Name: graphene-assisted quasi-van der waals epitaxy of aln film on nano-patterned sapphire substrate for ultraviolet light emitting diodes
Uploaded: 2020-06-25T12:30:00
Description: Watch this Scientific Journal Video about Graphene-Assisted Quasi-van der Waals Epitaxy of AlN Film on Nano-Patterned Sapphire Substrate for Ultraviolet Light Emitting Diodes at JoVE.com

Diese Arbeit wurde finanziell unterstützt durch das National Key R&D Program of China (Nr. 2018YFB0406703), die National Natural Science Foundation of China (Nr. 61474109, 61527814, 11474274, 61427901) und die Beijing Natural Science Foundation (Nr. 4182063).

VORSICHT: Mehrere der bei diesen Methoden verwendeten Chemikalien sind akut toxisch und krebserregend. Bitte beachten Sie vor der Verwendung alle relevanten Sicherheitsdatenblätter (MSDS).
1. Herstellung von NPSS durch Nanoimprint-Lithographie (NIL)
<ol><li>Abscheidung des SiO2 Films<ol>
<li>Waschen Sie das 2" c-plane flache Saphirsubstrat mit Ethanol, gefolgt von entionisiertem Wasser dreimal.</li>
		<li>Trocknen Sie das Substrat mit einer Stickstoffpistole.</li>
		<li>200 nm<su...

