Name: graphene-assisted quasi-van der waals epitaxy of aln film on nano-patterned sapphire substrate for ultraviolet light emitting diodes
Uploaded: 2020-06-25T12:30:00
Description: Watch this Scientific Journal Video about Graphene-Assisted Quasi-van der Waals Epitaxy of AlN Film on Nano-Patterned Sapphire Substrate for Ultraviolet Light Emitting Diodes at JoVE.com

Dette arbeidet ble økonomisk støttet av National Key R & D Program of China (nr. 2018YFB0406703), National Natural Science Foundation of China (nr. 61474109, 61527814, 11474274, 61427901) og Beijing Natural Science Foundation (nr. 4182063)

FORSIKTIG: Flere av kjemikaliene som brukes i disse metodene er akutt giftige og kreftfremkallende. Ta kontakt med alle relevante sikkerhetsdatablader for materialsikkerhet (MSDS) før bruk.
1. Utarbeidelse av NPSS ved nanoimprint litografi (NIL)
<ol><li>Avsetning av SiO2 film<ol>
<li>Vask 2" c-plane flat safir substrat med etanol etterfulgt av deionisert vann tre ganger.</li>
		<li>Tørk underlaget med en nitrogenpistol.</li>
		<li>Deponer 200 nm SiO2 film på flat saf...

