Name: graphene-assisted quasi-van der waals epitaxy of aln film on nano-patterned sapphire substrate for ultraviolet light emitting diodes
Uploaded: 2020-06-25T12:30:00
Description: Watch this Scientific Journal Video about Graphene-Assisted Quasi-van der Waals Epitaxy of AlN Film on Nano-Patterned Sapphire Substrate for Ultraviolet Light Emitting Diodes at JoVE.com

इस काम को चीन के नेशनल की आर एंड डी प्रोग्राम (नंबर 2018YFB0406703), नेशनल नेचुरल साइंस फाउंडेशन ऑफ चाइना (नग 61474109, 61527814, 11474274, 61427901) और बीजिंग नेचुरल साइंस फाउंडेशन (नंबर 418206703) ने आर्थिक रूप से सपोर्ट किया।

सावधानी: इन तरीकों में उपयोग किए जाने वाले कई रसायन तीव्रता से जहरीले और कैंसरजनक होते हैं। उपयोग से पहले सभी प्रासंगिक सामग्री सुरक्षा डेटा शीट (एमएसडीएस) से परामर्श करें।
1. नैनोइमप्रिंट लि?...

<ol>
	<li>Sakai, Y., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Demonstration+of+AlGaN-Based+Deep-Ultraviolet+Light-Emitting+Diodes+on+High-Quality+AlN+Templates.">Demonstration of AlGaN-Based Deep-Ultraviolet Light-Emitting Diodes on High-Quality AlN Templates.</a> Jappanese Journal of Applied Physics. 49, 022102 (2010).</li><li>Yun, J., Hirayama, H. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Investigation+of+the+light-extraction+efficiency+in+280+nm+AlGaN-based+light-emitting+diodes+having+a+highly+transparent+p-AlGaN+layer.">Investigation of the light-extraction efficiency in 280 nm AlGaN-based light-emitting diodes having a highly transparent p-AlGaN layer.</a> Journal of Applied Physics. 121, 013105 (2017).</li><li>Khan, A., Balakrishnan, K., Katona, T. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Ultraviolet+light-emitting+diodes+based+on+group+three+nitrides.">Ultraviolet light-emitting diodes based on group three nitrides.</a> Nature Photonics. 2, 77-84 (2008).</li><li>Balushi, Z. 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Technology. 26, 014036 (2010).</li><li>Kunook, C., Chul-Ho, L., Gyu-Chul, Y. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Transferable+GaN+layers+grown+on+ZnO-coated+graphene+layers+for+optoelectronic+devices.">Transferable GaN layers grown on ZnO-coated graphene layers for optoelectronic devices.</a> Science. 330, 655-657 (2010).</li><li>Kim, J., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Principle+of+direct+van+der+Waals+epitaxy+of+single-crystalline+films+on+epitaxial+graphene.">Principle of direct van der Waals epitaxy of single-crystalline films on epitaxial graphene.</a> Nature Communications. 5, 4836 (2014).</li><li>Han, N., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Improved+heat+dissipation+in+gallium+nitride+light-emitting+diodes+with+embedded+graphene+oxide+pattern.">Improved heat dissipation in gallium nitride light-emitting diodes with embedded graphene oxide pattern.</a> Nature Communications. 4, 1452 (2013).</li><li>Gupta, P., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=MOVPE+growth+of+semipolar+III-nitride+semiconductors+on+CVD+graphene.">MOVPE growth of semipolar III-nitride semiconductors on CVD graphene.</a> Journal of Crystal Growth. 372, 105-108 (2013).</li><li>Heinke, H., Kirchner, V., Einfeldt, S., Hommel, D. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=X-ray+diffraction+analysis+of+the+defect+structure+in+epitaxial+GaN.">X-ray diffraction analysis of the defect structure in epitaxial GaN.</a> Appllied Physics Letters. 77, 2145-2147 (2000).</li><li>Lughi, V., Clarke, D. R. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Defect+and+Stress+Characterization+of+AlN+Films+by+Raman+Spectroscopy.">Defect and Stress Characterization of AlN Films by Raman Spectroscopy.</a> Appllied Physics Letters. 89, 2653 (2006).</li><li>Li, Y., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Van+der+Waals+epitaxy+of+GaN-based+light-emitting+diodes+on+wet-transferred+multilayer+graphene+film.">Van der Waals epitaxy of GaN-based light-emitting diodes on wet-transferred multilayer graphene film.</a> Jappanese Journal of Applied Physics. 56, 085506 (2017).</li><li>Chang, H., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Graphene-assisted+quasi-van+der+Waals+epitaxy+of+AlN+film+for+ultraviolet+light+emitting+diodes+on+nano-patterned+sapphire+substrate.">Graphene-assisted quasi-van der Waals epitaxy of AlN film for ultraviolet light emitting diodes on nano-patterned sapphire substrate.</a> Applled Physics Letters. 114, 091107 (2019).</li></ol>

