Name: proof-of-concept for gas-entrapping membranes derived from water-loving sio2/si/sio2 wafers for green desalination
Uploaded: 2020-03-01T14:00:00
Duration: 9 min 39 s
Description: Watch this Scientific Journal Video about Proof-of-Concept for Gas-Entrapping Membranes Derived from Water-Loving SiO2/Si/SiO2 Wafers for Green Desalination at JoVE.com

H.M. bestätigt die Finanzierung durch die King Abdullah University of Science and Technology im Rahmen von BAS/1/1070-01-01 und KAUST Zugang zu Nanofabrication Core Lab Einrichtungen.

1. Design
<ol><li>Entwerfen Sie 16 Arrays, die jeweils 625 Kreise (Durchmesser, D = 100 m; Steigung, L = 400 m) umfassen, zusammen mit Ausrichtungsmarkierungen, die auf 4" SiO2(2 m)/Si(300 m)/SiO2(2 m) Wafer mit geeigneter Konstruktionssoftware übersetzt werden sollen (siehe Tabelle der Materialien; Abbildung 3) 38.</li>
</ol><img alt="Figure 3" class="xfigimg" src="/files/ftp_upload/60583/60583fig3.jpg">
Abbildung 3: Designs von kreisförmigen Arrays. Dieses Designmuster wurde durch Photolithographie auf SiO2(2 m)/Si(300 m)/SiO2(2 m) Wafer übertragen. Gezeigt werden (A) die gesamten Wafer, (B,C) vergrößerte Ansichten und (D,E) Ausrichtungsmarkierungen, die für die manuelle Rückausrichtung verwendet werden. <a href="https://www.jove.com/files/ftp_upload/60583/60583fig3alarge.jpg" target="_blank">Bitte klicken Sie hier, um eine größere Version dieser Abbildung anzuzeigen.</a>
<ol start="2"><li>Transfer-Features auf eine 5"-Soda-Kalkglas -Maske (CaxHyNazOn) mit einer 50 nm-Beschichtung aus Chrom und dünner Folie von Photoresist (ein positiver Photoresist; siehe Materialtabelle)durch UV-Belichtung in einem Direktschreibsystem (Belichtungszeit = 25 ms, Defokus = +10).</li>
	<li>Maskenentwicklung<ol>
<li>Entwickeln Sie den Photoresist, indem Sie die Maske in 200 ml des Entwicklers (Tabelle der Materialien) für 60 s, um das Chrom darunter zu belichten. Waschen Sie die Maske mit deionisiertem (DI) Wasser.</li>
		<li>Entfernen Sie das freiliegende Chrom, indem Sie die Maske in ein 200 ml Bad aus Chrom-Etchant für 90 s eintauchen. Waschen Sie die Maske mit DI-Wasser.</li>
		<li>Führen Sie eine UV-Hochwasserbelastung (d.h. ohne Maske) für 15 s durch.</li>
		<li>Entfernen Sie den Photoresist vollständig von der Maske, indem Sie in ein 200 ml Bad des Entwicklers eintauchen, bis der Photoresist vollständig verschwindet (60–120 s). Reinigen Sie die Maskenoberfläche mit DI-Wasser und trocknen Sie mit einem Stickstoff (N2) Geschütz.</li>
	</ol>
</li>
</ol>2. Waferreinigung
<ol><li>Den Siliziumwafer in eine frisch zubereitete Piranha-Lösung (H2SO4:H2O2 = 3:1 Volumen) eintauchen, die 10 min bei einer Temperatur von 388 K gehalten wird. HINWEIS: Tragen Sie geeignete personalisierte Schutzausrüstung (PPE) während der Arbeit mit Piranha-Lösung auf der nassen Bank.</li>
	<li>Spülen Sie den Wafer mit DI-Wasser, zwei Zyklen in einer nassen Bank, und trocknen Sie ihn unter einer N2-Umgebung in Spintrockner.</li>
</ol>3. HMDS-Abscheidung
<ol><li>Setzen Sie den Wafer dem Dampf von Hexamethyldisian (HMDS) aus, um die Haftung des Photowiderstands mit der Kieselsäureoberfläche zu verbessern (Details in Tabelle 1).</li>
</ol><table border="1" fo:keep-together.within-page="1"><tbody>
<tr>
<td colspan="3">Stufe 1: Austrocknung und Spülsauerstoff aus der Kammer</td>
		</tr>
<tr>
<td>Schritt</td>
			<td>Funktion</td>
			<td>Zeit (min)</td>
		</tr>
<tr>
<td>1</td>
			<td>Vakuum (10 Torr)</td>
			<td>1</td>
		</tr>
<tr>
<td>2</td>
			<td>Stickstoff (760 Torr)</td>
			<td>3</td>
		</tr>
<tr>
<td>3</td>
			<td>Vakuum (10 Torr)</td>
			<td>1</td>
		</tr>
<tr>
<td>4</td>
			<td>Stickstoff (760 Torr)</td>
			<td>3</td>
		</tr>
<tr>
<td>5</td>
			<td>Vakuum (10 Torr)</td>
			<td>1</td>
		</tr>
<tr>
<td>6</td>
			<td>Stickstoff (760 Torr)</td>
			<td>3</td>
		</tr>
<tr>
<td colspan="3">Stufe 2: Priming</td>
		</tr>
<tr>
<td>Schritt</td>
			<td>Funktion</td>
			<td>Zeit (min)</td>
		</tr>
<tr>
<td>1</td>
			<td>Vakuum (1 Torr)</td>
			<td>2</td>
		</tr>
<tr>
<td>2</td>
			<td>HMDS (6 Torr)</td>
			<td>5</td>
		</tr>
<tr>
<td colspan="3">Stufe 3: Reinigen von Prime-Auspuff und Rückkehr zur Atmosphäre (Backfill)</td>
		</tr>
<tr>
<td>Schritt</td>
			<td>Funktion</td>
			<td>Zeit (min)</td>
		</tr>
<tr>
<td>1</td>
			<td>Vakuum</td>
			<td>1</td>
		</tr>
<tr>
<td>2</td>
			<td>Stickstoff</td>
			<td>2</td>
		</tr>
<tr>
<td>3</td>
			<td>Vakuum</td>
			<td>2</td>
		</tr>
<tr>
<td>4</td>
			<td>Stickstoff</td>
			<td>3</td>
		</tr>
</tbody></table>Tabelle 1: DETAILS des HMDS-Grundierungsprozesses.
4. Lithographie
<ol><li>Übertragen Sie den Wafer auf ein Vakuumfutter eines Spincoaters, um den Photoresist zu drehen. Verwenden Sie AZ 5214 photoresist als Negativton, um einen 1,6 m dicken gleichmäßigen Film des Photoresistzufalls zu erzielen (die Parameter der Spinbeschichtung sind in Tabelle 2aufgeführt). HINWEIS: AZ 5214 kann als positiver oder negativer Ton-Photowiderstand basierend auf der Wärmebehandlung (d. h. Vorbacken und Nachbacken) verwendet werden. Bei 110 °C für 2 min vorgebacken, verhält sich der Photoresist wie ein positiver Ton, so dass exponierte Bereiche während der Entwicklung aufgelöst werden. Für den negativen Ton wird der Photoresist bei 105 °C für 2 min vorgebacken, gefolgt von UV-Belichtung und Nachbacken bei 120 °C für 2 min.<ol>
<li>Backen Sie den photoresistbeschichteten Wafer bei 105 °C auf einer Kochplatte für 2 min. Dies trocknet und härtet den photoresist-Film aus, der sonst an der Glasmaske klebt und Kontaminationsprobleme bei UV-Exposition verursacht, und es verbessert auch die Haftung des Photowiderstands an der Kieselsäureoberfläche. HINWEIS: Die Vorbacktemperatur sollte nicht zu hoch sein, da dies zu einer teilweisen Zerstörung lichtempfindlicher Komponenten des Photowiderstands führen kann, wodurch seine Empfindlichkeit verringert wird.</li>
	</ol>
</li>
</ol><table border="1" fo:keep-together.within-page="1"><tbody>
<tr>
<td>Schritt</td>
			<td>Geschwindigkeit (rpm)</td>
			<td>Rampe (rpm/s)</td>
			<td>Zeit (s)</td>
		</tr>
<tr>
<td>1</td>
			<td>800</td>
			<td>1000</td>
			<td>3</td>
		</tr>
<tr>
<td>2</td>
			<td>1500</td>
			<td>1500</td>
			<td>3</td>
		</tr>
<tr>
<td>3</td>
			<td>3000</td>
			<td>3000</td>
			<td>30</td>
		</tr>
</tbody></table>Tabelle 2: Parameter für Spin-Beschichtungsrezept, um eine 1,6-mm-Schicht photoresist zu erhalten.
<ol start="2"><li>Setzen Sie den Wafer unter UV-Belichtung (80 mJ/cm2) für 15 s durch die Chrommaske mit einem Maskenausrichtungssystem (EVG 6200) aus, um das gewünschte Design auf dem Photoresist zu erzielen.</li>
	<li>Backen Sie den realisierten Wafer bei 120 °C auf einer Kochplatte für 2 min. In diesem Schritt wird der exponierte negative Photoresist-Film weitere Querverbindungen. Dadurch sind die UV-exponierten Teile des Photoresists in der Entwicklerlösung nicht mehr löslich, während die unbelichteten Bereiche löslich sind.</li>
