Name: graphene-assisted quasi-van der waals epitaxy of aln film on nano-patterned sapphire substrate for ultraviolet light emitting diodes
Uploaded: 2020-06-25T12:30:00
Description: Watch this Scientific Journal Video about Graphene-Assisted Quasi-van der Waals Epitaxy of AlN Film on Nano-Patterned Sapphire Substrate for Ultraviolet Light Emitting Diodes at JoVE.com

עבודה זו היתה נתמכת מבחינה כספית על ידי תוכנית המפתח הלאומי R & D של סין (No. 2018YFB0406703), הקרן הלאומית למדע הטבע של סין (Nos. 61474109, 61527814, 11474274, 61427901), ו הקרן בייג למדעי הטבע (No. 4182063)

התראה: חלק מהכימיקלים המשמשים בשיטות אלה הם רעילים ומסרטנים בחריפות. נא עיין בכל גליונות הנתונים הרלוונטיים של בטיחות חומרים (MSDS) לפני השימוש.
1. הכנת NPSS על ידי ליתוגרפיה ננו הטבעה (אפס)
<ol><li>התצהיר של הסרט SiO2<ol>
<li>לשטוף את 2 "c-מטוס שטוח ספיר המצע עם אתנול ואחריו מים מוכי ?...

<ol>
	<li>Sakai, Y., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Demonstration+of+AlGaN-Based+Deep-Ultraviolet+Light-Emitting+Diodes+on+High-Quality+AlN+Templates.">Demonstration of AlGaN-Based Deep-Ultraviolet Light-Emitting Diodes on High-Quality AlN Templates.</a> Jappanese Journal of Applied Physics. 49, 022102 (2010).</li><li>Yun, J., Hirayama, H. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Investigation+of+the+light-extraction+efficiency+in+280+nm+AlGaN-based+light-emitting+diodes+having+a+highly+transparent+p-AlGaN+layer.">Investigation of the light-extraction efficiency in 280 nm AlGaN-based light-emitting diodes having a highly transparent p-AlGaN layer.</a> Journal of Applied Physics. 121, 013105 (2017).</li><li>Khan, A., Balakrishnan, K., Katona, T. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Ultraviolet+light-emitting+diodes+based+on+group+three+nitrides.">Ultraviolet light-emitting diodes based on group three nitrides.</a> Nature Photonics. 2, 77-84 (2008).</li><li>Balushi, Z. Y. A., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=The+impact+of+graphene+properties+on+GaN+and+AlN+nucleation.">The impact of graphene properties on GaN and AlN nucleation.</a> Surface Science. 634, 81-88 (2015).</li><li>Motoki, K., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Growth+and+characterization+of+freestanding+GaN+substrates.">Growth and characterization of freestanding GaN substrates.</a> Journal of Crystal Growth. 237, 912-921 (2002).</li><li>Kim, Y., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Remote+epitaxy+through+graphene+enables+two-dimensional+material-based+layer+transfer.">Remote epitaxy through graphene enables two-dimensional material-based layer transfer.</a> Nature. 544, 340-343 (2017).</li><li>Hemmingsson, C., Pozina, G. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Optimization+of+low+temperature+GaN+buffer+layers+for+halide+vapor+phase+epitaxy+growth+of+bulk+GaN.">Optimization of low temperature GaN buffer layers for halide vapor phase epitaxy growth of bulk GaN.</a> Journal of Crystal Growth. 366, 61-66 (2013).</li><li>Chen, Z., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=High-Brightness+Blue+Light-Emitting+Diodes+Enabled+by+a+Directly+Grown+Graphene+Buffer+Layer.">High-Brightness Blue Light-Emitting Diodes Enabled by a Directly Grown Graphene Buffer Layer.</a> Advanced Materials. 30, 1801608 (2018).</li><li>Dong, P., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=282-nm+AlGaN-based+deep+ultraviolet+light-emitting+diodes+with+improved+performance+on+nano-patterned+sapphire+substrates.">282-nm AlGaN-based deep ultraviolet light-emitting diodes with improved performance on nano-patterned sapphire substrates.