<ol>
	<li>Sakai, Y., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Demonstration+of+AlGaN-Based+Deep-Ultraviolet+Light-Emitting+Diodes+on+High-Quality+AlN+Templates.">Demonstration of AlGaN-Based Deep-Ultraviolet Light-Emitting Diodes on High-Quality AlN Templates.</a> Jappanese Journal of Applied Physics. 49, 022102 (2010).</li><li>Yun, J., Hirayama, H. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Investigation+of+the+light-extraction+efficiency+in+280+nm+AlGaN-based+light-emitting+diodes+having+a+highly+transparent+p-AlGaN+layer.">Investigation of the light-extraction efficiency in 280 nm AlGaN-based light-emitting diodes having a highly transparent p-AlGaN layer.</a> Journal of Applied Physics. 121, 013105 (2017).</li><li>Khan, A., Balakrishnan, K., Katona, T. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Ultraviolet+light-emitting+diodes+based+on+group+three+nitrides.">Ultraviolet light-emitting diodes based on group three nitrides.</a> Nature Photonics. 2, 77-84 (2008).</li><li>Balushi, Z. Y. A., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=The+impact+of+graphene+properties+on+GaN+and+AlN+nucleation.">The impact of graphene properties on GaN and AlN nucleation.</a> Surface Science. 634, 81-88 (2015).</li><li>Motoki, K., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Growth+and+characterization+of+freestanding+GaN+substrates.">Growth and characterization of freestanding GaN substrates.</a> Journal of Crystal Growth. 237, 912-921 (2002).</li><li>Kim, Y., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Remote+epitaxy+through+graphene+enables+two-dimensional+material-based+layer+transfer.">Remote epitaxy through graphene enables two-dimensional material-based layer transfer.</a> Nature. 544, 340-343 (2017).</li><li>Hemmingsson, C., Pozina, G. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Optimization+of+low+temperature+GaN+buffer+layers+for+halide+vapor+phase+epitaxy+growth+of+bulk+GaN.">Optimization of low temperature GaN buffer layers for halide vapor phase epitaxy growth of bulk GaN.</a> Journal of Crystal Growth. 366, 61-66 (2013).</li><li>Chen, Z., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=High-Brightness+Blue+Light-Emitting+Diodes+Enabled+by+a+Directly+Grown+Graphene+Buffer+Layer.">High-Brightness Blue Light-Emitting Diodes Enabled by a Directly Grown Graphene Buffer Layer.</a> Advanced Materials. 30, 1801608 (2018).</li><li>Dong, P., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=282-nm+AlGaN-based+deep+ultraviolet+light-emitting+diodes+with+improved+performance+on+nano-patterned+sapphire+substrates.">282-nm AlGaN-based deep ultraviolet light-emitting diodes with improved performance on nano-patterned sapphire substrates.</a> Applied Physics Letters. 102, 241113 (2013).</li><li>Imura, M., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Epitaxial+lateral+overgrowth+of+AlN+on+trench-patterned+AlN+layers.">Epitaxial lateral overgrowth of AlN on trench-patterned AlN layers.</a> Journal of Crystal Growth. 298, 257-260 (2007).</li><li>Kueller, V., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Growth+of+AlGaN+and+AlN+on+patterned+AlN/sapphire+templates.">Growth of AlGaN and AlN on patterned AlN/sapphire templates.</a> Journal of Crystal Growth. 315, 200-203 (2011).</li><li>Kneissl, M., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Advances+in+group+III-nitride-based+deep+UV+light-emitting+diode+technology.">Advances in group III-nitride-based deep UV light-emitting diode technology.</a> Semiconductor Science &amp; Technology. 26, 014036 (2010).</li><li>Kunook, C., Chul-Ho, L., Gyu-Chul, Y. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Transferable+GaN+layers+grown+on+ZnO-coated+graphene+layers+for+optoelectronic+devices.">Transferable GaN layers grown on ZnO-coated graphene layers for optoelectronic devices.</a> Science. 330, 655-657 (2010).</li><li>Kim, J., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Principle+of+direct+van+der+Waals+epitaxy+of+single-crystalline+films+on+epitaxial+graphene.">Principle of direct van der Waals epitaxy of single-crystalline films on epitaxial graphene.</a> Nature Communications. 5, 4836 (2014).</li><li>Han, N., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Improved+heat+dissipation+in+gallium+nitride+light-emitting+diodes+with+embedded+graphene+oxide+pattern.">Improved heat dissipation in gallium nitride light-emitting diodes with embedded graphene oxide pattern.</a> Nature Communications. 4, 1452 (2013).</li><li>Gupta, P., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=MOVPE+growth+of+semipolar+III-nitride+semiconductors+on+CVD+graphene.">MOVPE growth of semipolar III-nitride semiconductors on CVD graphene.</a> Journal of Crystal Growth. 372, 105-108 (2013).</li><li>Heinke, H., Kirchner, V., Einfeldt, S., Hommel, D. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=X-ray+diffraction+analysis+of+the+defect+structure+in+epitaxial+GaN.">X-ray diffraction analysis of the defect structure in epitaxial GaN.</a> Appllied Physics Letters. 77, 2145-2147 (2000).</li><li>Lughi, V., Clarke, D. R. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Defect+and+Stress+Characterization+of+AlN+Films+by+Raman+Spectroscopy.">Defect and Stress Characterization of AlN Films by Raman Spectroscopy.</a> Appllied Physics Letters. 89, 2653 (2006).</li><li>Li, Y., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Van+der+Waals+epitaxy+of+GaN-based+light-emitting+diodes+on+wet-transferred+multilayer+graphene+film.">Van der Waals epitaxy of GaN-based light-emitting diodes on wet-transferred multilayer graphene film.</a> Jappanese Journal of Applied Physics. 56, 085506 (2017).</li><li>Chang, H., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Graphene-assisted+quasi-van+der+Waals+epitaxy+of+AlN+film+for+ultraviolet+light+emitting+diodes+on+nano-patterned+sapphire+substrate.">Graphene-assisted quasi-van der Waals epitaxy of AlN film for ultraviolet light emitting diodes on nano-patterned sapphire substrate.</a> Applled Physics Letters. 114, 091107 (2019).</li></ol>

Som vist i figur 1Aillustrerer NPSS utarbeidet av NIL-teknikken de nanokonkave konkemønstrene med 400 nm dybde, 1 μm mønsterperiode og 300 nm bredde på de uinnlagte områdene. Etter APCVD-veksten av grafenlaget er grafen-NPSS vist i figur 1B. Den signifikante økte D-toppen av N-plasmabehandlet grafen i Raman spectra figur 1C viser økningen av dinglende obligasjoner generert un...