	<li>Setzen Sie den Wafer in einem UV-Härtesystem (PRX-2000-20) für 15 s weiter unter UV-Licht (200 mJ/cm2) aus. HINWEIS: In diesem Schritt werden die zuvor nicht freigelegten Photoresist-Bereiche (Schritt 4.3) freigelegt und können später im Entwickler aufgelöst werden, wobei die gewünschten Strukturen auf dem Wafer zurückbleiben. Dieser Schritt ist tolerant gegenüber Überbelichtung, da die gewünschten Merkmale (im negativen Ton) nach dem Nachbackschritt nicht mehr lichtempfindlich sind.</li>
	<li>Tauchen Sie den Wafer in ein 50 ml Bad des AZ-726 Photoresist-Entwicklers (in Glasware) für 60 s ein, um das gewünschte Photoresist-Muster auf dem Siliziumwafer zu erreichen.</li>
	<li>Anschließend den Wafer mit DI-Wasser reinigen und mit N2weiter blasen.</li>
</ol>5. Sputter
<ol><li>Sputtern Sie Chrom auf dem Wafer für 200 s, um eine 50 nm dicke Chromschicht zu erhalten. Die Abscheidung erfolgt mit einem Magnetron-Typ DC-Reaktiv-Sputter mit einer standardmäßigen 2" Runden-Zielquelle in einer Argon-Umgebung mit den folgenden Parametern: 400 V, Strom = 1 A und Druck = 5 mTorr. HINWEIS: Die Chromschicht schützt Kieselsäure vor trockener Ätzung unter Octafluorcyclobutan (C4F8).</li>
</ol>6. Photoresist Lift-off
<ol><li>Sonicate den gesputterten Wafer in einem Acetonbad für 5 min, um den verbleibenden Photoresist (und Chrom auf dem Photoresist abgelagert) aus dem Wafer zu heben, so dass hinter den gewünschten Eigenschaften mit einer Chrom-Hartmaske.</li>
</ol>7. Verarbeitung der anderen Seite des Wafers
<ol><li>Nach dem Spülen der Rückseite des Wafers mit einer reichlichen Menge Aceton und Ethanol, mit einer N2 Pistole blasen, dann die Schritte 4.1 und 4.2 wiederholen.</li>
</ol>8. Manuelle Rückenausrichtung
<ol><li>Richten Sie die gewünschten Merkmale auf der Rückseite mit den Ausrichtungsmarkierungen im Design und dem Modul "Manuelle Rückenausrichtung mit Fadenkreuz" im Kontaktausrichter (EVG 6200) an der Vorderseite des Wafers aus. HINWEIS: Die manuelle Rückenausrichtung ist ein entscheidender Schritt im Mikrofertigungsprotokoll. Daher müssen die entworfenen Ausrichtungs-Features auf der Fotomaske effektiv verwendet werden, um einen Versatz in der Porenausrichtung zu vermeiden.</li>
</ol>9. Lithographie auf der Rückseite des Wafers
<ol><li>Wiederholen Sie für die Rückseite des Wafers die Schritte 4.3–4.7, Abschnitt 5 und Abschnitt 6, um das erforderliche Design mit Chrom auf beiden Seiten des Wafers zu erzeugen. Beachten Sie, dass der mit Chrom bedeckte Teil der Oberfläche nicht geätzt wird; So definieren Flecken, in denen Chrom auf dem Wafer fehlt, die Ein- und Auslässe der Pore.</li>
</ol>10. Radierung
<ol><li>Durch ätzen Sie die exponierte SiO2-Schicht auf beiden Seiten des Wafers durch eine induktiv gekoppelte Plasma-Reaktivionen-Etcher (RIE), die Fluor(C4F8)und Sauerstoff (O2) Chemikalien verwendet. Die Dauer beträgt 16 min (ICP-RIE-Parameter in Tabelle 3aufgeführt ) für jede Seite.</li>
	<li>Verarbeiten Sie den Wafer mit fünf Zyklen anisotroper Ätzung mit dem Bosch-Verfahren, um eine Kerbe in der Siliziumschicht zu erzeugen. Dieses Verfahren zeichnet sich durch ein flaches Seitenwandprofil mit abwechselnden Ablagerungen vonC4F8 und Schwefelhexafluorid (SF6) aus. Durch abwechselnde anisotrope Ätzung und Polymerabscheidung ätzt das Silizium gerade nach unten (Ätzparameter in Tabelle 3aufgeführt ).</li>
	<li>Tauchen Sie den Wafer in ein Bad mit Piranha-Lösung (H2SO4:H2O2 = 3:1 Volumen) bei einer Temperatur von 388 K für 10 min gehalten. Dadurch werden die im anisotropen Schritt abgelagerten Polymere entfernt.</li>
	<li>Um den Undercut zu erstellen, der das Reentrantprofil ergibt, unterziehen Sie sich isotroper Ätzung mit einem SF6-basiertenRezept für eine Dauer von 165 s (Radierungsparameter in Tabelle 3) aufgeführt. HINWEIS: Dieser Schritt wird auf jeder Seite des Wafers ausgeführt.</li>
	<li>Anisotrope Siliziumätzung<ol>
<li>Übertragen Sie den Wafer auf Deep-ICP-RIE (Oxford-Instrumente) auf Ätzen 150 'm Silizium mit 200 Zyklen Tiefenätzung mit dem Bosch-Verfahren (Ätzparameter sind in Tabelle 3aufgeführt).</li>
		<li>Wiederholen Sie Schritt 10.4.1 mit der Rückseite des Wafers.</li>
		<li>Unterdurchziehen Piranha Reinigung des Wafers in der nassen Bank für 10 min, um polymere Verunreinigungen aus dem Ätzprozess abgelagert zu entfernen, die einheitliche Ätzraten gewährleistet.</li>
		<li>Wiederholen Sie die Schritte 10.4.1–10.4.3, um durch Poren (die mit bloßen Augen unter einer Lichtquelle visualisiert werden können) im Wafer mit wiedereintretenden Ein- und Auslässen zu realisieren.</li>
	</ol>
</li>
	<li>Tauchen Sie den Wafer in ein 100 ml Bad aus Chrom-Etchant für 60 s ein, um Chrom von beiden Seiten des Wafers zu entfernen.</li>
</ol><table border="1" fo:keep-together.within-page="1"><tbody>
<tr>
<td rowspan="2">Parameter</td>
			<td rowspan="2">Kieselsäure-Radierung</td>
			<td colspan="2">Anisotrope Siliziumätzung /Zyklus</td>
			<td rowspan="2">Isotrope Siliziumätzung</td>
		</tr>
<tr>
<td>Ablagerung</td>
			<td>Radierung</td>
		</tr>
<tr>
<td>HF-Leistung (W)</td>
			<td>100</td>
			<td>5</td>
			<td>30</td>
			<td>20</td>
		</tr>
<tr>
<td>ICP-Leistung (W)</td>
			<td>1500</td>
			<td>1300</td>
			<td>1300</td>
			<td>1800</td>
		</tr>
<tr>
<td>Ätzdruck (mTorr)</td>
			<td>10</td>
			<td>30</td>
			<td>30</td>
			<td>35</td>
		</tr>
<tr>
<td>Temperatur (°C)</td>
			<td>10</td>
			<td>15</td>
			<td>15</td>
			<td>15</td>
		</tr>
<tr>
<td>C4F8 Durchfluss (sccm)</td>
			<td>40</td>
			<td>100</td>
			<td>5</td>
			<td>-</td>
		</tr>
<tr>
<td>O2 Durchfluss (sccm)</td>
			<td>5</td>
			<td>-</td>
			<td>-</td>
			<td>-</td>
		</tr>
<tr>
<td>SF6 Durchfluss (sccm)</td>
			<td>-</td>
			<td>5</td>
			<td>100</td>
			<td>110</td>
		</tr>
<tr>
<td>Ätzzeit (s)</td>
			<td>960</td>
			<td>5</td>
			<td>7</td>
			<td>165</td>
		</tr>
</tbody></table>Tabelle 3: Parameter für SiO2/Si Trockenätzung.
11. Endreinigung
<ol><li>Reinigen Sie den Wafer nach dem Mikroherstellungsprozess mit 100 ml frisch zubereiteter Piranha-Lösung (H2SO4:H2O2 = 3:1 Volumen; T = 388 K) in einem Glasbehälter für 10 min, dann weiter blastrocken mit einer 99% reinen N2 Druckpistole.</li>
	<li>Legen Sie die Proben in eine gläserne Petrischale in einen sauberen Vakuumofen bei T = 323 K, bis der intrinsische Kontaktwinkel des Wassers auf glattem SiO2 bei 40 ° (nach 48 h) stabilisiert ist.</li>
	<li>Bewahren Sie die erhaltenen Trockenproben (Silica GEMs) in einem N2-Schrank auf. HINWEIS: Der gesamte Fertigungsworkflow ist in Abbildung 4dargestellt.</li>
</ol><img alt="Figure 4" class="xfigimg" src="/files/ftp_upload/60583/60583fig4.jpg">
Abbildung 4: Schematische Darstellung des GEM-Mikrofertigungsprozesses. <a href="https://www.jove.com/files/ftp_upload/60583/60583fig4large.jpg" target="_blank">Bitte klicken Sie hier, um eine größere Version dieser Abbildung anzuzeigen.</a>

