Name: graphene-assisted quasi-van der waals epitaxy of aln film on nano-patterned sapphire substrate for ultraviolet light emitting diodes
Uploaded: 2020-06-25T12:30:00
Description: Watch this Scientific Journal Video about Graphene-Assisted Quasi-van der Waals Epitaxy of AlN Film on Nano-Patterned Sapphire Substrate for Ultraviolet Light Emitting Diodes at JoVE.com

Detta arbete fick ekonomiskt stöd av National Key R&D Program of China (nr 2018YFB0406703), National Natural Science Foundation of China (nr 61474109, 61527814, 11474274, 61427901) och Beijing Natural Science Foundation (nr 4182063)

VARNING: Flera av de kemikalier som används i dessa metoder är akut giftiga och cancerframkallande. Se alla relevanta materialsäkerhetsdatablad (MSDS) före användning.
1. Beredning av NPSS genom nanoimprint litografi (NIL)
<ol><li>Deposition av SiO2 film<ol>
<li>Tvätta 2"c-planet platt safir substrat med etanol följt av avjoniserat vatten tre gånger.</li>
		<li>Torka substratet med en kvävepistol.</li>
		<li>Insättning 200 nm SiO2 film på den platta safirsubs...

<ol>
	<li>Sakai, Y., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Demonstration+of+AlGaN-Based+Deep-Ultraviolet+Light-Emitting+Diodes+on+High-Quality+AlN+Templates.">Demonstration of AlGaN-Based Deep-Ultraviolet Light-Emitting Diodes on High-Quality AlN Templates.</a> Jappanese Journal of Applied Physics. 49, 022102 (2010).</li><li>Yun, J., Hirayama, H. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Investigation+of+the+light-extraction+efficiency+in+280+nm+AlGaN-based+light-emitting+diodes+having+a+highly+transparent+p-AlGaN+layer.">Investigation of the light-extraction efficiency in 280 nm AlGaN-based light-emitting diodes having a highly transparent p-AlGaN layer.</a> Journal of Applied Physics. 121, 013105 (2017).</li><li>Khan, A., Balakrishnan, K., Katona, T. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Ultraviolet+light-emitting+diodes+based+on+group+three+nitrides.">Ultraviolet light-emitting diodes based on group three nitrides.</a> Nature Photonics. 2, 77-84 (2008).</li><li>Balushi, Z. Y. A., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=The+impact+of+graphene+properties+on+GaN+and+AlN+nucleation.">The impact of graphene properties on GaN and AlN nucleation.</a> Surface Science. 634, 81-88 (2015).</li><li>Motoki, K., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Growth+and+characterization+of+freestanding+GaN+substrates.">Growth and characterization of freestanding GaN substrates.</a> Journal of Crystal Growth. 237, 912-921 (2002).</li><li>Kim, Y., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Remote+epitaxy+through+graphene+enables+two-dimensional+material-based+layer+transfer.">Remote epitaxy through graphene enables two-dimensional material-based layer transfer.</a> Nature. 544, 340-343 (2017).</li><li>Hemmingsson, C., Pozina, G. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Optimization+of+low+temperature+GaN+buffer+layers+for+halide+vapor+phase+epitaxy+growth+of+bulk+GaN.">Optimization of low temperature GaN buffer layers for halide vapor phase epitaxy growth of bulk GaN.</a> Journal of Crystal Growth. 366, 61-66 (2013).</li><li>Chen, Z., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=High-Brightness+Blue+Light-Emitting+Diodes+Enabled+by+a+Directly+Grown+Graphene+Buffer+Layer.">High-Brightness Blue Light-Emitting Diodes Enabled by a Directly Grown Graphene Buffer Layer.</a> Advanced Materials. 30, 1801608 (2018).</li><li>Dong, P., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=282-nm+AlGaN-based+deep+ultraviolet+light-emitting+diodes+with+improved+performance+on+nano-patterned+sapphire+substrates.">282-nm AlGaN-based deep ultraviolet light-emitting diodes with improved performance on nano-patterned sapphire substrates.