AlN og AlGaN er de mest essensielle materialene i DUV-lysdioder1,,2, som har vært mye brukt i ulike felt som sterilisering, polymer herding, biokjemisk deteksjon, ikke-line-of-sight kommunikasjon, og spesiell belysning3. På grunn av mangel på indre substrater, har AlN heteroepitaxy på safir substrater av MOCVD blitt den vanligste tekniske ruten4. Men den store gitter mismatch mellom AlN og safir substrat fører til stress akkumulering5,6,høy tetthet dislokasjoner, og stabling feil7. Dermed reduseres den interne kvanteeffektiviteten til lysdioder8. I de siste tiårene har bruk av mønstret safir som substrater (PSS) for å indusere AlN epitaksial lateral overvekst (ELO) blitt foreslått for å løse dette problemet. I tillegg er det gjort store fremskritt i veksten av AlN-maler9,10,11. Men med en høy overflate vedheft koeffisient og bonding energi (2,88 eV for AlN), Al atomer har lav atomoverflate mobilitet, og veksten av AlN har en tendens til å ha en tredimensjonal øy vekstmodus12. Dermed er epitaksial vekst av AlN-filmer på NPSS vanskelig og krever høyere koalescenstykkelse (over 3 μm) enn på flate safir substrater, noe som forårsaker lengre veksttid og krever høye kostnader9.
Nylig viser grafen stort potensial for bruk som et bufferlag for AlN-vekst på grunn av sin sekskantede ordning av sp2 hybridiserte karbonatomer13. I tillegg kan kvasi-van der Waals epitaxy (QvdWE) av AlN på grafen redusere mismatch effekten og har banet en ny måte for AlN vekst14,15. For å øke den kjemiske reaktiviteten til grafen brukte Chen et al. N 2-plasmabehandlet grafen som et bufferlag og bestemte QvdWE av høykvalitets AlN- og GaN-filmer8, som demonstrerer utnyttelsen av grafen som et bufferlag.2
Ved å2kombinere N 2-plasmabehandlet grafenteknologi med kommersielle NPSS-substrater, presenterer denne protokollen en ny metode for rask vekst og koalescens av AlN på et grafen-NPSS-substrat. Den fullstendig koakketykkelsen av AlN på grafen-NPSS er bekreftet å være mindre enn 1 μm, og epitaxial AlN lag er av høy kvalitet og stress-utgitt. Denne metoden baner en ny måte for AlN mal masseproduksjon og viser stort potensial i anvendelsen av AlGaN-baserte DUV-lysdioder.

<table>
	<tbody>
		<tr>
			<td>Acetone,99.5%</td>
			<td>Bei Jing Tong Guang Fine Chemicals company</td>
			<td>1090</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>APCVD</td>
			<td>Linderberg</td>
			<td>Blue M</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>EB</td>
			<td>AST</td>
			<td>Peva-600E</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Ethonal,99.7%</td>
			<td>Bei Jing Tong Guang Fine Chemicals company</td>
			<td>1170</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>HF,40%</td>
			<td>Beijing Chemical Works</td>
			<td>1789</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>ICP-RIE</td>
			<td>AST</td>
			<td>Cirie-200</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>MOCVD</td>
			<td>VEECO</td>
			<td>P125</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>PECVD</td>
			<td>Oerlikon</td>
			<td>790+</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Phosphate,85%</td>
			<td>Beijing Chemical Works</td>
			<td>1805</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Sulfuric acid,98%</td>
			<td>Beijing Chemical Works</td>
			<td>10343</td>
			<td></td>
		</tr>
	</tbody>
</table>

graphene-assisted quasi-van der waals epitaxy of aln film on nano-patterned sapphire substrate for ultraviolet light emitting diodes

