Name: dna origami-mediated substrate nanopatterning of inorganic structures for sensing applications
Uploaded: 2019-09-27T15:00:00
Duration: 8 min 59 s
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यह काम फिनलैंड की अकादमी (परियोजनाओं 286845, 308578, 303804, 267497), जेन और Aatos Erkko फाउंडेशन, और सिग्रिड जुसलियस फाउंडेशन द्वारा समर्थित किया गया था. यह कार्य फिनलैंड सेंटर्स ऑफ एक्सीलेंस प्रोग्राम (2014-2019) के तहत किया गया था। हम Aalto विश्वविद्यालय Bioeconomy सुविधाएं और OtaNano द्वारा सुविधाओं और तकनीकी सहायता के प्रावधान को स्वीकार करते हैं - Nanomicroscopy केंद्र (Aalto-NMC) और Micronova Nanofabrication केंद्र.

लेखकों को खुलासा करने के लिए कुछ भी नहीं है.

प्रोटोकॉल महान स्वतंत्रता और उत्पादन नैनोस्ट्रक्चर के आकार में सटीकता प्रदान करता है. डीएनए origami के डिजाइन को बदलने से, धातु नैनोस्ट्रक्चर के आकार को नियंत्रित किया जा सकता है। धातु संरचनाओं के अंतिम, सटीक आकार अतिरिक्त मुखौटा विकास कदम द्वारा निर्धारित किया जाता है (चरण 9) और मुखौटा नक्षलसे द्वारा एक कम डिग्री करने के लिए (चरण 10) यह anisotropic नहीं होना चाहिए. यदि मुखौटा विकास समय काफी बढ़ाया है, मुखौटा में छेद बंद हो जाना शुरू कर देंगे. यह कुछ संरचनाओं और नियंत्रण अंतराल आकार की thinnest सुविधाओं को छोड़ने के लिए इस्तेमाल किया जा सकता है, के रूप में शेन एट अल में प्रदर्शन34 bowti origami के अलग त्रिकोण के साथ (चित्र 5B). इसके विपरीत, पतले आकार बेहतर ऑक्साइड विकास समय को छोटा करके संरक्षित किया जा सकता है. इसका मतलब यह है कि यह न सिर्फ इस्तेमाल किया origami डिजाइन बदलकर, लेकिन यह भी SiO2 फिल्म विकास ट्यूनिंग द्वारा, चित्रा 6में प्रदर्शित ऑप्टिकल गुणों धुन करने के लिए संभव है।

मुखौटा मोटाई काफी बदल गया है, तो वह परिवर्तन भी SiO2 RIE चरण में परिलक्षित होना चाहिए। केवल SiO2 की एक बहुत पतली परत (2-5 एनएम) मुश्किल से मुखौटा छेद के माध्यम से छेद करने के लिए etched किया जाना चाहिए. यह पूरी प्रक्रिया का सबसे संवेदनशील और महत्वपूर्ण हिस्सा है। के बाद से उत्कीर्णन समय बहुत कम है, केवल 10-20 s, सटीक सेटिंग्स प्रयोगात्मक निर्धारित किया जाना चाहिए जब पहली बार नए उपकरणों के साथ प्रयास किया. यह भी चरण 10.4 के लिए सच है के रूप में कुछ SiO2 भी a-Si etching के दौरान etched है. etched SiO2 की हद तक इस्तेमाल किया ए-सी आदि मानकों, उपकरण और यहां तक कि व्यक्तिगत उपकरण अंशांकन की चयनात्मकता द्वारा निर्धारित किया जाता है। इन दो प्रक्रियाओं के दौरान पूरे SiO2 परत को दूर नहीं करने के लिए ध्यान रखा जाना चाहिए।

एक अन्य संवेदनशील कदम SiO2 विकास है. विकास प्रक्रिया कक्ष आर्द्रता और प्रयुक्त TEOS की वर्तमान गतिविधि दोनों पर निर्भर है। TEOS कम हो जाता है के रूप में यह हवा से पानी adsorbs, यह उम्र के साथ कम प्रभावी बनने के लिए कारण. यह भी रासायनिक के उचित भंडारण के साथ महीनों के भीतर एक काफी धीमी, कम नियंत्रणीय विकास दर के रूप में प्रकट कर सकते हैं. 34 यदि परिणामी SiO2 परत इरादा से पतली है, यह कक्ष आर्द्रता के बजाय TEOS के साथ एक समस्या का संकेत कर सकते हैं. जबकि एक कम आर्द्रता भी कम विकास दर और पतली फिल्म में परिणाम कर सकते हैं, जिसके परिणामस्वरूप फिल्म भी सामान्य से चिकनी होना चाहिए. इस बीच एक मोटे दानेदार और किसी न किसी परत विपरीत उच्च आर्द्रता के साथ एक समस्या का संकेत होगा.

यह भी दो आवश्यकताओं के साथ किसी भी अन्य स्वतंत्र रूप से चुना सब्सट्रेट पर इस प्रोटोकॉल प्रदर्शन करने के लिए संभव है: यह दोनों HF etching सहन करना चाहिए (चरण 12) और PECVD के 200-300 डिग्री सेल्सियस तापमान (चरण 6). तापमान सुरक्षित रूप से एक-सी के PECVD के लिए 100 डिग्री सेल्सियस के लिए कम किया जा सकता है अगर एक अधिक संवेदनशील सब्सट्रेट प्रयोग किया जाता है, लेकिन HF से बचा नहीं जा सकता है अगर प्रोटोकॉल बिल्कुल के रूप में वर्णित का पालन किया है. HF को दरकिनार करने के लिए, एक अतिरिक्त बलि परत के आवेदन की आवश्यकता होगी. HF etching की आवश्यकता हटा दिया जाता है, तो इस प्रोटोकॉल सब्सट्रेट सामग्री और धातुओं की एक व्यापक चयन के साथ संगत हो जाएगा।

इस प्रोटोकॉल के रूप में आमतौर पर इस्तेमाल किया और मजबूत सूक्ष्म और नैनोनिर्माण प्रक्रियाओं के होते हैं, यह अन्य microfabrication प्रोटोकॉल जहां छोटी सुविधा आकार और जटिल धातु आकार वांछित हैं की किसी भी संख्या के साथ जोड़ा जा सकता है. निकट भविष्य में, विशेष रूप से कम लागत वाले डीएनए origami जन उत्पादन31के आने के साथ, इस विधि के लिए दोनों सामान्य उपयोग और उच्च throughput नैनोपैटर्निंग इंटरफ़ेस आधारित नैनोफोटोनिक्स और प्लाज्मोनिक्स 55 की सुविधा के लिए संभावित है .