</a> Applied Physics Letters. 102, 241113 (2013).</li><li>Imura, M., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Epitaxial+lateral+overgrowth+of+AlN+on+trench-patterned+AlN+layers.">Epitaxial lateral overgrowth of AlN on trench-patterned AlN layers.</a> Journal of Crystal Growth. 298, 257-260 (2007).</li><li>Kueller, V., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Growth+of+AlGaN+and+AlN+on+patterned+AlN/sapphire+templates.">Growth of AlGaN and AlN on patterned AlN/sapphire templates.</a> Journal of Crystal Growth. 315, 200-203 (2011).</li><li>Kneissl, M., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Advances+in+group+III-nitride-based+deep+UV+light-emitting+diode+technology.">Advances in group III-nitride-based deep UV light-emitting diode technology.</a> Semiconductor Science &amp; Technology. 26, 014036 (2010).</li><li>Kunook, C., Chul-Ho, L., Gyu-Chul, Y. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Transferable+GaN+layers+grown+on+ZnO-coated+graphene+layers+for+optoelectronic+devices.">Transferable GaN layers grown on ZnO-coated graphene layers for optoelectronic devices.</a> Science. 330, 655-657 (2010).</li><li>Kim, J., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Principle+of+direct+van+der+Waals+epitaxy+of+single-crystalline+films+on+epitaxial+graphene.">Principle of direct van der Waals epitaxy of single-crystalline films on epitaxial graphene.</a> Nature Communications. 5, 4836 (2014).</li><li>Han, N., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Improved+heat+dissipation+in+gallium+nitride+light-emitting+diodes+with+embedded+graphene+oxide+pattern.">Improved heat dissipation in gallium nitride light-emitting diodes with embedded graphene oxide pattern.</a> Nature Communications. 4, 1452 (2013).</li><li>Gupta, P., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=MOVPE+growth+of+semipolar+III-nitride+semiconductors+on+CVD+graphene.">MOVPE growth of semipolar III-nitride semiconductors on CVD graphene.</a> Journal of Crystal Growth. 372, 105-108 (2013).</li><li>Heinke, H., Kirchner, V., Einfeldt, S., Hommel, D. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=X-ray+diffraction+analysis+of+the+defect+structure+in+epitaxial+GaN.">X-ray diffraction analysis of the defect structure in epitaxial GaN.</a> Appllied Physics Letters. 77, 2145-2147 (2000).</li><li>Lughi, V., Clarke, D. R. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Defect+and+Stress+Characterization+of+AlN+Films+by+Raman+Spectroscopy.">Defect and Stress Characterization of AlN Films by Raman Spectroscopy.</a> Appllied Physics Letters. 89, 2653 (2006).</li><li>Li, Y., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Van+der+Waals+epitaxy+of+GaN-based+light-emitting+diodes+on+wet-transferred+multilayer+graphene+film.">Van der Waals epitaxy of GaN-based light-emitting diodes on wet-transferred multilayer graphene film.</a> Jappanese Journal of Applied Physics. 56, 085506 (2017).</li><li>Chang, H., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Graphene-assisted+quasi-van+der+Waals+epitaxy+of+AlN+film+for+ultraviolet+light+emitting+diodes+on+nano-patterned+sapphire+substrate.">Graphene-assisted quasi-van der Waals epitaxy of AlN film for ultraviolet light emitting diodes on nano-patterned sapphire substrate.</a> Applled Physics Letters. 114, 091107 (2019).</li></ol>

כפי שמוצג באיור 1, ה-npss שהוכן על-ידי טכניקת ה-0 ממחיש את דפוסי החרוט הננו-קימור עם עומק 400 ננומטר, 1 יקרומטר תקופה של תבנית, ורוחב 300 ננומטר של האזורים הבלתי חרוטים. לאחר צמיחת APCVD של שכבת הגראפן, הגראפן-NPSS מוצג באיור 1ב. שיא משמעותי מוגברת D של N-פ...