</a> Applied Physics Letters. 102, 241113 (2013).</li><li>Imura, M., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Epitaxial+lateral+overgrowth+of+AlN+on+trench-patterned+AlN+layers.">Epitaxial lateral overgrowth of AlN on trench-patterned AlN layers.</a> Journal of Crystal Growth. 298, 257-260 (2007).</li><li>Kueller, V., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Growth+of+AlGaN+and+AlN+on+patterned+AlN/sapphire+templates.">Growth of AlGaN and AlN on patterned AlN/sapphire templates.</a> Journal of Crystal Growth. 315, 200-203 (2011).</li><li>Kneissl, M., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Advances+in+group+III-nitride-based+deep+UV+light-emitting+diode+technology.">Advances in group III-nitride-based deep UV light-emitting diode technology.</a> Semiconductor Science &amp; Technology. 26, 014036 (2010).</li><li>Kunook, C., Chul-Ho, L., Gyu-Chul, Y. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Transferable+GaN+layers+grown+on+ZnO-coated+graphene+layers+for+optoelectronic+devices.">Transferable GaN layers grown on ZnO-coated graphene layers for optoelectronic devices.</a> Science. 330, 655-657 (2010).</li><li>Kim, J., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Principle+of+direct+van+der+Waals+epitaxy+of+single-crystalline+films+on+epitaxial+graphene.">Principle of direct van der Waals epitaxy of single-crystalline films on epitaxial graphene.</a> Nature Communications. 5, 4836 (2014).</li><li>Han, N., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Improved+heat+dissipation+in+gallium+nitride+light-emitting+diodes+with+embedded+graphene+oxide+pattern.">Improved heat dissipation in gallium nitride light-emitting diodes with embedded graphene oxide pattern.</a> Nature Communications. 4, 1452 (2013).</li><li>Gupta, P., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=MOVPE+growth+of+semipolar+III-nitride+semiconductors+on+CVD+graphene.">MOVPE growth of semipolar III-nitride semiconductors on CVD graphene.</a> Journal of Crystal Growth. 372, 105-108 (2013).</li><li>Heinke, H., Kirchner, V., Einfeldt, S., Hommel, D. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=X-ray+diffraction+analysis+of+the+defect+structure+in+epitaxial+GaN.">X-ray diffraction analysis of the defect structure in epitaxial GaN.</a> Appllied Physics Letters. 77, 2145-2147 (2000).</li><li>Lughi, V., Clarke, D. R. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Defect+and+Stress+Characterization+of+AlN+Films+by+Raman+Spectroscopy.">Defect and Stress Characterization of AlN Films by Raman Spectroscopy.</a> Appllied Physics Letters. 89, 2653 (2006).</li><li>Li, Y., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Van+der+Waals+epitaxy+of+GaN-based+light-emitting+diodes+on+wet-transferred+multilayer+graphene+film.">Van der Waals epitaxy of GaN-based light-emitting diodes on wet-transferred multilayer graphene film.</a> Jappanese Journal of Applied Physics. 56, 085506 (2017).</li><li>Chang, H., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Graphene-assisted+quasi-van+der+Waals+epitaxy+of+AlN+film+for+ultraviolet+light+emitting+diodes+on+nano-patterned+sapphire+substrate.">Graphene-assisted quasi-van der Waals epitaxy of AlN film for ultraviolet light emitting diodes on nano-patterned sapphire substrate.</a> Applled Physics Letters. 114, 091107 (2019).</li></ol>

Som visas i figur 1Aillustrerar NPSS som utarbetats av NIL-tekniken de nanokoniga konmönstren med 400 nm djup, 1 μm mönsterperiod och 300 nm bredd i de otorkade regionerna. Efter APCVD-tillväxten av grafenskiktet visas grafen-NPSS i figur 1B. Den signifikanta ökade D-toppen av N-plasmabehandlad grafen i Raman spektra Figur 1C visar ökningen av dinglande bindningar som generera...

