Name: the effect of anodization parameters on the aluminum oxide dielectric layer of thin-film transistors
Uploaded: 2020-05-24T13:00:00
Description: Watch this Scientific Journal Video about The Effect of Anodization Parameters on the Aluminum Oxide Dielectric Layer of Thin-Film Transistors at JoVE.com

著者らは、サンパウロ研究財団- FAPESP - ブラジル(助成金19/05620-3、19/08019-9、19/01671-2、16/03484-7および14/13904-8)と研究協力プログラムニュートン基金からの財政的支援を認める。著者はまた、撮影装置を提供するためのB.F.ダ・シルバ、J.P.ブラガ、J.B.カントゥアリア、G.R.デ・リマ、G.A.デ・リマ・ソブリニョ、マルセロ・デ・カルヴァーリョ・ボルバ教授のグループ(IGCE/UNESP)からの技術サポートを認めています。

本研究で説明されているプロトコルは、i)陽極酸化のための電解液の調製に分かれています。ii) 基板の洗浄および準備;iii)陽極酸化プロセス;iv)TFT活性層及びドレイン/ソース電極の堆積;v) TFTの電気的特性評価と解析およびvi)ANOVAの適用は、TFTモビリティにおける製造因子の重要性を決定する。
1. 陽極酸化のための電解液の調製
<ol><li>サンプル調製中に埃や汚染物質を避?...

