Name: graphene-assisted quasi-van der waals epitaxy of aln film on nano-patterned sapphire substrate for ultraviolet light emitting diodes
Uploaded: 2020-06-25T12:30:00
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이 작품은 중국 국립핵심연구개발프로그램(2018YFB0406703), 중국 국립자연과학재단(61474109호, 61527814, 11474274, 61427901), 베이징자연과학재단(41427901호) 등에서 재정적으로 지원되었다.

주의: 이러한 방법에 사용되는 화학 물질의 몇몇은 심각하게 유독하고 발암성입니다. 사용하기 전에 모든 관련 자재 안전 데이터 시트(MSDS)를 참조하십시오.
1. 나노 임프린트 리소그래피에 의한 NPSS 준비 (NIL)
<ol><li>SiO2 필름의 증착<ol>
<li>2"c-평면 사파이어 기판을 에탄올로 씻어 내고 세 번 물을 분해합니다.</li>
		<li>질소 총으로 기판을 건조시십시오.</li>
		<li>300°C 미...

<ol>
	<li>Sakai, Y., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Demonstration+of+AlGaN-Based+Deep-Ultraviolet+Light-Emitting+Diodes+on+High-Quality+AlN+Templates.">Demonstration of AlGaN-Based Deep-Ultraviolet Light-Emitting Diodes on High-Quality AlN Templates.</a> Jappanese Journal of Applied Physics. 49, 022102 (2010).</li><li>Yun, J., Hirayama, H. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Investigation+of+the+light-extraction+efficiency+in+280+nm+AlGaN-based+light-emitting+diodes+having+a+highly+transparent+p-AlGaN+layer.">Investigation of the light-extraction efficiency in 280 nm AlGaN-based light-emitting diodes having a highly transparent p-AlGaN layer.</a> Journal of Applied Physics. 121, 013105 (2017).</li><li>Khan, A., Balakrishnan, K., Katona, T. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Ultraviolet+light-emitting+diodes+based+on+group+three+nitrides.">Ultraviolet light-emitting diodes based on group three nitrides.</a> Nature Photonics. 2, 77-84 (2008).</li><li>Balushi, Z. Y. A., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=The+impact+of+graphene+properties+on+GaN+and+AlN+nucleation.">The impact of graphene properties on GaN and AlN nucleation.</a> Surface Science. 634, 81-88 (2015).</li><li>Motoki, K., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Growth+and+characterization+of+freestanding+GaN+substrates.">Growth and characterization of freestanding GaN substrates.</a> Journal of Crystal Growth. 237, 912-921 (2002).</li><li>Kim, Y., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Remote+epitaxy+through+graphene+enables+two-dimensional+material-based+layer+transfer.">Remote epitaxy through graphene enables two-dimensional material-based layer transfer.</a> Nature. 544, 340-343 (2017).</li><li>Hemmingsson, C., Pozina, G. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Optimization+of+low+temperature+GaN+buffer+layers+for+halide+vapor+phase+epitaxy+growth+of+bulk+GaN.">Optimization of low temperature GaN buffer layers for halide vapor phase epitaxy growth of bulk GaN.</a> Journal of Crystal Growth. 366, 61-66 (2013).</li><li>Chen, Z., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=High-Brightness+Blue+Light-Emitting+Diodes+Enabled+by+a+Directly+Grown+Graphene+Buffer+Layer.">High-Brightness Blue Light-Emitting Diodes Enabled by a Directly Grown Graphene Buffer Layer.</a> Advanced Materials. 30, 1801608 (2018).</li><li>Dong, P., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=282-nm+AlGaN-based+deep+ultraviolet+light-emitting+diodes+with+improved+performance+on+nano-patterned+sapphire+substrates.">282-nm AlGaN-based deep ultraviolet light-emitting diodes with improved performance on nano-patterned sapphire substrates.