AlN och AlGaN är de viktigaste materialen i DUV-lysdioder1,2, som har använts i stor utsträckning inom olika områden såsom sterilisering, polymer härdning, biokemisk detektion, icke-line-of-sight kommunikation, och särskild belysning3. På grund av bristen på inneboende substrat, AlN heteroepitaxy på safir substrat av MOCVD har blivit den vanligaste tekniska vägen4. Men den stora gitter obalans mellan AlN och safir substrat leder till stress ackumulering5,6, hög densitet dislokationer, och stapling fel7. Således minskas lysdiodernas interna kvanteffektivitet8. Under de senaste decennierna, med hjälp av mönstrade safir som substrat (PSS) för att inducera AlN epitaxial laterala överväxt (ELO) har föreslagits för att lösa detta problem. Dessutom har stora framsteg gjorts när det gäller ökningen av aln-mallarna9,,10,,11. Men med en hög ytvidhäftningskoefficient och bindningsenergi (2,88 eV för AlN) har al-atomer låg atomisk ytrörlighet, och tillväxten av AlN tenderar att ha ett tredimensionellt ötillväxtläge12. Således är epitaxial tillväxt av AlN-filmer på NPSS svårt och kräver högre kolescens tjocklek (över 3 μm) än på platta safir substrat, vilket orsakar längre tillväxttid och kräver höga kostnader9.
Nyligen visar grafen stor potential för användning som ett buffertskikt för AlN tillväxt på grund av dess sexkantiga arrangemang av sp2 hybridiserade kolatomer13. Dessutom kan aln-kvasi-van der Waals epitaxy (QvdWE) på grafen minska obalanseffekten och har banat väg för AlN-tillväxten14,15. För att öka den kemiska reaktiviteten hos grafen använde Chen et al. N2-plasmabehandladgrafen som ett buffertskikt och bestämde QvdWE av hög kvalitet AlN och GaN filmer8, som visar utnyttjandet av grafen som ett buffertskikt.
Kombinera N2-plasmabehandlade grafen technic med kommersiella NPSS substrat, presenterar detta protokoll en ny metod för snabb tillväxt och sammansmäxning av AlN på ett grafen-NPSS substrat. AlN:s helt smältningstjocklek på grafen-NPSS bekräftas vara mindre än 1 μm, och de epitaxiala AlN-skikten är av hög kvalitet och stressfrigjorda. Denna metod banar ett nytt sätt för AlN mall massproduktion och visar stor potential i tillämpningen av AlGaN-baserade DUV-lysdioder.

<table>
	<tbody>
		<tr>
			<td>Acetone,99.5%</td>
			<td>Bei Jing Tong Guang Fine Chemicals company</td>
			<td>1090</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>APCVD</td>
			<td>Linderberg</td>
			<td>Blue M</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>EB</td>
			<td>AST</td>
			<td>Peva-600E</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Ethonal,99.7%</td>
			<td>Bei Jing Tong Guang Fine Chemicals company</td>
			<td>1170</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>HF,40%</td>
			<td>Beijing Chemical Works</td>
			<td>1789</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>ICP-RIE</td>
			<td>AST</td>
			<td>Cirie-200</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>MOCVD</td>
			<td>VEECO</td>
			<td>P125</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>PECVD</td>
			<td>Oerlikon</td>
			<td>790+</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Phosphate,85%</td>
			<td>Beijing Chemical Works</td>
			<td>1805</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Sulfuric acid,98%</td>
			<td>Beijing Chemical Works</td>
			<td>10343</td>
			<td></td>
		</tr>
	</tbody>
</table>

graphene-assisted quasi-van der waals epitaxy of aln film on nano-patterned sapphire substrate for ultraviolet light emitting diodes

