Name: fabrication of surface acoustic wave devices on lithium niobate
Uploaded: 2020-06-18T13:00:00
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Les auteurs sont reconnaissants à l’Université de Californie et à l’installation NANO3 de l’UC San Diego pour la fourniture de fonds et d’installations à l’appui de ce travail. Ce travail a été réalisé en partie à la San Diego Nanotechnology Infrastructure (SDNI) de l’UCSD, membre de la National Nanotechnology Coordinated Infrastructure, qui est soutenue par la National Science Foundation (Grant ECCS-1542148). Les travaux présentés ici ont été généreusement soutenus par une subvention de recherche de la Fondation W.M. Keck. Les auteurs sont également reconnaissants pour le soutien de ce travail par le Bureau de la recherche navale (via Grant 12368098).

1. Fabrication de dispositif de SCIE par la méthode de décollage
<ol><li>Effectuer le nettoyage des solvants de gaufrettes dans une installation de chambre propre de classe 100 en immergeant la plaquette LN de 4 po (101,6 mm) en acétone, suivie de l’alcool isopropyle (IPA), puis de l’eau déionisée (eau DI), chacune dans un bain de sonication pendant 5 min. Ramasser la plaquette et faire sauter la surface à sec avec de l’azote (N2)flux de gaz pour enlever le reste de l’eau di de la plaquette.<br...

<ol>
	<li>Ding, X., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Standing+surface+acoustic+wave+(SSAW)+based+multichannel+cell+sorting.">Standing surface acoustic wave (SSAW) based multichannel cell sorting.</a> Lab on a Chip. 12 (21), 4228-4231 (2012).</li><li>Langelier, S. M., Yeo, L. Y., Friend, J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=UV+epoxy+bonding+for+enhanced+SAW+transmission+and+microscale+acoustofluidic+integration.">UV epoxy bonding for enhanced SAW transmission and microscale acoustofluidic integration.</a> Lab on a Chip. 12 (16), 2970-2976 (2012).</li><li>Rezk, A. R., Qi, A., Friend, J. R., Li, W. H., Yeo, L. Y. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Uniform+mixing+in+paper-based+microfluidic+systems+using+surface+acoustic+waves.">Uniform mixing in paper-based microfluidic systems using surface acoustic waves.</a> Lab on a Chip. 12 (4), 773-779 (2012).</li><li>Schmid, L., Weitz, D. A., Franke, T. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Sorting+drops+and+cells+with+acoustics:+acoustic+microfluidic+fluorescence-activated+cell+sorter.">Sorting drops and cells with acoustics: acoustic microfluidic fluorescence-activated cell sorter.</a> Lab on a Chip. 14 (19), 3710-3718 (2014).</li><li>Schmid, L., Wixforth, A., Weitz, D. A., Franke, T. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Novel+surface+acoustic+wave+(SAW)-driven+closed+PDMS+flow+chamber.">Novel surface acoustic wave (SAW)-driven closed PDMS flow chamber.</a> Microfluidics and Nanofluidics. 12 (1-4), 229-235 (2012).</li><li>Shi, J., Mao, X., Ahmed, D., Colletti, A., Huang, T. J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Focusing+microparticles+in+a+microfluidic+channel+with+standing+surface+acoustic+waves+(SSAW).">Focusing microparticles in a microfluidic channel with standing surface acoustic waves (SSAW).</a> Lab on a Chip. 8 (2), 221-223 (2008).</li><li>Friend, J., Yeo, L. Y. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Microscale+acoustofluidics:+Microfluidics+driven+via+acoustics+and+ultrasonics.">Microscale acoustofluidics: Microfluidics driven via acoustics and ultrasonics.</a> Reviews of Modern Physics. 83 (2), 647 (2011).</li><li>Ding, X., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Surface+acoustic+wave+microfluidics.">Surface acoustic wave microfluidics.</a> Lab on a Chip. 13 (18), 3626-3649 (2013).</li><li>Destgeer, G., Sung, H. J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Recent+advances+in+microfluidic+actuation+and+micro-object+manipulation+via+surface+acoustic+waves.">Recent advances in microfluidic actuation and micro-object manipulation via surface acoustic waves.</a> Lab on a Chip. 15 (13), 2722-2738 (2015).</li><li>Connacher, W., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Micro/nano+acoustofluidics:+materials,+phenomena,+design,+devices,+and+applications.">Micro/nano acoustofluidics: materials, phenomena, design, devices, and applications.</a> Lab on a Chip. 18 (14), 1952-1996 (2018).</li><li>White, R. M., Voltmer, F. W. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Direct+piezoelectric+coupling+to+surface+elastic+waves.">Direct piezoelectric coupling to surface elastic waves.</a> Applied Physics Letters. 7 (12), 314-316 (1965).</li><li>Smith, H. I., Bachner, F. J., Efremow, N. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=A+High-Yield+Photolithographic+Technique+for+Surface+Wave+Devices.">A High-Yield Photolithographic Technique for Surface Wave Devices.</a> Journal of the Electrochemical Society. 118 (5), 821-825 (1971).</li><li>Bahr, A. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Fabrication+techniques+for+surface-acoustic-wave+devices.">Fabrication techniques for surface-acoustic-wave devices.</a> Proc. Int. Specialists Seminar on Component Performance and Systems Applications of Surface Acoustic Wave Devices. , (1973).</li><li>Smith, H. I. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Fabrication+techniques+for+surface-acoustic-wave+and+thin-film+optical+devices.">Fabrication techniques for surface-acoustic-wave and thin-film optical devices.</a> Proceedings of the IEEE. 62 (10), 1361-1387 (1974).</li><li>Wilke, N., Mulcahy, A., Ye, S. R., Morrissey, A. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Process+optimization+and+characterization+of+silicon+microneedles+fabricated+by+wet+etch+technology.">Process optimization and characterization of silicon microneedles fabricated by wet etch technology.</a> Microelectronics Journal. 36 (7), 650-656 (2005).</li><li>Madou, M. J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=.">.</a> Fundamentals of microfabrication: the science of miniaturization. , (2002).</li><li>K&#246;hler, M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=.">.</a> Etching in Microsystem Technology. , (1999).</li><li>Brodie, I., Muray, J. J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=.">.</a> The physics of micro/nano-fabrication. , (2013).</li><li>Dentry, M. B., Yeo, L. Y., Friend, J. R. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Frequency+effects+on+the+scale+and+behavior+of+acoustic+streaming.">Frequency effects on the scale and behavior of acoustic streaming.</a> Physical Review E. 89 (1), 013203 (2014).</li><li>Morgan, D. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=.">.</a> Surface acoustic wave filters: With applications to electronic communications and signal processing. , (2010).</li><li>Pekarcikova, M., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Investigation+of+high+power+effects+on+Ti/Al+and+Ta-Si-N/Cu/Ta-Si-N+electrodes+for+SAW+devices.">Investigation of high power effects on Ti/Al and Ta-Si-N/Cu/Ta-Si-N electrodes for SAW devices.</a> IEEE Transactions on Ultrasonics, Ferroelectrics, and Frequency Control. 52 (5), 911-917 (2005).</li></ol>