<ol>
	<li>Fortunato, E. M. C., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Fully+Transparent+ZnO+Thin-Film+Transistor+Produced+at+Room+Temperature.">Fully Transparent ZnO Thin-Film Transistor Produced at Room Temperature.</a> Advanced Materials. 17 (5), 590-594 (2005).</li><li>Fortunato, E. M. C., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Wide-bandgap+high-mobility+ZnO+thin-film+transistors+produced+at+room+temperature.">Wide-bandgap high-mobility ZnO thin-film transistors produced at room temperature.</a> Applied Physics Letters. 85 (13), 2541-2543 (2004).</li><li>Nomura, K., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Thin-film+transistor+fabricated+in+single-crystalline+transparent+oxide+semiconductor.">Thin-film transistor fabricated in single-crystalline transparent oxide semiconductor.</a> Science. 300 (5623), 1269-1272 (2003).</li><li>Noviyana, I., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=High+Mobility+Thin+Film+Transistors+Based+on+Amorphous+Indium+Zinc+Tin+Oxide.">High Mobility Thin Film Transistors Based on Amorphous Indium Zinc Tin Oxide.</a> Materials. 10 (7), (2017).</li><li>Nomura, K., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Amorphous+Oxide+Semiconductors+for+High-Performance+Flexible+Thin-Film+Transistors.">Amorphous Oxide Semiconductors for High-Performance Flexible Thin-Film Transistors.</a> Japanese Journal of Applied Physics. 45 (5), 4303-4308 (2006).</li><li>Kamiya, T., Nomura, K., Hosono, H. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Present+status+of+amorphous+In-Ga-Zn-O+thin-film+transistors.">Present status of amorphous In-Ga-Zn-O thin-film transistors.</a> Science and Technology of Advanced Materials. 11 (4), 044305 (2010).</li><li>Lin, C. I., Fang, Y. K., Chang, W. C. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=The+IGZO+fully+transparent+oxide+thin+film+transistor+on+glass+substrate.">The IGZO fully transparent oxide thin film transistor on glass substrate.</a> International Journal of Nanotechnology. 12, 3 (2015).</li><li>Craciun, V., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Optical+properties+of+amorphous+indium+zinc+oxide+thin+films+synthesized+by+pulsed+laser+deposition.">Optical properties of amorphous indium zinc oxide thin films synthesized by pulsed laser deposition.</a> Applied Surface Science. 306, 52-55 (2014).</li><li>Suh, S., Hoffman, D. M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=A+new+metal-organic+precursor+for+the+low-temperature+atmospheric+pressure+chemical+vapor+deposition+of+zinc+oxide.">A new metal-organic precursor for the low-temperature atmospheric pressure chemical vapor deposition of zinc oxide.</a> Journal of Materials Science Letters. 8, 789-791 (1999).</li><li>Lin, Y. -. Y., Hsu, C. -. C., Tseng, M. -. H., Shyue, J. -. J., Tsai, F. -. Y. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Stable+and+High-Performance+Flexible+ZnO+Thin-Film+Transistors+by+Atomic+Layer+Deposition.">Stable and High-Performance Flexible ZnO Thin-Film Transistors by Atomic Layer Deposition.</a> ACS Applied Materials &amp; Interfaces. 7 (40), 22610-22617 (2015).</li><li>Walker, D. E., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=High+mobility+indium+zinc+oxide+thin+film+field-effect+transistors+by+semiconductor+layer+engineering.">High mobility indium zinc oxide thin film field-effect transistors by semiconductor layer engineering.</a> ACS Applied Materials &amp; Interfaces. 4 (12), 6835-6841 (2012).</li><li>Meyers, S. T., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Aqueous+Inorganic+Inks+for+Low-Temperature+Fabrication+of+ZnO+TFTs.">Aqueous Inorganic Inks for Low-Temperature Fabrication of ZnO TFTs.</a> Journal of the American Chemical Society. 130 (51), 17603-17609 (2008).</li><li>Krunks, M., Mellikov, E. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Zinc+oxide+thin+films+by+the+spray+pyrolysis+method.">Zinc oxide thin films by the spray pyrolysis method.</a> Thin Solid Films. 270 (1-2), 33-36 (1995).</li><li>Adamopoulos, G., Thomas, S., Bradley, D. D. C., McLachlan, M. A., Anthopoulos, T. D. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Low-voltage+ZnO+thin-film+transistors+based+on+Y2O3+and+Al2O3+high-k+dielectrics+deposited+by+spray+pyrolysis+in+air.">Low-voltage ZnO thin-film transistors based on Y2O3 and Al2O3 high-k dielectrics deposited by spray pyrolysis in air.</a> Applied Physics Letters. 98 (12), 123503 (2011).</li><li>Branquinho, R., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Aqueous+combustion+synthesis+of+aluminum+oxide+thin+films+and+application+as+gate+dielectric+in+GZTO+solution-based+TFTs.">Aqueous combustion synthesis of aluminum oxide thin films and application as gate dielectric in GZTO solution-based TFTs.</a> ACS Applied Materials and Interfaces. 6 (22), 19592-19599 (2014).