</a> Applied Physics Letters. 102, 241113 (2013).</li><li>Imura, M., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Epitaxial+lateral+overgrowth+of+AlN+on+trench-patterned+AlN+layers.">Epitaxial lateral overgrowth of AlN on trench-patterned AlN layers.</a> Journal of Crystal Growth. 298, 257-260 (2007).</li><li>Kueller, V., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Growth+of+AlGaN+and+AlN+on+patterned+AlN/sapphire+templates.">Growth of AlGaN and AlN on patterned AlN/sapphire templates.</a> Journal of Crystal Growth. 315, 200-203 (2011).</li><li>Kneissl, M., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Advances+in+group+III-nitride-based+deep+UV+light-emitting+diode+technology.">Advances in group III-nitride-based deep UV light-emitting diode technology.</a> Semiconductor Science &amp; Technology. 26, 014036 (2010).</li><li>Kunook, C., Chul-Ho, L., Gyu-Chul, Y. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Transferable+GaN+layers+grown+on+ZnO-coated+graphene+layers+for+optoelectronic+devices.">Transferable GaN layers grown on ZnO-coated graphene layers for optoelectronic devices.</a> Science. 330, 655-657 (2010).</li><li>Kim, J., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Principle+of+direct+van+der+Waals+epitaxy+of+single-crystalline+films+on+epitaxial+graphene.">Principle of direct van der Waals epitaxy of single-crystalline films on epitaxial graphene.</a> Nature Communications. 5, 4836 (2014).</li><li>Han, N., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Improved+heat+dissipation+in+gallium+nitride+light-emitting+diodes+with+embedded+graphene+oxide+pattern.">Improved heat dissipation in gallium nitride light-emitting diodes with embedded graphene oxide pattern.</a> Nature Communications. 4, 1452 (2013).</li><li>Gupta, P., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=MOVPE+growth+of+semipolar+III-nitride+semiconductors+on+CVD+graphene.">MOVPE growth of semipolar III-nitride semiconductors on CVD graphene.</a> Journal of Crystal Growth. 372, 105-108 (2013).</li><li>Heinke, H., Kirchner, V., Einfeldt, S., Hommel, D. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=X-ray+diffraction+analysis+of+the+defect+structure+in+epitaxial+GaN.">X-ray diffraction analysis of the defect structure in epitaxial GaN.</a> Appllied Physics Letters. 77, 2145-2147 (2000).</li><li>Lughi, V., Clarke, D. R. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Defect+and+Stress+Characterization+of+AlN+Films+by+Raman+Spectroscopy.">Defect and Stress Characterization of AlN Films by Raman Spectroscopy.</a> Appllied Physics Letters. 89, 2653 (2006).</li><li>Li, Y., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Van+der+Waals+epitaxy+of+GaN-based+light-emitting+diodes+on+wet-transferred+multilayer+graphene+film.">Van der Waals epitaxy of GaN-based light-emitting diodes on wet-transferred multilayer graphene film.</a> Jappanese Journal of Applied Physics. 56, 085506 (2017).</li><li>Chang, H., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Graphene-assisted+quasi-van+der+Waals+epitaxy+of+AlN+film+for+ultraviolet+light+emitting+diodes+on+nano-patterned+sapphire+substrate.">Graphene-assisted quasi-van der Waals epitaxy of AlN film for ultraviolet light emitting diodes on nano-patterned sapphire substrate.</a> Applled Physics Letters. 114, 091107 (2019).</li></ol>

