Name: graphene-assisted quasi-van der waals epitaxy of aln film on nano-patterned sapphire substrate for ultraviolet light emitting diodes
Uploaded: 2020-06-25T12:30:00
Description: Watch this Scientific Journal Video about Graphene-Assisted Quasi-van der Waals Epitaxy of AlN Film on Nano-Patterned Sapphire Substrate for Ultraviolet Light Emitting Diodes at JoVE.com

Dit werk werd financieel ondersteund door het National Key R&D Program of China (Nr. 2018YFB0406703), de National Natural Science Foundation of China (Nr. 61474109, 61527814, 11474274, 61427901) en de Beijing Natural Science Foundation (nr. 4182063)

LET OP: Een aantal van de chemische stoffen die in deze methoden worden gebruikt, zijn acuut giftig en kankerverwekkend. Raadpleeg alle relevante materiaalveiligheidsinformatiebladen (MSDS) voor gebruik.
1. Voorbereiding van NPSS door nanoimprint lithografie (NIL)
<ol><li>Depositie van SiO2 film<ol>
<li>Was het 2" c-plane flat saffiersubstraat met ethanol, gevolgd door gedeïsized water drie keer.</li>
		<li>Droog het substraat met een stikstofpistool.</li>
		<li>Deponeren 200 nm ...

