitting diodes on wet-transferred multilayer graphene film.</a> Jappanese Journal of Applied Physics. 56, 085506 (2017).</li><li>Chang, H., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Graphene-assisted+quasi-van+der+Waals+epitaxy+of+AlN+film+for+ultraviolet+light+emitting+diodes+on+nano-patterned+sapphire+substrate.">Graphene-assisted quasi-van der Waals epitaxy of AlN film for ultraviolet light emitting diodes on nano-patterned sapphire substrate.</a> Applled Physics Letters. 114, 091107 (2019).</li></ol>

كما هو مبين في الشكل 1أ، NPSS التي أعدتها تقنية الصفر يوضح أنماط مخروط نانو مقعر مع عمق 400 نانومتر ، 1 μm فترة من نمط ، و 300 نانومتر عرض المناطق غير الممفورة. بعد نمو APCVD من طبقة الجرافين، ويظهر الجرافين-NPSS في الشكل 1B. زيادة كبيرة في ذروة D من ن الب...

AlN و AlGaN هي المواد الأكثر أهمية في DUV-المصابيح1،2، والتي استخدمت على نطاق واسع في مختلف المجالات مثل التعقيم ، وعلاج البوليمر ، والكشف الكيميائي الحيوي ، غير خط من الاتصال البصر ، والإضاءة الخاصة3. بسبب عدم وجود ركائز جوهرية، AlN heteroepitaxy على ركائز الياقوت من قبل MOCVD أصبح الطريق التقني الأكثر شيوعا4. ومع ذلك ، فإن عدم تطابق شعرية كبيرة بين AlN والزفير الياقوت يؤدي إلى تراكم الإجهاد5،6، الاضطرابات عالية الكثافة ، وأخطاء التراص7. وبالتالي، يتم تقليل كفاءة الكم الداخلية من المصابيح8. في العقود الأخيرة، تم اقتراح استخدام الياقوت المنقوش كركائز (PSS) للحث على النمو الجانبي الظهاري AlN (ELO) لحل هذه المشكلة. بالإضافة إلى ذلك، تم إحراز تقدم كبير في نمو القوالب9،10،11. ومع ذلك، مع معامل التصاق السطح العالي والطاقة الترابط (2.88 eV لN)، والذرات لديها انخفاض الحركة السطحية الذرية، ونمو AlN يميل إلى أن يكون وضع نمو الجزيرة ثلاثية الأبعاد12. وهكذا، فإن النمو الإكسي لأفلام الـN على NPSS أمر صعب ويتطلب سمكاً أعلى من الدمج (أكثر من 3 ميكرومتر) من ذلك على ركائز الياقوت المسطحة، مما يسبب وقت نمو أطول ويتطلب تكاليف عالية9.
في الآونة الأخيرة، الجرافين يظهر إمكانات كبيرة لاستخدامها كطبقة عازلة لنمو AlN بسبب الترتيب سداسية من sp2 ذرات الكربون المهجنة13. بالإضافة إلى ذلك، فإن شبه فان دير والز epitaxy (QvdWE) من الجرافين على الجرافين قد يقلل من تأثير عدم التطابق ومهدت الطريق الجديد لنمو AlN14،15. لزيادة التفاعل الكيميائي للجرافين، استخدم Chen et al. N2البلازما المعالجة الجرافين كطبقة عازلة وحدد QvdWE من أفلام AlN و GaN عالية الجودة8، مما يدل على استخدام الجرافين كطبقة عازلة.
الجمع بين N2البلازما المعالجة الجرافين technic مع ركائز NPSS التجارية، وهذا البروتوكول يقدم طريقة جديدة للنمو السريع وتكديس من الن على الركيزة الجرافين-NPSS. يتم تأكيد سمك الاندماج تماما من الن على الجرافين-NPSS أن يكون أقل من 1 ميكرومتر، وطبقات AlN الظهارية هي ذات جودة عالية والإجهاد الإفراج. هذه الطريقة تمهد الطريق الجديد لإنتاج قالب ALN الشامل ويظهر إمكانات كبيرة في تطبيق ALGaN المستندة إلى المصابيح DUV.