<ol>
	<li>Sakai, Y., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Demonstration+of+AlGaN-Based+Deep-Ultraviolet+Light-Emitting+Diodes+on+High-Quality+AlN+Templates.">Demonstration of AlGaN-Based Deep-Ultraviolet Light-Emitting Diodes on High-Quality AlN Templates.</a> Jappanese Journal of Applied Physics. 49, 022102 (2010).</li><li>Yun, J., Hirayama, H. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Investigation+of+the+light-extraction+efficiency+in+280+nm+AlGaN-based+light-emitting+diodes+having+a+highly+transparent+p-AlGaN+layer.">Investigation of the light-extraction efficiency in 280 nm AlGaN-based light-emitting diodes having a highly transparent p-AlGaN layer.</a> Journal of Applied Physics. 121, 013105 (2017).</li><li>Khan, A., Balakrishnan, K., Katona, T. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Ultraviolet+light-emitting+diodes+based+on+group+three+nitrides.">Ultraviolet light-emitting diodes based on group three nitrides.</a> Nature Photonics. 2, 77-84 (2008).</li><li>Balushi, Z. Y. A., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=The+impact+of+graphene+properties+on+GaN+and+AlN+nucleation.">The impact of graphene properties on GaN and AlN nucleation.</a> Surface Science. 634, 81-88 (2015).</li><li>Motoki, K., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Growth+and+characterization+of+freestanding+GaN+substrates.">Growth and characterization of freestanding GaN substrates.</a> Journal of Crystal Growth. 237, 912-921 (2002).</li><li>Kim, Y., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Remote+epitaxy+through+graphene+enables+two-dimensional+material-based+layer+transfer.">Remote epitaxy through graphene enables two-dimensional material-based layer transfer.</a> Nature. 544, 340-343 (2017).</li><li>Hemmingsson, C., Pozina, G. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Optimization+of+low+temperature+GaN+buffer+layers+for+halide+vapor+phase+epitaxy+growth+of+bulk+GaN.">Optimization of low temperature GaN buffer layers for halide vapor phase epitaxy growth of bulk GaN.</a> Journal of Crystal Growth. 366, 61-66 (2013).</li><li>Chen, Z., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=High-Brightness+Blue+Light-Emitting+Diodes+Enabled+by+a+Directly+Grown+Graphene+Buffer+Layer.">High-Brightness Blue Light-Emitting Diodes Enabled by a Directly Grown Graphene Buffer Layer.</a> Advanced Materials. 30, 1801608 (2018).</li><li>Dong, P., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=282-nm+AlGaN-based+deep+ultraviolet+light-emitting+diodes+with+improved+performance+on+nano-patterned+sapphire+substrates.">282-nm AlGaN-based deep ultraviolet light-emitting diodes with improved performance on nano-patterned sapphire substrates.</a> Applied Physics Letters. 102, 241113 (2013).</li><li>Imura, M., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Epitaxial+lateral+overgrowth+of+AlN+on+trench-patterned+AlN+layers.">Epitaxial lateral overgrowth of AlN on trench-patterned AlN layers.</a> Journal of Crystal Growth. 298, 257-260 (2007).</li><li>Kueller, V., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Growth+of+AlGaN+and+AlN+on+patterned+AlN/sapphire+templates.">Growth of AlGaN and AlN on patterned AlN/sapphire templates.</a> Journal of Crystal Growth. 315, 200-203 (2011).</li><li>Kneissl, M., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Advances+in+group+III-nitride-based+deep+UV+light-emitting+diode+technology.">Advances in group III-nitride-based deep UV light-emitting diode technology.</a> Semiconductor Science &amp; Technology. 26, 014036 (2010).</li><li>Kunook, C., Chul-Ho, L., Gyu-Chul, Y. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Transferable+GaN+layers+grown+on+ZnO-coated+graphene+layers+for+optoelectronic+devices.">Transferable GaN layers grown on ZnO-coated graphene layers for optoelectronic devices.</a> Science. 330, 655-657 (2010).</li><li>Kim, J., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Principle+of+direct+van+der+Waals+epitaxy+of+single-crystalline+films+on+epitaxial+graphene.">Principle of direct van der Waals epitaxy of single-crystalline films on epitaxial graphene.</a> Nature Communications. 5, 4836 (2014).</li><li>Han, N., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Improved+heat+dissipation+in+gallium+nitride+light-emitting+diodes+with+embedded+graphene+oxide+pattern.">Improved heat dissipation in gallium nitride light-emitting diodes with embedded graphene oxide pattern.</a> Nature Communications. 4, 1452 (2013).</li><li>Gupta, P., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=MOVPE+growth+of+semipolar+III-nitride+semiconductors+on+CVD+graphene.">MOVPE growth of semipolar III-nitride semiconductors on CVD graphene.</a> Journal of Crystal Growth. 372, 105-108 (2013).</li><li>Heinke, H., Kirchner, V., Einfeldt, S., Hommel, D. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=X-ray+diffraction+analysis+of+the+defect+structure+in+epitaxial+GaN.">X-ray diffraction analysis of the defect structure in epitaxial GaN.</a> Appllied Physics Letters. 77, 2145-2147 (2000).</li><li>Lughi, V., Clarke, D. R. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Defect+and+Stress+Characterization+of+AlN+Films+by+Raman+Spectroscopy.">Defect and Stress Characterization of AlN Films by Raman Spectroscopy.</a> Appllied Physics Letters. 89, 2653 (2006).</li><li>Li, Y., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Van+der+Waals+epitaxy+of+GaN-based+light-emitting+diodes+on+wet-transferred+multilayer+graphene+film.">Van der Waals epitaxy of GaN-based light-emitting diodes on wet-transferred multilayer graphene film.</a> Jappanese Journal of Applied Physics. 56, 085506 (2017).</li><li>Chang, H., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Graphene-assisted+quasi-van+der+Waals+epitaxy+of+AlN+film+for+ultraviolet+light+emitting+diodes+on+nano-patterned+sapphire+substrate.">Graphene-assisted quasi-van der Waals epitaxy of AlN film for ultraviolet light emitting diodes on nano-patterned sapphire substrate.</a> Applled Physics Letters. 114, 091107 (2019).</li></ol>

Wie in Abbildung 1Adargestellt, veranschaulicht das mit der NIL-Technik hergestellte NPSS die nanokonkaven Kegelmuster mit 400 nm Tiefe, 1 m Musterperiode und 300 nm Breite der ungeätzten Regionen. Nach dem APCVD-Wachstum der Graphenschicht ist das Graphen-NPSS in Abbildung 1Bdargestellt. Der signifikant erhöhte D-Peak von N-Plasma behandeltem Graphen in Raman-Spektren Abbildung 1C</strong...

