Name: fabrication of surface acoustic wave devices on lithium niobate
Uploaded: 2020-06-18T13:00:00
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Os autores agradecem à Universidade da Califórnia e às instalações nano3 da UC San Diego pelo fornecimento de fundos e instalações em apoio a este trabalho. Este trabalho foi realizado em parte na San Diego Nanotechnology Infrastructure (SDNI) da UCSD, membro da National Nanotechnology Coordinated Infrastructure, que é apoiada pela National Science Foundation (Grant ECCS-1542148). O trabalho aqui apresentado foi generosamente apoiado por uma bolsa de pesquisa da Fundação W.M. Keck. Os autores também agradecem o apoio deste trabalho pelo Escritório de Pesquisa Naval (via Grant 12368098).

1. Fabricação do dispositivo SAW através do método de decolagem
<ol><li>Realize a limpeza de solventes de wafer em uma instalação de sala limpa classe 100, imergindo o wafer LN de 4" (101,6 mm) em acetona, seguido de álcool isopropílico (IPA), em seguida, água desionizada (água DI), cada um em um banho de sônica por 5 min. Pegue o wafer e exploda a superfície seca com nitrogênio (N2) fluxo de gás para remover a água DI restante do wafer. ATENÇÃO: Realize as imersões acetona e IPA em um c...