<table>
	<tbody>
		<tr>
			<td>Acetone,99.5%</td>
			<td>Bei Jing Tong Guang Fine Chemicals company</td>
			<td>1090</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>APCVD</td>
			<td>Linderberg</td>
			<td>Blue M</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>EB</td>
			<td>AST</td>
			<td>Peva-600E</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Ethonal,99.7%</td>
			<td>Bei Jing Tong Guang Fine Chemicals company</td>
			<td>1170</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>HF,40%</td>
			<td>Beijing Chemical Works</td>
			<td>1789</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>ICP-RIE</td>
			<td>AST</td>
			<td>Cirie-200</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>MOCVD</td>
			<td>VEECO</td>
			<td>P125</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>PECVD</td>
			<td>Oerlikon</td>
			<td>790+</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Phosphate,85%</td>
			<td>Beijing Chemical Works</td>
			<td>1805</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Sulfuric acid,98%</td>
			<td>Beijing Chemical Works</td>
			<td>10343</td>
			<td></td>
		</tr>
	</tbody>
</table>

graphene-assisted quasi-van der waals epitaxy of aln film on nano-patterned sapphire substrate for ultraviolet light emitting diodes

يوضح هذا البروتوكول طريقة للنمو السريع بمساعدة الجرافين و جامعة AlN على الركيزة الياقوتية النانوية (NPSS). تزرع طبقات الجرافين مباشرة على NPSS باستخدام ترسب بخار كيميائي غير محفز لضغط الغلاف الجوي (APCVD). من خلال تطبيق النيتروجين التفاعلي النقش الأيون (RIE) معالجة البلازما، يتم إدخال عيوب في فيلم الجرافين لتعزيز التفاعل الكيميائي. خلال ترسب البخار الكيميائي العضوي (MOCVD) نمو AlN ، فإن هذا المخزن المؤقت للجرافين المعالج بلازما N يمكّن AlN من النمو السريع ، ويتم تأكيد الدمج على NPSS عن طريق المجهر الإلكتروني المسح المقطعي (SEM). ثم يتم تقييم الجودة العالية للـ ALN على الجرافين-NPSS بواسطة منحنيات هزاز الأشعة السينية (XRCs) مع عرض ضيق (0002) و (10-12) عرض كامل بنصف الحد الأقصى (FWHM) كـ 267.2 قوس ثانية و 503.4 arcsec على التوالي. بالمقارنة مع NPSS العارية، يظهر نمو AlN على الجرافين-NPSS انخفاضًا كبيرًا في الإجهاد المتبقي من 0.87 GPa إلى 0.25 Gpa ، استنادًا إلى قياسات Raman. تليها AlGaN آبار الكم متعددة (MQWS) النمو على الجرافين - NPSS ، AlGaN القائم على الأشعة فوق البنفسجية العميقة الباعث للضوء الصمامات الثنائية (المصابيح DUV) هي ملفقة. كما تُظهر المصابيح الضوئية المفبركة للضبي الضوئي أداءً واضحاً معززاً. يوفر هذا العمل حلا جديدا لنمو عالية الجودة ALN وتصنيع عالية الأداء DUV-المصابيح باستخدام عملية أقصر وأقل التكاليف.

تم جمع صور المسح المجهري الإلكتروني (SEM) ، ومنحنيات الانحسار الهزاز بالأشعة السينية (XRC) ، وأطياف رامان ، وصور المجهر الإلكتروني (TEM) ، وطيف الإضاءة الكهربائية (EL) للفيلم AlN الغطاسي(الشكل 1، الشكل 2) و DUV-LEDs القائم على AlGaN (الشكل 3). يتم استخدام SEM و TE...

Watch this Scientific Journal Video about Graphene-Assisted Quasi-van der Waals Epitaxy of AlN Film on Nano-Patterned Sapphire Substrate for Ultraviolet Light Emitting Diodes at JoVE.com

Graphene-Assisted Quasi-van der Waals Epitaxy of AlN Film on Nano-Patterned Sapphire Substrate for Ultraviolet Light Emitting Diodes

يتم تقديم بروتوكول للنمو بمساعدة الجرافين لأفلام AlN عالية الجودة على الركيزة الياقوتية المنقوشة على نانو.

الجرافين بمساعدة شبه فان دير والز Epitaxy من فيلم ALN على الركيزة الياقوتية نانو منقوشة لضوديات الأشعة فوق البنفسجية الباعثة للضوء

This protocol demonstrates a method for graphene-assisted quick growth and coalescence of AlN on nano-pattened sapphire substrate (NPSS). Graphene layers ...