R.D., S.A. und H.M. haben ein internationales Patent angemeldet, Anmeldung Nr. PCT/IB2019/054548.

Diese Arbeit präsentiert das Design und die Herstellung von Kieselsäure-GEMs, den allerersten DCMD-Membranen aus hydrophilen Materialien. Die Mikrofertigung mit dem SiO2/Si-System bietet eine enorme Flexibilität, um Mikrotexturen zu erstellen, um kreative Ideen zu testen. Natürlich beschränkt sich der Umfang dieser Arbeit auf den Proof-of-Concept für GEMs, da SiO2/Si/SiO2 Wafer und Reinraum-Mikrofabrikationsprotokolle für Entsalzungsmembranen nicht praktikabel sind.
Es sollte beachtet werden, dass, obwohl GEMs Architektur das Eindringen von Wasser beim Eintauchen verhindern kann, wenn der intrinsische Kontaktwinkel 40° beträgt, diese Strategie fehlschlägt, wenn die Oberfläche superhydrophil gemacht wird. Zum Beispiel weisen Die Kieselsäureoberflächen nach der Exposition gegenüber Sauerstoffplasma eine Größe von 5 ° auf, und diese Kieselsäure-GEMs verlieren Luft, die spontan als Blasen in den Poren eingeschlossen wird, da der flüssige Meniskus nicht mehr an den wiedereintretenden Kanten angeheftet ist. Häufige Kunststoffe, wie z. B. Polyvinylalkohol(ca. 51 °C) und Poly(Ethylenterephthalat) (72 °C), sollten diesem Ansatz jedoch zugänglich sein. So können Konstruktionsprinzipien, die von Kieselsäure-GEMs gelernt wurden, mit 3-D-Druck44, additive Fertigung45, Laser-Mikrobearbeitung46und CNC-Fräsen37usw. skaliert werden.
Als nächstes werden einige entscheidende Aspekte der Mikrofertigung von Kieselsäure-GEMs diskutiert, die besondere Aufmerksamkeit erfordern. Die manuelle Rückenausrichtung (Abschnitt 8) der Features sollte mit größtmöglicher Sorgfalt durchgeführt werden, um vertikal ausgerichtete Poren zu erreichen. Versatz kann zu Porenkehlen führen, und im schlimmsten Fall kann die Fehlausrichtung nur zu Hohlräumen auf beiden Seiten (keine Poren) führen. Daher wird empfohlen, mehrskalige Ausrichtungsmarkierungen zu verwenden, wobei die kleinste Ausrichtungsmarkierung mindestens viermal kleiner als der Porendurchmesser ist.
Während der Ätzung der Kieselsäureschicht mitC4F8 undO2 (Schritt 10.1) kann die Vorbenutzung (d.h. Sauberkeit) der Reaktionskammer die Ätzraten beeinflussen. Dies ist aufgrund des Vorhandenseins von Verunreinigungen in der Reaktionskammer, ein häufiges Auftreten in gemeinsamen Benutzereinrichtungen wie Universitäten. Daher wird empfohlen, dass dieser Schritt zuerst auf einem Dummy-Wafer durchgeführt wird, um sicherzustellen, dass das System sauber und stabil ist. Außerdem wird empfohlen, kurze Perioden für die Ätzung zu verwenden (z. B. nicht mehr als 5 min bei der Überwachung der Dicke der Kieselsäureschicht mit Reflektometrie). Wenn es z. B. 16 min dauert, um eine 2-m-SiO2-Schicht vollständig aus einem SiO2/Si/SiO2-Wafer zu entfernen, sollte der Ätzprozess in vier Schritte unterteilt werden, die drei 5-Min-Zyklen, gefolgt von Reflektometrie und einem 1 min (optionalen) Ätzschritt, basierend auf den Reflektometrieergebnissen, umfassen.
Um die Silben-Reentrant-Eigenschaften während des Bosch-Prozesses zu erhalten, der zum Ätzen der Siliziumschicht verwendet wird (Schritt 10.4), ist es entscheidend, dass eine Chrom-Hartmaske verwendet wird. Das Bosch-Verfahren beinhaltet die Abscheidung von C4F8, um das anisotrope Profil zu gewährleisten. Jedoch, über lange Ätzzyklen, diese Schicht kann sehr dick und schwer zu entfernen. Daher wird empfohlen, den Bosch-Prozess nicht für mehr als 200 Zyklen auszuführen, und es sollte eine Piranha-Reinigung folgen. Es wurde auch beobachtet, dass lange Zyklen der tiefen Ätzung auch die Dicke der Kieselsäureschicht reduzieren, trotz des Vorhandenseins einer Chrom-Hartmaske.
Die meisten Trockenätzwerkzeuge erreichen keine räumliche Gleichmäßigkeit in Bezug auf die Ätzraten. Daher können die In-, mitteleines SiO2/Si/SiO2 Wafers erhaltene Merkmale nicht mit denen an der Grenze des Wafers identisch sein. Hier wurden hochwertige Merkmale in der Mitte von 4"-Wafern realisiert und Proben wurden regelmäßig unter dem Mikroskop beobachtet. Für den Fall, dass einige Regionen mehr geätzt sind als andere, sollte der Wafer in Stücke zerlegt werden, die separat geätzt werden sollten.
Dieses Fertigungsprotokoll kann auf SiO2/Si/SiO2 Wafer beliebiger Dicke angewendet werden; Eine dickere Schicht bedeutet jedoch, dass eine höhere Anzahl von Ätzzyklen erforderlich ist. Es wird empfohlen, Siliziumwafer mit einer Dicke von <300 m zu verwenden, sofern dies die mechanische Integrität des Wafers bei der Handhabung und Charakterisierung nicht beeinträchtigt.