Detta protokoll visar en metod för grafen-assisted snabb tillväxt och kolescens av AlN på nano-pattened safir substrat (NPSS). Grafenskikt odlas direkt på NPSS med katalysatorfri kemisk ångdeposition (APCVD). Genom att tillämpa kvävereaktiv jonetsning (RIE) plasmabehandling, defekter införs i grafenfilmen för att förbättra kemisk reaktivitet. Under metall-organisk kemisk ånga nedfall (MOCVD) tillväxt av AlN, denna N-plasma behandlade grafen buffert möjliggör AlN snabb tillväxt, och kolescens på NPSS bekräftas av tvärsnittsundersökning elektronmikroskopi (SEM). Den höga kvaliteten på AlN på grafen-NPSS utvärderas sedan av röntgenrockkurvor (XRCs) med smal (0002) och (10-12) full bredd vid halvmaxal (FWHM) som 267,2 arcsec och 503,4 arcsec, respektive. Jämfört med nakna NPSS, AlN tillväxt på grafen-NPSS visar betydande minskning av kvarvarande stress från 0,87 GPa till 0,25 Gpa, baserat på Raman mätningar. Följt av AlGaN flera kvantbrunnar (MQWS) tillväxt på grafen-NPSS, AlGaN-baserade djupa ultravioletta ljus-avger-dioder (DUV lysdioder) är tillverkade. De tillverkade DUV-lysdioderna visar också uppenbara, förbättrade luminescensprestanda. Detta arbete ger en ny lösning för tillväxt av hög kvalitet AlN och tillverkning av högpresterande DUV-lysdioder med hjälp av en kortare process och lägre kostnader.

Scanning elektronmikroskopi (SEM) bilder, röntgen diffraktion gunga kurvor (XRC), Raman spektra, transmission elektronmikroskopi (TEM) bilder och elektroluminiscens (EL) spektrum samlades in för epitaxial AlN film(figur 1, figur 2) och AlGaN-baserade DUV-lysdioder(figur 3). SEM och TEM används för att bestämma aln:s morfologi på grafen-NPSS. XRD och Raman används för att beräkna störningstätheten och restspänningen. EL a...

Watch this Scientific Journal Video about Graphene-Assisted Quasi-van der Waals Epitaxy of AlN Film on Nano-Patterned Sapphire Substrate for Ultraviolet Light Emitting Diodes at JoVE.com

Graphene-Assisted Quasi-van der Waals Epitaxy of AlN Film on Nano-Patterned Sapphire Substrate for Ultraviolet Light Emitting Diodes

Ett protokoll för grafen-assisted tillväxt av högkvalitativa AlN filmer på nano-mönstrade safir substrat presenteras.

Grafen-Assisted Quasi-van der Waals Epitaxy of AlN Film on Nano-Patterned Sapphire Substrat for Ultraviolet Light Emitting Diodes

This protocol demonstrates a method for graphene-assisted quick growth and coalescence of AlN on nano-pattened sapphire substrate (NPSS). Graphene layers ...