</li><li>Shan, F., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Low-Voltage+High-Stability+InZnO+Thin-Film+Transistor+Using+Ultra-Thin+Solution-Processed+ZrOx+Dielectric.">Low-Voltage High-Stability InZnO Thin-Film Transistor Using Ultra-Thin Solution-Processed ZrOx Dielectric.</a> Journal of Display Technology. 11 (6), 541-546 (2015).</li><li>Lin, Y., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=A+Highly+Controllable+Electrochemical+Anodization+Process+to+Fabricate+Porous+Anodic+Aluminum+Oxide+Membranes.">A Highly Controllable Electrochemical Anodization Process to Fabricate Porous Anodic Aluminum Oxide Membranes.</a> Nanoscale Research Letters. 10 (1), 495 (2015).</li><li>Gomes, T. C., Kumar, D., Fugikawa-Santos, L., Alves, N., Kettle, J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Optimization+of+the+Anodization+Processing+for+Aluminum+Oxide+Gate+Dielectrics+in+ZnO+Thin+Film+Transistors+by+Multivariate+Analysis.">Optimization of the Anodization Processing for Aluminum Oxide Gate Dielectrics in ZnO Thin Film Transistors by Multivariate Analysis.</a> ACS Combinatorial Science. , (2019).</li><li>Min, L., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Dual+Gate+Indium-Zinc+Oxide+Thin-Film+Transistors+Based+on+Anodic+Aluminum+Oxide+Gate+Dielectrics.">Dual Gate Indium-Zinc Oxide Thin-Film Transistors Based on Anodic Aluminum Oxide Gate Dielectrics.</a> IEEE Transactions on Electron Devices. 61 (7), 2448-2453 (2014).</li><li>Liu, A., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Eco-friendly+water-induced+aluminum+oxide+dielectrics+and+their+application+in+a+hybrid+metal+oxide/polymer+TFT.">Eco-friendly water-induced aluminum oxide dielectrics and their application in a hybrid metal oxide/polymer TFT.</a> RSC Advances. 5 (105), 86606-86613 (2015).</li><li>Berndt, L. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Anodization+of+Aluminum+in+Highly+Viscous+Phosphoric+Acid.+PART+2:+Investigation+of+Anodic+Oxide+Formation+and+Dissolution+Rates.">Anodization of Aluminum in Highly Viscous Phosphoric Acid. PART 2: Investigation of Anodic Oxide Formation and Dissolution Rates.</a> International Journal of Electrochemical Science. , 9531-9550 (2018).</li><li>Huang, S. Z., Hwu, J. G. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Electrical+characterization+and+process+control+of+cost-effective+high-k+aluminum+oxide+gate+dielectrics+prepared+by+anodization+followed+by+furnace+annealing.">Electrical characterization and process control of cost-effective high-k aluminum oxide gate dielectrics prepared by anodization followed by furnace annealing.</a> IEEE Transactions on Electron Devices. 50 (7), 1658-1664 (2003).</li><li>Iino, Y., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Organic+Thin-Film+Transistors+on+a+Plastic+Substrate+with+Anodically+Oxidized+High-Dielectric-Constant+Insulators.">Organic Thin-Film Transistors on a Plastic Substrate with Anodically Oxidized High-Dielectric-Constant Insulators.</a> Japanese Journal of Applied Physics. 42, 299-304 (2003).</li><li>Hickmott, T. W. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Electrolyte+effects+on+charge,+polarization,+and+conduction+in+thin+anodic+Al2O3+films.+I.+Initial+charge+and+temperature-dependent+polarization.">Electrolyte effects on charge, polarization, and conduction in thin anodic Al2O3 films. I. Initial charge and temperature-dependent polarization.</a> Journal of Applied Physics. 102 (9), 093706 (2007).</li><li>Majewski, L. A., Schroeder, R., Grell, M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=One+Volt+Organic+Transistor.">One Volt Organic Transistor.</a> Advanced Materials. 17 (2), 192-196 (2005).</li><li>Hickmott, T. W. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Temperature+dependence+of+the+dielectric+response+of+anodized+Al-Al2O3-metal+capacitors.">Temperature dependence of the dielectric response of anodized Al-Al2O3-metal capacitors.</a> Journal of Applied Physics. 93 (6), 3461-3469 (2003).</li><li>Hickmott, T. W. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Interface+states+at+the+anodized+Al2O3-metal+interface.">Interface states at the anodized Al2O3-metal interface.</a> Journal of Applied Physics. 89 (10), 5502-5508 (2001).</li><li>Anderson, M. J., Whitcomb, P. J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=.">.</a> DOE Simplified: Practical Tools for Effective Experimentation. , (2015).</li><li>Ferreira, S. L. C., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Robustness+evaluation+in+analytical+methods+optimized+using+experimental+designs.">Robustness evaluation in analytical methods optimized using experimental designs.</a> Microchemical Journal. 131, 163-169 (2017).</li><li>Nunes, C. A., Freitas, M. P., Pinheiro, A. C. M., Bastos, S. C. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Chemoface:+a+novel+free+user-friendly+interface+for+chemometrics.">Chemoface: a novel free user-friendly interface for chemometrics.</a> Journal of the Brazilian Chemical Society. 23 (11), 2003-2010 (2012).</li></ol>