Da die Belastung der Wasser-/Lebensmittel-/Energie-/Umweltressourcen eskaliert, werden umweltfreundlichere Technologien und Materialien für die Entsalzung benötigt1,2. In diesem Zusammenhang kann das Verfahren der Direktkontaktmembrandestillation (DCMD) solarthermische Energie oder industrielle Abwärme für die Wasserentsalzung3,4nutzen. DCMD nutzt wasserabweisende Membranen, um gegenfließende Ströme von heißem Meerwasser und kaltem entionisiertem Wasser zu trennen, so dass nur reiner Wasserdampf von der heißen zur kalten Seite5,6,7,8,9transportiert werden kann. Kommerzielle DCMD-Membranen nutzen perfluorkohlenwasserstoffe fast ausschließlich aufgrund ihrer Wasserabweisung, die sich durch den intrinsischen Kontaktwinkel des Wassers auszeichnet. Jedoch, Perfluorkohlenwasserstoffe sind teuer, und sie werden bei erhöhten Temperaturen11 und bei harter chemischer Reinigungbeschädigt 12,13. Ihre Nicht-Bioabbaubarkeit wirft auch Umweltbedenken auf14. So wurden neue Materialien für DCMD erforscht, z.B. Polypropylen15, Kohlenstoff-Nanoröhren16und Organosilica17, zusammen mit Variationen des Prozesses, z.B. Grenzflächenheizung18 und Photovoltaik-MD19. Nichtsdestotrotz waren alle bisher auf DCMD-Membranen untersuchten Materialien eigens wasserabweisend, gekennzeichnet durch 90° für Wasser).
Hier wird ein Protokoll beschrieben, um wasserliebende (hydrophile) Materialien zur Erreichung der Funktion wasserabweisender DCMD-Membranen zu nutzen, d.h. Wasser auf beiden Seiten zu trennen, indem Luft robust in die Membranporen eingeschlossen wird. Zur Proof-of-Concept-Demonstration werden beidseitig doppelseitige polierte Siliziumwafer mit Kieselsäureschichten (2 m Dicke) (SiO2/Si/SiO2; 2 m/300 m/2 m) verwendet. Mikrofabrikationsprozesse werden angewendet, um Gaseinschlüssemembranen (GEMs) zu erreichen, die eine spezifische Architektur nutzen, um zu verhindern, dass Flüssigkeiten unabhängig von der Oberflächenchemie in die Poren gelangen.
Die Inspiration für GEMs Architektur stammt von Springtails (Collembola), bodenbewohnenden Hexapoden, deren Nagelhaut pilzförmige Musterenthält 20,21, und Seeskater (Halobates germanus), Insekten, die im offenen Ozean leben, die pilzförmige Haare am Körper haben22,23. Die Oberflächenarchitektur, zusammen mit natürlich abgesonderten Wachsen, bietet diesen Insekten eine "super" Wasserabweisung, die sich durch scheinbare Kontaktwinkel für Wasser auszeichnet (s.r ... . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Infolgedessen schweben see-skater in ihrem Ruhezustand im Wesentlichen in der Luft an der See-Luft-Schnittstelle22,25. Wenn sie in Wasser getaucht sind, fangen sie sofort eine Luftschicht um ihren Körper (auch bekannt als Plastron), die Atmung und Auftrieb erleichtert20,23. Inspiriert von Springtails zeigten Kim und Kollegen, dass Kieselsäureoberflächen mit Feldgängen pilzförmiger Säulen Flüssigkeitströpfchen mit geringen Oberflächenspannungen abstoßen können26. Dies war eine bemerkenswerte Entdeckung; Es wurde jedoch festgestellt, dass die flüssigkeitsabweisende Abstoßung dieser Oberflächen durch lokalisierte Defekte oder Grenzen katastrophal verloren gehen konnte27,28. Um dieses Problem zu beheben, forscher mikrofabrizierte Kieselsäure-Oberflächen mit Hohlräumen, deren Durchmesser an den Einlässen waren abrupt kleiner (d.h. mit einer 90°-Drehung) als der Rest der Höhle27. Diese Merkmale werden auch als "reentrante" Kanten bezeichnet, und die Hohlräume werden im Folgenden als "Reentrant Hohlräume" bezeichnet.
Reentrant Hohlräume festeinfangen Luft bei Kontakt mit Flüssigkeitstropfen oder beim Untertauchen27. Die Leistung von Hohlräumen verschiedener Formen (kreisförmig, quadratisch und sechseckig), Profile (reentrant und doppelt reentrant) und Schärfe der Ecken in Bezug auf die Stabilität der eingeschlossenen Luft im Laufe der Zeit wurde verglichen29. Es wurde festgestellt, dass kreisförmige Reentranthohlräume hinsichtlich ihrer Robustheit für die Lufteinschlussung unter Benetzungsflüssigkeiten und der Komplexität, die mit der Herstellung verbunden ist, am besten sind. Außerdem wurde nachgewiesen, dass an sich benetzende Materialien mit reentranten Hohlräumen beim Eintauchen in benetzende Flüssigkeiten Luft einfangen und damit die Funktion omniphober Oberflächen erreichen können. Basierend auf diesem Werk27,28,29,30 und früheren Erfahrungen mit DCMD31, haben wir beschlossen, Membranen zu schaffen, die Poren mit wiedereintretenden Ein- und Auslassungen haben. Es war vorgesehen, dass eine solche Membran Luft beim Eintauchen in benetzende Flüssigkeiten aufgrund ihrer Mikrotextur einfangen könnte, was zu der Idee von GEMs führen würde.
Betrachten wir eine Membran aus einem hydrophilen Material, das einfache zylindrische Poren enthält: Wenn sie in Wasser getaucht wird, wird diese Membran Wasser spontan imbibe (Abbildung 1A,B) und den voll gefüllten oder den Wenzel-Zustand32erreichen. Wenn die Ein- und Auslässe der Poren hingegen wiedereintretende Profile aufweisen (z. B. "T"-förmig), können sie verhindern, dass die Benetzungsflüssigkeit in die Poren dringt und Die Luft einfängt, was zu Kassie-Zuständen33 führt (Abbildung 1C,D). Sobald die Luft in der Pore eingeschlossen ist, wird es das Eindringen von Flüssigkeiten aufgrund seiner Kompressibilität und niedrigen Löslichkeit in Wasser im Laufe der Zeit34,35weiter verhindern.
Ein solches System wird langsam von Cassie in den Wenzel-Zustand übergehen, und die Kinetik dieses Prozesses kann durch die Form, Größe und das Profil der Pore, den Dampfdruck der Flüssigkeit und die Löslichkeit der eingeschlossenen Luft in der Flüssigkeit eingestellt werden29,34,36. Die Forscher konnten GEMs mit Siliziumwafern und Polymethylmethacrylatplatten als Testsubstrate realisieren, und Proof-of-Concept-Anwendungen für DCMD in einer Cross-Flow-Konfiguration wurden37demonstriert. Hier wird ein detailliertes Mikrofertigungsprotokoll zur Herstellung von Kieselsäure-GEMs vorgestellt, beginnend mit beidseitig polierten Siliziumwafern mit Kieselsäureschichten (2 m Dickschicht) (SiO2/Si/SiO2; 2 m/300 m/2 m). Auch die Fähigkeit der Kieselsäure-GEMs, Luft unter Wasser einzufangen, wird mit einer kundenspezifischen Druckzelle und konfokaler Mikroskopie bewertet.
<img alt="Figure 1" class="xfigimg" src="/files/ftp_upload/60583/60583fig1.jpg">
Abbildung 1: Schematische Darstellung einer Membran mit einfachen zylindrischen Poren (A,B) und einer mit wiedereintretenden Poren (C,D). Im Gegensatz zu den einfachen zylindrischen Poren werden die wiedereintretenden Poren nach Einlässe/Auslässe deutlich breiter, und es ist diese Diskontinuität (oder die reentranten Kanten), die verhindert, dass Flüssigkeiten in die Poren eindringen. <a href="https://www.jove.com/files/ftp_upload/60583/60583fig1large.jpg" target="_blank">Bitte klicken Sie hier, um eine größere Version dieser Abbildung anzuzeigen.</a>
Insbesondere beschreibt dieser Abschnitt das Mikrofertigungsprotokoll für das Schnitzen von Porenmitwechsorden mit wiedereintretenden Ein- und Auslässe mit doppelseitigen polierten Siliziumwafern, die 300 m dick sind (p-dotiert, <100> Ausrichtung, 4" Durchmesser, 2 m dicke thermisch gewachsene Oxidschichten auf beiden Seiten). Im Folgenden wird dies als SiO2(2 m)/Si(300 m)/SiO2(2 m) bezeichnet (Abbildung 2).
<img alt="Figure 2" class="xfigimg" src="/files/ftp_upload/60583/60583fig2.jpg">
Abbildung 2: Flussdiagramm mit den wichtigsten Schritten bei der Mikrofertigung von Kieselsäure-GEMs. <a href="https://www.jove.com/files/ftp_upload/60583/60583fig2alarge.jpg" target="_blank">Bitte klicken Sie hier, um eine größere Version dieser Abbildung anzuzeigen.</a>