जैसा कि चित्रा 1एमें दिखाया गया है, शून्य तकनीक द्वारा तैयार एनपीएस 400 एनएम गहराई, पैटर्न की 1 माइक्रोन अवधि और अनtched क्षेत्रों की 300 एनएम चौड़ाई के साथ नैनो-अवतल शंकु पैटर्न दिखाता है। ग्र...

एएलएन और अल्गेन DUV-एलईडी1,,2में सबसे आवश्यक सामग्री हैं, जिनका व्यापक रूप से नसबंदी, बहुलक इलाज, जैव रासायनिक पता लगाने, गैर-लाइन-ऑफ-दृष्टि संचार और विशेष प्रकाश व्यवस्था3जैसे विभिन्न क्षेत्रों में उपयोग किया गया है। आंतरिक सब्सट्रेट्स की कमी के कारण, एमओसीवीडी द्वारा नीलम सब्सट्रेट्स पर एएलएन हेट्रोपिटैक्सी सबसे आम तकनीकी मार्ग बन गया है4। हालांकि, एएलएन और नीलम सब्सट्रेट के बीच बड़ी जाली बेमेल होने से तनाव संचय5,,6,उच्च घनत्व वाले अव्यवस्थाएं और स्टैकिंग दोष होते हैं7. इस प्रकार, एलईडी की आंतरिक मात्रा दक्षता8कम हो जाती है। हाल के दशकों में, इस समस्या को हल करने के लिए ALN epitaxial पार्श्व अतिवृद्धि (ELO) को प्रेरित करने के लिए सब्सट्रेट्स (पीएसएस) के रूप में पैटर्नेड नीलम का उपयोग करने का प्रस्ताव किया गया है । इसके अलावा,,एएलएन टेम्पलेट्स9,10,11के विकास में काफी प्रगति हुई है।, हालांकि, एक उच्च सतह आसंजन गुणांक और संबंध ऊर्जा (AlN के लिए 2.88 ईवी) के साथ, अल परमाणुओं में कम परमाणु सतह गतिशीलता होती है, और एएलएन के विकास में त्रि-आयामी द्वीप विकास मोड12होता है। इस प्रकार, एनपीएसएस पर एएलएन फिल्मों का एपिटैक्सियल विकास मुश्किल है और फ्लैट नीलम सब्सट्रेट्स पर उच्च समूचे मोटाई (3 माइक्रोन से अधिक) की आवश्यकता होती है, जो लंबे समय तक विकास के समय का कारण बनती है और उच्च लागत9की आवश्यकता होती है।
हाल ही में, ग्राफीन एसपी2 संकरित कार्बन परमाणुओं13की षट्कोणीय व्यवस्था के कारण एएलएन विकास के लिए बफर लेयर के रूप में उपयोग की अपार संभावनाएं दिखाती है। इसके अलावा, ग्राफीन पर एएलएन के अर्ध-वैन डेर वाल्स एपिटैक्सी (क्यूवीडीडब्ल्यूई) बेमेल प्रभाव को कम कर सकते हैं और एएलएन विकास14,,15के लिए एक नया मार्ग प्रशस्त किया है। ग्राफीन की रासायनिक प्रतिक्रियाशीलता को बढ़ाने के लिए, चेन एट अल ने एन2-प्लाज्माका उपयोग एक बफर परत के रूप में ग्राफीन का इलाज किया और उच्च गुणवत्ता वाले एएलएन और जीएएन फिल्मों8के QvdWE को निर्धारित किया, जो एक बफर परत के रूप में ग्राफीन के उपयोग को दर्शाता है।
वाणिज्यिक एनपीएस एसेस्ट्रेट के साथ एन2-प्लाज्माउपचारित ग्राफीन टेक्निक का संयोजन, यह प्रोटोकॉल ग्राफीन-एनपीएस सब्सट्रेट पर एएलएन के त्वरित विकास और संयोजन के लिए एक नई विधि प्रस्तुत करता है। ग्राफीन-एनपीएसएस पर एएलएन की पूरी तरह से मोटाई 1 माइक्रोन से कम होने की पुष्टि की जाती है, और एपिटैक्सियल एएलएन परतें उच्च गुणवत्ता और तनाव-जारी की जाती हैं। यह विधि AlN टेम्पलेट बड़े पैमाने पर उत्पादन के लिए एक नया तरीका प्रशस्त करती है और अल्जीएन-आधारित DUV-एलईडी के आवेदन में काफी क्षमता दिखाती है।