<ol>
	<li>Sakai, Y., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Demonstration+of+AlGaN-Based+Deep-Ultraviolet+Light-Emitting+Diodes+on+High-Quality+AlN+Templates.">Demonstration of AlGaN-Based Deep-Ultraviolet Light-Emitting Diodes on High-Quality AlN Templates.</a> Jappanese Journal of Applied Physics. 49, 022102 (2010).</li><li>Yun, J., Hirayama, H. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Investigation+of+the+light-extraction+efficiency+in+280+nm+AlGaN-based+light-emitting+diodes+having+a+highly+transparent+p-AlGaN+layer.">Investigation of the light-extraction efficiency in 280 nm AlGaN-based light-emitting diodes having a highly transparent p-AlGaN layer.</a> Journal of Applied Physics. 121, 013105 (2017).</li><li>Khan, A., Balakrishnan, K., Katona, T. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Ultraviolet+light-emitting+diodes+based+on+group+three+nitrides.">Ultraviolet light-emitting diodes based on group three nitrides.</a> Nature Photonics. 2, 77-84 (2008).</li><li>Balushi, Z. Y. A., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=The+impact+of+graphene+properties+on+GaN+and+AlN+nucleation.">The impact of graphene properties on GaN and AlN nucleation.</a> Surface Science. 634, 81-88 (2015).</li><li>Motoki, K., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Growth+and+characterization+of+freestanding+GaN+substrates.">Growth and characterization of freestanding GaN substrates.</a> Journal of Crystal Growth. 237, 912-921 (2002).</li><li>Kim, Y., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Remote+epitaxy+through+graphene+enables+two-dimensional+material-based+layer+transfer.">Remote epitaxy through graphene enables two-dimensional material-based layer transfer.</a> Nature. 544, 340-343 (2017).</li><li>Hemmingsson, C., Pozina, G. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Optimization+of+low+temperature+GaN+buffer+layers+for+halide+vapor+phase+epitaxy+growth+of+bulk+GaN.">Optimization of low temperature GaN buffer layers for halide vapor phase epitaxy growth of bulk GaN.</a> Journal of Crystal Growth. 366, 61-66 (2013).</li><li>Chen, Z., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=High-Brightness+Blue+Light-Emitting+Diodes+Enabled+by+a+Directly+Grown+Graphene+Buffer+Layer.">High-Brightness Blue Light-Emitting Diodes Enabled by a Directly Grown Graphene Buffer Layer.</a> Advanced Materials. 30, 1801608 (2018).</li><li>Dong, P., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=282-nm+AlGaN-based+deep+ultraviolet+light-emitting+diodes+with+improved+performance+on+nano-patterned+sapphire+substrates.">282-nm AlGaN-based deep ultraviolet light-emitting diodes with improved performance on nano-patterned sapphire substrates.</a> Applied Physics Letters. 102, 241113 (2013).</li><li>Imura, M., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Epitaxial+lateral+overgrowth+of+AlN+on+trench-patterned+AlN+layers.">Epitaxial lateral overgrowth of AlN on trench-patterned AlN layers.</a> Journal of Crystal Growth. 298, 257-260 (2007).</li><li>Kueller, V., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Growth+of+AlGaN+and+AlN+on+patterned+AlN/sapphire+templates.">Growth of AlGaN and AlN on patterned AlN/sapphire templates.</a> Journal of Crystal Growth. 315, 200-203 (2011).</li><li>Kneissl, M., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Advances+in+group+III-nitride-based+deep+UV+light-emitting+diode+technology.">Advances in group III-nitride-based deep UV light-emitting diode technology.</a> Semiconductor Science &amp; Technology. 26, 014036 (2010).</li><li>Kunook, C., Chul-Ho, L., Gyu-Chul, Y. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Transferable+GaN+layers+grown+on+ZnO-coated+graphene+layers+for+optoelectronic+devices.">Transferable GaN layers grown on ZnO-coated graphene layers for optoelectronic devices.</a> Science. 330, 655-657 (2010).</li><li>Kim, J., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Principle+of+direct+van+der+Waals+epitaxy+of+single-crystalline+films+on+epitaxial+graphene.">Principle of direct van der Waals epitaxy of single-crystalline films on epitaxial graphene.</a> Nature Communications. 5, 4836 (2014).</li><li>Han, N., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Improved+heat+dissipation+in+gallium+nitride+light-emitting+diodes+with+embedded+graphene+oxide+pattern.">Improved heat dissipation in gallium nitride light-emitting diodes with embedded graphene oxide pattern.</a> Nature Communications. 4, 1452 (2013).</li><li>Gupta, P., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=MOVPE+growth+of+semipolar+III-nitride+semiconductors+on+CVD+graphene.">MOVPE growth of semipolar III-nitride semiconductors on CVD graphene.</a> Journal of Crystal Growth. 372, 105-108 (2013).</li><li>Heinke, H., Kirchner, V., Einfeldt, S., Hommel, D. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=X-ray+diffraction+analysis+of+the+defect+structure+in+epitaxial+GaN.">X-ray diffraction analysis of the defect structure in epitaxial GaN.</a> Appllied Physics Letters. 77, 2145-2147 (2000).</li><li>Lughi, V., Clarke, D. R. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Defect+and+Stress+Characterization+of+AlN+Films+by+Raman+Spectroscopy.">Defect and Stress Characterization of AlN Films by Raman Spectroscopy.</a> Appllied Physics Letters. 89, 2653 (2006).</li><li>Li, Y., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Van+der+Waals+epitaxy+of+GaN-based+light-emitting+diodes+on+wet-transferred+multilayer+graphene+film.">Van der Waals epitaxy of GaN-based light-emitting diodes on wet-transferred multilayer graphene film.</a> Jappanese Journal of Applied Physics. 56, 085506 (2017).</li><li>Chang, H., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Graphene-assisted+quasi-van+der+Waals+epitaxy+of+AlN+film+for+ultraviolet+light+emitting+diodes+on+nano-patterned+sapphire+substrate.">Graphene-assisted quasi-van der Waals epitaxy of AlN film for ultraviolet light emitting diodes on nano-patterned sapphire substrate.</a> Applled Physics Letters. 114, 091107 (2019).</li></ol>

Zoals blijkt uit figuur 1A,illustreert de NPSS die door de NIL-techniek wordt bereid de nano-concave kegelpatronen met een diepte van 400 nm, een patroonperiode van 1 μm en een breedte van 300 nm van de unetched-gebieden. Na de APCVD-groei van grafeenlaag wordt het grafeen-NPSS weergegeven in figuur 1B. De aanzienlijk verhoogde D-piek van N-plasma behandeld grafeen in Raman spectra Figuur 1...