Les appareils SAW fabriqués à partir de l’une ou l’autre méthode sont capables de générer des ondes de déplacement utiles à la surface, et ces méthodes sous-tendent des processus plus complexes pour produire d’autres conceptions. La fréquence de résonance est généralement un peu inférieure à la valeur conçue, en raison de l’effet de charge de masse du métal déposé sur le dessus. Cependant, il reste encore quelques points à discuter pour éviter les problèmes.
<stron...

S’appuyant sur l’effet piézoélectrique inverse bien connu, où les dipôles atomiques créent une souche correspondant à l’application d’un champ électrique, les cristaux piézoélectriques tels que le niobate de lithium LiNbO3 (LN), lithium tantolite LiTaO3 (LT), peuvent être utilisés comme transducteurs électromécaniques pour générer saw pour des applications micro-échelle1,2,3,4,5,6. En permettant la génération de déplacements jusqu’à 1 nm à 10-1000 MHz, la vibration tirée par saw surmonte les obstacles typiques de l’échographie traditionnelle : petite accélération, grandes longueurs d’onde et grande taille d’appareil. La recherche pour manipuler les fluides et les particules en suspension s’est récemment accélérée, avec un grand nombre d’examens récents et accessibles7,8,9,10.
La fabrication d’appareils microfluidiques intégrés à saw nécessite la fabrication des électrodes — le transducteur interdigital (IDT)11— sur le substrat piézoélectrique pour générer la SCIE. Les doigts en forme de peigne créent de la compression et de la tension dans le substrat lorsqu’ils sont reliés à une entrée électrique en alternance. La fabrication des dispositifs SAW a été présentée dans de nombreuses publications, que ce soit en utilisant la photolithographie ultraviolette de décollage aux côtés des processus de pulvérisation de métal ou de gravure humide10. Cependant, le manque de connaissances et de compétences dans la fabrication de ces dispositifs est un obstacle clé à l’entrée dans l’acoustofluidique par de nombreux groupes de recherche, même aujourd’hui. Pour la technique de décollage12,13,14, une couche sacrificielle (photorésiste) avec un motif inverse est créée sur une surface, de sorte que lorsque le matériau cible (métal) est déposé sur l’ensemble de la plaquette, il peut atteindre le substrat dans les régions désirées, suivie d’une étape de « lift-of » pour enlever le photorésiste restant. En revanche, dans le processus de gravure humide15,16,17,18, le métal est d’abord déposé sur la plaquette, puis le photorésiste est créé avec un motif direct sur le métal, pour protéger la région désirée de « ching » loin par un etchant métallique.
Dans une conception la plus couramment utilisée, l’IDT droit, la longueur d’onde de la fréquence de résonance du dispositif SAW est définie par la périodicité des paires de doigts, où la largeur des doigts et l’espacement entre les doigts sont à la fois <img align="center" alt="Equation" src="/files/ftp_upload/61013/61013eq2.jpg"> /419. Afin d’équilibrer l’efficacité de transmission du courant électrique et l’effet de charge de masse sur le substrat, l’épaisseur du métal déposé sur le matériau piézoélectrique est optimisée pour être d’environ 1% de la longueur d’onde SAW20. Le chauffage localisé des pertes d’Ohmic21,induisant potentiellement une défaillance prématurée de doigt, peut se produire si le métal insuffisant est déposé. D’autre part, un film métallique excessivement épais peut entraîner une réduction de la fréquence résonnante de l’IDT en raison d’un effet de charge de masse et peut éventuellement créer des cavités acoustiques involontaires à partir des IDT, isolant les ondes acoustiques qu’ils génèrent à partir du substrat environnant. En conséquence, les paramètres d’exposition photorésiste et UV choisis varient dans la technique de décollage, selon les différentes conceptions des appareils SAW, en particulier la fréquence. Ici, nous décrivons en détail le processus de décollage pour produire un dispositif de génération saw de 100 MHz sur un double face poli de 0,5 mm d’épaisseur 128° Y-rotation ln wafer, ainsi que le processus de gravure humide pour fabriquer le dispositif de 100 MHz de conception identique. Notre approche offre un système microfluidique permettant d’enquêter sur une variété de problèmes physiques et d’applications biologiques.

<table border="1" fo:keep-together.within-page="1" fo:keep-with-next.within-page="always">
	<tbody>
		<tr>
			<td>Absorber</td>
			<td>Dragon Skin, Smooth-On, Inc., Macungie, PA, USA</td>
			<td>Dragon Skin 10 MEDIUM</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Amplifier</td>
			<td>Mini-Circuits, Brooklyn, NY, USA</td>
			<td>ZHL&#8211;1&#8211;2W&#8211;S+</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Camera</td>
			<td>Nikon, Minato, Tokyo, Japan</td>
			<td>D5300</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Chromium etchant</td>
			<td>Transene Company, INC, Danvers, MA, USA</td>
			<td>1020</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Developer</td>
			<td>Futurrex, NJ, USA</td>
			<td>RD6</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Developer</td>
			<td>EMD Performance Materials Corp., Philidaphia, PA, USA</td>
			<td>AZ300MIF</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Dicing saw</td>
			<td>Disco, Tokyo, Japan</td>
			<td>Disco Automatic Dicing Saw 3220</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Gold etchant</td>
			<td>Transene Company, INC, Danvers, MA, USA</td>
			<td>Type TFA</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Hole driller</td>
			<td>Dremel, Mount Prospect, Illinois</td>
			<td>Model #4000</td>
			<td>4000 High Performance Variable Speed Rotary</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Inverted microscope</td>
			<td>Amscope, Irvine, CA, USA</td>
			<td>IN480TC-FL-MF603</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Laser Doppler vibrometer (LDV)</td>
			<td>Polytec, Waldbronn, Germany</td>
			<td>UHF-120</td>
			<td>4&#8221; double-side polished 0.5 mm thick 128&#176;Y-rotated cut lithium niobate</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Lithium niobate substrate</td>
			<td>PMOptics, Burlington, MA, USA</td>
			<td>PWLN-431232</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Mask aligner</td>
			<td>Heidelberg Instruments, Heidelberg, Germany</td>
			<td>MLA150</td>
			<td>Fabrication process is performed in it.</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Nano3 cleanroom facility</td>
			<td>UCSD, La Jolla, CA, USA</td>
			<td></td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Negative photoresist</td>
			<td>Futurrex, NJ, USA</td>
			<td>NR9-1500PY</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Oscilloscope</td>
			<td>Keysight Technologies, Santa Rosa, CA, USA</td>
			<td>InfiniiVision 2000 X-Series</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Positive photoresist</td>
			<td></td>
			<td>AZ1512</td>
			<td>Denton Discovery 18 Sputter System</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Signal generator</td>
			<td>NF Corporation, Yokohama, Japan</td>
			<td>WF1967 multifunction generator</td>
			<td>Wafer Dipper 4&#34;</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Sputter deposition</td>
			<td>Denton Vacuum, NJ, USA</td>
			<td>Denton 18</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Teflon wafer dipper</td>
			<td>ShapeMaster, Ogden, IL, USA</td>
			<td>SM4WD1</td>
			<td></td>
		</tr>
	</tbody>
</table>