स्ट्रक्चरल डीएनए नैनोटेक्नोलॉजी हाल के दशक1,2के दौरान तेजी से विकसित हुई है और इस क्षेत्र में सबसे प्रभावशाली विकास यकीनन डी एन ए ओरिगमी3,4का आविष्कार रहा है . डीएनए origami तकनीक सटीक संरचनात्मक सुविधाओं के साथ लगभग किसी भी नैनोशेप के निर्माण की अनुमति देता है3,4. इस शक्तिशाली विधि का उपयोग (उप) नैनोमीटर-प्राज्ञ स्थानिक व्यवस्था में किया जा सकता है और अन्य नैनो-ऑब्जेक्ट्स, जैसे कार्बन नैनोट्यूब5,धातु नैनोकणों6,7,8, 9, एंजाइमों / प्रोटीन10,11,12,13और चिकित्सीय सामग्री14,15 ,16,17 . महत्वपूर्ण बात यह है कि ये संरचनाएं केवल स्थिर नहीं हैं , बल्कि उन्हें गतिशील तरीके से कार्य करने के लिए भी प्रोग्राम किया जा सकताहै 18,19. डीएनए origami के अनगिनत अनुप्रयोगों दवा वितरण से लेकर20,21,22 आणविक इलेक्ट्रॉनिक्स / 25 और सामग्री विज्ञान से26,27 उपन्यास इमेजिंग और अंशांकन तकनीक28.

उपर्युक्त अनुप्रयोगों के अलावा , डीएनए ओरिगमी आकृतियों के चरम स्थानिक संकल्प का नैनोपैटर्निंग और नाजुक नैनोस्केल लिथोग्राफी29,30में इस्तेमाल किया जा सकता है . यह प्रोटोकॉल डीएनए origami टेम्पलेट्स का उपयोग कर substrates पर असतत और सटीक अकार्बनिक नैनोस्ट्रक्चर बनाने के लिए एक लिथोग्राफी विधि का वर्णन करता है। इन टेम्पलेटों को विभिन्न आकृतियों में कुशलतापूर्वक तैयार किया जा सकता है और बडी मात्रा में31में , और बड़े पैमाने पर चुने गए सबस्ट्रों पर आसानी से जमा किया जा सकता है. इन गुणों के रूप में आमतौर पर इस्तेमाल किया लेकिन बल्कि धीमी गति से इलेक्ट्रॉन बीम लिथोग्राफी या अन्य स्कैनिंग आधारित नैनोनिर्माण तकनीक के विरोध में एक कदम में नैनोस्ट्रक्चर के अरबों की एक अत्यधिक समानांतर निर्माण की अनुमति देते हैं।

इसमें, निर्माण प्रक्रिया सिलिकॉन नाइट्राइड और नीलम substrates पर सोने bowti के आकार की संरचनाओं बनाने के द्वारा प्रदर्शन किया है; दूसरे शब्दों में, डीएनए origami के स्थानिक जानकारी पूरी तरह से धातु नैनोस्ट्रक्चर करने के लिए स्थानांतरित कर दिया है। के रूप में यहाँ चर्चा की, तकनीक चयनित bowti डीएनए origami संरचना तक ही सीमित नहीं है के बाद से विधि लगभग किसी भी डीएनए origami आकार के उपयोग में सक्षम बनाता है. इसके अलावा, व्यवस्थित संशोधनों के साथ, तकनीक विभिन्न धातुओं और substrates के लिए बढ़ाया जा सकता है metasurfaces33के निर्माण की दिशा में मार्ग प्रशस्त.

डीएनए origami-मध्यस्थ निर्माण के साथ पैटर्न सतहों बहुमुखी सेंसर के रूप में सेवा कर सकते हैं; उदाहरण के लिए, वे सतह बढ़ाया रमन स्पेक्ट्रोस्कोपी (Ers) में इस्तेमाल किया जा सकता है. व्यक्तिगत नैनोआकार के छोटे आयामों का एक परिणाम के रूप में, बनाया सतहों दृश्य तरंगदैर्ध्य रेंज में ऑप्टिकल और प्लाज्मोनिक अनुप्रयोगों में उपयोग करता है मिल सकता है।