誘電体を得るために使用される陽極酸化プロセスは、TTF製造の性能に強い影響を及ぼし、すべての幾何学的パラメータおよび活性の製造パラメータを一定に保ちます。TFT の最も重要なパフォーマンス パラメータの 1 つである TFT モビリティでは、表 I で指定された範囲の製造係数を変更することで、2 桁以上の大きさを変化させることができます。したがって、陽極酸化パラメータの注意深?...

柔軟で印刷された広域エレクトロニクスは、今後数年間で数十億ドルの投資を集める新興市場を表しています。新世代のスマートフォン、フラットパネルディスプレイ、モノのインターネット(IoT)デバイスのハードウェア要件を達成するために、軽量で柔軟性があり、可視スペクトルの光透過率を持つ材料に対する需要が非常に高く、速度と高性能を犠牲にします。重要なポイントは、現在のアクティブマトリックスディスプレイ(AMD)のほとんどの駆動回路で使用される薄膜トランジスタ(TTF)の活物質としてアモルファスシリコン(a-Si)に代わるものを見つけることです。a-Siは、柔軟で透明な基板との互換性が低く、大面積処理に制限があり、キャリアモビリティは約1cm2の∙V-1の∙s-1で、次世代ディスプレイの解像度とリフレッシュレートのニーズを満たすことができません。酸化亜鉛(ZnO)1、2、3、酸化インジウム亜鉛,2,3(IZO)4、5、酸化亜鉛イン,5ジウム(IGZO)6、7などの半導体金属酸化物(SMO)は、可視スペクトルにおいて6,7高い透過性を持つため、A-SiをTTFの活性層に置き換える有力候補である。 柔軟な基板と大面積の堆積に対応し、80 cm2の∙V-1の∙s-1と高い移動を達成することができます。14また、SMOは、RFスパッタリング6、パルスレーザー蒸着(PLD)8、化学気相蒸着(CVD)9、原子層堆積(ALD)10、スピンコート11、インク10ジェット印刷12および噴霧熱分解13の様々な方法で処理することができる。89
しかし、SMOベースのTTFを含む回路の大規模な製造を可能にするために、本質的な欠陥の制御、空気/UV刺激不安定性、半導体/誘電界局面局在化状態の形成などの課題はほとんどありません。高性能なTTFの望ましい特性の中で、低消費電力、低動作電圧、低ゲートリーク電流、閾値電圧安定性、広帯域周波数動作などは、ゲート誘電体(および半導体/絶縁体インタフェース)に大きく依存しています。この意味で、高κ誘電体材料1414,15,16は、比較的薄膜を用いて単位面積当たりの容量の大きな値と低漏れ電流を提供するため特に興味深い。,15,16酸化アルミニウム(Al2O3)は、高誘電率(8~12)、高誘電率、高い電気抵抗率、高い熱安定性を有し、いくつかの異なる堆積/成長技術15、17、18、19、20、21,17,18によって極めて薄く均一な膜として処理することができるため,19,20、TFT21誘電層にとって有望な材料である。さらに、アルミニウムは地球の地殻の中で3番目に豊富な元素であり、高k誘電体を製造するために使用される他の元素と比較して、簡単に入手でき、比較的安価であることを意味します。
Al2O3薄膜(100nm以下)のフィルムの蒸着/成長はRFマグネトロンスパッタリングなどの技術によって正常に達成できるが、 化学気相成長(CVD)、原子層,堆積(ALD)、薄金属Al層17、18、21、23、24、25、26の陽極酸化による成長は、ナノメートルスケールでの簡易性、低コスト、低温度、および膜厚制御のために、フレキシブルエレクトロニクスにとって特に興味深いものです。17,18,21,22,23,2425,26また、陽極酸化はロール・ツー・ロール(R2R)処理に大きな可能性を秘めており、すでに工業レベルで使用されている加工技術から容易に適応することができ、迅速な製造アップスケーリングが可能です。
金属Alの3陽極酸化によるAl2O3成長は、以下の式で記述できる
2Al + 3 / 2 02 → Al2O33 (1)
2Al + 3H2O → Al2O33 + 3H2 (2)
ここで酸素は、電解液中の溶存酸素によって、またはフィルム表面の吸着分子によって提供されるのに対し、水分子は電解質溶液から速やかに入手できる。陽極酸化フィルム粗さ(半導体/誘電界面でのキャリア散乱によるTFT移動度に影響を与える)と半導体/誘電界面(TFT閾値電圧および電気ヒステリシスに影響を与える)における局在状態の密度は、陽極酸化プロセスパラメータに大きく依存している:水分含有量、温度および電解質24,27,27のpH。Al層堆積(蒸発速度や金属厚さなど)や陽極酸化後のプロセス(アニーリングなど)に関連する他の要因も、製造されたTTFの電気的性能に影響を与える可能性があります。応答パラメータに対するこれらの複数の因子の影響は、他のすべての因子を一定に保ちながら各因子を個別に変化させることによって調べることができ、これは非常に時間がかかり、非効率的な作業です。一方、実験計画(DOE)は、複数パラメータの同時変動に基づく統計的手法であり、比較的少ない数の実験28を用いることによって、システム/デバイス性能応答に関する最も重要な因子を同定できる。
最近、プラケットーバーマン29 DOEに基づく多変量解析を用い、スパッタリングZnO TFTs18の性能に及ぼすAl2O3陽極化パラメータの効果を分析した。結果は、いくつかの異なる応答パラメータの最も重要な要因を見つけるために使用され、誘電体層の陽極酸化プロセスに関連するパラメータのみを変更するデバイスの性能の最適化に適用されました。
現在の研究では、陽極酸化アル2O3フィルムをゲート誘電体として製造3するための全プロトコルと、プラケットーバーマンDOEを用いたデバイス電気性能に対する複数の陽極化パラメータの影響に関する詳細な説明を提示している。キャリア移動度などのTFT応答パラメータに及ぼす影響の意義は、実験から得られた結果に対する分散分析(ANOVA)を行うことによって決定されます。