AlN en AlGaN zijn de meest essentiële materialen in DUV-LED's1,2, die op grote schaal zijn gebruikt op verschillende gebieden zoals sterilisatie, polymeer uitharding, biochemische detectie, non-line-of-sight communicatie, en speciale verlichting3. Door het gebrek aan intrinsieke substraten is AlN heteroepitaxy op saffiersubstraten van MOCVD uitgegroeid tot de meest voorkomende technische route4. Echter, de grote rooster mismatch tussen AlN en saffier substraat leidt tot stress accumulatie5,6, hoge dichtheid dislocaties, en stapelen fouten7. Zo wordt de interne kwantumefficiëntie van LED's verminderdmet 8. In de afgelopen decennia is voorgesteld om dit probleem op te lossen door saffier met patroon als substraten (PSS) te gebruiken om AlN epitaxiale laterale overgroei (ELO) op te wekken. Daarnaast is er grote vooruitgang geboekt bij de groei van AlN-sjablonen9,10,11. Echter, met een hoge oppervlakte hechtingscoëfficiënt en binding energie (2,88 eV voor AlN), Al atomen hebben een lage atomaire oppervlakte mobiliteit, en de groei van AlN heeft de neiging om een driedimensionale eiland groei modus12. Zo is de epitaxiale groei van AlN-films op NPSS moeilijk en vereist een hogere coalescentiedikte (meer dan 3 μm) dan die op platte saffiersubstraten, wat zorgt voor langere groeitijd en hoge kosten vereist9.
Onlangs, grafeen toont een groot potentieel voor gebruik als een bufferlaag voor AlN groei als gevolg van de zeshoekige regeling van sp2 gehybridiseerde koolstofatomen13. Bovendien kan de quasi-van der Waals epitaxy (QvdWE) van AlN op grafeen het mismatch-effect verminderen en een nieuwe weg vrijmaken voor AlN-groei14,15. Om de chemische reactiviteit van grafeen te verhogen, gebruikten Chen et al. N2-plasma behandeld grafeen als bufferlaag en bepaalden de QvdWE van hoogwaardige AlN- en GaN-films8, wat het gebruik van grafeen als bufferlaag aantoont.
Door de N2-plasmabehandelde grafeentechniek te combineren met commerciële NPSS substraten, presenteert dit protocol een nieuwe methode voor snelle groei en coalescence van AlN op een grafeen-NPSS substraat. De volledig samensmelten dikte van AlN op grafeen-NPSS is bevestigd dat minder dan 1 μm, en de epitaxiale AlN lagen zijn van hoge kwaliteit en stress-vrijgegeven. Deze methode effent een nieuwe manier voor AlN template massaproductie en toont een groot potentieel in de toepassing van AlGaN-gebaseerde DUV-LED's.

<table>
	<tbody>
		<tr>
			<td>Acetone,99.5%</td>
			<td>Bei Jing Tong Guang Fine Chemicals company</td>
			<td>1090</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>APCVD</td>
			<td>Linderberg</td>
			<td>Blue M</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>EB</td>
			<td>AST</td>
			<td>Peva-600E</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Ethonal,99.7%</td>
			<td>Bei Jing Tong Guang Fine Chemicals company</td>
			<td>1170</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>HF,40%</td>
			<td>Beijing Chemical Works</td>
			<td>1789</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>ICP-RIE</td>
			<td>AST</td>
			<td>Cirie-200</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>MOCVD</td>
			<td>VEECO</td>
			<td>P125</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>PECVD</td>
			<td>Oerlikon</td>
			<td>790+</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Phosphate,85%</td>
			<td>Beijing Chemical Works</td>
			<td>1805</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Sulfuric acid,98%</td>
			<td>Beijing Chemical Works</td>
			<td>10343</td>
			<td></td>
		</tr>
	</tbody>
</table>

graphene-assisted quasi-van der waals epitaxy of aln film on nano-patterned sapphire substrate for ultraviolet light emitting diodes