<table border="1" fo:keep-together.within-page="1" fo:keep-with-next.within-page="always">
	<tbody>
		<tr>
			<td>3D Printer</td>
			<td>BCN3D</td>
			<td>020.180510.3103</td>
			<td>BCN3D Sigma 3D printer for printing test module with PLA (polylactic acid) filament.</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Acetone</td>
			<td>BASF</td>
			<td></td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>AZ-5214 E photoresist</td>
			<td>Merck</td>
			<td></td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>AZ-726 MIF developer</td>
			<td>Merck</td>
			<td></td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Chrome Etchant</td>
			<td>MicroChemicals</td>
			<td>TechniEtch Cr01</td>
			<td>To remove chromium from silicon wafer and mask</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Conductivity Meter</td>
			<td>Hanna</td>
			<td>HI98192</td>
			<td>To measure conductivity of pure water during leak testing.</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Confocal microscope</td>
			<td>Zeiss</td>
			<td>ZEISS LSM 710</td>
			<td>For fluorescence imaging of water.</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Contact Aligner</td>
			<td>EVG</td>
			<td>EVG6200</td>
			<td>Mask aligner</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Deep ICP-RIE</td>
			<td>Oxford Instruments</td>
			<td>Plasmalab system100</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>DI water</td>
			<td></td>
			<td></td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Direct writer</td>
			<td>Heidelberg Instruments</td>
			<td>&#181;PG501 direct-writing system</td>
			<td>UV exposure</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Food Dye</td>
			<td>Kroger</td>
			<td></td>
			<td>Green food dye to label salty water.</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Glass Petri dish</td>
			<td>VWR</td>
			<td></td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>HMDS vapor prime</td>
			<td>Yield Engineering systems</td>
			<td></td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Hot plate</td>
			<td>Cost effective equipments</td>
			<td>Model 1300</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Hydrogen peroxide 30%</td>
			<td>VWR chemicals</td>
			<td></td>
			<td>To prepare piranha solution.</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Imaris software</td>
			<td>Bitplane</td>
			<td>Version 8</td>
			<td>Postprocess confocal microscopy images</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Nitrogen gas</td>
			<td></td>
			<td></td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Optical surface profiler</td>
			<td>Zygo</td>
			<td>Zygo newview 7300</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Photomask</td>
			<td>Nanofilm</td>
			<td></td>
			<td>5-inch soda lime glass mask</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Profilometer</td>
			<td>Veeco</td>
			<td>Detak 8</td>
			<td>Stylus profilometer</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Reactive Sputter</td>
			<td>Equipment Support Company Ltd</td>
			<td></td>
			<td>Chromium sputtering</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Reactive-Ion Etching (RIE)</td>
			<td>Oxford Instruments</td>
			<td>Plasmalab system100</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Reflectometer</td>
			<td>Nanometrics</td>
			<td>Nanospec 6100</td>
			<td>To check remaining oxide layer thickness.</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Rhodamine B</td>
			<td>Merck</td>
			<td>81-88-9</td>
			<td>Dye for imaging water meniscus under confocal microscope.</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>SEM stub</td>
			<td>Electron Microscopy Sciences</td>
			<td></td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>SEM-Quanta 3D</td>
			<td>FEI</td>
			<td>Quanta 3D FEG Dual Beam (SEM/FIB)</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Silicon wafer</td>
			<td>Silicon Valley Microelectronics</td>
			<td></td>
			<td>Double side polished, 4&#34; diamater, 300 &#181;m thickness, 2 &#181;m thick oxide layer, p-doped, &#60;100&#62; orientation.</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Sodium Chloride</td>
			<td>Merck</td>
			<td>7647-14-5</td>
			<td>For preparing NaCl solution</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Sonicator</td>
			<td>Branson</td>
			<td>1510</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Spin coater</td>
			<td>Headway Research,Inc.</td>
			<td></td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Spin dryer</td>
			<td>MicroProcess</td>
			<td>Avenger Ultra Pure 6</td>
			<td>Spin drying in Nitrogen environment.</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Sputter</td>
			<td>Quorum Technologies</td>
			<td>Q150T S</td>
			<td>Iridium sputter for SEM.</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Sulfuric acid 96%</td>
			<td>Technic</td>
			<td>764-93-9</td>
			<td>To prepare piranha solution.</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Tanner EDA L-Edit software</td>
			<td>Tanner EDA, Inc.</td>
			<td></td>
			<td>For designing photomask</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Tweezers</td>
			<td>Excelta</td>
			<td></td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>UV Cure</td>
			<td>Tamarack Scientific Co. Inc.</td>
			<td>PRX-2000-20</td>
			<td>For flood exposure of wafer and photomask</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Vaccum oven</td>
			<td>Thermo Scientific</td>
			<td>13-258-13</td>
			<td>Lindberg/Blue M</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Wet bench</td>
			<td>JST Manufacturing Inc.</td>
			<td>17391-015-00</td>
			<td>Wet bench used for piranha cleaning</td>
		</tr>
	</tbody>
</table>

proof-of-concept for gas-entrapping membranes derived from water-loving sio2/si/sio2 wafers for green desalination

Die Entsalzung durch Direktkontaktmembrandestillation (DCMD) nutzt wasserabweisende Membranen, um entgegenlaufende Ströme von heißem und salzigem Meerwasser robust von kaltem und reinem Wasser zu trennen und so nur reinen Wasserdampf passieren zu lassen. Um dieses Kunststück zu erreichen, werden kommerzielle DCMD-Membranen aus wasserabweisenden Perfluorkohlenwasserstoffen wie Polytetrafluorethylen (PTFE) und Polyvinylidendifluorid (PVDF) abgeleitet oder mit diesen beschichtet. Die Verwendung von Perfluorkohlenwasserstoffen ist jedoch aufgrund ihrer hohen Kosten, der Nicht-Biologischabbaubarkeit und der Anfälligkeit für raue Betriebsbedingungen begrenzt. Enthüllt hier ist eine neue Klasse von Membranen, die als gaseinschlüsse Membranen (GEMs) bezeichnet werden und die Beim Eintauchen in Wasser die Luft robust einfangen können. GEMs erreichen diese Funktion durch ihre Mikrostruktur und nicht durch ihre chemische Struktur. Diese Arbeit zeigt einen Proof-of-Concept für GEMs, bei dem siO2/Si/SiO2 Wafer als Modellsystem verwendet werden; der Kontaktwinkel des Wassers auf SiO2 beträgt 40°. Silica-GEMs hatten 300 m lange zylindrische Poren, deren Durchmesser an den (2 m langen) Ein- und Auslassbereichen deutlich kleiner waren; Diese geometrisch diskontinuierliche Struktur mit 90° Drehungen an den Ein- und Auslässen wird als "reentrant microtexture" bezeichnet. Das Mikrofabrikationsprotokoll für Kieselsäure-GEMs umfasst Design, Photolithographie, Chrom-Sputtern sowie isotrope und anisotrope Radierung. Trotz der wasserliebenden Natur von Kieselsäure dringt das Wasser beim Untertauchen nicht in Kieselsäure-GEMs ein. Tatsächlich fangen sie die Luft unter Wasser fest und halten sie auch nach sechs Wochen (>106 Sekunden) intakt. Auf der anderen Seite, Kieselsäuremembranen mit einfachen zylindrischen Poren spontan imbibe Wasser (< 1 s). Diese Erkenntnisse verdeutlichen das Potenzial der GEMs-Architektur für Trennprozesse. Während sich die Auswahl von SiO2/Si/SiO2 Wafern für GEMs auf den Nachweis des Proof-of-Concept beschränkt, wird erwartet, dass die hier vorgestellten Protokolle und Konzepte das rationale Design skalierbarer GEMs mit kostengünstigen Common-Materialien für die Entsalzung und darüber hinaus voranbringen werden.