도 1A에도시된 바와 같이, NIL 기술에 의해 제조된 NPSS는 400nm 깊이, 1 μm 패턴, 그리고 300 nm 폭의 나노 오목한 원뿔 패턴을 도시한다. 그래 핀 층의 APCVD 성장 후, 그래 핀-NPSS는 도 1B로표시됩니다. 라만 스펙트럼 도 1C에서 N 플라즈마 처리 그래핀의 D 피크가 크게 증가하여 RIE공정(16)...

AlN 및 AlGaN은 DUV-LED1,,2에서가장 필수적인 물질로, 살균, 폴리머 경화, 생화학 적 검출, 비라인 통신 및 특수 조명3과같은 다양한 분야에서 널리 사용되어 왔다. 본질적인 기판의 부족으로 인해 MOCVD에 의한 사파이어 기판에 대한 AlN 이종과피가 가장4일반적인 기술 경로 4가되었습니다. 그러나, AlN과 사파이어 기판 사이의 큰 격자 불일치는 응력축적으로이어집니다5,6,고밀도 탈구, 및 스태킹 결함7. 따라서 LED의 내부 양자 효율은8을감소시킨다. 최근 수십 년 동안, 패턴 사파이어를 기판으로 사용하여 AlN 에피택시 측삭 과성장(ELO)을 유도하여 이 문제를 해결하기 위해 제안되었습니다. 또한, AlN 템플릿9,,10,,11의성장에 큰 진전이 이루어졌다. 그러나 표면 접착 계수 및 접합 에너지(AlN의 경우 2.88 eV)가 있는 알 원자는 원자표면 이동성이 낮으며 AlN의 성장은 3차원 섬 성장모드(12)를갖는 경향이 있다. 따라서 NPSS에서 AlN 필름의 상피 성장은 어렵고 평평한 사파이어 기판에 비해 더 높은 결합 두께(3 μm 이상)가 필요하며, 이는 더 긴 성장 시간을 야기하고 높은 비용이9를요구한다.
최근에는 Sp2 혼성 탄소 원자13의육각형 배열로 인해 AlN 성장을 위한 완충층으로 사용할 수 있는 큰 잠재력을 보이고 있다. 또한, 그래핀상 알N의 준반 데르발스 에피택시(QvdWE)는 불일치 효과를 감소시킬 수 있으며, 알N 성장14,,15에대한 새로운 길을 열어왔다. 그래핀의 화학적 반응성을 높이기 위해 Chen 외는 N2-플라즈마처리 그래핀을 완충층으로 사용하고 고품질 AlN 및 GaN 필름8의QvdWE를 결정하여 그래 핀을 완충층으로 활용했음을 입증했습니다.
N2-플라즈마처리 그래핀 테크닉과 상업용 NPSS 기판이 결합된 이 프로토콜은 그래핀-NPSS 기판에서 AlN의 빠른 성장과 결합을 위한 새로운 방법을 제시합니다. 그래핀-NPSS에 대한 AlN의 완전히 결합 두께는 1 μm 미만인 것으로 확인되며, 에피택시 AlN 층은 고품질및 응력 방출이다. 이 방법은 AlN 템플릿 대량 생산을 위한 새로운 방법을 열어주며 AlGaN 기반 DUV-LED를 적용할 때 큰 잠재력을 보여줍니다.

<table>
	<tbody>
		<tr>
			<td>Acetone,99.5%</td>
			<td>Bei Jing Tong Guang Fine Chemicals company</td>
			<td>1090</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>APCVD</td>
			<td>Linderberg</td>
			<td>Blue M</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>EB</td>
			<td>AST</td>
			<td>Peva-600E</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Ethonal,99.7%</td>
			<td>Bei Jing Tong Guang Fine Chemicals company</td>
			<td>1170</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>HF,40%</td>
			<td>Beijing Chemical Works</td>
			<td>1789</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>ICP-RIE</td>
			<td>AST</td>
			<td>Cirie-200</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>MOCVD</td>
			<td>VEECO</td>
			<td>P125</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>PECVD</td>
			<td>Oerlikon</td>
			<td>790+</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Phosphate,85%</td>
			<td>Beijing Chemical Works</td>
			<td>1805</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Sulfuric acid,98%</td>
			<td>Beijing Chemical Works</td>
			<td>10343</td>
			<td></td>
		</tr>
	</tbody>
</table>

graphene-assisted quasi-van der waals epitaxy of aln film on nano-patterned sapphire substrate for ultraviolet light emitting diodes

이 프로토콜은 나노 패튼 사파이어 기판 (NPSS)에 대한 AlN의 그래핀 보조 빠른 성장 및 결합을위한 방법을 보여줍니다. 그래핀 층은 촉매가 없는 대기압 화학 증기 증착(APCVD)을 사용하여 NPSS에서 직접 재배됩니다. 질소 반응성 이온 에칭(RIE) 플라즈마 처리를 적용함으로써 화학 반응성을 향상시키기 위해 그래핀 필름에 결함이 도입됩니다. AlN의 금속 유기 화학 증기 증착(MOCVD) 성장 중에, 이 N-플라즈마 처리 그래핀 버퍼는 AlN의 빠른 성장을 가능하게 하고 NPSS에 대한 결합은 단면 스캐닝 전자 현미경 검사법(SEM)에 의해 확인된다. 그래핀-NPSS의 높은 품질의 AlN은 각각 267.2 아크초와 503.4 아크초로 반최대(FWHM)로 좁은(0002) 및 (10-12) 전체 폭을 가진 X선 흔들 곡선(XRC)에 의해 평가됩니다. 베어 NPSS에 비해, 그래핀-NPSS의 알N 성장은 라만 측정에 따라 0.87 GPa에서 0.25 Gpa로 잔류 응력의 현저한 감소를 보여줍니다. 그래핀-NPSS에 대한 AlGaN 다중 양자 우물(MQWS) 성장에 이어 AlGaN 기반의 심층 자외선 발광 다이오드(DUV LED)가 제작됩니다. 제작된 DUV-LED는 또한 명백하고 향상된 발광 성능을 보여줍니다. 이 작품은 고품질 AlN의 성장과 더 짧은 공정과 적은 비용을 사용하여 고성능 DUV-LED의 제조를위한 새로운 솔루션을 제공합니다.