fabrication of surface acoustic wave devices on lithium niobate

La manipulation des fluides et des particules par actionnement acoustique à petite échelle contribue à la croissance rapide des applications de laboratoire sur puce. Les dispositifs d’ondes acoustiques de surface (SAW) de type Megahertz génèrent d’énormes accélérations à leur surface, jusqu’à 10m/s 2,responsables à leur tour de nombreux effets observés qui sont venus à définir l’acoustofluidique : le streaming acoustique et les forces de rayonnement acoustique. Ces effets ont été utilisés pour la manipulation des particules, des cellules et des fluides à la micro-échelle, et même à l’échelle nanométrique. Dans cet article, nous démontrons explicitement deux méthodes de fabrication majeures des dispositifs SAW sur le niobate de lithium : les détails des techniques de décollage et de gravure humide sont décrits étape par étape. Les résultats représentatifs pour le motif d’électrode déposé sur le substrat ainsi que les performances de SAW générées sur la surface sont affichés en détail. Les astuces de fabrication et de dépannage sont également couvertes. Cette procédure offre un protocole pratique pour la fabrication et l’intégration de dispositifs SAW haute fréquence pour les futures applications de microfluidique.

L’IDT à mesurer est conçu pour avoir une fréquence de résonance à 100 MHz, car la largeur des doigts et l’espacement entre eux sont de 10 μm, produisant une longueur d’onde de 40 μm. La figure 1 montre le périphérique SAW et l’IDT fabriqués à l’aide de cette méthode.
À l’aide d’un signal électrique oscillant correspondant à la fréquence de résonance de l’IDT, SAW peut être généré sur toute la surface du matériau piézoélectrique. Le LDV m...

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Fabrication of Surface Acoustic Wave Devices on Lithium Niobate

Deux techniques de fabrication, le décollage et la gravure humide, sont décrites dans la production de transducteurs d’électrodes internumériques sur un substrat piézoélectrique, le niobate de lithium, largement utilisé pour générer des ondes acoustiques de surface qui trouvent maintenant une large utilité dans les fluides micro à nanométriques. Les électrodes produites sont montrées pour induire efficacement les mégahertz commandent des ondes acoustiques de surface de Rayleigh.

Fabrication de dispositifs d’ondes acoustiques de surface sur lithium niobate

Manipulation of fluids and particles by acoustic actuation at small scale is aiding the rapid growth of lab-on-a-chip applications. Megahertz-order ...