AlN und AlGaN sind die wichtigsten Materialien in DUV-LEDs1,2, die in verschiedenen Bereichen wie Sterilisation, Polymerhärtung, biochemische Detektion, Nicht-Sicht-Kommunikation und spezielle Beleuchtung3weit verbreitet sind. Aufgrund des Mangels an intrinsischen Substraten ist die AlN-Heteroepitaxie auf Saphirsubstraten von MOCVD zur gebräuchlichsten technischen Route4geworden. Die große Gitter-Missverhältnis zwischen AlN und Saphirsubstrat führt jedoch zu Spannungsansammlung5,6, Verrenkungen mit hoher Dichte und Stapelfehlern7. Dadurchwirddie interne Quanteneffizienz von LEDs 8 reduziert. In den letzten Jahrzehnten wurde vorgeschlagen, gemusterten Saphir als Substrate (PSS) zu verwenden, um AlN epitaxiales laterales Überwucherungswachstum (ELO) zu induzieren, um dieses Problem zu lösen. Darüber hinaus wurden große Fortschritte beim Wachstum der AlN-Vorlagen9,10,11erzielt. Bei einem hohen Oberflächenhaftungskoeffizienten und Bindungsenergie (2,88 eV für AlN) haben Al-Atome jedoch eine geringe atomare Oberflächenmobilität, und das Wachstum von AlN neigt dazu, einen dreidimensionalen Inselwachstumsmodus zu haben12. Somit ist das epitaxiale Wachstum von AlN-Folien auf NPSS schwierig und erfordert eine höhere Koaleszenzdicke (über 3 m) als bei flachen Saphirsubstraten, was zu längerer Wachstumszeit führt und hohe Kosten erfordert9.
Kürzlich zeigt Graphen aufgrund seiner sechseckigen Anordnung von sp2 hybridisierten Kohlenstoffatomen13ein großes Potenzial für den Einsatz als Pufferschicht für das AlN-Wachstum. Darüber hinaus kann die Quasi-van der Waals Epitaxie (QvdWE) von AlN auf Graphen den Mismatch-Effekt reduzieren und hat einen neuen Weg für AlN-Wachstum14,15geebnet. Um die chemische Reaktivität von Graphen zu erhöhen, verwendeten Chen et al.N2-plasmabehandeltesGraphen als Pufferschicht und ermittelten die QvdWE von hochwertigen AlN- und GaN-Folien8, die die Verwendung von Graphen als Pufferschicht demonstriert.
Durch die2Kombination der N2-Plasma-behandelten Graphentechnik mit kommerziellen NPSS-Substraten stellt dieses Protokoll eine neue Methode für schnelles Wachstum und Koaleszenz von AlN auf einem Graphen-NPSS-Substrat dar. Die vollständig koaleszische Dicke von AlN auf Graphen-NPSS wird bestätigt, um weniger als 1 'm zu sein, und die epitaxialen AlN-Schichten sind von hoher Qualität und Stress freigesetzt. Diese Methode ebnet einen neuen Weg für die AlN-Vorlagen-Massenproduktion und zeigt großes Potenzial bei der Anwendung von AlGaN-basierten DUV-LEDs.

<table>
	<tbody>
		<tr>
			<td>Acetone,99.5%</td>
			<td>Bei Jing Tong Guang Fine Chemicals company</td>
			<td>1090</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>APCVD</td>
			<td>Linderberg</td>
			<td>Blue M</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>EB</td>
			<td>AST</td>
			<td>Peva-600E</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Ethonal,99.7%</td>
			<td>Bei Jing Tong Guang Fine Chemicals company</td>
			<td>1170</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>HF,40%</td>
			<td>Beijing Chemical Works</td>
			<td>1789</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>ICP-RIE</td>
			<td>AST</td>
			<td>Cirie-200</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>MOCVD</td>
			<td>VEECO</td>
			<td>P125</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>PECVD</td>
			<td>Oerlikon</td>
			<td>790+</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Phosphate,85%</td>
			<td>Beijing Chemical Works</td>
			<td>1805</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Sulfuric acid,98%</td>
			<td>Beijing Chemical Works</td>
			<td>10343</td>
			<td></td>
		</tr>
	</tbody>
</table>

graphene-assisted quasi-van der waals epitaxy of aln film on nano-patterned sapphire substrate for ultraviolet light emitting diodes