<table border="0" cellpadding="0" cellspacing="0" style="width:1256px;" width="1255">
	<colgroup>
		<col />
		<col />
		<col />
		<col />
	</colgroup>
	<tbody>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:351px;">Acetone</td>
			<td style="width:205px;">Honeywell</td>
			<td style="width:165px;">40289H</td>
			<td style="width:535px;">Semiconductor grade ULSI, &#8805; 99.5 %</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;">Agarose</td>
			<td>Fisher Bioreagents</td>
			<td>1036603</td>
			<td>Low-EEO, multi-purpose and molecular biology grade</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;">Ammonium hydroxide</td>
			<td>Fisher Chemical</td>
			<td>10652251</td>
			<td>25 % ammonia solution, Certified AR for Analysis, d = 0.91</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;">BRANSON 5510</td>
			<td>Branson</td>
			<td></td>
			<td>Ultrasonic bath</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;">Dimension Icon</td>
			<td>Bruker</td>
			<td></td>
			<td>Atomic force microscope</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;">Electron-beam evaporator IM-9912</td>
			<td>Instrumentti Mattila</td>
			<td></td>
			<td>Evaporator for PVD</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;">Ethidium bromide</td>
			<td>Sigma Aldrich</td>
			<td>E8751</td>
			<td>Fluorescent dye for DNA staining</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;">Eon Microplate spectrophotometer</td>
			<td>BioTek</td>
			<td></td>
			<td>UV/Vis spectrophotometer used for DNA origami concentration measurements</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;">Gel Doc XR+ Documentation System</td>
			<td>BioRad</td>
			<td></td>
			<td>Gel imaging system</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;">Gel Loading Dye, Blue (6&#215;)</td>
			<td>New England Biolabs</td>
			<td>B7021S</td>
			<td>Bromophenol blue-based loading dye for agarose gel electrophoresis</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;">G-storm GS1 Thermal cycler</td>
			<td>Gene Technologies</td>
			<td></td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;">HBR 4</td>
			<td>IKA</td>
			<td></td>
			<td>Heating bath</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;">Hydrofluoric acid</td>
			<td>Honeywell</td>
			<td>40213H</td>
			<td>Semiconductor grade, 49.5-50.5 %</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;">Isopropanol</td>
			<td>Honeywell</td>
			<td>40301H</td>
			<td>Semiconductor grade VLSI, &#8805; 99.8 %</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;">Magnesium chloride</td>
			<td>Sigma Aldrich</td>
			<td>M8266</td>
			<td>Anhydrous, &#8805; 98 %</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;">Mini-Sub Cell GT Horizontal Electrophoresis System</td>
			<td>BioRad</td>
			<td></td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;">Plasmalab 80+ PECVD</td>
			<td>Oxford Instruments</td>
			<td></td>
			<td>PECVD system</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;">Plasmalab 80+ RIE</td>
			<td>Oxford Instruments</td>
			<td></td>
			<td>RIE system</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;">Poly(ethylene glycol)</td>
			<td>Sigma Aldrich</td>
			<td>89510</td>
			<td>BioUltra, 8,000</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;">PowerPac HC High-Current Power Supply</td>
			<td>BioRad</td>
			<td></td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;">Sapphire substrate (Al2O3)</td>
			<td>University Wafer</td>
			<td></td>
			<td>Thickness: 430 &#956;m, Polish: DSP, Size: 50.8 mm</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;">Sigma VP</td>
			<td>Zeiss</td>
			<td></td>
			<td>Scanning electron microscope</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;">Silica gel</td>
			<td>Merck</td>
			<td>1019691000</td>
			<td>With indicator (orange gel), granulate ~1-3 mm</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;">Single-stranded Scaffold DNA, type p7249</td>
			<td>Tilibit Nanosystems</td>
			<td></td>
			<td>At 100 nM concentration</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;">Sodium chloride</td>
			<td>Sigma Aldrich</td>
			<td>S9888</td>
			<td>ACS reagent, &#8805; 99.0 %</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;">Staple strands (oligonucleotides)</td>
			<td>Integrated DNA Technologies</td>
			<td></td>
			<td>Sequences can be ordered e.g. at 100 micromolar in Rnase-free water</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;">TAE buffer (50&#215;) pH 8.0</td>
			<td>VWR Chemicals</td>
			<td>444125D</td>
			<td>Electran Electrophoresis grade</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;">Take3 micro-volume plate</td>
			<td>BioTek</td>
			<td></td>
			<td>Used for DNA origami concentration measurements</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;">Tetraethyl orthosilicate</td>
			<td>Sigma Aldrich</td>
			<td>86578</td>
			<td>&#8805; 99.0 % (GC)</td>
		</tr>
	</tbody>
</table>

dna origami-mediated substrate nanopatterning of inorganic structures for sensing applications

संरचनात्मक डीएनए नैनोप्रौद्योगिकी निर्माण सामग्री के रूप में डीएनए का उपयोग कर नीचे से निर्माण के लिए एक व्यवहार्य मार्ग प्रदान करता है। सबसे आम डीएनए नैनोफेब्रिकेशन तकनीक को डीएनए origami कहा जाता है, और यह नैनोमीटर स्तर परिशुद्धता के साथ सटीक और अत्यधिक बहुमुखी संरचनाओं के उच्च थ्रूपुट संश्लेषण की अनुमति देता है। यहाँ, यह दिखाया गया है कि कैसे डीएनए origami के स्थानिक जानकारी पारंपरिक रूप से इस्तेमाल किया ऊपर से नीचे लिथोग्राफी दृष्टिकोण के साथ नीचे अप डीएनए origami के संयोजन के द्वारा धातु नैनोस्ट्रक्चर को स्थानांतरित किया जा सकता है. यह चयनित substrates पर एक कदम में छोटे नैनोस्ट्रक्चर के अरबों के निर्माण की अनुमति देता है. सिलिकॉन नाइट्राइड या नीलम substrates पर धातु bowti के आकार एंटीना संरचनाओं बनाने के लिए bowti डीएनए origami का उपयोग कर विधि का प्रदर्शन किया है। विधि origami जमाव सब्सट्रेट के शीर्ष पर एक सिलिकॉन ऑक्साइड परत के चयनात्मक विकास पर निर्भर करता है, इस प्रकार लिथोग्राफिक चरणों का पालन करने के लिए एक पैटर्न मुखौटा में जिसके परिणामस्वरूप. इन नैनोस्ट्रक्चर से सुसज्जित सतहों को आणविक सेंसर (जैसे, सतह-एन्हांस्ड रमन स्पेक्ट्रोस्कोपी (एसईआर) के रूप में और छोटी सुविधा आकार (उप-10 एनएम) के कारण दृश्य तरंगदैर्ध्य रेंज में विभिन्न अन्य ऑप्टिकल अनुप्रयोगों में आगे इस्तेमाल किया जा सकता है। तकनीक methodological संशोधनों के माध्यम से अन्य सामग्री के लिए बढ़ाया जा सकता है; इसलिए, परिणामस्वरूप ऑप्टिकली सक्रिय सतहों metamaterials और metasurfaces के विकास में उपयोग मिल सकता है.