<ol>
	<li>Ding, X., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Standing+surface+acoustic+wave+(SSAW)+based+multichannel+cell+sorting.">Standing surface acoustic wave (SSAW) based multichannel cell sorting.</a> Lab on a Chip. 12 (21), 4228-4231 (2012).</li><li>Langelier, S. M., Yeo, L. Y., Friend, J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=UV+epoxy+bonding+for+enhanced+SAW+transmission+and+microscale+acoustofluidic+integration.">UV epoxy bonding for enhanced SAW transmission and microscale acoustofluidic integration.</a> Lab on a Chip. 12 (16), 2970-2976 (2012).</li><li>Rezk, A. R., Qi, A., Friend, J. R., Li, W. H., Yeo, L. Y. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Uniform+mixing+in+paper-based+microfluidic+systems+using+surface+acoustic+waves.">Uniform mixing in paper-based microfluidic systems using surface acoustic waves.</a> Lab on a Chip. 12 (4), 773-779 (2012).</li><li>Schmid, L., Weitz, D. A., Franke, T. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Sorting+drops+and+cells+with+acoustics:+acoustic+microfluidic+fluorescence-activated+cell+sorter.">Sorting drops and cells with acoustics: acoustic microfluidic fluorescence-activated cell sorter.</a> Lab on a Chip. 14 (19), 3710-3718 (2014).</li><li>Schmid, L., Wixforth, A., Weitz, D. A., Franke, T. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Novel+surface+acoustic+wave+(SAW)-driven+closed+PDMS+flow+chamber.">Novel surface acoustic wave (SAW)-driven closed PDMS flow chamber.</a> Microfluidics and Nanofluidics. 12 (1-4), 229-235 (2012).</li><li>Shi, J., Mao, X., Ahmed, D., Colletti, A., Huang, T. J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Focusing+microparticles+in+a+microfluidic+channel+with+standing+surface+acoustic+waves+(SSAW).">Focusing microparticles in a microfluidic channel with standing surface acoustic waves (SSAW).</a> Lab on a Chip. 8 (2), 221-223 (2008).</li><li>Friend, J., Yeo, L. Y. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Microscale+acoustofluidics:+Microfluidics+driven+via+acoustics+and+ultrasonics.">Microscale acoustofluidics: Microfluidics driven via acoustics and ultrasonics.</a> Reviews of Modern Physics. 83 (2), 647 (2011).</li><li>Ding, X., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Surface+acoustic+wave+microfluidics.">Surface acoustic wave microfluidics.</a> Lab on a Chip. 13 (18), 3626-3649 (2013).</li><li>Destgeer, G., Sung, H. J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Recent+advances+in+microfluidic+actuation+and+micro-object+manipulation+via+surface+acoustic+waves.">Recent advances in microfluidic actuation and micro-object manipulation via surface acoustic waves.</a> Lab on a Chip. 15 (13), 2722-2738 (2015).</li><li>Connacher, W., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Micro/nano+acoustofluidics:+materials,+phenomena,+design,+devices,+and+applications.">Micro/nano acoustofluidics: materials, phenomena, design, devices, and applications.</a> Lab on a Chip. 18 (14), 1952-1996 (2018).</li><li>White, R. M., Voltmer, F. W. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Direct+piezoelectric+coupling+to+surface+elastic+waves.">Direct piezoelectric coupling to surface elastic waves.</a> Applied Physics Letters. 7 (12), 314-316 (1965).</li><li>Smith, H. I., Bachner, F. J., Efremow, N. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=A+High-Yield+Photolithographic+Technique+for+Surface+Wave+Devices.">A High-Yield Photolithographic Technique for Surface Wave Devices.</a> Journal of the Electrochemical Society. 118 (5), 821-825 (1971).</li><li>Bahr, A. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Fabrication+techniques+for+surface-acoustic-wave+devices.">Fabrication techniques for surface-acoustic-wave devices.</a> Proc. Int. Specialists Seminar on Component Performance and Systems Applications of Surface Acoustic Wave Devices. , (1973).</li><li>Smith, H. I. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Fabrication+techniques+for+surface-acoustic-wave+and+thin-film+optical+devices.">Fabrication techniques for surface-acoustic-wave and thin-film optical devices.</a> Proceedings of the IEEE. 62 (10), 1361-1387 (1974).</li><li>Wilke, N., Mulcahy, A., Ye, S. R., Morrissey, A. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Process+optimization+and+characterization+of+silicon+microneedles+fabricated+by+wet+etch+technology.">Process optimization and characterization of silicon microneedles fabricated by wet etch technology.</a> Microelectronics Journal. 36 (7), 650-656 (2005).</li><li>Madou, M. J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=.">.</a> Fundamentals of microfabrication: the science of miniaturization. , (2002).</li><li>K&#246;hler, M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=.">.</a> Etching in Microsystem Technology. , (1999).</li><li>Brodie, I., Muray, J. J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=.">.</a> The physics of micro/nano-fabrication. , (2013).</li><li>Dentry, M. B., Yeo, L. Y., Friend, J. R. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Frequency+effects+on+the+scale+and+behavior+of+acoustic+streaming.">Frequency effects on the scale and behavior of acoustic streaming.</a> Physical Review E. 89 (1), 013203 (2014).</li><li>Morgan, D. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=.">.</a> Surface acoustic wave filters: With applications to electronic communications and signal processing. , (2010).</li><li>Pekarcikova, M., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Investigation+of+high+power+effects+on+Ti/Al+and+Ta-Si-N/Cu/Ta-Si-N+electrodes+for+SAW+devices.">Investigation of high power effects on Ti/Al and Ta-Si-N/Cu/Ta-Si-N electrodes for SAW devices.</a> IEEE Transactions on Ultrasonics, Ferroelectrics, and Frequency Control. 52 (5), 911-917 (2005).</li></ol>

Os dispositivos SAW fabricados a partir de qualquer método são capazes de gerar ondas de viagem úteis na superfície, e esses métodos sustentam processos mais complexos para produzir outros projetos. A frequência ressonante é geralmente um pouco menor do que o valor projetado, devido ao efeito de carregamento em massa do metal depositado em cima. No entanto, ainda há alguns pontos que merecem ser discutidos para evitar problemas.
Método de decolagem A escolha do fot...