هذا البروتوكول الجديد لنيتريد الألومنيوم النمو السريع على نانو منقوشة الياقوت مع طبقة الجرافين يمكن استخدامها لتوليد سريع وغير مكلفة من المصابيح عالية الأداء عالية الأداء الأشعة فوق البنفسجية العميقة. باستخدام الجرافين دي ثعبان البحر كما قالب نيتريد الألومنيوم، ويظهر إمكانات النمو في تطبيق الألومنيوم، النيتريات الغاليوم القائمة على المصابيح. للبدء، شطف NPSS مع الأسيتون والإيثانول والماء الأيونية ثلاث مرات.وجفف NPSS ببندقية النيتروجين. تحميل NPSS في ثلاثة منطقة، فرن درجة حرارة عالية، مع منطقة درجة حرارة مسطحة طويلة. وتسخن الفرن إلى 1050 درجة مئوية.استقرار درجة الحرارة لمدة 10 دقائق تحت 500 سنتيمتر مكعب قياسي في الدقيقة من الأرجون و 300 سنتيمتر مكعب قياسي في الدقيقة من الأرجون من الهيدروجين. ثم أدخل 30 سنتيمتر مكعب قياسي في الدقيقة من الأرجون من الميثان في غرفة التفاعل لنمو الجرافين على NPSS لمدة ثلاث ساعات. في نهاية رد فعل النمو، إيقاف الميثان والسماح لNPSS لتبرد بشكل طبيعي.شطف الركيزة المبردة بالماء الأيونيد. وجفف NPSS ببندقية النيتروجين. ثم، حفر الجرافين NPSS بواسطة بلازما النيتروجين مع معدل تدفق النيتروجين من 300 سنتيمتر مكعب قياسي في الدقيقة لمدة 30 ثانية.وقوة 50 واط في غرفة النقش الأيونية التفاعلية. لنمو MOCVD من النيتروجين الألومنيوم على NPSS الجرافين، تحرير وصفة MOCVD لنمو النيتروجين الألومنيوم. وتحميل NPSS الجرافين ونظيره NPSS في غرفة MOCVD محلية الصنع.بعد التدفئة لمدة 12 دقيقة، وسوف تستقر درجة الحرارة عند 1200 درجة مئوية. ثم أدخل 7000 سنتيمتر مكعب قياسي في الدقيقة من الهيدروجين والمحيط. 70 سنتيمتر مكعب قياسي في الدقيقة تريثيلالومين.و 500 سنتيمتر مكعب قياسي لكل دقيقة من الأمونيا لمدة ساعتين المضي قدما في نمو MOCVD من الألومنيوم الغاليوم النيتروجين الآبار الكم وفقا لاتجاهات المخطوطات. عند الانتهاء، وخفض درجة حرارة الغرفة إلى 800 درجة مئوية والركوع طبقات من نوع ف مع النيتروجين لمدة 20 دقيقة.لالألمنيوم الغاليوم النيتروجين المستندة إلى الأشعة فوق البنفسجية العميقة تصنيع LED، تدور المقاومة 4620 على الرقاقات وأداء الطباعة الحجرية مع ثماني ثوان من التعرض للأشعة فوق البنفسجية، 30 ثانية من الوقت النامية ودقيقتين من الوقت الشطف. لحفر البلازما المقترنة الاستقرائي من النيتروجين P-غاليوم، تعيين قوة النقش إلى 450 واط، وضغط النقش إلى أربعة millitorrs ومعدل النقش إلى 5.6 نانومتر في الثانية الواحدة. ضع العينة المحفورة في الأسيتون عند درجة حرارة 80 درجة مئوية لمدة خمس دقائق.تليها الغسيل في الإيثانول والمياه الأيونية. الغزل السلبية صور مقاومة NR9 والطباعة الحجرية لوقت التعرض للأشعة فوق البنفسجية من 12 ثانية، ووقت النامية من 20 ثانية ووقت الشطف من دقيقتين. غسل العينة مع الأسيتون والإيثانول والمياه ديوند ثلاث مرات.وأودع التيتانيوم الذهب التيتانيوم التيتانيوم بواسطة تبخر شعاع الإلكترون. تدور السلبية صور مقاومة NR9 والطباعة الحجرية تحت نفس الإعدادات. وغسل العينات ثلاث مرات مع الأسيتون والإيثانول والمياه ديوند دون ultrasonication.إيداع النيكل والذهب عن طريق تبخر شعاع الإلكترون. وغسل العينة مع الإيثانول والمياه ديوند ثلاث مرات. إيداع 300 نانومتر من ثاني أكسيد السيليكون عن طريق ترسب بخار كيميائي معزز بالبلازما عند درجة حرارة ترسب 300 درجة مئوية ومعدل ترسب 100 نانومتر في الدقيقة.تدور صور مقاومة 304 والطباعة الحجرية في وقت التعرض للأشعة فوق البنفسجية من ثماني ثوان، وقت النامية من دقيقة واحدة ووقت الشطف من دقيقتين قبل غمر الرقائق في 23٪ حمض الهيدروفلوريك لمدة 15 ثانية. غسل العينة ثلاث مرات مع الإيثانول والمياه الأيونية. وجفف الرقاقة ببندقية النيتروجينبعد الطباعة الحجرية الصورة مع NR9 كما هو موضح، إيداع الذهب التيتانيوم الألومنيوم بواسطة تبخر شعاع الإلكترون. وغسل العينة ثلاث مرات مع الإيثانول والمياه ديوند. بعد الغسيل الماضي طحن وتلميع الياقوت إلى 130 ميكرومتر بواسطة تلميع الميكانيكية.وغسل العينة مع محلول إزالة الصبح والمياه ديوند. ثم استخدام الليزر لقطع رقاقة كله إلى 0.5 من قبل 0.5 ملليمتر قطعة الجهاز. واستخدمي الـ dicer الميكانيكية لقطع الرقاقة إلى رقائق.يمكن استخدام التصوير المجهري للمسح والإرسال لتحديد مورفولوجيا النيتروجين الألومنيوم على الجرافين وNPSS. يمكن استخدام رامين لحساب كثافات الخلع والإجهاد المتبقي. يستخدم الكهربائي لتوضيح الإضاءة من المصابيح الأشعة فوق البنفسجية العميقة ملفقة.تذكر أن رقاقة يجب أن تكون نظيفة قبل كل تعديل جديد. لذلك فمن الضروري لشطف رقاقة تماما قبل كل خطوة.