बोटी डीएनए ओरिगमी डिजाइन का एक योजनाबद्ध आंकड़ा और इसके संरचनात्मक विवरण चित्र 1में दिखाए गए हैं। अगारोस जेल इलेक्ट्रोफोरोसिस और एएफएम का उपयोग डीएनए ओरिगमी फोल्डिंग और खूंटी शोधन की गुणवत्ता का विश्लेषण करने के लिए किया जाता है (चित्र 2)। नैनोलिथोग्राफी चरणों का प्रक्रम प्रवाह चित्र 3में प्रदर्शित होता है। प्रतिनिधि AFM छवियों के बाद SiO2 मुखौटा विकास चित्रा 4 में दिखाए जाते हैं (इस चरण चित्र 3डीमें दर्शाया गया है), जबकि अंतिम धातु नैनोस्ट्रक्चर के SEM छवियों चित्र 5 में देखा जा सकता है (इस चरण में दर्शाया गया है चित्र 3ह) चित्रा 6 बोटी डीएनए origami द्वारा टेम्पलेट धातु नैनोस्ट्रक्चर की ऑप्टिकल कार्यक्षमता को दर्शाता है।
<table border="1" fo:keep-together.within-page="1"><tbody>
<tr>
<td colspan="5">तह बफर (एफओबी) घटक सांद्रता [mM]</td>
			<td></td>
		</tr>
<tr>
<td></td>
			<td>Tris</td>
			<td>एसिटिक अम्ल</td>
			<td>EDTA</td>
			<td>मैग्नीशियम क्लोराइड</td>
			<td>पीएच</td>
		</tr>
<tr>
<td>2.5x एफओबी</td>
			<td>100</td>
			<td>47.5</td>
			<td>2.5</td>
			<td>31.25</td>
			<td>$8,3</td>
		</tr>
<tr>
<td>1x एफओबी</td>
			<td>40</td>
			<td>19</td>
			<td>1</td>
			<td>12.5</td>
			<td>$8,3</td>
		</tr>
</tbody></table>तालिका 1: तह बफर (एफओबी) की संरचना।
<table border="1" fo:keep-together.within-page="1"><tbody>
<tr>
<td>तापमान सीमा[oC]</td>
			<td>शीतलक दर</td>
		</tr>
<tr>
<td>90-70</td>
			<td>-0.2 डिग्री सेल्सियस /</td>
		</tr>
<tr>
<td>70-60</td>
			<td>-0.1 डिग्री सेल्सियस /</td>
		</tr>
<tr>
<td>60-27</td>
			<td>-0.1 डिग्री सेल्सियस /</td>
		</tr>
<tr>
<td>12</td>
			<td>रोक दिया जब तक पकड़ो</td>
		</tr>
</tbody></table>तालिका 2: बोट्टी origami तह के लिए थर्मल रैंप. annealing के बाद, origami 12 oC पर संग्रहीत किया जाएगा जब तक कार्यक्रम मैन्युअल रूप से बंद कर दिया है.
<table border="1" fo:keep-together.within-page="1"><tbody>
<tr>
<td>PECVD और RIE पैरामीटर</td>
			<td></td>
			<td></td>
			<td></td>
			<td></td>
			<td></td>
			<td></td>
		</tr>
<tr>
<td></td>
			<td>गैस</td>
			<td>गैस प्रवाह [sccm]</td>
			<td>चैंबर का दबाव [mTorr]</td>
			<td>आरएफ शक्ति [W]</td>
			<td>तापमान[ओसी]</td>
			<td>अवधि [s]</td>
		</tr>
<tr>
<td>एक-सी के PECVD</td>
			<td>एन2 में 5% SiH4
</td>
			<td>500</td>
			<td>1000</td>
			<td>15</td>
			<td>250</td>
			<td>90</td>
		</tr>
<tr>
<td></td>
			<td></td>
			<td></td>
			<td></td>
			<td></td>
			<td></td>
			<td></td>
		</tr>
<tr>
<td>हे2 प्लाज्मा उपचार</td>
			<td>हे2
</td>
			<td>50</td>
			<td>40</td>
			<td>200</td>
			<td>30</td>
			<td>1200</td>
		</tr>
<tr>
<td></td>
			<td></td>
			<td></td>
			<td></td>
			<td></td>
			<td></td>
			<td></td>
		</tr>
<tr>
<td>SiO2 के RIE
</td>
			<td>सीएचएफ3
</td>
			<td>25</td>
			<td></td>
			<td></td>
			<td></td>
			<td></td>
		</tr>
<tr>
<td></td>
			<td>Ar</td>
			<td>25</td>
			<td>30</td>
			<td>100</td>
			<td>25</td>
			<td>10-22</td>
		</tr>
<tr>
<td>ए-सीई के RIE</td>
			<td>हे2
</td>
			<td>8</td>
			<td></td>
			<td></td>
			<td></td>
			<td></td>
		</tr>
<tr>
<td></td>
			<td>एस एफ6
</td>
			<td>100</td>
			<td>90</td>
			<td>50</td>
			<td>30</td>
			<td>35</td>
		</tr>
<tr>
<td>शेष ए-सीई के RIE</td>
			<td>हे2
</td>
			<td>8</td>
			<td></td>
			<td></td>
			<td></td>
			<td></td>
		</tr>
<tr>
<td></td>
			<td>एस एफ6
</td>
			<td>100</td>
			<td>90</td>
			<td>50</td>
			<td>30</td>
			<td>35-40</td>
		</tr>
</tbody></table>तालिका 3: प्लाज्मा-एन्हांस्ड रासायनिक वाष्प निक्षेप (PECVD) और प्रतिक्रियाशील आयन etching (RIE) के लिए प्रक्रिया मापदंडों. इन उपकरणों के लिए प्रक्रिया मापदंडों व्यक्तिगत उपकरणों के लिए विशिष्ट हैं और वे जब इस्तेमाल किया अनुकूलित करने की आवश्यकता हो सकती है.
<img alt="Figure 1" class="xfigimg" src="/files/ftp_upload/60313/60313fig1.jpg"> चित्र 1: बोटी डीएनए origami के डिजाइन. (ए) बोटी ओरिगमी डिजाइन का योजनाबद्ध प्रतिनिधित्व जिसमें कोर संरचना को डबल हेलिस के रूप में दिखाया गया है और पॉलीटी-ओवरहैंग्स को लहरदार रेखाओं के रूप में दर्शाया गया है। (बी)CADNAno सॉफ्टवेयर में bowti origami डिजाइन के एक भाग का स्क्रीनशॉट. लाल क्रॉस मोड़ सुधार के लिए लंघन आधार जोड़ी को निरूपित, और T8-overhangs कुंद अंत आधार-स्टैकिंग को रोकने के लिए जोड़े जाते हैं। <a href="https://www.jove.com/files/ftp_upload/60313/60313fig1large.jpg" target="_blank">कृपया इस चित्र का एक बड़ा संस्करण देखने के लिए यहाँ क्लिक करें.</a>