Contando com o conhecido efeito piezoelétrico inverso, onde os dipolos atômicos criam cepas correspondentes à aplicação de um campo elétrico, cristais piezoelétricos como o niobate de lítio LiNbO3 (LN), o lítio tantalite LiTaO3 (LT), podem ser usados como transdutores eletromecânicos para gerar SAW para aplicações de microescala1,2,,3,,4,55,6. Ao permitir a geração de deslocamentos de até 1 nm a 10-1000 MHz, a vibração orientada pela SAW supera os obstáculos típicos do ultrassom tradicional: pequena aceleração, grandes comprimentos de onda e grande tamanho do dispositivo. A pesquisa para manipular fluidos e partículas suspensas acelerou recentemente, com um grande número de revisões recentes e acessíveis7,,8,,9,,10.
A fabricação de dispositivos microfluidos integrados à SAW requer a fabricação dos eletrodos — o transdutor interdigital (IDT)11— no substrato piezoelétrico para gerar o SAW. Os dedos em forma de pente criam compressão e tensão no substrato quando conectados a uma entrada elétrica alternada. A fabricação de dispositivos SAW tem sido apresentada em muitas publicações, seja utilizando fotolitografia ultravioleta de decolagem ao lado de sputter metálico ou processos de gravura molhada10. No entanto, a falta de conhecimento e habilidades na fabricação desses dispositivos é uma barreira fundamental para a entrada em austofluidos por muitos grupos de pesquisa, ainda hoje. Para a técnica de decolagem12,13,14, uma camada sacrificial (fotoresist) com um padrão inverso é criada em uma superfície, de modo que quando o material alvo (metal) é depositado em todo o wafer, ele pode alcançar o substrato nas regiões desejadas, seguido de um passo de "decolagem" para remover o fotoresist restante. Em contrapartida, no processo de gravura úmida15,16,17,18, o metal é primeiro depositado no wafer e, em seguida, fotoresist é criado com um padrão direto no metal, para proteger a região desejada de "gravar" longe por um gravura de metal.
Em um design mais comumente utilizado, o IDT reto, o comprimento de onda da frequência ressonante do dispositivo SAW é definido pela periodicidade dos pares de dedos, onde a largura do dedo e o espaçamento entre os dedos são <img align="center" alt="Equation" src="/files/ftp_upload/61013/61013eq2.jpg"> ambos /419. Para equilibrar a eficiência de transmissão da corrente elétrica e o efeito de carga em massa no substrato, a espessura do metal depositado no material piezoelétrico é otimizada para cerca de 1% do comprimento de onda da SAW20. O aquecimento localizado a partir de perdas ohmic21, potencialmente induzindo falha prematura do dedo, pode ocorrer se o metal insuficiente for depositado. Por outro lado, uma película metálica excessivamente espessa pode causar uma redução na frequência ressonante do IDT devido a um efeito de carregamento em massa e pode possivelmente criar cavidades acústicas não intencionais a partir dos IDTs, isolando as ondas acústicas que geram do substrato circundante. Como resultado, os parâmetros de exposição fotoresist e UV escolhidos variam na técnica de decolagem, dependendo de diferentes desenhos de dispositivos SAW, especialmente frequência. Aqui, descrevemos em detalhes o processo de decolagem para produzir um dispositivo gerador de SERRA de 100 MHz em um wafer LN de corte de 128 mm de espessura 128° de espessura, bem como o processo de gravação molhada para fabricar o dispositivo de 100 MHz de design idêntico. Nossa abordagem oferece um sistema microfluido que permite a investigação de uma variedade de problemas físicos e aplicações biológicas.