<table>
	<tbody>
		<tr>
			<td>Acetone,99.5%</td>
			<td>Bei Jing Tong Guang Fine Chemicals company</td>
			<td>1090</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>APCVD</td>
			<td>Linderberg</td>
			<td>Blue M</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>EB</td>
			<td>AST</td>
			<td>Peva-600E</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Ethonal,99.7%</td>
			<td>Bei Jing Tong Guang Fine Chemicals company</td>
			<td>1170</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>HF,40%</td>
			<td>Beijing Chemical Works</td>
			<td>1789</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>ICP-RIE</td>
			<td>AST</td>
			<td>Cirie-200</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>MOCVD</td>
			<td>VEECO</td>
			<td>P125</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>PECVD</td>
			<td>Oerlikon</td>
			<td>790+</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Phosphate,85%</td>
			<td>Beijing Chemical Works</td>
			<td>1805</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Sulfuric acid,98%</td>
			<td>Beijing Chemical Works</td>
			<td>10343</td>
			<td></td>
		</tr>
	</tbody>
</table>

graphene-assisted quasi-van der waals epitaxy of aln film on nano-patterned sapphire substrate for ultraviolet light emitting diodes

यह प्रोटोकॉल नैनो-खड़ा नीलमणि सब्सट्रेट (एनपीएस) पर अलएन के ग्राफीन-असिस्टेड क्विक ग्रोथ और कोनेसेंस के लिए एक विधि को दर्शाता है । ग्राफीन परतें सीधे उत्प्रेरक मुक्त वायुमंडलीय दबाव रासायनिक वाष्प जमाव (एपीसीवीडी) का उपयोग करके एनपीएस पर उगाई जाती हैं। नाइट्रोजन प्रतिक्रियाशील आयन नक़्क़ाशी (RIE) प्लाज्मा उपचार लागू करके, दोषों को रासायनिक प्रतिक्रियाशीलता बढ़ाने के लिए ग्राफीन फिल्म में पेश किया जाता है। एएलएन के धातु-कार्बनिक रासायनिक वाष्प जमाव (एमओसीवीडी) विकास के दौरान, यह एन-प्लाज्मा उपचारित ग्राफीन बफर एएलएन त्वरित विकास को सक्षम बनाता है, और एनपीएसएस पर संविलियन की पुष्टि क्रॉस-सेक्शनल स्कैनिंग इलेक्ट्रॉन माइक्रोस्कोपी (एसईएम) द्वारा की जाती है। ग्राफीन-एनपीएसएस पर एएलएन की उच्च गुणवत्ता का मूल्यांकन एक्स-रे रॉकिंग वक्र्स (एक्सआरसी) द्वारा संकीर्ण (0002) और (10-12) पूर्ण चौड़ाई के साथ क्रमशः 267.2 आर्कसेक और 503.4 सेकेंड आर्क के रूप में किया जाता है। नंगे एनपीएस की तुलना में, ग्राफीन-एनपीएसएस पर एएलएन वृद्धि रमन मापन के आधार पर अवशिष्ट तनाव को 0.87 जीपीए से 0.25 जीपीए तक महत्वपूर्ण कमी दिखाती है। इसके बाद ग्राफीन-एनपीएसएस पर अल्गेन मल्टीपल क्वांटम वेल्स (एमक्यूडब्ल्यूएस) ग्रोथ, अल्जीएन बेस्ड डीप अल्ट्रावाइलेट लाइट-एमिटिंग-डायोड (DUV एलईडी) गढ़े गए हैं । गढ़े DUV-एलईडी भी स्पष्ट, बढ़ाया चिकनाई प्रदर्शन प्रदर्शित करता है । यह काम उच्च गुणवत्ता वाले एएलएन के विकास और एक छोटी प्रक्रिया और कम लागत का उपयोग करके उच्च प्रदर्शन DUV-एलईडी के निर्माण के लिए एक नया समाधान प्रदान करता है।