Denne protokollen demonstrerer en metode for grafenassistert rask vekst og koalescens av AlN på nano-pattened safir substrat (NPSS). Grafenlagene dyrkes direkte på NPSS ved hjelp av katalysatorfri atmosfærisk trykk kjemisk dampavsetning (APCVD). Ved å bruke plasmabehandling med nitrogenreaktiv ionetsing (RIE), blir det innført defekter i grafenfilmen for å forbedre kjemisk reaktivitet. Under veksten av metall-organisk kjemisk dampavsetning (MOCVD) av AlN, gjør denne N-plasmabehandlede grafenbufferen aln rask vekst, og koagulasjon på NPSS bekreftes ved tverrsnittsskanning elektronmikroskopi (SEM). Den høye kvaliteten på AlN på grafen-NPSS evalueres deretter av røntgengende gyngekurver (XRCer) med smale (0002) og (10-12) full bredde ved halvt maksimum (FWHM) som henholdsvis 267,2 arcsec og 503,4 arcsec. Sammenlignet med bare NPSS viser AlN-veksten på grafen-NPSS betydelig reduksjon av reststress fra 0,87 GPa til 0,25 Gpa, basert på Raman-målinger. Etterfulgt av AlGaN flere quantum brønner (MQWS) vekst på grafen-NPSS, AlGaN-baserte dyp ultrafiolett lysdioder (DUV lysdioder) er fabrikkert. De fabrikkerte DUV-LED-ene viser også åpenbar, forbedret luminescensytelse. Dette arbeidet gir en ny løsning for vekst av høy kvalitet AlN og fabrikasjon av høy ytelse DUV-lysdioder ved hjelp av en kortere prosess og mindre kostnader.

Skanning av bilder av elektronmikroskopi (SEM), røntgendifraksjonsrivekurver (XRC), Raman spectra, transmisjonskopikopi (TEM) og elektroluminescens (EL) spektrum ble samlet inn for epitaxial AlN-filmen (Figur 1, Figur 2) og AlGaN-baserte DUV-LYSDIODer (figur 3). SEM og TEM brukes til å bestemme alns morfologi på grafen-NPSS. XRD og Raman brukes til å beregne forvridningstetthetene og gjenværende stress. EL brukes til å illustr...

Watch this Scientific Journal Video about Graphene-Assisted Quasi-van der Waals Epitaxy of AlN Film on Nano-Patterned Sapphire Substrate for Ultraviolet Light Emitting Diodes at JoVE.com

Graphene-Assisted Quasi-van der Waals Epitaxy of AlN Film on Nano-Patterned Sapphire Substrate for Ultraviolet Light Emitting Diodes

En protokoll for grafenassistert vekst av AlN-filmer av høy kvalitet på nanomønstret safirsubstrat presenteres.

Grafenassistert Quasi-van der Waals Epitaxy av AlN Film på Nano-mønstret Sapphire Substrat for ultrafiolett lys emitting dioder

This protocol demonstrates a method for graphene-assisted quick growth and coalescence of AlN on nano-pattened sapphire substrate (NPSS). Graphene layers ...