<img alt="Figure 2" class="xfigimg" src="/files/ftp_upload/60313/60313fig2.jpg"> चित्र 2: बोटी डीएनए origami संरचना की विशेषता. (ए) पॉली (एथिलीन ग्लाइकोल) (पीईजी) शुद्धिकरण से पहले और बाद में बोटी संरचना के अगारोस जेल इलेक्ट्रोफोरोसिस। 7249 न्यूक्लिओटाइड लंबे पाड़ संदर्भ के रूप में प्रयोग किया जाता है. (ख)परमाणु बल माइक्रोस्कोपी (एएफएम) शुद्धि से पहले बोटी संरचनाओं की छवि। (ग)खूंटी शुद्धिके बाद बोटी संरचनाओं की AFM छवि. <a href="https://www.jove.com/files/ftp_upload/60313/60313fig2large.jpg" target="_blank">कृपया इस चित्र का एक बड़ा संस्करण देखने के लिए यहाँ क्लिक करें.</a>
<img alt="Figure 3" class="xfigimg" src="/files/ftp_upload/60313/60313fig3.jpg"> चित्र 3: संविरचन प्रक्रिया प्रवाह की योजना (आयाम पैमाने पर नहीं हैं)। (एक) पासा और सब्सट्रेट साफ. (बी)प्लाज्मा-एन्हांस्ड रासायनिक वाष्प जमाव (पीईसीवीडी) द्वारा ए-सी परत जमा करें। * एचएफ के अलावा अन्य एटक के साथ लिफ्ट-ऑफ सक्षम करने के लिए ए-सी के तहत एक अतिरिक्त बलि परत का उपयोग करना संभव है।(सी) ओ2 प्लाज्मा के साथ नमूना सतह का इलाज करें और उस पर डीएनए ओरिगमी जमा करें। (डी) desicator में SiO2 मुखौटा बढ़ाएँ. (ई) सिओ2 की एक पतली परत और इसके नीचे प्रतिक्रियाशील आयन निक्षालन (राई) द्वारा ए-सी के माध्यम से एक पतली परत का उपयोग करें। (च) भौतिक वाष्प निक्षेप (पीवीडी) द्वारा मास्क के माध्यम से धातु जमा करें। (जी) एचएफ के साथ लिफ्ट-ऑफ (एच) शेष ए-सी ईई ईई द्वारा हटा दें। <a href="https://www.jove.com/files/ftp_upload/60313/60313fig3large.jpg" target="_blank">कृपया इस चित्र का एक बड़ा संस्करण देखने के लिए यहाँ क्लिक करें.</a>
<img alt="Figure 4" class="xfigimg" src="/files/ftp_upload/60313/60313fig4.jpg">
चित्र 4: डीएनए origami आकार पैटर्न के साथ SiO2 फिल्म के प्रतिनिधि AFM छवियों. (क) 10 डिग्री मी ग 10 डिग्री उ चमस्कैन क्षेत्र पैटर्न गठन की उच्च उपज को दर्शाता है। (ख) एक करीब 3 डिग्री मी ग 3 डिग्री मीटर स्कैन सिओ2 फिल्म में सटीक व्यक्तिगत पैटर्न दिखाता है। <a href="https://www.jove.com/files/ftp_upload/60313/60313fig4large.jpg" target="_blank">कृपया इस चित्र का एक बड़ा संस्करण देखने के लिए यहाँ क्लिक करें.</a>
<img alt="Figure 5" class="xfigimg" src="/files/ftp_upload/60313/60313fig5.jpg"> चित्र 5: धात्विक नैनोस्ट्रक्चरों कीप्रतिनिधि स्कैनिंग इलेक्ट्रॉन माइक्रोस्कोपी (SEM) छवियों को संरचनात्मक रूप से भिन्न डीएनए origami के साथ टेम्पलेटित. (ए) क्रॉस के आकार का डीएनए origami, यानी, तथाकथित सीमा टाइल origami54. (बी) बोटी एंटेना. (C) चिराल डबल-एल (सीडीएल) संरचनाएं। इनसेट 150 एनएम x 150 एनएम के बॉक्स आकार के साथ अलग-अलग संरचनाओं को दिखाते हैं। सटीक संरचनाओं की निर्माण उपज बोटी ओरिगमी के लिए 76% औरयहांप्रदर्शित अन्य संरचनाओं के लिए 50% तक है . यह आंकड़ा अनुकूलित किया गया है और शेन एट अल से संशोधित34. आंकड़ा लेखकों की अनुमति के साथ पुनरुत्पादित और विज्ञान की उन्नति के लिए अमेरिकन एसोसिएशन द्वारा प्रकाशित, 2018. <a href="https://www.jove.com/files/ftp_upload/60313/60313fig5large.jpg" target="_blank">कृपया इस चित्र का एक बड़ा संस्करण देखने के लिए यहाँ क्लिक करें.</a>
<img alt="Figure 6" class="xfigimg" src="/files/ftp_upload/60313/60313fig6.jpg"> चित्र 6: परिणामी नैनोस्ट्रक्चर के प्रतिनिधि ऑप्टिकल/ (ए) अलग-अलग ध्रुवीकरण (रंग नारंगी और नीले रंग के रूप में कोडित) के साथ एक व्यक्ति सोने bowti संरचना के स्थानीयकृत सतह प्लाज्मन अनुनाद (LSPR) माप। ठोस लाइनों स्पेक्ट्रा मापा जाता है और डैश्ड लाइनों सिमुलेशन परिणाम हैं. इनसेट मापा कण (बाएं) और सिमुलेशन (दाएं) के लिए इस्तेमाल मॉडल के SEM छवि दिखा। (ख) सतह से बढ़ी हुई रमन स्पेक्ट्रोस्कोपी (एसईआर) रोडामाइन 6जी और 2,2-बिपाइरिडीन जो बोटी नैनोस्ट्रक्चर से ढकी सतह पर मापी जाती है। प्रत्येक नमूने की आधार रेखा संकेत स्तर से पता चलता है जब नैनोस्ट्रक्चर अनुपस्थित थे. यह आंकड़ा अनुकूलित किया गया है और शेन एट अल से संशोधित34. आंकड़ा लेखकों की अनुमति के साथ पुनरुत्पादित और विज्ञान की उन्नति के लिए अमेरिकन एसोसिएशन द्वारा प्रकाशित, 2018. <a href="https://www.jove.com/files/ftp_upload/60313/60313fig6large.jpg" target="_blank">कृपया इस चित्र का एक बड़ा संस्करण देखने के लिए यहाँ क्लिक करें.</a>
<img alt="Supplemental File 1" src="/files/ftp_upload/60313/60313sup1.jpg"> पूरक फ़ाइल 1: CaDNAno फ़ाइल <a href="https://www.jove.com/files/ftp_upload/60313/bowtie_poly-T.json" target="_blank">कृपया इस फ़ाइल को डाउनलोड करने के लिए यहाँ क्लिक करें.</a>
<img alt="Supplemental File 2" src="/files/ftp_upload/60313/60313sup2.jpg"> पूरक फ़ाइल 2: m13mp18 अनुक्रम <a href="https://www.jove.com/files/ftp_upload/60313/m13mp18_sequence.txt" target="_blank">कृपया इस फ़ाइल को डाउनलोड करने के लिए यहाँ क्लिक करें.</a>
<img alt="Supplemental File 3" src="/files/ftp_upload/60313/60313sup3.jpg"> पूरक फ़ाइल 3: स्टेपल किनारा अनुक्रम <a href="https://www.jove.com/files/ftp_upload/60313/bowtie_staple_sequences.xlsx" target="_blank">कृपया इस फ़ाइल को डाउनलोड करने के लिए यहाँ क्लिक करें.</a>