אני ו algan הם החומרים החיוניים ביותר ב duv-נוריות1,2, אשר היו בשימוש נרחב בתחומים שונים כגון עיקור, פולימרים ריפוי, זיהוי ביוכימיים, תקשורת שאינה קו ראייה, ותאורה מיוחדת3. בשל היעדר מצעים פנימיים, מחלת הטרואפיאקסון על מצעים ספיר על ידי מוקטVD הפך את הנתיב הטכני הנפוץ ביותר4. עם זאת, האי-התאמה של הסריג הגדול בין הסובסטרט לבין המצע ספיר מוביל להצטברות לחץ של5,6, בצפיפות גבוהה ובערימה של תקלות7. כך, את היעילות הפנימית הקוונטית של נוריות מופחת8. בעשורים האחרונים, באמצעות בדוגמת ספיר כמו מצעים (PSS) כדי לזרז את הצמיחה מחדש האפיציאני לרוחב (ELO) הציע לפתור את הבעיה. בנוסף, ההתקדמות הגדולה נעשתה בצמיחה של התבניות מועשר9,10,11. עם זאת, עם מקדם הדבקה משטח גבוה ואנרגיית מליטה (2.88 eV עבור האני), אטומי אל יש ניידות נמוכה בפני השטח האטומי, ואת התפתחותם של האדם נוטה להיות במצב צמיחה תלת ממדי של אי מימדי12. כך, את הצמיחה האפיצינלית של הסרטים מאוניברסיטת התנועה ב-npss קשה ודורש עובי גיבושו גבוה יותר (מעל 3 μm) מזה על שטוח ספיר מצעים, מה שגורם לזמן צמיחה ארוכה דורש עלויות גבוהות9.
לאחרונה, גראפן מראה פוטנציאל גדול לשימוש כשכבת מאגר עבור הצמיחה של מיין בשל ההסדר משושה שלה של sp2 הוכלא פחמן אטומי13. בנוסף, הקוואזי-ואן דר וואלס (qvdwe) של מאשר על גראפן עשוי להפחית את אפקט חוסר התאמה וסלל דרך חדשה עבור הצמיחה מחדש14,15. כדי להגדיל את הפעילות הכימית של גראפן, צ'ן ואח '. השתמשו N2-פלזמה מטופל גראפן כשכבת מאגר וקבע QvdWE של באיכות גבוהה המורק ו-גן סרטים8, אשר מדגים את הניצול של גראפן כשכבת מאגר.
שילוב של N2-פלזמה מטופל טכניים עם מצעים NPSS מסחרי, פרוטוקול זה מציג שיטה חדשה לצמיחה מהירה והזדקנות של האני על מצע גראפן-NPSS. העובי המלא של המחשב העליון בגראפן-NPSS מאושר להיות פחות מ-1 μm, והרובד האפיציאני של השכבות באיכות גבוהה ושחרור מתח. שיטה זו מציגה דרך חדשה עבור הייצור המוני תבנית המוני ומראה פוטנציאל גדול ביישום של DUV-Led מבוססי AlGaN.

<table>
	<tbody>
		<tr>
			<td>Acetone,99.5%</td>
			<td>Bei Jing Tong Guang Fine Chemicals company</td>
			<td>1090</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>APCVD</td>
			<td>Linderberg</td>
			<td>Blue M</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>EB</td>
			<td>AST</td>
			<td>Peva-600E</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Ethonal,99.7%</td>
			<td>Bei Jing Tong Guang Fine Chemicals company</td>
			<td>1170</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>HF,40%</td>
			<td>Beijing Chemical Works</td>
			<td>1789</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>ICP-RIE</td>
			<td>AST</td>
			<td>Cirie-200</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>MOCVD</td>
			<td>VEECO</td>
			<td>P125</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>PECVD</td>
			<td>Oerlikon</td>
			<td>790+</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Phosphate,85%</td>
			<td>Beijing Chemical Works</td>
			<td>1805</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Sulfuric acid,98%</td>
			<td>Beijing Chemical Works</td>
			<td>10343</td>
			<td></td>
		</tr>
	</tbody>
</table>

graphene-assisted quasi-van der waals epitaxy of aln film on nano-patterned sapphire substrate for ultraviolet light emitting diodes