Notre protocole démontre les détails de la fabrication de dispositifs d’ondes acoustiques de surface typiques sur des substrats piézoélectriques particulièrement précieux pour les personnes qui cherchent à pénétrer dans ce champ en plein essor. Garder les débris loin de la surface pendant le nettoyage est crucial dans le processus de fabrication. Pour pré-casser la gaufrette, placez-la sur une plaque chauffante à 100 degrés Celsius pendant trois minutes.Déplacez ensuite la gaufrette vers du papier d’aluminium. Déposer la gaufrette sur un revêtement de spin. À l’aide d’un dropper, placer un photorésistant négatif sur la gaufrette couvrant environ 75 % de la surface de la gaufrette.Pour produire une épaisseur photorésiste d’environ 1,3 micromètre, exécutez le programme suivant sur le revêtement de spin: 500 tours avec une accélération de 3000 tours par seconde pendant cinq secondes, suivie de 3500 tours avec une accélération de 3000 tours par seconde pendant 40 secondes. Cuire la gaufrette en la plaçant sur une plaque chauffante à 100 degrés Celsius. Augmentez la température de la plaque chauffante à 150 degrés Celsius et maintenez cette température pendant une minute.Déplacez ensuite la gaufrette de la plaque chauffante et laissez refroidir la gaufrette dans l’air à température ambiante. Ne placez pas la gaufrette directement sur la plaque chauffante à 150 degrés Celsius. Laisser refroidir l’eau dans l’air après le chauffage.Pour exposer le photorésiste à l’énergie ultraviolette, transférez la gaufrette sur le gouttière du masque. Avec le gouttière de masque réglée pour fournir la lumière à 375 nanomètres, exposez le photorésiste à une dose d’énergie de 400 millijoules par centimètre carré. Pour cuire la gaufrette, placez-la sur une plaque chauffante à 100 degrés Celsius.Après trois minutes, transférer la gaufrette sur du papier d’aluminium où elle refroidira à température ambiante. Placez la gaufrette dans un bécher rempli de développeur RD6 pur. Laissez la gaufrette immergée pendant 15 secondes tout en secouant doucement le bécher.Retirez la gaufrette du développeur et plongez-la dans de l’eau déionisée pendant une minute. Rincez ensuite la gaufrette sous un débit d’eau déionisé. Enfin, utilisez le flux d’azote sec pour enlever le reste de l’eau de la gaufrette.Cuire l’eau à nouveau à 100 degrés Celsius. Après trois minutes, transférer la gaufrette sur du papier d’aluminium où elle refroidira à température ambiante. Placez la gaufrette dans un système de dépôt de pulvérisateur et évacuez la chambre à une pression de cinq fois 10 au négatif six millitorr.Ensuite, couler argon à 2,5 millitorr. Puis pulvériser chrome avec une puissance de 200 watts pour cinq nanomètres comme une couche d’adhérence. Pour former les électrodes conductrices, déposez de l’aluminium à 400 nanomètres et un niveau de puissance de 300 watts.Transférer la gaufrette dans un bécher et l’immerger dans de l’acétone. Sonicate le bécher à intensité moyenne pendant cinq minutes. Rincer la gaufrette à l’eau déionisée et sécher la gaufrette avec l’écoulement d’azote.Placez la gaufrette sur une plaque chauffante à 100 degrés Celsius pendant trois minutes. Ensuite, transférez-le sur un morceau de papier d’aluminium et attendez qu’il refroidisse à température ambiante. Placez la gaufrette dans un système de dépôt de pulvérisateur et évacuez la chambre à une pression de cinq fois 10 au négatif six millitorr.Flow argon à 2,5 millitorr, puis pulvériser chrome avec une puissance de 200 watts pour cinq nanomètres comme une couche d’adhérence. Ensuite, formez les électrodes conductrices en pulvérisant de l’or pour 400 nanomètres à un niveau de puissance de 300 watts. Déposer la gaufrette sur un revêtement de spin.