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L'effetto dei parametri di anodizzazione sullo strato didielettrico dell'ossido di alluminio dei transistor a film sottile

DOI :

10.3791/60798-v

May 24th, 2020

May 24th, 2020

8,508 Views

1School of Technology and Sciences, São Paulo State University - UNESP, 2Scholl of Electronic Engineering, Bangor University, 3Institute of Geosciences and Exact Sciences, São Paulo State University - UNESP

I parametri di anodizzazione per la crescita dello strato dielettrico di ossido di alluminio dei transistor a film sottile di ossido di zinco (TCT) sono diversi per determinare gli effetti sulle risposte dei parametri elettrici. L'analisi della varianza (ANOVA) viene applicata a una progettazione Plackett-Burman di esperimenti (DOE) per determinare le condizioni di produzione che determinano prestazioni ottimizzate del dispositivo.

Tags

Chimica

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