פרוטוקול זה מדגים שיטה לצמיחה מהירה בסיוע לגראפן והזדקנות ה, באופן מהיר על המצע הספיר של ננו-פאעודד (NPSS). שכבות גראפן הם גדלו ישירות על NPSS באמצעות catalyst-בלחץ אטמוספריים כימיים לחצים כימי התצהיר (APCVD). על-ידי החלת איכול חנקן תגובתי (RIE) הטיפול פלזמה, פגמים מוצגים לתוך הסרט גראפן כדי לשפר את פעילות מחודשת כימית. במהלך מתכת-אורגני התצהיר אדי כימי (מוקטvd) הצמיחה של מיין, זה N-פלזמה התייחס מאגר הגרפיקה מאפשר הצמיחה מהירה של מזון מהיר, ו ביולוגית על NPSS הוא אישר על ידי סריקת חתך מיקרוסקופ אלקטרונים (SEM). באיכות גבוהה של מק על גראפן-NPSS הוא העריך אז על ידי X-ray נדנדה עקומות (XRCs) עם צר (0002) ו (10-12) רוחב מלא בחצי מקסימום (FWHM) כמו 267.2 arcsec ו 503.4 arcsec, בהתאמה. בהשוואה NPSS חשופים, הצמיחה באני ב-גראפן-NPSS מראה ירידה משמעותית של מתח שיורית מ 0.87 ממוצע ל 0.25 ממוצע, מבוסס על מדידות ראמאן. ואחריו AlGaN בארות קוונטית מרובות (MQWS) הצמיחה ב-גראפן-NPSS, AlGaN מבוססי אור אולטרה סגול מבוסס-פולטות-diodes (נוריות DUV) מיוצרים. DUV-נוריות מפוברק גם להפגין ברור, ביצועים משופרים משופרת. עבודה זו מספקת פתרון חדש לצמיחה של באיכות גבוהה וייצור של DUV-נוריות ביצועים גבוהים באמצעות תהליך קצר יותר ועלויות פחות.

סריקת מיקרוסקופ אלקטרוני (SEM), הקרנת רנטגן (XRC), העברת מיקרוסקופיה אלקטרון (X), ספקטרום ראמאן, מיקרוסקופ אלקטרוני של הילוכים (TEM), ו אלקטרולינציה (EL) הקשת נאספו עבור הסרט בסדר היום (איור 1, איור 2) ו ALGAN מבוססי Duv-נוריות (איור 3). SEM ו-TEM משמשים כדי לקבוע ...

Watch this Scientific Journal Video about Graphene-Assisted Quasi-van der Waals Epitaxy of AlN Film on Nano-Patterned Sapphire Substrate for Ultraviolet Light Emitting Diodes at JoVE.com

Graphene-Assisted Quasi-van der Waals Epitaxy of AlN Film on Nano-Patterned Sapphire Substrate for Ultraviolet Light Emitting Diodes

פרוטוקול עבור הצמיחה גראפן בסיוע של סרטים באיכות גבוהה האני על המצע הספיר ננו בדוגמת מוצג.

גראפן בסיוע-ואן דר ואלס כאפיאידיי הסרט על בסיס הספיר ננו-בדוגמת המצע עבור דיודות אור אולטרה סגול

This protocol demonstrates a method for graphene-assisted quick growth and coalescence of AlN on nano-pattened sapphire substrate (NPSS). Graphene layers ...