À l’aide d’un dropper, déposer un photorésistant positif sur la gaufrette couvrant environ 75 % de la surface de la gaufrette. Pour produire une épaisseur photorésiste d’environ 1,2 micromètre, exécutez le programme suivant sur le revêtement de spin: 500 rpm avec une accélération de 3000 tours par seconde pendant 10 secondes, suivie de 4000 tours avec une accélération de 3000 tours par seconde pendant 30 secondes. Placez ensuite la gaufrette sur une plaque chauffante à 100 degrés Celsius.Après une minute, transférer la gaufrette sur du papier d’aluminium où elle refroidira à température ambiante. Transférer la gaufrette sur le gouttière du masque. Avec le gouttière de masque réglée pour fournir la lumière à 375 nanomètres, exposez le photorésistant à une dose d’énergie de 150 millijoules par centimètre carré.Placez la gaufrette dans un bécher rempli de développeur AZ300MIF pur. Laissez la gaufrette dans le bécher pendant 300 secondes en secouant doucement le bécher. Retirer la gaufrette du développeur et l’immerger dans de l’eau déionisée pendant une minute.Rincez ensuite la gaufrette sous un débit déionisé. Enfin, utilisez le flux d’azote sec pour enlever le reste de l’eau de la gaufrette. Ensuite, immerger la gaufrette dans l’etchant d’or pendant 90 secondes, en secouant doucement le bécher.Après le rinçage de la gaufrette sous un débit d’eau déionisé, utiliser le flux d’azote sec pour enlever le reste de l’eau déionisée de la gaufrette. En dehors de l’acétone, photorésiste et développeur, les réaconts les plus dangereux sont les actions métalliques qui nécessitent une protection de plus haut niveau comme des gants en néoprène et un tablier. Enfin, immerger la gaufrette dans l’etchant de chrome pendant 20 secondes, en secouant doucement le bécher.Rincer la gaufrette sous un débit d’eau déionisé. Et encore une fois, utilisez le flux d’azote sec pour enlever le reste de l’eau. Les IDT ont été fabriqués en utilisant les méthodes décrites.L’espacement entre les doigts et les doigts eux-mêmes sont tous de 10 micromètres de largeur, ce qui entraîne une longueur d’onde de 40 micromètres. Un signal sinusoïdal a été appliqué à l’IDT et un vibromètre laser Doppler a été utilisé pour mesurer l’amplitude et la fréquence de l’onde acoustique de surface résultante. La fréquence de résonance s’est trouvée à 96.5844 mégahertz, légèrement inférieure à la fréquence de conception de 100 mégahertz.Une parcelle de vibration sur la surface du substrat montre une onde acoustique de surface se propageant à partir des IDTs. Basé sur le rapport entre l’amplitude maximale et l’amplitude minimale, le rapport d’onde debout a été calculé à 2,06. Le mouvement d’une gouttelette sessile actionnée par le dispositif SAW a été démontré.Une gouttelette d’eau de 0,2 microlitres a été pipetted sur le niobate de lithium à environ un millimètre de l’IDT. Lorsqu’un SAW se propage et rencontre la gouttelette, il s’écoule dans le liquide à l’angle de Rayleigh. L’angle de mouillage confirme la présence d’une onde acoustique de surface.Ces techniques peuvent être utilisées pour la fabrication de mégahertz ou de dispositifs d’ondes acoustiques de surface. Le processus doit être ajusté si des actionneurs d’ondes acoustiques à plus haute fréquence sont nécessaires. Ce protocole fournit deux méthodes fiables pour préparer les dispositifs d’ondes acoustiques de surface à haute fréquence utilisés pour la recherche acoustofluidique à l’échelle micro à nanométrique.