Dieses Protokoll zeigt eine Methode für graphengestütztes schnelles Wachstum und Koaleszenz von AlN auf nano-patteniertem Saphirsubstrat (NPSS). Graphenschichten werden direkt auf NPSS unter Verwendung der katalysatorfreien atmosphärischen Druck-chemischen Dampfabscheidung (APCVD) angebaut. Durch die Anwendung der Stickstoff-reaktiven Ionenätzung (RIE) Plasmabehandlung werden Defekte in den Graphenfilm eingeführt, um die chemische Reaktivität zu verbessern. Während des metallorganischen chemischen Dampfabbaus (MOCVD) von AlN ermöglicht dieser N-Plasma behandelte Graphenpuffer ein schnelles AlN-Wachstum, und die Koaleszenz auf NPSS wird durch die Querschnittselektronenmikroskopie (SEM) bestätigt. Die hohe Qualität von AlN auf Graphen-NPSS wird dann durch Röntgengesteinskurven (XRCs) mit schmaler (0002) und (10-12) voller Breite bei Halbmaximum (FWHM) als 267,2 Arcsec bzw. 503,4 Arcsec bewertet. Im Vergleich zu blankem NPSS zeigt das AlN-Wachstum auf Graphen-NPSS eine signifikante Reduzierung der Restspannung von 0,87 GPa auf 0,25 Gpa, basierend auf Raman-Messungen. Gefolgt von AlGaN multiple quantum wells (MQWS) Wachstum auf Graphen-NPSS, AlGaN-basierte tiefe ultraviolette Leuchtdioden (DUV LEDs) hergestellt werden. Die hergestellten DUV-LEDs zeigen auch eine offensichtliche, verbesserte Lumineszenzleistung. Diese Arbeit bietet eine neue Lösung für das Wachstum von hochwertigen AlN und die Herstellung von Hochleistungs-DUV-LEDs mit einem kürzeren Prozess und weniger Kosten.

Für den epitaxialen AlN-Film(Abbildung 1, Abbildung 2) und die AlGaN-basierten DUV-LEDs(Abbildung 3)wurden Rasterelektronenmikroskopie (SEM)-Bilder, Röntgenbeugungsgesteinskurven (XRC), Raman-Spektren, Transmissionselektronenmikroskopie (TEM)-Bilder und Elektrolumineszenz-Spektrum (EL) gesammelt. Das SEM und DAS TEM werden verwendet, um die Morphologie des AlN auf Graphen-NPSS zu bestimmen. XRD und Raman werden verwendet, um die D...

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Graphene-Assisted Quasi-van der Waals Epitaxy of AlN Film on Nano-Patterned Sapphire Substrate for Ultraviolet Light Emitting Diodes

Ein Protokoll für graphengestütztes Wachstum hochwertiger AlN-Folien auf nanogemusterten Saphirsubstraten wird vorgestellt.

Graphen-Assisted Quasi-van der Waals Epitaxy von AlN Film auf Nano-PatternEd Sapphire Substrat für ultraviolette Leuchtdioden

This protocol demonstrates a method for graphene-assisted quick growth and coalescence of AlN on nano-pattened sapphire substrate (NPSS). Graphene layers ...