פרוטוקול חדש זה עבור אלומיניום nitrides צמיחה מהירה על מצע ספיר בדוגמת ננו עם שכבת גרפן יכול לשמש עבור דור מהיר וזול של קרניים אולטרה סגולות עמוקות ביצועים גבוהים. באמצעות גרפן די-צלופא כתבנית אלומיניום ניטרד, מראה פוטנציאל צמיחה ביישום של אלומיניום, גליום ניטרוט מבוססי ניידות. כדי להתחיל, לשטוף את NPSS עם אצטון, אתנול ומים deionized שלוש פעמים.ולייבש את NPSS עם אקדח חנקן. לטעון את NPSS לתוך שלושה אזורים, תנור בטמפרטורה גבוהה, עם אזור טמפרטורה שטוח ארוך. ומחממים את התנור ל-1050 מעלות צלזיוס.לייצב את הטמפרטורה במשך 10 דקות תחת 500 סנטימטרים מעוקבים סטנדרטיים לדקה של ארגון ו 300 סנטימטרים מעוקבים סטנדרטיים לדקה של ארגון מימן. ואז להכניס 30 סנטימטרים מעוקבים סטנדרטיים לדקה של ארגון של מתאן לתוך תא התגובה לצמיחה של גרפן על NPSS במשך שלוש שעות. בסוף תגובת הצמיחה, לכבות את המתאן ולאפשר NPSS להתקרר באופן טבעי.שוטפים את המצע מקורר עם מים deionized. ולייבש את NPSS עם אקדח חנקן. לאחר מכן, תחריט NPSS גרפן על ידי פלזמה חנקן עם קצב זרימת חנקן של 300 סנטימטרים מעוקבים סטנדרטיים לדקה במשך 30 שניות.וכוח של 50 וואט בתא תחריט יון תגובתי. לצמיחה MOCVD של חנקן אלומיניום על גרפן NPSS, לערוך את המתכון MOCVD לצמיחת חנקן אלומיניום. ולטעון את NPSS גרפן ומקביל NPSS שלה לתא MOCVD תוצרת בית.לאחר חימום של 12 דקות, הטמפרטורה תתייצב על 1200 מעלות צלזיוס. לאחר מכן הציגו 7000 ס"מ מעוקבים סטנדרטיים לדקה של מימן כ-ambient. 70 ס"מ מעוקבים סטנדרטיים לדקה טרימתיללומינום.ו-500 ס"מ מעוקבים סטנדרטיים לאמוניה דקה למשך שעתיים. המשך עם צמיחת MOCVD של בארות קוונטיות אלומיניום גליום חנקן בהתאם לכיווני כתב היד. בסיום, להוריד את הטמפרטורה של התא ל 800 מעלות צלזיוס ו- a-לכרוע את השכבות מסוג P עם חנקן במשך 20 דקות.עבור אלומיניום גליום חנקן מבוסס עמוק אולטרה סגול LED ייצור, ספין צילום לעמוד 4620 על הוופלים ולבצע ליטוגרפיה עם שמונה שניות של חשיפה UV, 30 שניות של זמן פיתוח ושתי דקות של זמן שטיפה. עבור תחריט פלזמה מרוכך השראות של חנקן P-gallium, להגדיר את כוח התחריט ל 450 וואט, לחץ תחריט לארבעה מיליטורים ואת קצב התחריט ל 5.6 ננומטר לשנייה. מניחים את הדגימה החרובה לתוך אצטון ב 80 מעלות צלזיוס במשך חמש דקות.ואחריו כביסה באתנול ומים deionized. ספינינג שלילי צילום להתנגד NR9 ואת הליתוגרפיה לזמן חשיפה UV של 12 שניות, זמן פיתוח של 20 שניות ותוזה שטיפה של שתי דקות. לשטוף את המדגם עם אצטון, אתנול ומים deionized שלוש פעמים.ולהפקיד טיטניום אלומיניום טיטניום זהב על ידי אידוי קרן אלקטרונים. סובב תמונות שליליות נגד NR9 וליטוגרפיה תחת אותן הגדרות. ולשטוף את הדגימות שלוש פעמים עם אצטון, אתנול ומים deionized ללא ultrasonication.הפקדת ניקל-זהב על ידי אידוי קרן אלקטרונים. ולשטוף את הדגימה עם אתנול ומים deionized שלוש פעמים. להפקיד 300 ננומטר של דו תחמוצת הסיליקון על ידי פלזמה משופרת אדים כימיים תצהיר בטמפרטורת תצהיר של 300 מעלות צלזיוס וקצב תצהיר של 100 ננומטר לדקה.ספין פוטו-התנגדות 304 ו lithography בזמן חשיפה UV של שמונה שניות, זמן פיתוח של דקה אחת זמן שטיפה של שתי דקות לפני טבילת הוופלים לתוך 23% חומצה הידרופלואורית במשך 15 שניות. לשטוף את הדגימה שלוש פעמים עם אתנול ומים deionized. ולייבש את הוופלים עם אקדח חנקן.לאחר צילום ליתוגרפיה עם NR9 כפי שהודגם, להפקיד זהב טיטניום אלומיניום על ידי אידוי קרן אלקטרונים. ולשטוף את הדגימה שלוש פעמים עם אתנול ומים deionized. לאחר השטיפה האחרונה לטחון וללטש את הספיר ל 130 מיקרומטר על ידי ליטוש מכני.ולשטוף את המדגם עם פתרון de-waxing ומים deionized. לאחר מכן השתמש בלייזר כדי לחתוך את כל הוופל לחתיכות התקן של 0.5 על 0.5 מילימטר. ולהשתמש במכונות מכניות כדי לחתוך את הוופל לשבבים.סריקה והעברת הדמיה מיקרוסקופית אלקטרונים ניתן להשתמש כדי לקבוע את המורפולוגיה של חנקן אלומיניום על גרפן NPSS. ראמן יכול לשמש כדי לחשב את צפיפות נקע ואת הלחץ שיורית. Electroluminescense משמש כדי להמחיש את התאורה של LED UV עמוק מפוברק.זכור כי הוופל חייב להיות נקי לפני כל שינוי חדש. אז זה חיוני כדי לשטוף את הוופל ביסודיות לפני כל צעד.