स्कैनिंग इलेक्ट्रॉन माइक्रोस्कोपी (एसईएम) छवियां, एक्स-रे विवर्तन कमाल घटता (XRC), रमन स्पेक्ट्रा, ट्रांसमिशन इलेक्ट्रॉन माइक्रोस्कोपी (TEM) छवियां, और इलेक्ट्रोल्यूमिनेसेंस (ईएल) स्पेक्ट्रम एपिटैक्सियल...

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Graphene-Assisted Quasi-van der Waals Epitaxy of AlN Film on Nano-Patterned Sapphire Substrate for Ultraviolet Light Emitting Diodes

नैनो पैटर्न वाले नीलम सब्सट्रेट पर उच्च गुणवत्ता वाली एएलएन फिल्मों के ग्राफीन-असिस्टेड विकास के लिए एक प्रोटोकॉल प्रस्तुत किया गया है।

पराबैंगनी प्रकाश उत्सर्जक डायोड के लिए नैनो-पैटर्न वाले नीलमणि सब्सट्रेट पर एएलएन फिल्म के ग्राफीन-असिस्टेड क्वासी-वैन डेर वाल्स एपिटैक्सी

This protocol demonstrates a method for graphene-assisted quick growth and coalescence of AlN on nano-pattened sapphire substrate (NPSS). Graphene layers ...