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DNA Origami-Mediated Substrate Nanopatterning of Inorganic Structures for Sensing Applications

यहाँ, हम मार्गदर्शक टेम्पलेट के रूप में डीएनए origami आकार का उपयोग कर substrates पर असतत और सटीक अकार्बनिक नैनोस्ट्रक्चर बनाने के लिए एक प्रोटोकॉल का वर्णन. विधि एक पारदर्शी सब्सट्रेट (sapphire) पर प्लाज्मोनिक सोने bowti के आकार का एंटेना बनाने के द्वारा प्रदर्शन किया है।

डीएनए Origami-मध्यस्थ Substrate नैनो पैटर्निंग के लिए संवेदन अनुप्रयोगों के लिए अकार्बनिक संरचनाओं

Structural DNA nanotechnology provides a viable route for building from the bottom-up using DNA as construction material. The most common DNA ...

यह प्रोटोकॉल बॉटम-अप आधारित डीएनए ओरिगेमी तकनीक को ऊपर-नीचे नैनोफैब्रिकेशन विधियों के साथ जोड़ता है, जिससे विभिन्न सब्सट्रेट्स पर उप-10 नैनोमीटर फीचर आकार के साथ अकार्बनिक नैनोस्ट्रक्चर के समानांतर निर्माण की अनुमति होती है। इस तकनीक का उपयोग एक समय में अरबों सटीक नैनोस्ट्रक्चर बनाने के लिए किया जा सकता है, लगभग महंगे पैटर्निंग तरीकों की आवश्यकता के बिना किसी भी आकार में। इस विधि में सतह संवर्धित रमन स्पेक्ट्रोस्कोपी जैसे अनुप्रयोगों को संवेदन करने के साथ-साथ उपन्यास ऑप्टिकल मेटासरफेस बनाने की क्षमता है।हालांकि यह प्रोटोकॉल बल्कि सीधा है, और अनुशासनात्मक निर्माण कौशल की जरूरत है और इसलिए, दृश्य प्रदर्शन पृष्ठभूमि की एक किस्म के साथ शोधकर्ताओं के लिए उपयोगी हो जाएगा । पेटेरी पिस्कुनेन के साथ प्रक्रिया का प्रदर्शन सोफिया जुलिन, हमारी प्रयोगशाला से एक और स्नातक छात्र होगा। स्टेपल किस्में का स्टॉक बनाने के लिए, धनुष टाई संरचना के लिए आवश्यक ओलिगोन्यूक्लियोटाइड के सभी की बराबर मात्रा में मिलाएं और एक 200 माइक्रोलीटर पीसीआर ट्यूब में 2.5 एक्स फोल्डिंग बफर के 40 माइक्रोलीटर के साथ M13 एमपी18 पाड़ स्ट्रैंड के 20 माइक्रोलीटर मिलाएं।फिर टेबल में उल्लिखित 90 से 27 डिग्री सेल्सियस तक थर्मोसाइकिलर में प्रतिक्रिया मिश्रण को एनील करें। सब्सट्रेट तैयार करने के लिए, सोनीशन के दो मिनट के लिए आइसोप्रोपैनॉल के ग्लास कंटेनर में चिप्स को स्थानांतरित करने से पहले कम से कम 15 मिनट के लिए 52 डिग्री सेल्सियस एसीटोन के कांच के कंटेनर में नीलम वेफर से काटे गए लगभग सात मिलीमीटर चिप्स विसर्जित करें। सोनीशन के अंत में, आइसोप्रोपैनॉल से चिप्स को हटाने के लिए चिमटी का उपयोग करें और तुरंत प्रवाह की दिशा के समानांतर चिप सतहों के साथ संभव उच्चतम प्रवाह पर नाइट्रोजन के साथ चिप्स को सुखाएं।असंगत सिलिकॉन परत के प्लाज्मा-संवर्धित रासायनिक वाष्प जमाव के लिए, सूखे चिप्स को प्लाज्मा-संवर्धित रासायनिक वाष्प जमाव उपकरण में रखें और अमोर्फस सिलिकॉन के लगभग 50 नैनोमीटर विकसित करने के लिए उपकरण मॉडल और अंशांकन के अनुसार जमाव पैरामीटर निर्धारित करें। असंगत सिलिकॉन परत के ऑक्सीजन प्लाज्मा उपचार के लिए, चिप्स को प्रतिक्रियाशील आयन नक़्क़ाशी उपकरण में रखें और उपकरण मॉडल और अंशांकन के अनुसार ऑक्सीजन प्लाज्मा उत्पन्न करने के लिए नक़्क़ाशी मापदंड निर्धारित करें। इसके बाद ऑक्सीजन प्लाज्मा ट्रीटमेंट प्रोग्राम चलाएं।ऑक्सीजन प्लाज्मा उपचार के 30 मिनट के भीतर, तह बफर के चार माइक्रोलीटर और एक मोलर मैग्नीशियम क्लोराइड के एक माइक्रोलीटर के साथ मुड़ा हुआ और शुद्ध डीएनए ओरिगेमी समाधान के पांच माइक्रोलीटर मिलाएं। प्रत्येक ऑक्सीजन प्लाज्मा-इलाज चिप पर डीएनए ओरिगामी मिश्रण के 10 माइक्रोलीटर जमा करें और कमरे के तापमान पर पांच मिनट इनक्यूबेशन के लिए चिप्स को कवर करें। इनक्यूबेशन के अंत में, आसुत पानी के 100 माइक्रोलीटर के साथ चिप सतहों को धोएं, चिप्स के केंद्रों को छूने से बचते हुए पिपेट के साथ कई बार पानी को आगे-पीछे धोएं।दो से तीन बार ashing के बाद के रूप में सिर्फ प्रदर्शन किया, तुरंत नाइट्रोजन प्रवाह के साथ चिप्स सूखी । सिलिकॉन डाइऑक्साइड का मुखौटा उगाने के लिए, 30 मिलीलीटर आसुत पानी के साथ 100 ग्राम सिलिका जेल मिलाएं। सिलिका जेल मिश्रण को एक डिसिकेटर में रखें और जेल को छिद्रित प्लेट से अलग करें।