Dit protocol toont een methode voor grafeen-ondersteunde snelle groei en coalescence van AlN op nano-pattened saffier substraat (NPSS). Grafeenlagen worden direct op NPSS gekweekt met behulp van katalysatorvrije atmosferische druk chemische dampdepositie (APCVD). Door het toepassen van stikstof reactieve ionen etching (RIE) plasmabehandeling, worden defecten geïntroduceerd in de grafeenfilm om chemische reactiviteit te verbeteren. Tijdens de metaal-organische chemische dampdepositie (MOCVD) groei van AlN, deze N-plasma behandelde grafeen buffer maakt AlN snelle groei, en coalescence op NPSS wordt bevestigd door cross-sectionele scanning elektronenmicroscopie (SEM). De hoge kwaliteit van AlN op grafeen-NPSS wordt vervolgens geëvalueerd door röntgencurven (XRC's) met smalle (0002) en (10-12) volledige breedte bij half-maximum (FWHM) als respectievelijk 267,2 arcsec en 503,4 arcsec. Vergeleken met kale NPSS laat de AlN-groei op grafeen-NPSS een aanzienlijke vermindering van reststress zien van 0,87 GPa naar 0,25 Gpa, op basis van Raman-metingen. Gevolgd door AlGaN meerdere quantum putten (MQWS) groei op grafeen-NPSS, AlGaN-gebaseerde diepe ultraviolet licht-emitterende diodes (DUV LED's) worden vervaardigd. De gefabriceerde DUV-LED's tonen ook duidelijke, verbeterde luminescentieprestaties. Dit werk biedt een nieuwe oplossing voor de groei van hoge kwaliteit AlN en fabricage van high performance DUV-LED's met behulp van een korter proces en minder kosten.

Scanning electron microscopie (SEM) beelden, Röntgendiffractie schommeling curves (XRC), Raman spectra, transmissie elektronen microscopie (TEM) beelden, en elektroluminescentie (EL) spectrum werden verzameld voor de epitaxiale AlN film (Figuur 1, Figuur 2) en AlGaN-gebaseerde DUV-LED's (Figuur 3). De SEM en TEM worden gebruikt om de morfologie van de AlN op grafeen-NPSS te bepalen. XRD en Raman worden gebruikt om de dislocatiedich...

Watch this Scientific Journal Video about Graphene-Assisted Quasi-van der Waals Epitaxy of AlN Film on Nano-Patterned Sapphire Substrate for Ultraviolet Light Emitting Diodes at JoVE.com

Graphene-Assisted Quasi-van der Waals Epitaxy of AlN Film on Nano-Patterned Sapphire Substrate for Ultraviolet Light Emitting Diodes

Een protocol voor grafeen-ondersteunde groei van hoogwaardige AlN-films op saffiersubstraat met nanopatroon wordt gepresenteerd.

Grafeen-Geassisteerde Quasi-van der Waals Epitaxy van AlN Film op Nano-Patroon Sapphire Substraat voor Ultraviolet Light Emitting Diodes

This protocol demonstrates a method for graphene-assisted quick growth and coalescence of AlN on nano-pattened sapphire substrate (NPSS). Graphene layers ...