<table border="0" cellpadding="0" cellspacing="0" style="width:1393px;" width="1393">
	<colgroup>
		<col />
		<col />
		<col />
		<col />
	</colgroup>
	<tbody>
		<tr height="23">
			<td height="23" style="height:23px;width:299px;">Acetone</td>
			<td style="width:212px;">LabSynth</td>
			<td style="width:161px;">A1017</td>
			<td style="width:721px;">ACS reagent grade</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:299px;">Aluminum (Al) Wire Evaporation</td>
			<td style="width:212px;">Kurt J. Lesker Company</td>
			<td style="width:161px;">EVMAL40060</td>
			<td>1.5 mm (0.060&#34;) Dia.; 1lb; 99.99%</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:299px;">Ammonium hydroxide solution</td>
			<td style="width:212px;">Sigma Aldrich</td>
			<td style="width:161px;">338818</td>
			<td>ACS reagent, 28.0-30.0% NH3 basis</td>
		</tr>
		<tr height="42">
			<td height="42" style="height:42px;width:299px;">Chemoface - Software to set a design of experiment (DOE)</td>
			<td style="width:212px;">Federal University of Lavras (UFLA), Brazil</td>
			<td style="width:161px;"></td>
			<td>Free software developed by Federal University of Lavras (UFLA), Brazil - http://www.ufla.br/chemoface/</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:299px;">Cleaning detergent</td>
			<td style="width:212px;">Sigma Aldrich</td>
			<td style="width:161px;">Alconox</td>
			<td>Alkaline detergent for substrate cleaning</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:299px;">Ethylene glycol</td>
			<td style="width:212px;">Sigma Aldrich</td>
			<td style="width:161px;">102466</td>
			<td>ReagentPlus, &#8805;99%</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:299px;">Isopropanol</td>
			<td style="width:212px;">LabSynth</td>
			<td style="width:161px;">A1078</td>
			<td>ACS reagent grade</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:299px;">Glass substrates</td>
			<td style="width:212px;">Sigma Aldrich</td>
			<td style="width:161px;">CLS294775X50</td>
			<td>Corning microscope slides, plain</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:299px;">L-(+)-Tartaric acid</td>
			<td style="width:212px;">Sigma Aldrich</td>
			<td style="width:161px;">T109</td>
			<td>&#8805;99.5%</td>
		</tr>
		<tr height="42">
			<td height="42" style="height:42px;width:299px;">Mechanical shadow mask for deposition of the sputtered ZnO active layer</td>
			<td style="width:212px;">Lasertools, Brazil</td>
			<td style="width:161px;">custom mask</td>
			<td>10 mm x 10 mm square.</td>
		</tr>
		<tr height="42">
			<td height="42" style="height:42px;width:299px;">Mechanical shadow mask for TFT gate electrode</td>
			<td style="width:212px;">Lasertools, Brazil</td>
			<td style="width:161px;">custom mask</td>
			<td>25 mm long stripe, 3 mm wide.</td>
		</tr>
		<tr height="42">
			<td height="42" style="height:42px;width:299px;">Mechanical shadow mask for TFT source/drain electrodes</td>
			<td style="width:212px;">Lasertools, Brazil</td>
			<td style="width:161px;">custom mask</td>
			<td>100 &#181;m stripes, separated by 100 &#181;m gap, overlapping of 5 mm</td>
		</tr>
		<tr height="29">
			<td height="29" style="height:29px;width:299px;">Plasma cleaner</td>
			<td style="width:212px;">MTI</td>
			<td style="width:161px;">PDC-32G</td>
			<td>Campact plasma cleaner with vacuum pump</td>
		</tr>
		<tr height="51">
			<td height="51" style="height:51px;width:299px;">Sputter coating system</td>
			<td style="width:212px;">HHV</td>
			<td style="width:161px;">Auto 500</td>
			<td>RF sputtering system with thickness and deposition rate control</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:299px;">Stiring plate</td>
			<td style="width:212px;">Sun Valley</td>
			<td style="width:161px;">MS300</td>
			<td>Stiring plate with heating control</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:299px;">Thermal evaporator</td>
			<td style="width:212px;">HHV</td>
			<td style="width:161px;">Auto 306</td>
			<td>it has a high precision sensor for measure the thickness and rate of deposition of thin films</td>
		</tr>
		<tr height="30">
			<td height="30" style="height:30px;width:299px;">Two-channel source-measuring unit</td>
			<td style="width:212px;">Keithley</td>
			<td style="width:161px;">2410</td>
			<td>Keithley model 2410 or similar/for anodization process</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:299px;">Two-channel source-measuring unit</td>
			<td style="width:212px;">Keithley</td>
			<td style="width:161px;">2612B</td>
			<td>Dual channel source-measure unit (SMU) for TFT measurements</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:299px;">Ultrasonic bath</td>
			<td style="width:212px;">Soni-tech</td>
			<td style="width:161px;">Soni-top 402A</td>
			<td>Ultrasonic bath with heating control</td>
		</tr>
		<tr height="21">
			<td height="21" style="height:21px;width:299px;">Zinc Oxide (ZnO) Sputtering Targets</td>
			<td style="width:212px;">Kurt J. Lesker Company</td>
			<td style="width:161px;">EJTZNOX304A3</td>
			<td>3.0&#34; Dia. x 0.250&#34; Thick; 99.9%</td>
		</tr>
	</tbody>
</table>