Denne nye protokollen for aluminiumnitrer rask vekst på nanomønstret safirsubstrat med grafenlag kan brukes til rask og billig generering av høytytende dype ultrafiolette lysdioder. Ved hjelp av di-ål grafen som aluminium nitrtid mal, viser vekstpotensial i anvendelsen av aluminium, gallium nitritt basert lysdioder. Til å begynne med skyll NPSS med aceton, etanol og deionisert vann tre ganger.Og tørk NPSS med en nitrogenpistol. Last NPSS inn i en tre-sone, høy temperatur ovn, med en lang flat temperatur sone. Og varme ovnen til 1050 grader Celsius.Stabiliser temperaturen i 10 minutter under 500 standard kubikkcentimeter per minutt argon og 300 standard kubikkcentimeter per minutt av argon av hydrogen. Deretter introdusere 30 standard kubikkcentimeter per minutt av argon av metan i reaksjonskammeret for veksten av grafen på NPSS i tre timer. På slutten av vekstreaksjonen, slå av metan og la NPSS avkjøles naturlig.Skyll det avkjølte substratet med avionisert vann. Og tørk NPSS med en nitrogenpistol. Deretter etser grafen NPSS med nitrogenplasma med en nitrogenstrømningshastighet på 300 standard kubikkcentimeter per minutt i 30 sekunder.Og en effekt på 50 watt i reaktiv ion etsningskammer. For MOCVD vekst av aluminium nitrogen på grafen NPSS, redigere MOCVD oppskrift på aluminium nitrogen vekst. Og last grafen NPSS og dets NPSS motstykke inn i et hjemmelaget MOCVD-kammer.Etter oppvarming i 12 minutter vil temperaturen stabilisere seg ved 1200 grader Celsius. Deretter introduserer du 7000 standard kubikkcentimeter per minutt hydrogen som omgivelses. 70 standard kubikkcentimeter per minutt trimethylaluminum.Og 500 standard kubikkcentimeter per minutt ammoniakk i to timer. Fortsett med MOCVD vekst av aluminium gallium nitrogen quantum brønner i henhold til manuskript retninger. Når du er ferdig, senk temperaturen på kammeret til 800 grader Celsius og knele P-type lag med nitrogen i 20 minutter.For aluminium gallium nitrogen basert dyp ultrafiolett LED fabrikasjon, spinn foto-motstå 4620 på wafers og utføre litografi med åtte sekunder av UV-eksponering, 30 sekunder av utviklingstid og to minutter med skylling tid. For induktiv kombinert plasmaetsing av P-gallium nitrogen, sett etsekraften til 450 watt, etsingstrykket til fire millitorrer og etsningshastigheten til 5,6 nanometer per sekund. Plasser etset prøven i aceton ved 80 grader Celsius i fem minutter.Etterfulgt av vasking i etanol og deionisert vann. Spinning negativ foto-motstå NR9 og litografi for en UV eksponeringstid på 12 sekunder, en utviklingstid på 20 sekunder og en skyllingstid på to minutter. Vask prøven med aceton, etanol og deionisert vann tre ganger.Og deponere titan aluminium titan gull av elektron stråle fordampning. Spinn negativ foto-motstå NR9 og litografi under de samme innstillingene. Og vask prøvene tre ganger med aceton, etanol og deionisert vann uten ultralydbehandling.Deponer nikkel-gull med elektronstrålefordampning. Og vask prøven med etanol og deionisert vann tre ganger. Deponer 300 nanometer silisiumdioksid ved plasmaforbedret kjemisk dampavsetning ved en avsetningstemperatur på 300 grader Celsius og en avsetningshastighet på 100 nanometer per minutt.Spinn foto-motstå 304 og litografi på en UV eksponeringstid på åtte sekunder, en utviklingstid på ett minutt og en skyllingstid på to minutter før du senker wafers i 23% hydrofluorsyre i 15 sekunder. Vask prøven tre ganger med etanol og deionisert vann. Og tørk wafers med en nitrogen pistol.Etter foto litografi med NR9 som demonstrert, deponere aluminium titan gull av elektron stråle fordampning. Og vask prøven tre ganger med etanol og deionisert vann. Etter siste vask grind og polere safir til 130 mikrometer ved mekanisk polering.Og vask prøven med de-voksingsløsning og deionisert vann. Bruk deretter en laser til å kutte hele wafer i 0,5 med 0,5 millimeter enhetsstykker. Og bruk en mekanisk terningkaster til å kutte wafer i chips.Skanning og overføring elektron mikroskopi avbildning kan brukes til å bestemme morfologien til aluminiumnitrogen på grafen og NPSS. Ramen kan brukes til å beregne forvridningstetthetene og gjenværende stress. Elektroluminescense brukes til å illustrere belysningen av de fabrikkerte dype UV-lysdiodene.Husk at wafer må være ren før hver ny modifikasjon. Så det er viktig å skylle wafer grundig før hvert trinn.