In diesem Abschnitt wird die Unterwasserleistung von Kieselsäure-GEMs dargestellt, die mit dem oben genannten Protokoll mikrofabriziert werden. Die Poren dieser GEMs waren vertikal ausgerichtet, die Ein-/Auslassdurchmesser waren D = 100 m, der Abstand von Mitte zu Mitte zwischen den Poren (Pitch) betrug L = 400 m, die Trennung zwischen den wiedereintretenden Kanten und der Wand betrug w = 18 m, und die Länge der Poren betrug h = 300 m(Abbildung 5). Aufgrund der Inhomogenitäten bei Radierungsschritten und geringfügiger Fehlausrichtung während der Mikrofertigung war der mittlere Teil der Poren im Vergleich zum Teil unterhalb der Ein- und Auslässe der Poren etwas schmaler, hatte jedoch keinen signifikanten Einfluss auf den Massenfluss.
<img alt="Figure 5" class="xfigimg" src="/files/ftp_upload/60583/60583fig5.jpg">
Abbildung 5: Rasterelektronenmikroskopie von Kieselsäure-GEMs. Gezeigt werden (A) eine geneigte Querschnittsansicht von Kieselsäure-GEMs, (B) eine vergrößerte Querschnittsansicht einer einzelnen Pore und (C,D) vergrößerte Ansichten von wiedereintretenden Kanten an den Ein- und Auslässen einer Pore. Die Panels (C) und (D) werden aus Das et al.37nachgedruckt. <a href="https://www.jove.com/files/ftp_upload/60583/60583fig5alarge.jpg" target="_blank">Bitte klicken Sie hier, um eine größere Version dieser Abbildung anzuzeigen.</a>
Eintauchen von Kieselsäure-GEMs in Wasser Kieselsäure (SiO2) ist hydrophil, wie sie sich durch den intrinsischen Kontaktwinkel von Wassertropfen unter gesättigtem Wasserdampf, 40°, auszeichnet. Wenn also zylindrische Poren auf einem Kieselsäureblech entstehen, würde Wasser sie imbibe und erreicht den voll gefüllten oder den Wenzel-Zustand32. Um dies zu testen, wurde ein maßgeschneidertes Modul eingesetzt, das eine Testmembran zwischen einem Reservoir aus gefärbtem Salzwasser (0,6 M NaCl mit Lebensmittelfärbung) und entionisiertem Wasser (T = 293 K und p = 1 atm) sichern kann. Es protokolliert auch die elektrische Leitfähigkeit des entionisierten Wasserreservoirs in einen Computer, um die Porenfüllung in situ zu überwachen (Abbildung 6A). Hier konnten Kieselsäuremembranen mit einfachen zylindrischen Löchern das Mischen der beiden Reservoirs nicht verhindern, da Wasser sofort infiltriert wurde, wie es durch die Freisetzung des Farbstoffs (Supplemental Movie) reflektiert wird. Im scharfen Kontrast hingegen, wenn Kieselsäure-GEMs unter den gleichen Bedingungen getestet wurden, umfliegt enden sie robust Luft und hielten sie über 6 Wochen intakt, bestätigt durch elektrische Leitfähigkeitsmessungen (Erkennungsgrenze = 0,01 s/cm), nach der das Experiment eingestellt wurde (Abbildung 6B). Diese Ergebnisse belegen, dass die GEMs-Architektur hydrophile Materialien in die Lage versetzen kann, Beim Eintauchen in Wasser die Luft robust einzufangen. Außerdem wurde ein Porenniveauszenario vorgestellt, bei dem die geringe Löslichkeit der eingeschlossenen Luft in Wasser und die Krümmung der Luft-Wasser-Schnittstelle verhinderten, dass der flüssige Meniskus weiter in die Pore eindrang (Abbildung 6C).
<img alt="Figure 6" class="xfigimg" src="/files/ftp_upload/60583/60583fig6.jpg">
Abbildung 6: Prüfung der Membranstabilität. (A) Schemat der 3D-gedruckten kundenspezifischen Zelle zur Prüfung der Robustheit von Membranen beim Trennen von gefärbtem Salzwasser (0,6 M NaCl mit Lebensmittelfärbung) aus reinem deionisiertem Wasser (T = 293 K, p = 1 atm), während gleichzeitig die elektrische Leitfähigkeit des DI-Wasserreservoirs in einen Computer einloggt wird. (B) Eine halblogarithmische Darstellung der elektrischen Leitfähigkeit des DI-Wasserreservoirs Überstunden, wenn Kieselsäure-GEMs verwendet wurden, um die beiden Reservoirs zu trennen. Bemerkenswert ist, dass Kieselsäure-GEMs die Luft in jeder Pore robust eingeschlossen haben, so dass Wasser nicht einmal über 6 Wochen in eine einzige Pore eindringen konnte, was durch die elektrischen Leitfähigkeitsdaten belegt wird. (C) Porenpegel-Schema, der die Luft-Wasser-Schnittstelle an beiden Enden anzeigt. Die Panels (A) und (B) werden aus Das et al.37nachgedruckt. <a href="https://www.jove.com/files/ftp_upload/60583/60583fig6alarge.jpg" target="_blank">Bitte klicken Sie hier, um eine größere Version dieser Abbildung anzuzeigen.</a>
Um einen tieferen Einblick in das Anheften und Verdrängen der Luft-Wasser-Schnittstelle an den Ein- und Auslässen von Kieselsäure-GEMs unter Wasser zu gewinnen, wurde die konfokale Mikroskopie eingesetzt. Es ist bekannt, dass der Laser, der für die Beleuchtung in der konfokalen Mikroskopie verwendet wird, auch das System39erwärmt, was Benetzungsübergänge beschleunigen kann. Dennoch kann die hohe räumliche Auflösung nützliche Einblicke liefern. Zum Vergleich wurde auch das Verhalten von Kieselsäureoberflächen mit Reentranthohlräumen untersucht29,40. In beiden Szenarien verbessert die zusätzliche Wärme, die dem Wasserreservoir oben zugeführt wird, die Kapillarkondensation von Wasserdampf in der Mikrotextur. Bei Wiedereintrittshohlräumen verdrängte die Kondensation von Wasserdampf die eingeschlossene Luft, was zu einer Ausbuchtung der Luft-Wasser-Schnittstelle nach oben führte und das System destabilisierte (Abbildung 7A,C). Unter diesen experimentellen Bedingungen drang Wasser in weniger als 2 h in alle Hohlräume ein. Im Gegensatz dazu blieben Kieselsäure-GEMs über einen viel längeren Zeitraum frei von Wölbungen, obwohl die Heizrate ähnlich war. Diese Ergebnisse wurden auf der Grundlage der bevorzugten Kondensation von Wasserdampf aus dem laserbeheizten Reservoir auf die kühlere Luft-Wasser-Schnittstelle auf der gegenüberliegenden Seite der Pore rationalisiert (Abbildung 7B,D). Es war jedoch nicht möglich, die Rate der Massenübertragung in dieser experimentellen Konfiguration zu messen.
<img alt="Figure 7" class="xfigimg" src="/files/ftp_upload/60583/60583fig7.jpg">
Abbildung 7: Luft-Wasser-Schnittstellen. (A) Computerverstärkte 3D-Rekonstruktionen der Luft-Wasser-Schnittstelle an Einlässe von Kieselsäure-GEMs unter Wasser (Säulenhöhe, z x 5 mm; Laserleistung = 0,6 mW) zusammen mit Querschnittsansichten entlang der weißen gepunkteten Linien (links und rechts des Zentralbildes). Durch die Erwärmung durch den Laser auf der Oberseite kondensierte Wasserdampf in den Hohlräumen und verdrängte die eingeschlossene Luft. Dadurch wölbsicht sich der Luftwassermeniskus nach oben und wird instabil. Nach 1,5 h wurden die meisten Hohlräume durch Wasser eingedrungen. (B) Konfokale Mikrographen von Kieselsäure-GEMs unter ähnlichen Bedingungen wie unter (A). (C) Schemat der Ausbuchtung des Luft-Wasser-Meniskus bei wiedereintretenden Hohlräumen unter Wasser. (D) Schematisch für eine Pore in Kieselsäure-GEMs unter ähnlichen Bedingungen. Heißwasserdampf kondensiert überall, vor allem an der kühleren Luft-Wasser-Schnittstelle an der Seite weiter vom Laser entfernt. Als Folge dieser Massenübertragung kommt es zu einem minimalen Druckaufbau in der Pore. <a href="https://www.jove.com/files/ftp_upload/60583/60583fig7large.jpg" target="_blank">Bitte klicken Sie hier, um eine größere Version dieser Abbildung anzuzeigen.</a>
Direkte Kontaktmembrandestillation mit GEMs Nachdem festgestellt wurde, dass Kieselsäure-GEMs zwei Wasserreservoirs auf beiden Seiten robust trennen können, wurde eine statische DCMD-Konfiguration getestet, bei der die salzige Vorschubseite (0,6 M NaCl bei T = 333 K) und die entionisierte Permeatseite (T = 288 K) statische Reservoirs waren. Obwohl Kieselsäure-GEMs das Eindringen von Wasser verhinderten, wurden keine messbaren Flussmittel beobachtet. Dies war darauf zurückzuführen, dass die Wärmeleitfähigkeit von Silizium (k = 149 W-m-1 K-1)41 Größenordnungen höher ist als die der typischen DCMD-Membranen (d.h. k < 1 W-m-1-K-1)2. So litt der Versuchsaufbau mit Kieselsäure-GEMs unter der sogenannten Temperaturpolarisation, wobei die heiße Seite Wärme an die kalte Seite verliert, wodurch der Fluss31abgesenkt wird.
Es kann möglich sein, die Wärmeleitfähigkeit von Silizium durch Nanostrukturierung42 zu reduzieren (z. B. um seine thermoelektrischen Eigenschaften zu verbessern43), aber diese Wege wurden nicht erforscht. Stattdessen wurden die Konstruktionsprinzipien von Kieselsäure-GEMs in Polymethylmethacrylat-Blätter (PMMA) (bei Wasser, k = 0,19 W-m-1-K-1)40 zur Erstellung von PMMA-GEMs37übersetzt. Tatsächlich zeigte die erste (Proof-of-Concept) Charge von PMMA-GEMs mit einer niedrigen Porosität (von 0,08) eine robuste Trennungvon Futterseite und Permeat und ergab einen Fluss von 1 L-m2 -h-1 über 90 h. So ist es möglich, diese Kieselsäure-GEMs-basierten Studien auf die Verwendung häufigerer Materialien für die Erzeugung von umweltfreundlicheren, kostengünstigeren Membranen für die Entsalzung zu übersetzen.
Ergänzender Film. <a href="https://www.jove.com/files/ftp_upload/60583/Movie_S1.mp4" target="_blank">Bitte klicken Sie hier, um diese Datei anzuzeigen (Rechtsklick zum Herunterladen).</a>