Dit nieuwe protocol voor aluminium nitrides snelle groei op nano-patroon saffier substraat met grafeenlaag kan worden gebruikt voor snelle en goedkope generatie van high-performing diepe ultraviolet LED's. Met behulp van di-paling grafeen als de aluminium nitride sjabloon, toont groeipotentieel in de toepassing van aluminium, gallium nitriet gebaseerde LED's. Om te beginnen spoelt u de NPSS drie keer met aceton, ethanol en gedeïnoniseerd water.En droog de NPSS met een stikstofpistool. Laad de NPSS in een drie-zone, hoge temperatuur oven, met een lange vlakke temperatuur zone. En verwarm de oven tot 1050 graden Celsius.Stabiliseer de temperatuur gedurende 10 minuten onder 500 standaard kubieke centimeter per minuut argon en 300 standaard kubieke centimeter per minuut argon waterstof. Introduceer vervolgens 30 standaard kubieke centimeter per minuut argon methaan in de reactiekamer voor de groei van het grafeen op de NPSS gedurende drie uur. Aan het einde van de groeireactie schakelt u het methaan uit en laat de NPSS op natuurlijke wijze afkoelen.Spoel het afgekoelde substraat af met gedeïsized water. En droog de NPSS met een stikstofpistool. Etsen vervolgens het grafeen NPSS door stikstofplasma met een stikstofstroomsnelheid van 300 standaard kubieke centimeter per minuut gedurende 30 seconden.En een vermogen van 50 watt in reactieve ionenetskamer. Voor MOCVD groei van aluminium stikstof op grafeen NPSS, bewerken van de MOCVD recept voor aluminium stikstof groei. En laad de grafeen NPSS en zijn NPSS tegenhanger in een zelfgemaakte MOCVD kamer.Na 12 minuten verwarmen stabiliseert de temperatuur bij 1200 graden Celsius. Introduceer dan 7000 standaard kubieke centimeter per minuut waterstof als omgeving. 70 standaard kubieke centimeter per minuut trimethylaluminium.En 500 standaard kubieke centimeter per minuut ammoniak gedurende twee uur. Ga verder met MOCVD groei van aluminium gallium stikstof quantum putten volgens manuscript richtingen. Wanneer u klaar bent, verlaagt u de temperatuur van de kamer tot 800 graden Celsius en kniel de P-type lagen 20 minuten met stikstof.Voor aluminium gallium stikstof op basis van diepe ultraviolet LED fabricage, spin foto-resist 4620 op de wafers en lithografie uit te voeren met acht seconden uv-blootstelling, 30 seconden van de ontwikkeling van de tijd en twee minuten spoeltijd. Voor inductief gekoppelde plasmaets van P-galliumstikstof stelt u het etsvermogen in op 450 watt, de etsdruk op vier millitorrs en de etssnelheid op 5,6 nanometer per seconde. Plaats het geëtste monster in aceton op 80 graden Celsius gedurende vijf minuten.Gevolgd door het wassen in ethanol en gedeïsized water. Draaien negatieve foto-weerstaan de NR9 en de lithografie voor een UV-belichtingstijd van 12 seconden, een ontwikkelingstijd van 20 seconden en een spoeltijd van twee minuten. Was het monster drie keer met aceton, ethanol en gedeïsized water.En deponeren titanium titanium titanium goud door elektronenbundel verdamping. Spin negatieve foto-resist NR9 en lithografie onder dezelfde instellingen. En was de monsters drie keer met aceton, ethanol en gedeïoniseerd water zonder ultrasoon.Deponeren nikkel-goud door elektronenbundel verdamping. En was het monster met ethanol en gedeïsized water drie keer. Deponeren 300 nanometer siliciumdioxide door plasma-verbeterde chemische dampdepositie bij een depositietemperatuur van 300 graden Celsius en een depositiesnelheid van 100 nanometer per minuut.Spin foto-resist 304 en lithografie bij een UV-belichtingstijd van acht seconden, een ontwikkelingstijd van één minuut en een spoeltijd van twee minuten voordat u de wafers gedurende 15 seconden onderdompelt in 23%fluorzuur. Was het monster drie keer met ethanol en gedeïsized water. En droog de wafels met een stikstofpistool.Na fotolithografie met NR9 zoals aangetoond, afzetting aluminium titanium goud door elektronenbundel verdamping. En was het monster drie keer met ethanol en gedeïsized water. Na de laatste wasbeurt malen en polijsten de saffier tot 130 micrometer door mechanische polijsten.En was het monster met ontwasoplossing en gedeïstiseerd water. Gebruik dan een laser om de hele wafer in 0,5 bij 0,5 millimeter apparaatstukken te snijden. En gebruik een mechanische dicer om de wafer in chips te snijden.Scanning en transmissie elektronenmicroscopie imaging kan worden gebruikt om de morfologie van de aluminium stikstof op grafeen en NPSS te bepalen. Ramen kunnen worden gebruikt om de dislocatiedichtheden en de restspanning te berekenen. Elektroluminescense wordt gebruikt om de verlichting van de gefabriceerde diepe UV LED's te illustreren.Vergeet niet dat de wafer schoon moet zijn voor elke nieuwe wijziging. Het is dus essentieel om de wafer grondig af te spoelen voor elke stap.