Research

JoVE Journal

Engineering

Polycrystalline Silicon Thin-film Solar cells with Plasmonic-enhanced Light-trapping

الكريستالات السليكون الخلايا الشمسية الأغشية الرقيقة مع Plasmonic معززة للضوء للاحتباس

One of major approaches to cheaper solar cells is reducing the amount of semiconductor material used for their fabrication and making cells thinner. To ...

Fabrication of White Light-emitting Electrochemical Cells with Stable Emission from Exciplexes

تصنيع الأبيض التي ينبعث منها ضوء الخلايا الكهروكيميائية مع الانبعاثات مستقرة من Exciplexes

The authors present an approach for fabricating stable white light emission from polymer light-emitting electrochemical cells (PLECs) having an active ...

Plasma-assisted Molecular Beam Epitaxy of N-polar InAlN-barrier High-electron-mobility Transistors

بمساعدة البلازما الجزيئية شعاع إبيتاز من InAlN من العوائق الترانزستور عالية الإلكترون التنقل N-القطبية

Plasma-assisted molecular beam epitaxy is well suited for the epitaxial growth of III-nitride thin films and heterostructures with smooth, abrupt ...

Production and Characterization of Vacuum Deposited Organic Light Emitting Diodes

إنتاج وتوصيف لفراغ أودعت العضوية الضوء التي تنبعث منها الثنائيات

A method for producing simple and efficient thermally-activated delayed fluorescence organic light-emitting diodes (OLEDs) based on guest-host or exciplex ...

A Fabrication and Measurement Method for a Flexible Ferroelectric Element Based on Van Der Waals Heteroepitaxy

تلفيق وطريقة قياس عنصر Ferroelectric مرنة تستند إلى هيتيرويبيتاكسي فإن دير فالس

Flexible non-volatile memories have received much attention as they are applicable for portable smart electronic device in the future, relying on ...

Enhanced Electron Injection and Exciton Confinement for Pure Blue Quantum-Dot Light-Emitting Diodes by Introducing Partially Oxidized Aluminum Cathode

حقن الإلكترون المحسنة وحبس أكسيتون للصمامات الثنائية – ينبعث الضوء الكم-نقطة زرقاء نقية بإدخال الكاثود الألومنيوم المؤكسد جزئيا

Stable and efficient red (R), green (G), and blue (B) light sources based on solution-processed quantum dots (QDs) play important roles in next-generation ...

Film Control to Study Contributions of Waves to Droplet Impact Dynamics on Thin Flowing Liquid Films

مراقبة السينما لدراسة مساهمات موجات لديناميات تأثير الحبرية في الأفلام السائل المتدفق رقيقة

Droplet impact is a very common phenomenon in nature and attracts attention due to its aesthetic fascination and wide-ranging applications. Previous ...

Synchrotron X-ray Microdiffraction and Fluorescence Imaging of Mineral and Rock Samples

السنكروتروني ميكروديفراكتيون الأشعة السينية والتصوير Fluorescence المعدنية وعينات من الصخور

In this report, we describe a detailed procedure for acquiring and processing&#160;x-ray microfluorescence (&#956;XRF), and Laue and powder ...

Fabrication of Schottky Diodes on Zn-polar BeMgZnO/ZnO Heterostructure Grown by Plasma-assisted Molecular Beam Epitaxy

تصنيع شوتكي الثنائيات في هيتيروستروكتوري بيمجزنو/أكسيد الزنك Zn القطبية نمت تنضيد الحزمة الجزيئية مساعدة البلازما

Heterostructure field effect transistors (HFETs) utilizing a two dimensional electron gas (2DEG) channel have a great potential for high speed device ...

Measurement of Dynamic Force Acted on Water Strider Leg Jumping Upward by the PVDF Film Sensor

قياس قوة دينامية تصرف المحطة المياه ستردير القفز إلى أعلى من أجهزة الاستشعار الفيلم PVDF

This study aimed to make an explanation for the phenomenon in nature that water strider usually jumps or glides on the water surface easily but quickly, ...