the effect of anodization parameters on the aluminum oxide dielectric layer of thin-film transistors

酸化アルミニウム(Al2O3)3は、薄膜トランジスタ(TfT)の誘電体層として使用するのに特に適した、低コストで加工しやすく、高誘電性絶縁性絶縁材である。2金属アルミニウムフィルムの陽極酸化によるアルミニウム酸化物層の成長は、水性燃焼や噴霧熱分解などの比較的高温(300°C以上)を必要とする原子層堆積(ALD)や堆積法などの高度なプロセスと比較すると、大きな利点があります。しかし、トランジスタの電気特性は、半導体/誘電体界面における欠陥や局在状態の存在に大きく依存しており、陽極酸化誘電体層の製造パラメータの影響を強く受けます。いくつかの製造パラメータが、可能なすべての組み合わせ因子を実行せずにデバイスのパフォーマンスに与える影響を判断するために、実験のプラケットーバーマン計画(DOE)に基づく要因分析の低減を用いた。このDOEを選択すると、(すべての256の可能性の代わりに)要因の組み合わせの12の実験的な実行を使用して、最適化されたデバイスのパフォーマンスを得ることができます。TFTモビリティなどのデバイス応答に対する影響による因子のランキングは、得られた結果に分散分析(ANOVA)を適用することによって可能です。

8種類の酸化アルミニウム層製造パラメータを製造パラメータとして、TFT性能への影響を分析するために使用した製造因子として使用しました。これらの因子は、2水準要因DOEの対応する「低」(-1)および「高」(+1)値が示される表1に列挙されています。
簡略化のため、各製造係数は、それぞれ -1 および +1 で表される大文字 (A、B、C など) と対応する 「低」ま?...