스캐닝 전자 현미경(SEM) 이미지, X선 회절 흔들 곡선(XRC), 라만 스펙트럼, 전송 전자 현미경(TEM) 이미지, 및 전기 발광(EL) 스펙트럼은 상피 알N필름(도 1, 도 2)및 알가N 계주 DUV-LED(그림3)를위해 수집되었다. SEM 및 TEM은 그래핀-NPSS에서 AlN의 형태를 결정하는 데 사용됩니다. XRD와 라만은 탈구 밀도와 잔류 응스트레스를 계산하는 데 사?...

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Graphene-Assisted Quasi-van der Waals Epitaxy of AlN Film on Nano-Patterned Sapphire Substrate for Ultraviolet Light Emitting Diodes

나노 패턴 사파이어 기판에 고품질 AlN 필름의 그래 핀 지원 성장을위한 프로토콜이 제시된다.

자외선 발광 다이오드용 나노 패턴 사파이어 기판에 대한 알N 필름의 그래핀 지원 준 반 데르 발스 에피택시

This protocol demonstrates a method for graphene-assisted quick growth and coalescence of AlN on nano-pattened sapphire substrate (NPSS). Graphene layers ...

그래 핀 층을 가진 나노 패턴 사파이어 기판에 알루미늄 질산염을 위한 이 새로운 프로토콜은 고성능 심층 LED의 신속하고 저렴한 생성에 사용될 수 있습니다. 알루미늄 질화물 템플릿으로 디 장어 그래핀을 사용하여 알루미늄, 담즙 아질산염 기반 LED의 적용에 성장 잠재력을 보여줍니다. 먼저 NPSS를 아세톤, 에탄올 및 탈온화된 물로 세 번 헹구는 다.그리고 질소 총으로 NPSS를 건조. NPSS를 긴 평평한 온도 영역으로 3존, 고온 용광로에 적재합니다. 그리고 용광로를 섭씨 1050도로 가열합니다.아르곤분당 500표준 입방센티미터, 분당 300분의 표준 입방센티미터 에서 10분 동안 온도를 안정화하여 수소를 생산합니다. 그런 다음 NPSS에서 그래 핀의 성장을 위해 반응 챔버에 메탄의 아르곤의 분당 30 표준 입방 센티미터를 3 시간 동안 NPSS에 도입한다. 성장 반응이 끝나면 메탄을 끄고 NPSS가 자연스럽게 냉각되도록 합니다.냉각된 기판을 탈온화된 물로 헹구십시오. 그리고 질소 총으로 NPSS를 건조. 그런 다음, 30초 동안 분당 300 표준 입방센티미터의 질소 유량으로 질소 플라즈마에 의해 그래핀 NPSS를 에칭한다.그리고 반응이 이온 에칭 챔버에서 50 와트의 힘. 그래핀 NPSS에서 알루미늄 질소의 MOCVD 성장을 위해 알루미늄 질소 성장을 위한 MOCVD 레시피를 편집하십시오. 그리고 그래핀 NPSS와 NPSS 대응을 수제 MOCVD 챔버에 적재합니다.12분 동안 가열한 후 온도는 섭씨 1200도에서 안정됩니다. 그런 다음 분당 7000개의 표준 입방 센티미터를 주변 수소로 소개합니다. 분당 70 표준 입방 센티미터 트리메틸 알루미늄.그리고 2 시간 동안 분암모니아 당 500 표준 입방 센티미터. 원고 방향에 따라 알루미늄 갈륨 질소 양자 우물의 MOCVD 성장을 진행합니다. 완료되면 챔버의 온도를 섭씨 800도로 낮추고 20분 동안 질소를 가진 P형 층을 무릎을 꿇는다.알루미늄 갈륨 질소 기반의 딥 자외선 LED 제작의 경우, 화보에 4620을 회전시키고 8초의 UV 노출, 개발 시간 30초, 헹구기 2분으로 리소그래피를 수행합니다. P-gallium 질소의 유도 결합 된 플라즈마 에칭의 경우 에칭 전력을 450 와트로 설정하고 에칭 압력을 4 밀리토르로 설정하고 에칭 속도를 초당 5.6 나노미터로 설정합니다. 에칭 된 샘플을 아세톤에 80섭씨 80도에서 5분간 놓습니다.그 다음에 에탄올과 탈온화된 물로 씻는 다. NR9및 리소그래피를 12초의 UV 노출 시간, 개발 시간 20초, 헹도 시간 2분 동안 의 음의 사진 저항을 방사합니다. 아세톤, 에탄올, 탈온화된 물로 샘플을 세 번 씻으시면 됩니다.그리고 전자 빔 증발에 의해 티타늄 알루미늄 티타늄 금을 입금합니다. 동일한 설정에서 음의 사진 저항 NR9 및 리소그래피를 회전합니다. 그리고 초음파없이 아세톤, 에탄올 및 탈온 화 물로 샘플을 세 번 세척하십시오.