Detta nya protokoll för aluminiumnitrider snabb tillväxt på nano-mönstrade safir substrat med grafenskikt kan användas för snabb och billig generering av högpresterande djupa ultravioletta lysdioder. Med hjälp av di-ål grafen som aluminium nitrid mall, visar tillväxtpotential i tillämpningen av aluminium, gallium nitrit baserade lysdioder. Till att börja med skölj NPSS med aceton, etanol och avjoniserat vatten tre gånger.Och torka NPSS med en kvävepistol. Ladda NPSS i en tre-zon, hög temperatur ugn, med en lång platt temperatur zon. Och värm ugnen till 1050 grader Celsius.Stabilisera temperaturen i 10 minuter under 500 standard kubikcentimeter per minut av argon och 300 standard kubikcentimeter per minut av argon av väte. Sedan införa 30 standard kubikcentimeter per minut av argon av metan i reaktionskammaren för tillväxten av grafen på NPSS i tre timmar. I slutet av tillväxtreaktionen stänger du av metan och låter NPSS svalna naturligt.Skölj det kylda substratet med avjoniserat vatten. Och torka NPSS med en kvävepistol. Därefter, etsa grafen NPSS genom kväve plasma med en kväveflödeshastighet på 300 standard kubikcentimeter per minut i 30 sekunder.Och en effekt på 50 watt i reaktiv jonetsningskammare. För MOCVD tillväxt av aluminium kväve på grafen NPSS, redigera MOCVD recept för aluminium kvävetillväxt. Och ladda grafen NPSS och dess NPSS motsvarighet i en hemlagad MOCVD kammare.Efter uppvärmning i 12 minuter kommer temperaturen att stabiliseras vid 1200 grader Celsius. Sedan införa 7000 standard kubikcentimeter per minut av väte som omgivande. 70 standard kubikcentimeter per minut trimetylaluminum.Och 500 standard kubikcentimeter per minut ammoniak i två timmar. Fortsätt med MOCVD tillväxt av aluminium gallium kväve kvantmekaniska brunnar enligt manuskriptet riktningar. När du är klar, sänka temperaturen i kammaren till 800 grader Celsius och a-knä p-typ lager med kväve i 20 minuter.För aluminium gallium kväve baserad djup ultraviolett LED-tillverkning, snurra foto-motstå 4620 på rån och utföra litografi med åtta sekunder av UV-exponering, 30 sekunder av utvecklingstid och två minuters sköljning tid. För induktiv kopplade plasma etsning av P-gallium kväve, ställ in etsningseffekten till 450 watt, etsningstrycket till fyra millitorr och etsningsgraden till 5,6 nanometer per sekund. Placera det etsade provet i aceton vid 80 grader Celsius i fem minuter.Följt av tvättning i etanol och avjoniserat vatten. Spinning negativa foto-motstå NR9 och litografi för en UV-exponeringstid på 12 sekunder, en utvecklingstid på 20 sekunder och en sköljningstid på två minuter. Tvätta provet med aceton, etanol och avjoniserat vatten tre gånger.Och deponera titan aluminium titan guld av elektronstrålen avdunstning. Snurra negativt foto-resist NR9 och litografi under samma inställningar. Och tvätta proverna tre gånger med aceton, etanol och avjoniserat vatten utan ultraljud.Deponera nickel-guld genom elektronstråle avdunstning. Och tvätta provet med etanol och avjoniserat vatten tre gånger. Deponera 300 nanometer av kiseldioxid genom plasma-förbättrad kemisk ånga nedfall vid en deposition temperatur på 300 grader Celsius och en deposition på 100 nanometer per minut.Spin foto-motstå 304 och litografi vid en UV-exponeringstid på åtta sekunder, en utvecklingstid på en minut och en sköljningstid på två minuter innan duimmersing plattorna i 23%fluorvätesyra i 15 sekunder. Tvätta provet tre gånger med etanol och avjoniserat vatten. Och torka rånen med en kvävepistol.Efter foto litografi med NR9 som visat, deponera aluminium titan guld av elektronstrålen avdunstning. Och tvätta provet tre gånger med etanol och avjoniserat vatten. Efter den sista tvätten slipa och polera safir till 130 mikrometer genom mekanisk polering.Och tvätta provet med avvaxlösning och avjoniserat vatten. Använd sedan en laser för att skära hela wafer i 0,5 med 0,5 millimeter enhet bitar. Och använd en mekanisk tärnare för att skära wafer i marker.Scanning och transmissionselektronmikroskopi avbildning kan användas för att bestämma morfologi av aluminium kväve på grafen och NPSS. Ramen kan användas för att beräkna dislokationstätheter och den kvarvarande stressen. Electroluminescense används för att illustrera belysningen av de tillverkade djupa UV-lysdioderna.Kom ihåg att rånet måste vara rent före varje ny modifiering. Så det är viktigt att skölja rånet ordentligt före varje steg.