Research

JoVE Journal

Engineering

Polycrystalline Silicon Thin-film Solar cells with Plasmonic-enhanced Light-trapping

Polykrystallinsk silisium Thin-film solceller med plasmonic forbedret lys-fangst

One of major approaches to cheaper solar cells is reducing the amount of semiconductor material used for their fabrication and making cells thinner. To ...

Fabrication of White Light-emitting Electrochemical Cells with Stable Emission from Exciplexes

Fabrikasjon av White Light-Emitting elektrokjemiske celler med Stabil Emission fra Exciplexes

The authors present an approach for fabricating stable white light emission from polymer light-emitting electrochemical cells (PLECs) having an active ...

Plasma-assisted Molecular Beam Epitaxy of N-polar InAlN-barrier High-electron-mobility Transistors

Plasma-assistert Molecular Beam Epitaxy av N-polar InAlN-barriere Høy elektron-mobilitet Transistorer

Plasma-assisted molecular beam epitaxy is well suited for the epitaxial growth of III-nitride thin films and heterostructures with smooth, abrupt ...

Production and Characterization of Vacuum Deposited Organic Light Emitting Diodes

Produksjon og karakterisering av vakuum avsatt Organic Light Emitting Diodes lysemitterende

A method for producing simple and efficient thermally-activated delayed fluorescence organic light-emitting diodes (OLEDs) based on guest-host or exciplex ...

A Fabrication and Measurement Method for a Flexible Ferroelectric Element Based on Van Der Waals Heteroepitaxy

En fabrikasjon og målemetode gir et fleksibelt Ferroelectric basert på Van Der Waals Heteroepitaxy

Flexible non-volatile memories have received much attention as they are applicable for portable smart electronic device in the future, relying on ...

Enhanced Electron Injection and Exciton Confinement for Pure Blue Quantum-Dot Light-Emitting Diodes by Introducing Partially Oxidized Aluminum Cathode

Forbedret Electron injeksjon og Exciton Confinement for ren blå Quantum-Dot Light - Emitting Diodes ved å innføre delvis oksidert Aluminum katode

Stable and efficient red (R), green (G), and blue (B) light sources based on solution-processed quantum dots (QDs) play important roles in next-generation ...

Film Control to Study Contributions of Waves to Droplet Impact Dynamics on Thin Flowing Liquid Films

Filmen kontroll å studere bidrag av bølger til slippverktøy Impact Dynamics tynn flytende væske filmer

Droplet impact is a very common phenomenon in nature and attracts attention due to its aesthetic fascination and wide-ranging applications. Previous ...

Synchrotron X-ray Microdiffraction and Fluorescence Imaging of Mineral and Rock Samples

Synchrotron X-ray Microdiffraction og fluorescens avbildning av Mineral og Rock prøver

In this report, we describe a detailed procedure for acquiring and processing&#160;x-ray microfluorescence (&#956;XRF), and Laue and powder ...

Fabrication of Schottky Diodes on Zn-polar BeMgZnO/ZnO Heterostructure Grown by Plasma-assisted Molecular Beam Epitaxy

Fabrikasjon av Schottky dioder på Zn-polar BeMgZnO/ZnO Heterostructure vokst med Plasma-assistert krystallets strålen Epitaxy

Heterostructure field effect transistors (HFETs) utilizing a two dimensional electron gas (2DEG) channel have a great potential for high speed device ...

Measurement of Dynamic Force Acted on Water Strider Leg Jumping Upward by the PVDF Film Sensor

Måling av dynamisk kraft handlet på vann Strider Ben hoppe oppover PVDF Film sensoren

This study aimed to make an explanation for the phenomenon in nature that water strider usually jumps or glides on the water surface easily but quickly, ...