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Experimental Implementation of a New Composite Fabrication Method: Exposing Bare Fibers on the Composite Surface by the Soft Layer Method

Mise en œuvre expérimentale d’une nouvelle méthode de Fabrication Composite : exposer nus fibres sur la Surface Composite par la méthode de la couche molle

The bipolar plate is a key component in proton exchange membrane fuel cells (PEMFCs) and vanadium redox flow batteries (VRFBs). It is a multi-functional ...

Focused Ion Beam Fabrication of LiPON-based Solid-state Lithium-ion Nanobatteries for In Situ Testing

Focused Ion Beam Fabrication of LiPON-based Solid-state Lithium-ion Nanobatteries for In Situ Testing

Fabrication de faisceau ionique focalisé de Lithium-ion à l’état solide axée sur les LiPON micro-batterie pour In Situ essais

Solid-state electrolytes are a promising replacement for current organic liquid electrolytes, enabling higher energy densities and improved safety of ...

Flow-assisted Dielectrophoresis: A Low Cost Method for the Fabrication of High Performance Solution-processable Nanowire Devices

Flux-aidé diélectrophorèse : Une méthode Low Cost pour la Fabrication des dispositifs de nanofils traitable-Solution Haute Performance

Flow-assisted dielectrophoresis (DEP) is an efficient self-assembly method for the controllable and reproducible positioning, alignment, and selection of ...

Atmospheric Pressure Fabrication of Large-Sized Single-Layer Rectangular SnSe Flakes

Fabrication de la pression atmosphérique de grande taille simple couche rectangulaire SnSe flocons

Tin selenide (SnSe) belongs to the family of layered metal chalcogenide materials with a buckled structure like phosphorene, and has shown potential for ...

Fabrication of Flexible Image Sensor Based on Lateral NIPIN Phototransistors

Fabrication du capteur d’Image Flexible basé sur latérale Mikael Phototransistors

Flexible photodetectors have been intensely studied for the use of curved image sensors, which are a crucial component in bio-inspired imaging systems, ...