Research

JoVE Journal

Engineering

Polycrystalline Silicon Thin-film Solar cells with Plasmonic-enhanced Light-trapping

Polykristallina kisel tunnfilms-solceller med plasmoniska-enhanced Light-svällning

One of major approaches to cheaper solar cells is reducing the amount of semiconductor material used for their fabrication and making cells thinner. To ...

Fabrication of White Light-emitting Electrochemical Cells with Stable Emission from Exciplexes

Tillverkning av White Light-emitting elektrokemiska celler med stabil Emission från Exciplexes

The authors present an approach for fabricating stable white light emission from polymer light-emitting electrochemical cells (PLECs) having an active ...

Plasma-assisted Molecular Beam Epitaxy of N-polar InAlN-barrier High-electron-mobility Transistors

Plasma-assisterad Molecular Beam epitaxi av N-polära InAlN barriär hög elektron rörlighet transistorer

Plasma-assisted molecular beam epitaxy is well suited for the epitaxial growth of III-nitride thin films and heterostructures with smooth, abrupt ...

Production and Characterization of Vacuum Deposited Organic Light Emitting Diodes

Produktion och karakterisering av vakuum deponerade organiska lysdioder

A method for producing simple and efficient thermally-activated delayed fluorescence organic light-emitting diodes (OLEDs) based on guest-host or exciplex ...

A Fabrication and Measurement Method for a Flexible Ferroelectric Element Based on Van Der Waals Heteroepitaxy

En fabrikation och mätmetod för en flexibel ferroelektrisk Element baserat på Van Der Waals Heteroepitaxy

Flexible non-volatile memories have received much attention as they are applicable for portable smart electronic device in the future, relying on ...

Enhanced Electron Injection and Exciton Confinement for Pure Blue Quantum-Dot Light-Emitting Diodes by Introducing Partially Oxidized Aluminum Cathode

Förbättrad Electron injektion och Exciton inneslutning för ren blå Quantum-Dot lysdioder genom att införa delvis oxiderade aluminium katod

Stable and efficient red (R), green (G), and blue (B) light sources based on solution-processed quantum dots (QDs) play important roles in next-generation ...

Film Control to Study Contributions of Waves to Droplet Impact Dynamics on Thin Flowing Liquid Films

Film kontroll att studera bidrag av vågor till Droplet inverkan Dynamics på tunna flödar flytande filmer

Droplet impact is a very common phenomenon in nature and attracts attention due to its aesthetic fascination and wide-ranging applications. Previous ...

Synchrotron X-ray Microdiffraction and Fluorescence Imaging of Mineral and Rock Samples

Synkrotron röntgen Microdiffraction och fluorescens avbildning av Mineral och stenprover

In this report, we describe a detailed procedure for acquiring and processing&#160;x-ray microfluorescence (&#956;XRF), and Laue and powder ...

Fabrication of Schottky Diodes on Zn-polar BeMgZnO/ZnO Heterostructure Grown by Plasma-assisted Molecular Beam Epitaxy

Tillverkning av Schottky dioder på Zn-polar BeMgZnO/ZnO heterostrukturfotoniska odlas av Plasma-assisted molekylärt stråla epitaxyen

Heterostructure field effect transistors (HFETs) utilizing a two dimensional electron gas (2DEG) channel have a great potential for high speed device ...

Measurement of Dynamic Force Acted on Water Strider Leg Jumping Upward by the PVDF Film Sensor

Mätning av dynamiska kraft agerat på vatten Strider ben hoppar uppåt av PVDF Film Sensor

This study aimed to make an explanation for the phenomenon in nature that water strider usually jumps or glides on the water surface easily but quickly, ...