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Proof-of-Concept for Gas-Entrapping Membranes Derived from Water-Loving SiO2/Si/SiO2 Wafers for Green Desalination

Hier wird ein schrittweises Protokoll zur Realisierung von Gas-Entrapping-Membranen (GEMs) von SiO2/Si-Wafern mit integrierter Schaltungs-Mikrofabricationstechnologie vorgestellt. Wenn Kieselsäure-GEMs in Wasser getaucht werden, wird das Eindringen von Wasser trotz der wasserliebenden Zusammensetzung von Kieselsäure verhindert.

Proof-of-Concept für Gas-Entrapping Membranen abgeleitet von wasserliebenden SiO2/Si/SiO2 Wafern für grüne Entsalzung

Desalination through direct contact membrane distillation (DCMD) exploits water-repellent membranes to robustly separate counterflowing streams of hot and ...

Gaseinschlüsse membranen, oder GEMs, können beim Eintauchen in benetzende Flüssigkeiten robust Luft einfangen. Dadurch erreichen sie diese Funktion aufgrund ihrer Struktur, die z.B. bei der Entsalzung durch Membrandestillation von Nutzen sein kann. Die Photolithographie ermöglichte es uns, komplexe überhängende Architekturen auf beiden Seiten eines Siliziumwafers zu erstellen, was zu GEMS führte.Es bot einen Weg, GEMS mit herkömmlichen Mikro-Fertigungstechniken herzustellen. Richtige Ausrichtungsmarkierungen sollten auf der Fotomaske platziert werden, um vertikal ausgerichtete Pfosten zu erreichen. Wir empfehlen die Verwendung von mehrskaligen Ausrichtungsmarkierungen mit der kleinsten Größe von mindestens dem Vierfachen des Poldurchmessers.Die Herstellung von Kieselsäure GEMS umfasst komplizierte Designmuster und einen mehrstufigen Prozess, und so wird dies zeigen, dass genügend Mikro-Herstellungsschritte helfen, das Protokoll zu verstehen. Beginnen Sie dieses Verfahren mit dem Entwurf von Arrays und der Maskenentwicklung, wie im Textprotokoll beschrieben. Den Siliziumwafer in eine frisch zubereitete Piranha-Lösung eintauchen.Halten Sie bei einer Temperatur von 388 Kelvin für 10 Minuten. Spülen Sie den Wafer mit entionisiertem Wasser für zwei Zyklen in einer nassen Bank, dann trocknen Sie den Wafer unter einer Stickstoffumgebung im Spintrockner. Setzen Sie den Wafer dem Dampf von HMDS aus, um die Haftung des Photoresists mit der Kieselsäureoberfläche zu verbessern.Übertragen Sie den Wafer auf ein Vakuumfutter eines Spincoaters, um den Photoresist zu drehen. Verwenden Sie AZ 5214 photoresist als Negativton, um einen 1,6 Mikrometer dicken Film des Photoresist zu erreichen. Backen Sie den fotoresistbeschichteten Wafer bei 105 Grad Celsius auf einer Kochplatte für zwei Minuten.Dies trocknet und härtet den photoresist-Film aus, der sonst an der Glasmaske klebt und bei UV-Belastung Kontaminationsprobleme verursacht. Es verbessert auch die Haftung des Photoresists an der Kieselsäureoberfläche. Setzen Sie den Wafer 15 Sekunden lang durch die Chrommaske unter UV-Belichtung aus, indem Sie ein Maskenausrichtungssystem verwenden, um das gewünschte Design auf dem Photoresist zu erzielen.Dann backen Sie den realisierten Wafer bei 120 Grad Celsius auf einer kochplatte für zwei Minuten. In diesem Schritt wird der exponierte negative Photoresist-Film weitere Querverbindungen. Dadurch sind die UV-exponierten Teile des Photoresists in der Entwicklerlösung nicht mehr löslich, während die unbelichteten Bereiche löslich sind.Setzen Sie den Wafer in einem UV-Aushärtungssystem 15 Sekunden lang unter UV-Licht aus. Während dieses Schritts werden photoresist-Bereiche, die zuvor nicht verfügbar waren, freigelegt und können später im Entwickler aufgelöst werden. Als nächstes tauchen Sie den Wafer 60 Sekunden lang in ein 50 ml Bad des AZ 726 Photoresist-Entwicklers ein, um das gewünschte Photoresist-Muster auf dem Siliziumwafer zu erzielen.Anschließend den Wafer mit entionisiertem Wasser reinigen und weiter mit Stickstoffgas trocknen. Spuckchrom auf dem Wafer für 200 Sekunden, um eine 50 Nanometer dicke Chromschicht zu erhalten. Die Abscheidung erfolgt mit einem Magnetron-Typ DC-Reaktiv-Sputter mit einer standardmäßigen Zwei-Zoll-Rundzielquelle in einer Argon-Umgebung.Beschallen Sie den gesputterten Wafer in einem Acetonbad für fünf Minuten, um den verbleibenden Photoresist vom Wafer abzuwehren, und hinterlassen Sie die gewünschten Eigenschaften mit einer Chrom-Hartmaske. Nach dem Spülen der Rückseite des Wafers mit einer reichlichen Menge Aceton und Ethanol, mit einer Stickstoffpistole trocken blasen. Wiederholen Sie dann die Spin-Beschichtungs-, Back- und UV-Belichtungsschritte auf der Rückseite des Wafers.Für die UV-Belichtung verwenden Sie die manuelle Rückenausrichtung mit Demfasemodul im Kontaktausrichter, um die gewünschten Features auf der Rückseite mit den Ausrichtungsmarkierungen in der Maske an der Vorderseite des Wafers auszurichten. Für die Rückseite des Wafers, fahren Sie mit dem Sputter und Photoresist Abheben Schritte, um das erforderliche Design mit Chrom-Hartmaske auf beiden Seiten des Wafers zu generieren. Die chrombedeckte Oberfläche wird nicht geätzt.So