Research

JoVE Journal

Engineering

Polycrystalline Silicon Thin-film Solar cells with Plasmonic-enhanced Light-trapping

Polykristallijn silicium dunne-film zonnecellen met plasmonische-enhanced Light-trapping

One of major approaches to cheaper solar cells is reducing the amount of semiconductor material used for their fabrication and making cells thinner. To ...

Fabrication of White Light-emitting Electrochemical Cells with Stable Emission from Exciplexes

Fabricage van White Light-emitting elektrochemische cellen met Stable Emissie van Exciplexes

The authors present an approach for fabricating stable white light emission from polymer light-emitting electrochemical cells (PLECs) having an active ...

Plasma-assisted Molecular Beam Epitaxy of N-polar InAlN-barrier High-electron-mobility Transistors

-Plasma ondersteunde Moleculaire bundel epitaxie van N-polaire InAlN-barrière High-elektron-mobiliteit Transistors

Plasma-assisted molecular beam epitaxy is well suited for the epitaxial growth of III-nitride thin films and heterostructures with smooth, abrupt ...

Production and Characterization of Vacuum Deposited Organic Light Emitting Diodes

Productie en karakterisering van vacuüm gestort Organic Light Emitting Diodes

A method for producing simple and efficient thermally-activated delayed fluorescence organic light-emitting diodes (OLEDs) based on guest-host or exciplex ...

A Fabrication and Measurement Method for a Flexible Ferroelectric Element Based on Van Der Waals Heteroepitaxy

Een fabricage- en meetmethode voor een flexibele ferroelektrische Element op basis van Van Der Waals Heteroepitaxy

Flexible non-volatile memories have received much attention as they are applicable for portable smart electronic device in the future, relying on ...

Enhanced Electron Injection and Exciton Confinement for Pure Blue Quantum-Dot Light-Emitting Diodes by Introducing Partially Oxidized Aluminum Cathode

Verbeterde Electron injectie en Exciton opsluiting voor zuivere blauwe Quantum-Dot-lichtdioden door de invoering van gedeeltelijk geoxideerd aluminium Cathode

Stable and efficient red (R), green (G), and blue (B) light sources based on solution-processed quantum dots (QDs) play important roles in next-generation ...

Film Control to Study Contributions of Waves to Droplet Impact Dynamics on Thin Flowing Liquid Films

Controle van de film te bestuderen van de bijdragen van golven te druppel effect dynamiek op dunne stroomt vloeistof Films

Droplet impact is a very common phenomenon in nature and attracts attention due to its aesthetic fascination and wide-ranging applications. Previous ...

Synchrotron X-ray Microdiffraction and Fluorescence Imaging of Mineral and Rock Samples

Synchrotron X-ray Microdiffraction en fluorescentie beeldvorming van minerale en Rock monsters

In this report, we describe a detailed procedure for acquiring and processing&#160;x-ray microfluorescence (&#956;XRF), and Laue and powder ...

Fabrication of Schottky Diodes on Zn-polar BeMgZnO/ZnO Heterostructure Grown by Plasma-assisted Molecular Beam Epitaxy

Fabricage van Schottky Diodes op Zn-polaire BeMgZnO/ZnO Heterostructure gegroeid door moleculaire Beam Plasma-bijgewoonde epitaxie

Heterostructure field effect transistors (HFETs) utilizing a two dimensional electron gas (2DEG) channel have a great potential for high speed device ...

Measurement of Dynamic Force Acted on Water Strider Leg Jumping Upward by the PVDF Film Sensor

Meting van de dynamische kracht gehandeld op Water Strider been omhoog springen door de PVDF Film Sensor

This study aimed to make an explanation for the phenomenon in nature that water strider usually jumps or glides on the water surface easily but quickly, ...