Research

JoVE Journal

Engineering

Polycrystalline Silicon Thin-film Solar cells with Plasmonic-enhanced Light-trapping

סיליקון polycrystalline תאים סולאריים סרט דק עם plasmonic משופרת אור השמנה

One of major approaches to cheaper solar cells is reducing the amount of semiconductor material used for their fabrication and making cells thinner. To ...

Fabrication of White Light-emitting Electrochemical Cells with Stable Emission from Exciplexes

המצאה של אור לבן פולטות תאים אלקטרוכימיים עם פליטה יציבה מ Exciplexes

The authors present an approach for fabricating stable white light emission from polymer light-emitting electrochemical cells (PLECs) having an active ...

Plasma-assisted Molecular Beam Epitaxy of N-polar InAlN-barrier High-electron-mobility Transistors

Beam Epitaxy המולקולרית בסיוע פלזמה של N-קוטבי InAlN-מחסום טרנזיסטורים-ניידות גבוהה-אלקטרון

Plasma-assisted molecular beam epitaxy is well suited for the epitaxial growth of III-nitride thin films and heterostructures with smooth, abrupt ...

Production and Characterization of Vacuum Deposited Organic Light Emitting Diodes

ייצור ואפיון של ואקום שהופקדו דיודות פולטות אור אורגני

A method for producing simple and efficient thermally-activated delayed fluorescence organic light-emitting diodes (OLEDs) based on guest-host or exciplex ...

A Fabrication and Measurement Method for a Flexible Ferroelectric Element Based on Van Der Waals Heteroepitaxy

ייצור ושיטת מדידה לרכיב Ferroelectric גמיש בהתבסס על ואן דר Waals Heteroepitaxy

Flexible non-volatile memories have received much attention as they are applicable for portable smart electronic device in the future, relying on ...

Enhanced Electron Injection and Exciton Confinement for Pure Blue Quantum-Dot Light-Emitting Diodes by Introducing Partially Oxidized Aluminum Cathode

הזרקה משופרת אלקטרון וכליאתם אקסיטון עבור טהור קוונטית-נקודה כחולה דיודות פולטות אור על ידי החדרת חלקית תחמוצת אלומיניום קטודה

Stable and efficient red (R), green (G), and blue (B) light sources based on solution-processed quantum dots (QDs) play important roles in next-generation ...

Film Control to Study Contributions of Waves to Droplet Impact Dynamics on Thin Flowing Liquid Films

סרט שליטה ללמוד תרומות של גלים Droplet דיינמיקס ההשפעה על סרטים נוזלי זורם דק

Droplet impact is a very common phenomenon in nature and attracts attention due to its aesthetic fascination and wide-ranging applications. Previous ...

Synchrotron X-ray Microdiffraction and Fluorescence Imaging of Mineral and Rock Samples

סינכרוטרון Microdiffraction רנטגן והדמיה זריחה של דגימות הסלע המינרלים

In this report, we describe a detailed procedure for acquiring and processing&#160;x-ray microfluorescence (&#956;XRF), and Laue and powder ...

Fabrication of Schottky Diodes on Zn-polar BeMgZnO/ZnO Heterostructure Grown by Plasma-assisted Molecular Beam Epitaxy

ייצור של דיודות Schottky על Heterostructure BeMgZnO/ZnO Zn-הקוטב גדלה פלזמה בסיוע קרן מולקולרית Epitaxy

Heterostructure field effect transistors (HFETs) utilizing a two dimensional electron gas (2DEG) channel have a great potential for high speed device ...

Measurement of Dynamic Force Acted on Water Strider Leg Jumping Upward by the PVDF Film Sensor

מדידה של כוח דינמי פעל על רגל מים "צעדן" קופץ מעלה על ידי חיישן סרט PVDF

This study aimed to make an explanation for the phenomenon in nature that water strider usually jumps or glides on the water surface easily but quickly, ...