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The Effect of Anodization Parameters on the Aluminum Oxide Dielectric Layer of Thin-Film Transistors

酸化亜鉛薄膜トランジスタ(TfT)の酸化アルミニウム誘電体層の成長のための陽極酸化パラメータは、電気的パラメータ応答に及ぼす影響を決定するために変化する。分散分析(ANOVA)は、実験のプラケット・バーマン計画(DOE)に適用され、デバイス性能の最適化をもたらす製造条件を決定します。

薄膜トランジスタの酸化アルミニウム誘電体層に及ぼす陽極化パラメータの効果

Aluminum-oxide (Al2O3) is a low cost, easily processable and high dielectric constant insulating material that is particularly appropriate for use as the ...

プロトコルの概要を次に示します。まず、電解液、水、エチレングリコール、酒石酸を混合して調製します。その後、基板ガラススライドは、アルカリ洗剤溶液、アセトンおよびイソプロパノールの後にRFプラズマ洗浄の後に超音波処理によって洗浄される必要があります。TFTの建設はきれいなガラスの基質にアルミニウム電極を付着させることによって行われる。続いて酸化亜鉛活性層の酸化アルミニウムスパッタリングへの陽極酸化及びドレイン源電極の熱蒸発を行った。アルミニウム陽極酸化処理は、アルミニウム被覆ガラス基板と金メッキ、ステンレス鋼板をソース測定ユニットに結合して水没させることによって行われる。プロセスは、酸化物の厚さを決定する最終的な電圧まで直線的に増加する電圧でシステム内の一定電流を適用することによって開始します。したがって、電圧はシステム全体の電流がゼロになるまで一定に保たれます。TTFの電気的特徴付けは、二重チャネル源測定ユニットをゲート、ドレインおよびソース電極に接続することによって行われます。この転送曲線は、一定ドレイン源電圧でゲート電圧を変化させ、ドレイン源電流を測定することによって得られます。電気移動度は、TFT転送曲線から決定することができる。実験のプラケットバーマンの設計は、実験条件から決定された低いレベルから高いレベルに乗るいずれかのアノダイション因子にラベルを付けて行われます。プラケット-バーマンマトリックスは、所定のレベルで陽極酸化因子の異なる組み合わせに対応する12の実験実行によって構成される。ここでは、ゲート誘電体層として陽極酸化アルミニウムを用いて酸化亜鉛スズ充填トランジスタを構築するプロトコルで紹介します。ゲート誘電体の陽極化プロセスパラメータのみを変更することで、TFTSの性能を最適化することが可能であることを示しています。この電解液は、84 mLのエチレングリコールを酒石酸の1.5 gに混合して調製する。そのため、溶液に16mLの脱イオン水を加えた溶液を、溶液を穏やかに振る。その後、酒石酸が完全に溶解するまで約30分間攪拌します。水酸化アンモニアから2つのストック溶液を調製し、電解質のpHを調整します。より濃縮された溶液は約28%であり、約2%の濃縮量は、より濃縮された水酸化アンモニウム溶液を用いてpHの粗い調整を行うことができる。pHが望ましい値(5または6)に近い場合は、より少ない濃縮溶液を使用してpHを細かく調整します。基板の洗浄手順は、アルカリ洗剤溶液中のガラス基板を超音波処理し、50分間摂氏16度で体積5%を行います。その後、基質は脱イオン水で豊富にすすいで残留物を除去する。きれいな、乾燥した空気または窒素で吹くことによって、基板を乾燥させます。乾燥した基質は、アセトンで5分間再び超音波処理される。アセトンから取り出し、きれいな乾燥空気または窒素で再び乾燥させます。イソプロパノールでもう一度5分間超音波処理します。イソプロパノールから取り出し、乾燥手順を繰り返します。基板をRFプラズマクリーナーに積み込み、チャンバーを退出します。