전자 빔 증발에 의해 니켈 금을 입금합니다. 그리고 에탄올과 탈온물로 샘플을 세 번 씻으시면 됩니다. 300도의 증착 온도에서 플라즈마 강화 화학 증기 증착에 의한 이산화규 300나노미터의 이산화물을 보관하고 분당 100나노미터의 증착 속도를 갖는다.8초의 UV 노출 시간에 사진 저항 304 및 리소그래피를 회전시키고, 1분의 개발 시간 및 2분의 헹구는 시간을 15초 동안 웨이퍼에 23%의 수력 불소산으로 침지합니다. 에탄올과 탈온화물로 샘플을 세 번 씻으시다. 그리고 질소 총으로 웨이퍼를 건조.NR9와 사진 리소그래피 후, 전자 빔 증발에 의해 알루미늄 티타늄 금을 입금. 그리고 에탄올과 탈온물로 샘플을 세 번 씻으시다. 마지막 세척 후 분쇄하고 기계적 연마에 의해 130 마이크로 미터로 사파이어를 연마.그리고 탈 왁싱 용액과 탈온 물로 샘플을 씻어. 그런 다음 레이저를 사용하여 전체 웨이퍼를 0.5mm 의 0.5 밀리미터 장치 조각으로 자른다. 그리고 기계식 디커를 사용하여 웨이퍼를 칩으로 자릅니다.스캐닝 및 투과 전자 현미경 이미징은 그래핀 및 NPSS에 알루미늄 질소의 형태를 결정하는 데 사용할 수 있습니다. 라면은 탈구 밀도와 잔류 응력계산에 사용될 수 있습니다. 전기 발광은 제조 된 깊은 UV LED의 조명을 설명하는 데 사용됩니다.각 새 수정 전에 웨이퍼가 깨끗해야 합니다. 따라서 모든 단계 전에 웨이퍼를 완전히 헹구는 것이 필수적입니다.

Research

JoVE Journal

Engineering

Polycrystalline Silicon Thin-film Solar cells with Plasmonic-enhanced Light-trapping

Plasmonic 강화된 라이트 - 트래핑과 다결정 실리콘 박막 태양 전지

One of major approaches to cheaper solar cells is reducing the amount of semiconductor material used for their fabrication and making cells thinner. To ...

연구

공학

Fabrication of White Light-emitting Electrochemical Cells with Stable Emission from Exciplexes

화이트의 제작 Exciplexes에서 안정 방출과 전기 화학 셀 라이트 발광

The authors present an approach for fabricating stable white light emission from polymer light-emitting electrochemical cells (PLECs) having an active ...

Plasma-assisted Molecular Beam Epitaxy of N-polar InAlN-barrier High-electron-mobility Transistors

InAlN 장벽 높은 전자 이동도 트랜지스터 N-극성 플라즈마를 이용한 분자 빔 에피 택시

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Production and Characterization of Vacuum Deposited Organic Light Emitting Diodes

생산 및 진공의 입금 유기 발광 다이오드

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A Fabrication and Measurement Method for a Flexible Ferroelectric Element Based on Van Der Waals Heteroepitaxy

제조 및 반 데르 발스 Heteroepitaxy에 따라 유연한 Ferroelectric 요소에 대 한 측정 방법

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Enhanced Electron Injection and Exciton Confinement for Pure Blue Quantum-Dot Light-Emitting Diodes by Introducing Partially Oxidized Aluminum Cathode

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