<table border="1" fo:keep-together.within-page="1" fo:keep-with-next.within-page="always">
	<tbody>
		<tr>
			<td>Absorber</td>
			<td>Dragon Skin, Smooth-On, Inc., Macungie, PA, USA</td>
			<td>Dragon Skin 10 MEDIUM</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Amplifier</td>
			<td>Mini-Circuits, Brooklyn, NY, USA</td>
			<td>ZHL&#8211;1&#8211;2W&#8211;S+</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Camera</td>
			<td>Nikon, Minato, Tokyo, Japan</td>
			<td>D5300</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Chromium etchant</td>
			<td>Transene Company, INC, Danvers, MA, USA</td>
			<td>1020</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Developer</td>
			<td>Futurrex, NJ, USA</td>
			<td>RD6</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Developer</td>
			<td>EMD Performance Materials Corp., Philidaphia, PA, USA</td>
			<td>AZ300MIF</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Dicing saw</td>
			<td>Disco, Tokyo, Japan</td>
			<td>Disco Automatic Dicing Saw 3220</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Gold etchant</td>
			<td>Transene Company, INC, Danvers, MA, USA</td>
			<td>Type TFA</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Hole driller</td>
			<td>Dremel, Mount Prospect, Illinois</td>
			<td>Model #4000</td>
			<td>4000 High Performance Variable Speed Rotary</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Inverted microscope</td>
			<td>Amscope, Irvine, CA, USA</td>
			<td>IN480TC-FL-MF603</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Laser Doppler vibrometer (LDV)</td>
			<td>Polytec, Waldbronn, Germany</td>
			<td>UHF-120</td>
			<td>4&#8221; double-side polished 0.5 mm thick 128&#176;Y-rotated cut lithium niobate</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Lithium niobate substrate</td>
			<td>PMOptics, Burlington, MA, USA</td>
			<td>PWLN-431232</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Mask aligner</td>
			<td>Heidelberg Instruments, Heidelberg, Germany</td>
			<td>MLA150</td>
			<td>Fabrication process is performed in it.</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Nano3 cleanroom facility</td>
			<td>UCSD, La Jolla, CA, USA</td>
			<td></td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Negative photoresist</td>
			<td>Futurrex, NJ, USA</td>
			<td>NR9-1500PY</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Oscilloscope</td>
			<td>Keysight Technologies, Santa Rosa, CA, USA</td>
			<td>InfiniiVision 2000 X-Series</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Positive photoresist</td>
			<td></td>
			<td>AZ1512</td>
			<td>Denton Discovery 18 Sputter System</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Signal generator</td>
			<td>NF Corporation, Yokohama, Japan</td>
			<td>WF1967 multifunction generator</td>
			<td>Wafer Dipper 4&#34;</td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Sputter deposition</td>
			<td>Denton Vacuum, NJ, USA</td>
			<td>Denton 18</td>
			<td></td>
		</tr>
		<tr>
			<td>Teflon wafer dipper</td>
			<td>ShapeMaster, Ogden, IL, USA</td>
			<td>SM4WD1</td>
			<td></td>
		</tr>
	</tbody>
</table>

fabrication of surface acoustic wave devices on lithium niobate

A manipulação de fluidos e partículas por atuação acústica em pequena escala está ajudando o rápido crescimento das aplicações lab-on-a-chip. Os dispositivos de onda acústica de superfície de ordem mega-hertz (SAW) geram enormes acelerações em sua superfície, até10 8 m/s2, por sua vez responsáveis por muitos dos efeitos observados que vieram a definir acoustofluidics: streaming acústico e forças de radiação acústica. Esses efeitos têm sido usados para o manuseio de partículas, células e fluidos na microescala — e até mesmo na nanoescala. Neste artigo demonstramos explicitamente dois grandes métodos de fabricação de dispositivos SAW no niobate de lítio: os detalhes das técnicas de decolagem e gravura molhada são descritos passo a passo. Os resultados representativos para o padrão de eletrodo depositado no substrato, bem como o desempenho do SAW gerado na superfície são exibidos em detalhes. Truques de fabricação e solução de problemas também estão cobertos. Este procedimento oferece um protocolo prático para fabricação e integração de dispositivos SAW de alta frequência para futuras aplicações de microfluidos.

O IDT a ser medido é projetado para ter uma frequência ressonante a 100 MHz, já que a largura do dedo e o espaçamento entre eles são de 10 μm, produzindo um comprimento de onda de 40 μm. A Figura 1 mostra o dispositivo SAW e o IDT fabricados usando este método.
Usando um sinal elétrico oscilante compatível com a frequência ressonante do IDT, o SAW pode ser gerado através da superfície do material piezoelétrico. O LDV mede a vibração através do efeito Doppler n...