एल्यूमीनियम नाइट्राइड के लिए यह नया प्रोटोकॉल ग्राफीन परत के साथ नैनो-पैटर्न वाले नीलम सब्सट्रेट पर त्वरित विकास का उपयोग उच्च प्रदर्शन करने वाले गहरे पराबैंगनी एलईडी की तेजी से और सस्ती पीढ़ी के लिए किया जा सकता है। एल्यूमीनियम नाइट्राइड टेम्पलेट के रूप में di-eel ग्राफीन का उपयोग करना, एल्यूमीनियम, गैलियम नाइट्राइट आधारित एलईडी के आवेदन में विकास की क्षमता दिखाता है। शुरू करने के लिए, एनएनपीएस को एसीटोन, इथेनॉल और डिओनाइज्ड पानी के साथ तीन बार कुल्ला करें।और एनपीएस को नाइट्रोजन गन से सुखा लें। एनपीएस को एक लंबे फ्लैट तापमान क्षेत्र के साथ तीन-जोन, उच्च तापमान भट्ठी में लोड करें। और भट्ठी को 1050 डिग्री सेल्सियस तक गर्म करें।आर्गन के प्रति मिनट 500 मानक घन सेंटीमीटर और हाइड्रोजन के आर्गन के प्रति मिनट 300 मानक घन सेंटीमीटर के तहत 10 मिनट के लिए तापमान को स्थिर करें। इसके बाद तीन घंटे तक एनपीएसएस पर ग्राफीन के विकास के लिए रिएक्शन चैंबर में मीथेन के आर्गन के 30 स्टैंडर्ड क्यूबिक सेंटीमीटर प्रति मिनट पेश करें । ग्रोथ रिएक्शन के अंत में मीथेन को स्विच ऑफ करें और एनपीएस को स्वाभाविक रूप से ठंडा होने दें ।ठंडा सब्सट्रेट को डिएकाइज्ड पानी से कुल्ला करें। और एनपीएस को नाइट्रोजन गन से सुखा लें। फिर, 30 सेकंड के लिए 300 मानक घन सेंटीमीटर प्रति मिनट की नाइट्रोजन प्रवाह दर के साथ नाइट्रोजन प्लाज्मा द्वारा ग्राफीन एनपीएएसएस को नक़्क़ाशी करें।और प्रतिक्रियाशील आयन नक़्क़ाशी कक्ष में 50 वाट की शक्ति। ग्राफीन एनपीएसएस पर एल्यूमीनियम नाइट्रोजन के MOCVD विकास के लिए, एल्यूमीनियम नाइट्रोजन विकास के लिए MOCVD नुस्खा संपादित करें। और ग्राफीन एनपीएस और उसके एनपीएस समकक्ष को एक घर का बना एमओसीवीडी चैंबर में लोड करें।12 मिनट तक गर्म रहने के बाद तापमान 1200 डिग्री सेल्सियस पर स्थिर हो जाएगा। फिर परिवेश के रूप में हाइड्रोजन के प्रति मिनट 7000 मानक घन सेंटीमीटर पेश करें। 70 मानक घन सेंटीमीटर प्रति मिनट त्रिमेथिलालुमिनम।और दो घंटे के लिए 500 मानक घन सेंटीमीटर प्रति मिनट अमोनिया। पांडुलिपि निर्देशों के अनुसार एल्यूमीनियम गैलियम नाइट्रोजन क्वांटम कुओं के MOCVD विकास के साथ आगे बढ़ें। समाप्त होने पर, कक्ष के तापमान को 800 डिग्री सेल्सियस तक कम करें और 20 मिनट के लिए नाइट्रोजन के साथ पी-प्रकार की परतों को घुटने टेकें।एल्यूमीनियम गैलियम नाइट्रोजन आधारित डीप पराबैंगनी एलईडी निर्माण के लिए, वेफर्स पर 4620 का विरोध करें और यूवी एक्सपोजर के आठ सेकंड, 30 सेकंड के विकास के समय और दो मिनट के रिंसिंग समय के साथ लिथोग्राफी करें। पी-गैलियम नाइट्रोजन के प्रेरक युग्मित प्लाज्मा नक़्क़ाशी के लिए, 450 वाट के लिए नक़्क़ाशी शक्ति सेट, चार मिलिटर के लिए नक़्क़ाशी दबाव और नक़्क़ाशी दर 5.6 नैनोमीटर प्रति सेकंड के लिए। पांच मिनट के लिए 80 डिग्री सेल्सियस पर एसीटोन में नक़्क़ाशी का नमूना रखें।इसके बाद इथेनॉल और डिविशनाइज्ड पानी में धुलाई की। कताई नकारात्मक फोटो- एनआर9 का विरोध करें और 12 सेकंड के यूवी एक्सपोजर समय के लिए लिथोग्राफी, 20 सेकंड का विकासशील समय और दो मिनट का रिंसिंग समय। नमूने को एसीटोन, इथेनॉल और डिओनाइज्ड पानी से तीन बार धोएं।और इलेक्ट्रॉन बीम वाष्पीकरण द्वारा टाइटेनियम एल्यूमीनियम टाइटेनियम गोल्ड जमा करें। नकारात्मक फोटो स्पिन करें - एक ही सेटिंग्स के तहत एनआर9 और लिथोग्राफी का विरोध करें। और नमूनों को तीन बार एसीटोन, इथेनॉल और डिओनाइज्ड पानी के साथ बिना अल्ट्रासोनिकेशन के धोएं।इलेक्ट्रॉन बीम वाष्पीकरण द्वारा निकल-सोना जमा करें। और नमूने को इथेनॉल और डिवोनाइज्ड पानी से तीन बार धोएं। ३०० डिग्री सेल्सियस के जमाव तापमान पर प्लाज्मा-संवर्धित रासायनिक वाष्प जमाव द्वारा सिलिकॉन डाइऑक्साइड के ३०० नैनोमीटर जमा करें और प्रति मिनट १०० नैनोमीटर की जमाव दर ।आठ सेकंड के यूवी एक्सपोजर समय पर फोटो-प्रतिरोध 304 और लिथोग्राफी, एक मिनट का विकासशील समय और 15 सेकंड के लिए 23% हाइड्रोफ्लोरिक एसिड में वेफर्स को विसर्जित करने से पहले दो मिनट का एक रिंसिंग समय। सैंपल को तीन बार इथेनॉल और डिविशनाइज्ड पानी से धोएं। और एक नाइट्रोजन बंदूक के साथ वेफर्स सूखी।प्रदर्शन के रूप में एनआर 9 के साथ फोटो लिथोग्राफी के बाद, इलेक्ट्रॉन बीम वाष्पीकरण द्वारा एल्यूमीनियम टाइटेनियम सोना जमा करें। और सैंपल को तीन बार इथेनॉल और डिविशनाइज्ड पानी से धोएं। आखिरी वॉश पीस के बाद नीलम को मैकेनिकल पॉलिश करके 130 माइक्रोमीटर तक पॉलिश करें।और नमूना को डी-वैक्सिंग समाधान और डिएकाइज्ड पानी से धोएं। फिर पूरे वेफर को 0.5 मिलीमीटर डिवाइस के टुकड़ों में 0.5 में काटने के लिए लेजर का उपयोग करें। और चिप्स में वेफर को काटने के लिए एक मैकेनिकल डिसर का उपयोग करें।स्कैनिंग और ट्रांसमिशन इलेक्ट्रॉन माइक्रोस्कोपी इमेजिंग ग्राफीन और एनपीएसएस पर एल्यूमीनियम नाइट्रोजन की आकृति विज्ञान का निर्धारण करने के लिए इस्तेमाल किया जा सकता है। रौशन घनत्व और अवशिष्ट तनाव की गणना करने के लिए रौशन का उपयोग किया जा सकता है। इलेक्ट्रोल्यूमिनेसेंस का उपयोग निर्मित गहरी यूवी एलईडी की रोशनी को समझाने के लिए किया जाता है।याद रखें कि वेफर प्रत्येक नए संशोधन से पहले साफ होना चाहिए। इसलिए हर कदम से पहले वेफर को अच्छी तरह से खंगालना जरूरी है।