definieren Flecken, in denen Chrom auf dem Wafer fehlt, die Ein- und Auslässe des Gießens. Durcheine Ätzung der exponierten Siliziumdioxidschicht auf beiden Seiten des Wafers durch einen induktiv gekoppelten Plasma-Reaktivionen etcher, der Fluor- und Sauerstoffchemikalien verwendet. Die Dauer beträgt 16 Minuten für jede Seite.Verarbeiten Sie den Wafer mit fünf Zyklen anisotroper Ätzung mit dem Bosch-Verfahren, um eine Kerbe in der Siliziumschicht zu erzeugen. Dieses Verfahren zeichnet sich durch ein flaches Seitenwandprofil mit abwechselnden Ablagerungen von Octafluorcyclobutan und Schwefelhexafluoridgasen aus. Durch abwechselnde anisotrope Ätzung und Polymerabscheidung ätzt das Silizium gerade nach unten.Dieser Schritt wird auf jeder Seite des Wafers ausgeführt. Als nächstes tauchen Sie den Wafer in ein Bad mit Piranha-Lösung, das 10 Minuten lang bei einer Temperatur von 388 Kelvin gehalten wird. Dadurch werden die im anisotropen Schritt abgelagerten Polymere entfernt.Um den Undercut zu erstellen, der das Reentrantprofil ergibt, unterziehen Sie sich isotropen Ätz mit einem Schwefelhexafluorid-basierten Rezept für eine Dauer von 165 Sekunden. Dieser Schritt wird auf jeder Seite des Wafers ausgeführt. Um anisotrope Siliziumätzdurchzuführen, übertragen Sie den Wafer auf einen tief induktiv gekoppelten Plasma-reaktiven Ionenetcher, um 150 Mikrometer Silizium zu ätzen.Führen Sie 200 Zyklen tiefen Ätzen mit dem Bosch-Verfahren durch. Wiederholen Sie diesen Schritt mit der Rückseite des Wafers. Nun, piranha Reinigung des Wafers in der nassen Bank für 10 Minuten zu entfernen polymere Verunreinigungen aus dem Ätzprozess abgelagert zu entfernen, die einheitliche Ätzraten gewährleistet.Wiederholen Sie diese Ätz- und Reinigungsschritte, um durch Poren im Wafer mit wiedereintretenden Ein- und Auslässen zu realisieren. Entfernen Sie das Chrom aus dem Wafer, indem Sie 60 Sekunden lang in ein 100 ml-Bad aus Chrom-Etchant eintauchen. Nach dem Mikroherstellungsprozess den Wafer mit 100 ml frisch zubereiteter Piranha-Lösung in einem Glasbehälter für 10 Minuten reinigen.Dann weiter trocken blasen mit einem 99% reinen Stickstoffgas-Druckpistole. Legen Sie die Proben in eine gläserne Petrischale in einen sauberen Vakuumofen bei 323 Kelvin, bis der intrinsische Kontaktwinkel von Wasser auf glattem Siliziumdioxid nach 48 Stunden in einem intrinsischen Kontaktwinkel von 40 Grad stabilisiert ist. Bewahren Sie die erhaltenen Trockenproben, d. h. die Kieselsäure-GEMs, in einem Stickstoffschrank auf.Rasterelektronenmikroskopie von Kieselsäure-GEMs zeigt eine geneigte Querschnittsansicht, eine vergrößerte Querschnittsansicht einer einzelnen Pore und vergrößerte Ansichten von wiedereintretenden Kanten an den Ein- und Auslässen der Pore. Die Poren dieser GEMs waren vertikal ausgerichtet. Der Ein- und Auslassdurchmesser betrug 100 Mikrometer.Der Abstand zwischen den Poren betrug 400 Mikrometer. Die Trennung zwischen den wiedereintretenden Kanten und der Porenwand betrug 18 Mikrometer, und die Länge der Poren betrug 300 Mikrometer. Hier sind computerverbesserte 3D-Rekonstruktionen der Luft-Wasser-Schnittstelle an den Einlässe von Kieselsäure-GEMs unter Wasser zu sehen.Gezeigt werden auch Querschnittsansichten entlang der weißen gepunkteten Linien. Bei Wiedereintrittshohlräumen verdrängte die Kondensation von Wasserdampf in den Hohlräumen die eingeschlossene Luft, was zu einer Ausbuchtung der Luft-Wasser-Schnittstelle nach oben führte und das System destabilisierte. Im Gegensatz dazu blieben Kieselsäure-GEMs über einen viel längeren Zeitraum frei von Wölbungen, obwohl die Heizrate ähnlich war.Diese Ergebnisse wurden auf der Grundlage der bevorzugten Kondensation von Wasserdampf aus dem laserbeheizten Reservoir an der gekühlten Luft-Wasser-Schnittstelle der anderen Seite rationalisiert. Es war jedoch nicht möglich, die Rate der Massenübertragung in dieser experimentellen Konfiguration zu messen. Verhindern Sie die Entfernung von Kieselsäure-Reentrant-Strukturen während des Bosch-Prozesses, es wird verwendet, um Silizium hinzuzufügen.Es ist sehr wichtig, Chrom-Hartmaske zu haben. Diese Ergebnisse könnten das Potenzial gängiger Materialien für Anwendungen freisetzen, die derzeit perfluorierte Beschichtungen erfordern, z. B. zur Reduzierung des Luftwiderstandes oder zur Unterdrückung und Reinigung.

Research

JoVE Journal

Engineering

Proof-of-Concept for Gas-Entrapping Membranes Derived from Water-Loving SiO2/Si/SiO2 Wafers for Green Desalination

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Harvesting Solar Energy mittels Charge-Trennung Nanokristalle und ihre Solids

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Forschung

Ingenieurwesen

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Erkennung und Wiedergewinnung von Palladium, Gold und Kobalt-Metalle aus der Urban-Mine mit Hilfe neuartiger Sensoren / Adsorbentien mit nanoskaligen Wagon-Rad-förmigen Poren Ausgewiesene

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