24 घंटे के बाद, चिप्स को डेसीकेटर में छिद्रित मंच पर एडोर्शेड डीएनए ओरिगामी के साथ रखें और चिप्स के दूसरी तरफ 25% अमोनियम हाइड्रोक्साइड के 10 मिलीलीटर युक्त एक शीशी रखें जिसमें चिप्स के दूसरी तरफ टेट्राएथिल ऑर्थोसिलिटेट के 10 मिलीलीटर और एक शीशी होती है जिसमें 25% अमोनियम हाइड्रोक्साइड की 10 मिलीलीटर होती है। फिर कमरे के तापमान पर 20 घंटे इनक्यूबेशन के लिए कक्ष सील। इनक्यूबेशन के अंत में, डीएनए ओरिगेमी संरचनाओं के बिना क्षेत्रों पर एक सिलिकॉन डाइऑक्साइड फिल्म का गठन किया जाएगा, डीएनए ओरिगेमी आकार के छेद के साथ एक 10 से 20 नैनोमीटर पैटर्न मुखौटा बनाने ।सिलिकॉन डाइऑक्साइड के प्रतिक्रियाशील आयन नक़्क़ाशी के लिए, चिप्स को प्रतिक्रियाशील आयन नक़्क़ाशी उपकरण में रखें और सिलिकॉन डाइऑक्साइड के केवल दो से पांच मनोमीटर को नक़्क़ाशी करने के लिए नक़्क़ाशी मापदंडों को सेट करें ताकि सिलिकॉन डाइऑक्साइड मास्क में छेद के नीचे असंगत सिलिकॉन परत को प्रकट किया जा सके। सभी नक़्क़ाशी मापदंडों को चुने हुए उपकरणों के लिए अनुकूलित किया जाना चाहिए, क्योंकि सही पैरामीटर उपकरणों के प्रकार और विशिष्ट सेट अप पर निर्भर करते हैं। कुछ पुनरावृत्तियों की आवश्यकता हो सकती है।एनिसोट्रोपिक सिलिकॉन डाइऑक्साइड प्लाज्मा नक़्क़ाशी कार्यक्रम चलाने के बाद, 50 नैनोमीटर असंगत सिलिकॉन परत के माध्यम से छेदने के लिए नक़्क़ाशी मापदंडों को निर्धारित करें। फिर आइसोट्रोपिक सिलिकॉन प्लाज्म नक़्क़ाशी कार्यक्रम चलाएं। भौतिक वाष्प जमाव के लिए, चिप्स को भौतिक वाष्प जमाव उपकरण के वाष्पीकरण कक्ष में लोड करें और चिपकने वाले लक्ष्य धातु का चयन करें।लक्ष्य सामग्री और मोटाई के लिए मोटाई नियंत्रण कार्यक्रम निर्धारित करें और इलेक्ट्रॉन बीम शुरू करें, बीम को लक्ष्य में संरेखित करें और बीम वर्तमान में वृद्धि करें जब तक कि प्रति सेकंड 0.05 नैनोमीटर की जमाव दर तक पहुंच न जाए। फिर दो नैनोमीटर की अंतिम मोटाई तक पहुंचने तक वाष्पित हो जाते हैं। वाष्पीकरण के अंत में, कक्ष को निकालने या प्रक्रिया में बाधा डाले बिना दूसरे लक्ष्य धातु का चयन करें और मोटाई निर्धारित करें।इलेक्ट्रॉन बीम को लक्ष्य में तब तक संरेखित करें जब तक कि 20 नैनोमीटर मोटाई तक पहुंचने तक वाष्पीकरण से पहले 0.05 नैनोमीटर प्रति सेकंड जमाव दर प्राप्त न हो जाए। डीएनए ओरिगेमी आकार की धातु संरचना सिलिकॉन डाइऑक्साइड मास्क छेद के माध्यम से बनाई जाएगी जिसमें कुल ऊंचाई 22 नैनोमीटर होंगे । चैंबर निकालने के बाद सैंपल निकाल ें।हाइड्रोफ्लोरिक एसिड लिफ्टऑफ के लिए, नमूनों को हाइड्रोफ्लोरिक एसिड आधारित एवेंट में विसर्जित करें और नमूनों को धीरे से हिलाने के लिए प्लास्टिक चिमटी का उपयोग करें। सिलिकॉन डाइऑक्साइड की परत को पूरी तरह से नक़्क़ाशी की प्रतीक्षा करें और धातु की परत को डबल आसुत पानी और आइसोप्रोपैनॉल के साथ नमूनों को धोने से पहले अलग करने के लिए। फिर प्रदर्शन के रूप में एक नाइट्रोजन प्रवाह के साथ नमूनों सूखी ।शेष असंगत सिलिकॉन के प्रतिक्रियाशील आयन नक़्क़ाशी के लिए, चिप्स को प्रतिक्रियाशील आयन नक़्क़ाशी उपकरण में रखें और असंगत सिलिकॉन के सभी 50 नैनोमीटर को हटाने के माध्यम से नक़्क़ाशी मापदंड निर्धारित करें। शेष असंगत सिलिकॉन को हटाने के लिए आइसोट्रोपिक असंगत सिलिकॉन प्लाज्मा नक़्क़ाशी कार्यक्रम चलाएं। फिर प्रतिक्रियाशील आयन नक़्क़ाशी उपकरण से नमूनों को हटा दें और उन्हें एक कवर कंटेनर में स्टोर करें।एगर उठे जेल इलेक्ट्रोफोरेसिस और परमाणु बल माइक्रोस्कोपी का उपयोग डीएनए ओरिगेमी तह और पॉलीथीन ग्लाइकोल शुद्धिकरण की गुणवत्ता का विश्लेषण करने के लिए किया जा सकता है। यहां सिलिकॉन डाइऑक्साइड मास्क ग्रोथ के बाद प्रतिनिधि परमाणु बल माइक्रोस्कोपी इमेज दिखाई जाती है । जबकि इन छवियों में, अंतिम धातु नैनोस्ट्रक्चर की स्कैनिंग इलेक्ट्रॉन माइक्रोस्कोपी देखी जा सकती है।इन रेखांकनों में, धनुष टाई डीएनए ओरिगेमी द्वारा टेम्पलेट किए गए धातु नैनोस्ट्रक्चर की ऑप्टिकल कार्यक्षमता का विश्लेषण किया गया था। सिलिकॉन डाइऑक्साइड मास्क विकास प्रक्रिया के लिए महत्वपूर्ण है और बल्कि टेक्स की आर्द्रता और प्रतिक्रियाशीलता के प्रति संवेदनशील है। इसलिए, प्रजनन क्षमता के लिए इन मापदंडों को सावधानीपूर्वक नियंत्रित किया जाना चाहिए।यदि डीएनए ओरिगेमी तकनीक को अत्यधिक आदेशित डीएनए पैटर्न के साथ जोड़ा जाता है, तो यह दृश्य तरंगदैर्ध्य सीमा पर मेटामैटेरियल्स और सतहों के निर्माण का मार्ग प्रशस्त कर सकता है।

