首先为对照和目的基因准备足够量的电穿孔混合物。将培养皿电极室连接到电穿孔器。然后使用微量加载器吸头,用8微升每种电穿孔混合物填充显微注射针。
使用前剪断针尖,使用细剪刀实现稳定的流动。确保只去除吸头的一小部分,因为钝而宽的吸头会严重损坏类器官。在显微镜下,选择五个具有光滑边界和可见心室样结构的大脑类器官。
然后使用切割的 1000 微升移液器吸头将它们移动到含有预热 DMEM/F-12 的 35 毫米细胞培养皿中。现在,小心地将针头插入心室状结构的壁上,并注入电穿孔混合物,直到明显填充。不要对心室样结构施加过大的压力,以免爆裂。
用少量DMEM / F-12将一个显微注射的脑类器官转移到培养皿电极室中。排列类器官,使显微注射的心室样结构的表面朝向连接到电穿孔器正极的电极。现在,使用五个 80 伏脉冲逐个电穿孔大脑类器官,每次 50 毫秒,间隔为一秒。
如果在非无菌条件下进行显微注射和电穿孔,则将电穿孔类器官移至装有预热DMEM / F-12的新35毫米细胞培养皿中。然后在55%二氧化碳和95%空气的37摄氏度的腐殖气氛中以55RPM的轨道振荡器培养含有维生素A的DM中的电穿孔类器官。第二天,电穿孔后,在常规倒置荧光显微镜下检查大脑类器官是否成功电穿孔。
使用切开的1000微升移液器吸头将电穿孔类器官转移到15毫升锥形离心管中,并除去多余的培养基。在DPBS中加入足量的4%多聚甲醛,并在室温下孵育30分钟。在孵育结束时,吸出多聚甲醛。
然后加入5毫升DPBS,轻轻摇晃,然后吸出DPBS。将类器官储存在 4 摄氏度的 DPBS 中,直到进一步使用。电穿孔两天后,GFP阳性细胞几乎完全位于心室区,并且Pax6呈阳性,表明这些细胞是顶端祖细胞或新生基底祖细胞。
10天后,GFP阳性细胞定位在基底区域。这些细胞对Pax6或NeuN也呈阳性,这分别表明基底祖细胞或神经元。显示了电穿孔脑类器官的3-D重建,以获得GFP阳性细胞的3-D分布的印象。