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Fabrication of Surface Acoustic Wave Devices on Lithium Niobate

Duas técnicas de fabricação, decolagem e gravura úmida, são descritas na produção de transdutores de eletrodos interdigiais em um substrato piezoelétrico, nióbio de lítio, amplamente utilizado para gerar ondas acústicas superficiais agora encontrando ampla utilidade em fluidos micro para nanoescala. Os eletrodos produzidos são mostrados para induzir eficientemente ondas acústicas de superfície de Rayleigh.

Fabricação de dispositivos de onda acústica de superfície no niobato de lítio

Manipulation of fluids and particles by acoustic actuation at small scale is aiding the rapid growth of lab-on-a-chip applications. Megahertz-order ...

Nosso protocolo demonstra os detalhes da fabricação de dispositivos típicos de ondas acústicas superficiais em substratos piezoelétricos especialmente valiosos para as pessoas que procuram entrar neste campo em expansão. Manter qualquer detrito longe da superfície durante a limpeza é crucial no processo de fabricação. Para pré-quebrar o wafer, coloque-o em uma placa quente a 100 graus Celsius por três minutos.Em seguida, mova o wafer para a folha de alumínio. Coloque a bolacha em um revestimento de giro. Usando um porta-gotas, coloque fotoresist negativo no wafer cobrindo cerca de 75% da superfície do wafer.Para produzir uma espessura fotoresistente de aproximadamente 1,3 micrômetros, execute o seguinte programa no spin coater:500 rpm com uma aceleração de 3.000 rpm por segundo durante cinco segundos, seguido por 3.500 rpm com uma aceleração de 3.000 rpm por segundo durante 40 segundos. Asse o wafer colocando-o em uma placa quente a 100 graus Celsius. Aumente a temperatura da placa quente para 150 graus Celsius e mantenha essa temperatura por um minuto.Em seguida, mova o wafer da placa quente e deixe a bola esfriar no ar para a temperatura ambiente. Não coloque o wafer diretamente na placa a 150 graus Celsius. Deixe a água esfriar no ar depois do aquecimento.Para expor o fotoresistista à energia ultravioleta, transfira o wafer para o alinhador de máscaras. Com o alinhador de máscaras definido para entregar luz a 375 nanômetros, exponha o fotoresistista a uma dose de energia de 400 milijoules por centímetro quadrado. Para assar o wafer, coloque-o em uma placa quente a 100 graus Celsius.Depois de três minutos, transfira o wafer para a folha de alumínio onde esfriará para a temperatura ambiente. Coloque o wafer em um béquer cheio de desenvolvedor RD6 puro. Deixe o wafer imerso por 15 segundos enquanto agita suavemente o béquer.Remova o wafer do desenvolvedor e mergulhe-o em água desionizada por um minuto. Em seguida, enxágue o wafer sob fluxo de água desionizado. Por fim, use o fluxo de nitrogênio seco para remover a água restante do wafer.Asse a água novamente a 100 graus Celsius. Depois de três minutos, transfira o wafer para a folha de alumínio onde esfriará para a temperatura ambiente. Coloque o wafer em um sistema de deposição sputter e evacue a câmara para uma pressão de cinco vezes 10 para o seis militorr negativo.Em seguida, fluxo argônio a 2,5 militorr. Em seguida, sputter cromo com uma potência de 200 watts para cinco nanômetros como uma camada de adesão. Para formar os eletrodos condutores, deposite alumínio a 400 nanômetros e um nível de potência de 300 watts.Transfira o wafer para um béquer e mergulhe-o em acetona. Sonicar o béquer em intensidade média por cinco minutos. Enxágüe o wafer com água desionizada e seque o wafer com fluxo de nitrogênio.Coloque o wafer em uma placa quente a 100 graus Celsius por três minutos. Em seguida, transfira para um pedaço de papel alumínio e espere que esfrie