Research

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Engineering

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Film Control to Study Contributions of Waves to Droplet Impact Dynamics on Thin Flowing Liquid Films

फिल्म नियंत्रण लहरों के योगदान के अध्ययन के लिए पतली बहती तरल फिल्मों पर छोटी बूंद प्रभाव गतिशीलता

Droplet impact is a very common phenomenon in nature and attracts attention due to its aesthetic fascination and wide-ranging applications. Previous ...

Synchrotron X-ray Microdiffraction and Fluorescence Imaging of Mineral and Rock Samples

सिंक्रोट्रॉन एक्स-रे Microdiffraction और खनिज और रॉक नमूनों की प्रतिदीप्ति इमेजिंग

In this report, we describe a detailed procedure for acquiring and processing&#160;x-ray microfluorescence (&#956;XRF), and Laue and powder ...

Fabrication of Schottky Diodes on Zn-polar BeMgZnO/ZnO Heterostructure Grown by Plasma-assisted Molecular Beam Epitaxy

Zn-ध्रुवीय BeMgZnO पर Schottky डायोड के निर्माण/प्लाज्मा द्वारा उगाई Heterostructure आणविक बीम सहायता Epitaxy

Heterostructure field effect transistors (HFETs) utilizing a two dimensional electron gas (2DEG) channel have a great potential for high speed device ...

Measurement of Dynamic Force Acted on Water Strider Leg Jumping Upward by the PVDF Film Sensor

गतिशील बल का मापन जल Strider पैर PVDF फिल्म संवेदक द्वारा ऊपर की ओर कूद पर कार्रवाई की

This study aimed to make an explanation for the phenomenon in nature that water strider usually jumps or glides on the water surface easily but quickly, ...