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半导体

Overview

资料来源:德里克 · 威尔逊Asantha 库雷博士,物理系 & 天文,物理科学学院,加利福尼亚大学,加利福尼亚州欧文市

半导体是其能够进行电流强烈取决于其温度和杂质水平的材料。最常见的半导体材料是晶体硅。最纯净的半导体都不是优秀的导体;为了提高电导率,纯半导体是经常结合或者"掺杂"含杂质。这些杂质是要么捐助方,像磷和砷,捐赠电子对硅或窃取电子从硅的受众,硼、 铝、 等。当受众从硅电子时,他们离开正电荷有效地表现为正电电子的"洞"之称的地区。

当掺杂使孔,是占主导地位的电荷载体材料中,就会形成 p 型半导体。当半导体掺杂这样占主导地位的电荷载流子是电子,就会形成 n 型半导体材料。如人所料,在 p 型半导体和 n 型半导体之间的边界形成 p-n 结。互动的电子和空穴在交界处引起电路元件,如二极管和晶体管所示卓越的行为。这个实验室将探索形式的一种半导体二极管的单 p-n 结的属性。

Procedure

1.观察形式的一种半导体二极管 p-n 结的行为和测量其电流电压特性曲线。

  1. 获取一个半导体二极管、 LED (发光二极管)、 电源、 两个数字万用表、 1 k ω 电阻、 一些香蕉电缆和连接器和温度计。
  2. 看看半导体二极管。应该有一支乐队,在其一端。带侧是"阴极"。没有乐队,一边是"阳极"。
  3. 请确保电源关闭连接任何电路元件之前。使用香蕉电缆,连接到二极管阳极电阻,一边和另一边的电阻器电源正极端子。然后在此基础上,将一个万用表电流表模式连接到了二极管的阴极,安培计的其他终端连接到电源,完成电路的负极端子。
  4. 房间的温度记录。
  5. 设置电源生成 5 V 直流电压,然后将其打开。
  6. 放的二极管和负铅对阴极阳极的万用表的积极的主导作用。
  7. 在此配置中,二极管被认为是向前有偏见的所以应该有电流流过该电路,和万用表应该显示的电压。记录的电压和电流,万用表显示。
  8. 调整电源来生成不同的电压。记录的电压和电流读数从两个万用表,应跨和与二极管串联的情况下,仍然可以连接。
  9. 重复前面的步骤多

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Results

典型电路测量结果如表 1所示。肖克利半导体方程描述流过二极管的电流作为二极管和电压降的温度函数越过它。温度的 293.0 555 mV 跨二极管,和任意 (但代表) 电压理想因子 K 的 n = 1.5,

Equation 2
Equation 3
Equation 4

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Application and Summary

这个实验室探索半导体和形式的一种半导体二极管 p-n 结的属性。二极管是组成一个 p-n 结的电路元件。测定了二极管的特性曲线,并观察二极管进行电流只在一个方向。LED 包含一种特殊的发光除了进行单向的 p-n 结。

半导体电子工业中广泛使用。半导体二极管包含只单的 p-n 结,而晶体管由 n-p-n 和 p-n-磷的路口;那就是,两个 p-n 结直接彼此相邻。半导体晶体管是几乎所有现?...

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SemiconductorsElectronicsSemiconductor IndustryConductivityInsulatorMetalsCrystalline SiliconWafersP typeN typeSemiconductor DevicesP n JunctionsTransistorsElectrical PropertiesDiodeProtocolCharacterizationReal world ApplicationsIntrinsic SemiconductorsCovalent BondsLattice StructureFree ElectronsImpuritiesDoping

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0:05

Overview

1:24

Principles of Semiconductors

6:01

Characterizing a P-N Junction

9:10

Data Analysis and Results

10:39

Applications

12:20

Summary

此集合中的视频:

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