Research

JoVE Journal

Chemistry

Microfluidic On-chip Capture-cycloaddition Reaction to Reversibly Immobilize Small Molecules or Multi-component Structures for Biosensor Applications

Reversibly छोटे अणुओं या Biosensor अनुप्रयोगों के लिए बहु घटक संरचनाएं स्थिर microfluidic पर चिप कब्जा cycloaddition के रिएक्शन

Methods  for rapid surface immobilization of bioactive small molecules with control over  orientation and immobilization density are highly desirable for ...

Formation of Ordered Biomolecular Structures by the Self-assembly of Short Peptides

लघु पेप्टाइड्स के आत्म विधानसभा के हिसाब से Biomolecular संरचनाओं के गठन

In nature, complex functional structures are formed by the self-assembly of biomolecules under mild conditions. Understanding the forces that control ...

Preparation of Hydrophobic Metal-Organic Frameworks via Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition of Perfluoroalkanes for the Removal of Ammonia

प्लाज्मा के माध्यम से हाइड्रोफोबिक धातु कार्बनिक चौखटे की तैयारी अमोनिया के लिए निकालना Perfluoroalkanes के रासायनिक वाष्प जमाव बढ़ी

Plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) of perfluoroalkanes has long been studied for tuning the wetting properties of surfaces. For high ...

Mizoroki-Heck Cross-coupling Reactions Catalyzed by Dichloro{bis[1,1',1''-(phosphinetriyl)tripiperidine]}palladium Under Mild Reaction Conditions

Mizoroki-Heck Cross-coupling Reactions Catalyzed by Dichloro{bis[1,1',1''-phosphinetriyltripiperidine]}palladium Under Mild Reaction Conditions

हल्के प्रतिक्रिया शर्तों के तहत पैलेडियम - Dichloro {भारतीय मानक ब्यूरो [(phosphinetriyl) tripiperidine 1,1 &#39;, 1&#39;&#39;]} द्वारा उत्प्रेरित Mizoroki-बिल्ली पार युग्मन प्रतिक्रियाओं

Dichloro-bis(aminophosphine) complexes of palladium with the general formula of [(P{(NC5H10)3-n(C6H11)n})2Pd(Cl)2] (where n = 0-2), belong to a new family ...

Highly Stable, Functional Hairy Nanoparticles and Biopolymers from Wood Fibers: Towards Sustainable Nanotechnology

अत्यधिक स्थिर, कार्यात्मक रोंआर नैनोकणों और लकड़ी फाइबर से बायोपॉलिमर्स: सतत नैनो की ओर

Nanoparticles, as one of the key materials in nanotechnology and nanomedicine, have gained significant importance during the past decade. While ...

The Synthesis of [Sn10(Si(SiMe3)3)4]2- Using a Metastable Sn(I) Halide Solution Synthesized via a Co-condensation Technique

The Synthesis of [Sn10SiSiMe334]2- Using a Metastable SnI Halide Solution Synthesized via a Co-condensation Technique

के संश्लेषण [एस.एन.<sub&gt; 10</sub&gt; (सी (साइम<sub&gt; 3</sub&gt;)<sub&gt; 3</sub&gt;)<sub&gt; 4</sub&gt;]<sup&gt; 2</sup<sup&gt; -</sup&gt; एक metastable एस.एन. (आई) Halide समाधान एक सह-संक्षेपण तकनीक के माध्यम से संश्लेषित का उपयोग

The number of well-characterized metalloid tin clusters, synthesized by applying the disproportionation of a metastable Sn(I) halide in the presence of a ...

Insights into the Interactions of Amino Acids and Peptides with Inorganic Materials Using Single-Molecule Force Spectroscopy

एमिनो एसिड और पेप्टाइड्स अकार्बनिक सामग्री के साथ बातचीत में इनसाइट्स एकल अणु बल स्पेक्ट्रोस्कोपी का उपयोग

The interactions between proteins or peptides and inorganic materials lead to several interesting processes. For example, combining proteins with minerals ...

Simple Methods for the Preparation of Non-noble Metal Bulk-electrodes for Electrocatalytic Applications

इलेक्ट्रोकाटैटिक अनुप्रयोगों के लिए गैर-महान धातु बल्क-इलेक्ट्रोड की तैयारी के लिए सरल तरीके

The rock material pentlandite with the composition Fe4.5Ni4.5S8 was synthesized via high temperature synthesis from the elements. The structure and ...

Inkjet Printing All Inorganic Halide Perovskite Inks for Photovoltaic Applications

Inkjet मुद्रण सभी अकार्बनिक Halide Perovskite स्याही फोटोवोल्टिक अनुप्रयोगों के लिए

A method for synthesizing photoactive inorganic&#160;perovskite quantum dot inks and an inkjet printer deposition method, using the synthesized inks, are ...

Iron Nanowire Fabrication by Nano-Porous Anodized Aluminum and its Characterization

नैनो-पोरस एनोडाइज्ड एल्यूमिनियम और इसके विशेषताद्वारा आयरन नैनोवायर निर्माण

Magnetic nanowires possess unique properties that have attracted the interest of different fields of research, including basic physics, biomedicine, and ...