真空が発生したら、中火でRFをオンにし、5分間放置して洗浄手順を完了します。プラズマクリーナーから基板を取り外し、アルミニウムゲート電極の熱蒸発のために適切なシャドウマスクを使用してサンプルホルダーにロードします。シャドーマスクとは、アルミニウムゲート電極面積を決定するステンレスレーザーカットシートである。ガラススライドを熱蒸発チャンバに挿入し、堆積手順を開始します。アルミニウムゲート電極を、蒸発速度と最終厚さの細かい制御で堆積します。蒸発後、チャンバーからサンプルを取り出します。そして、電極が適切に堆積したかどうかを確認してください。アルミニウムゲート電極の陽極化は、アルミニウムコーティングされたガラススライドと金めっきステンレス鋼板をクリップコネクタに接続することから始まります。したがって、電極は電解液に沈み、ケーブルはソースメジャーユニットに接続されます。電極に一定の電流を加えます。電圧降下は直線的に増加し、酸化アルミニウムの成長が適切に起こっていることを実証する必要があります。確定した最終電圧が達成されたら、SMUを定電圧モードに切り替え、電流がゼロになるまで待ちます。陽極化手順を終えた後、基板を脱イオン水に豊富に流す。そして、乾燥した、きれいな空気または窒素で基板を乾燥させることによって終了します。トランジスタ活性層の堆積は、陽極酸化アルミニウム層を用いた基板を適切なシャドウマスクに挿入することによって行われる。マスクは、スパッタリング堆積中に酸化亜鉛の選択的被覆を可能にする。このスパッタリングチャンバーにサンプルを挿入し、堆積プロセスを開始します。TFT活性層のスパッタ付け堆積率と最終的な厚さを制御します。スパッタリング蒸着後、チャンバーからサンプルを取り出し、ドレインとソース電極の熱蒸発に備えます。トランジスタ製造は、適切なシャドウマスクを使用して熱蒸発によってアルミニウムドレインとソース電極を蒸発させることによって終了する。使用マスク設計は各基質の3つのトランジスタの製造を可能にする。蒸発チャンバにサンプルを挿入し、堆積手順を開始します。アルミニウムドレインとソース電極の蒸発後、チャンバーからサンプルを取り出します。マスクからサンプルを取り出し、電極を確認します。トランジスタは電気的特性評価の準備ができている。TFTの電気的特徴付けは、スプリングプローブコネクタを使用してドレイン、ソース、ゲート電極に接触させることによって行われます。したがって、電極はデュアルチャネルソースと測定ユニットに接続されます。トランジスタ特性曲線は、ドレイン電極とソース電極を偏光し、ゲート電極を偏光し、チャネル電流を測定することによって得られます。TFT電気パラメータの解析は、TFT転送曲線とドレイン電流の平方根をゲート電圧の関数としてプロットすることによって行われる。曲線の傾斜は、デバイスの移動性の決定を可能にします。X軸を持つ曲線の傾きの切片は、TFTしきい値電圧を定義します。実験のプラケット・バーマン設計の曲率を得た結果の解析は、Chemofaceなどの解析ソフトウェアによって行うことができる。実験計画を選択し、入力データを入力します。したがって、各陽極化パラメータに対応する効果を計算し、効果のパレト図表にデータをプロットして結果を分析します。パレト図では、TFT モビリティなどの特定のデバイス応答パラメータに対する効果によって、陽極酸化係数をランク付けできます。だからプラケットバーマンは、さまざまな理由のために有用です。まず、体系的かつ同時に、さまざまな要因を研究することができます。また、ANOVA や回帰などの統計的アプローチを使用することで、陽極酸化プロセスに影響を与えている最も重要な因子と最も重要でない要因を定量化し、理解することができます。だから我々は、プラケットバーマンアプローチは、印刷エレクトロニクスにおいて非常に貴重であると考えています。これにより、さまざまな要因を迅速かつ効果的にスクリーニングし、非常に体系的かつ迅速な方法で要素を最適化することができます。この方法は陽極酸化に向けて開発しましたが、印刷された電子開発の中で、他の多くの分野で使用できます。

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