首先,取一盘野生型和CENP-E突变HeLa细胞在盖玻片上生长。用4%多聚甲醛和PBS固定溶液在室温下固定细胞10分钟。然后,浸泡在 PBS 中两轮,每轮五分钟。
接下来,在室温下用0.25%Triton X-100和PBS透化细胞10分钟。将它们浸入 PBS 中两轮,每轮五分钟。继续在室温下用 1% BSA PBS 和 0.1%Tween 20 封闭细胞一小时。
在 1%BSA 和 PBST 中稀释一抗,并将样品在 4 摄氏度下孵育 12 小时。丢弃一抗溶液。然后,用PBS冲洗细胞三次,每次五分钟。
向细胞中加入稀释的二抗,并在室温下孵育两小时。接下来,丢弃二抗。然后用PBS冲洗细胞三次,每次五分钟。
在室温下使用DAPI染色细胞核五分钟。用安装介质安装载玻片并用指甲油密封。使用装有63倍放大倍率、1.40数值孔径物镜的扫描共聚焦显微镜观察荧光图像,并记录它们以供进一步分析。
对照组和CENP-E突变组的免疫荧光染色表明,CENP-E突变克隆1细胞中CENP-E蛋白的荧光强度被完全敲除,CENP-E突变克隆3细胞中的荧光强度显著降低。与对照细胞相比,克隆 1 和 3 中染色体错位的中期细胞比例增加。同时,克隆1细胞和克隆3细胞中中期细胞的比例显著增加。
此外,与对照组相比,CENP-E缺失后克隆1组和克隆3组的间期细胞比例略有增加。CENP-E缺失后前期、后期和末期细胞的发生率略有下降,而CENP-E缺失后中期细胞的发生率增加。