Dieses neue Protokoll für Aluminiumnitride schnelles Wachstum auf nanogemusterten Saphirsubstrat mit Graphenschicht kann für die schnelle und kostengünstige Erzeugung von leistungsstarken tiefen ULTRAvioletten LEDs verwendet werden. Die Verwendung von Di-Aal-Graphen als Aluminiumnitrid-Vorlage zeigt Wachstumspotenzial bei der Anwendung von Aluminium-, Galliumnitrit-basierten LEDs. Zunächst spülen Sie das NPSS dreimal mit Aceton, Ethanol und entionisiertem Wasser ab.Und trocknen Sie die NPSS mit einer Stickstoffpistole. Laden Sie den NPSS in einen Drei-Zonen-Hochtemperaturofen mit einer langen Flachtemperaturzone. Und erhitzen Sie den Ofen auf 1050 Grad Celsius.Stabilisieren Sie die Temperatur für 10 Minuten unter 500 Standard-Kubikzentimeter pro Minute Argon und 300 Standard-Kubikzentimeter pro Minute Argon von Wasserstoff. Dann führen Sie 30 Standard-Kubikzentimeter pro Minute Argon methan in die Reaktionskammer für das Wachstum des Graphens auf dem NPSS für drei Stunden. Am Ende der Wachstumsreaktion das Methan abschalten und das NPSS auf natürliche Weise abkühlen lassen.Spülen Sie das gekühlte Substrat mit entionisiertem Wasser. Und trocknen Sie die NPSS mit einer Stickstoffpistole. Dann ätzen Sie das Graphen NPSS durch Stickstoffplasma mit einem Stickstoffdurchfluss von 300 Standard-Kubikzentimeter pro Minute für 30 Sekunden.Und eine Leistung von 50 Watt in reaktiver Ionenätzungkammer. Für MOCVD Wachstum von Aluminiumstickstoff auf Graphen NPSS, bearbeiten Sie die MOCVD Rezept für Aluminium StickstoffWachstum. Und laden Sie das Graphen NPSS und sein NPSS-Pendant in eine hausgemachte MOCVD-Kammer.Nach dem Erhitzen für 12 Minuten stabilisiert sich die Temperatur bei 1200 Grad Celsius. Führen Sie dann 7000 Standard-Kubikzentimeter pro Minute Wasserstoff als Umgebung ein. 70 Standard-Kubikzentimeter pro Minute Trimethylaluminium.Und 500 Standard-Kubikzentimeter pro Minute Ammoniak für zwei Stunden. Fahren Sie mit MOCVD Wachstum von Aluminium Gallium Stickstoff Quantenbrunnen nach Manuskript Richtungen. Wenn sie fertig sind, senken Sie die Temperatur der Kammer auf 800 Grad Celsius und knien Sie die P-Typ-Schichten mit Stickstoff für 20 Minuten.Für Aluminium-Galliumstickstoff-basierte tiefe ultraviolette LED-Fertigung, drehen Sie Foto-Resist 4620 auf die Wafer und führen Lithographie mit acht Sekunden UV-Belichtung, 30 Sekunden Entwicklungszeit und zwei Minuten Spülzeit. Für induktivgekoppelte Plasmaätzung von P-Galliumstickstoff stellen Sie die Ätzleistung auf 450 Watt, den Ätzdruck auf vier Millitorr und die Ätzrate auf 5,6 Nanometer pro Sekunde ein. Die geätzte Probe fünf Minuten lang in Aceton bei 80 Grad Celsius geben.Gefolgt von Dem Waschen in Ethanol und entionisiertem Wasser. Drehen negative Foto-Widerstand der NR9 und die Lithographie für eine UV-Belichtungszeit von 12 Sekunden, eine Entwicklungszeit von 20 Sekunden und eine Spülzeit von zwei Minuten. Waschen Sie die Probe dreimal mit Aceton, Ethanol und entionisiertem Wasser.Und legen Titan Aluminium Titan Gold durch Elektronenstrahl verdampfen. Drehen Sie negative Foto-Resist NR9 und Lithographie unter den gleichen Einstellungen. Und waschen Sie die Proben dreimal mit Aceton, Ethanol und entionisiertem Wasser ohne Ultraschall.Nickel-Gold durch Elektronenstrahlverdampfung ablagern. Und waschen Sie die Probe mit Ethanol und entionisiertem Wasser dreimal. Legen Sie 300 Nanometer Siliziumdioxid durch plasmaverstärkte chemische Dampfabscheidung bei einer Abscheidungstemperatur von 300 Grad Celsius und einer Abscheidungsrate von 100 Nanometern pro Minute ab.Drehen Sie Foto-Resist 304 und Lithographie bei einer UV-Belichtungszeit von acht Sekunden, einer Entwicklungszeit von einer Minute und einer Spülzeit von zwei Minuten, bevor Sie die Wafer 15 Sekunden lang in 23% Flusssäure eintauchen. Waschen Sie die Probe dreimal mit Ethanol und entionisiertem Wasser. Und trocknen Sie die Wafer mit einer Stickstoffpistole.Nach der Fotolithographie mit NR9, wie gezeigt, hinterlegen Aluminium Titangold durch Elektronenstrahlverdampfung. Und waschen Sie die Probe dreimal mit Ethanol und entionisiertem Wasser. Nach dem letzten Waschen mahlen und polieren Sie den Saphir auf 130 Mikrometer durch mechanisches Polieren.Und waschen Sie die Probe mit Entwachslösung und entionisiertem Wasser. Dann schneiden Sie den gesamten Wafer mit einem Laser in 0,5 mal 0,5 Millimeter Gerätestücke. Und verwenden Sie einen mechanischen Dicer, um den Wafer in Chips zu schneiden.Scan- und Transmissionselektronenmikroskopie-Bildgebung kann verwendet werden, um die Morphologie des Aluminiumstickstoffs auf Graphen und NPSS zu bestimmen. Ramen kann verwendet werden, um die Dislokationsdichten und die Restspannung zu berechnen. Elektroluminescense wird verwendet, um die Beleuchtung der hergestellten tiefen UV-LEDs zu veranschaulichen.Denken Sie daran, dass der Wafer vor jeder neuen Änderung sauber sein muss. Daher ist es wichtig, den Wafer vor jedem Schritt gründlich zu spülen.

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