até a temperatura ambiente. Coloque o wafer em um sistema de deposição sputter e evacue a câmara para uma pressão de cinco vezes 10 para o seis militorr negativo.Flua argônio a 2,5 militorr e, em seguida, sputter cromo com uma potência de 200 watts para cinco nanômetros como uma camada de adesão. Em seguida, forme os eletrodos condutores, espremendo ouro por 400 nanômetros a um nível de potência de 300 watts. Coloque o wafer em um reveste de giro.Usando um porta-gotas, deposite fotoresist positivo no wafer cobrindo cerca de 75% da superfície do wafer. Para produzir uma espessura fotoresistente de aproximadamente 1,2 micrômetros, execute o seguinte programa no spin coater:500 rpm com uma aceleração de 3.000 rpm por segundo durante 10 segundos, seguido por 4.000 rpm com uma aceleração de 3.000 rpm por segundo durante 30 segundos. Em seguida, coloque o wafer em uma placa quente a 100 graus Celsius.Depois de um minuto, transfira o wafer para a folha de alumínio onde esfriará para a temperatura ambiente. Transfira o wafer para o alinhador de máscaras. Com o alinhador de máscaras definido para entregar luz a 375 nanômetros, exponha o fotoresistista a uma dose de energia de 150 milijoules por centímetro quadrado.Coloque o wafer em um béquer cheio de desenvolvedor AZ300MIF puro. Deixe o wafer no béquer por 300 segundos gentilmente sacudindo o béquer. Remova o wafer do desenvolvedor e mergulhe a água desionizada por um minuto.Em seguida, enxágue o wafer sob fluxo desionizado. Por fim, use o fluxo de nitrogênio seco para remover a água restante do wafer. Em seguida, mergulhe o wafer em etchant de ouro por 90 segundos, gentilmente sacudindo o béquer.Depois de enxaguar o wafer sob fluxo de água desionizado, use o fluxo de nitrogênio seco para remover a água deionizada restante do wafer. Além da acetona, fotoresistista e desenvolvedor, os reagentes mais perigosos são as ações metálicas que requerem proteção de nível mais alto, como luvas de neoprene e um avental. Por fim, mergulhe o wafer em etchant de cromo por 20 segundos, sacudindo suavemente o béquer.Enxágüe o wafer sob fluxo de água desionizado. E novamente, use o fluxo de nitrogênio seco para remover a água restante. Os IDTs foram fabricados usando os métodos descritos.O espaçamento entre os dedos e os próprios dedos tem 10 micrômetros de largura, resultando em um comprimento de onda de 40 micrômetros. Um sinal sinusoidal foi aplicado ao IDT e um vibrometro Doppler laser foi usado para medir a amplitude e a frequência da onda acústica da superfície resultante. A frequência de ressonância foi encontrada em 96,5844 mega-hertz, ligeiramente inferior à frequência de design de 100 mega-hertz.Um gráfico da vibração na superfície do substrato mostra uma onda acústica superficial se propagando dos IDTs. Com base na razão entre a amplitude máxima e a amplitude mínima, a razão de onda permanente foi calculada em 2,06. O movimento de uma gotícula sessile acionada pelo dispositivo SAW foi demonstrado.Uma gotícula de água de 0,2 microliters foi esbofícula em nióbio de lítio a cerca de um milímetro do IDT. Quando uma SERRA se propaga e encontra a gota, ela vaza para o líquido no ângulo de Rayleigh. O ângulo de lançamento confirma a presença de uma onda acústica superficial.Essas técnicas podem ser usadas para a fabricação de mega-hertz ou dispositivos de ondas acústicas superficiais. O processo precisa ser ajustado se forem necessários atuadores de ondas acústicas de maior frequência. Este protocolo fornece dois métodos confiáveis para preparar dispositivos de ondas acústicas superficiais de alta frequência usados para pesquisa de micro para nanoescala acoustofluidics.

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