该协议为通过气相沉积和水溶液反应对皮质内微电极器件进行表面改性提供了处理工具。这些处理方法可在延长的反应时间内保持设备完整性。处理皮质内微电极器件的方法通常没有公开。
该技术可以通过开发表面处理和涂层来改善这些设备性能的研究工作。首先，获取用于表面处理的皮质内微电极器件或非功能探头。为了便于材料测试，请获取基板材料的一厘米见方的样品，以便与设备一起进行处理。
3D打印或获取1A和1B件。将双面聚酰亚胺胶带连接到片 1A。此外，将带有单面粘合剂的3.17毫米厚的泡沫条连接到1B片上。
然后，将设备的连接器包装粘附在第1A条上的胶带上。通过对齐孔并使用不锈钢螺钉和翼形螺母固定来连接部件1A和1B。使用拉链将组件固定在真空干燥器托盘上，利用部件1A底部的孔。
将方形材料样品放入框架底部的狭缝中。将溶液放在真空干燥器中的适当容器中，与固定组件相对并对齐。在干燥器中放置真空计以记录确切的压力。
然后，将干燥盖的端口放在固定组件附近并与溶液对齐并完成气相沉积。首先，将尺寸为19×10.5毫米的矩形孔切入孔板盖中，以将器件的电极阵列悬浮在溶液中。3D打印或获取指南。
将导轨中的矩形孔与盖子上的孔对齐，确保导轨上的孔畅通无阻。使用氰基丙烯酸酯粘合剂将导轨固定在盖子上。然后，在将要进行处理的孔中填充所需的溶液。
为了确认表面处理，将方形基板样品浸没在板孔中的反应溶液中。要组装探头设备，请将2B块胶带粘在台面上。放置双面聚酰亚胺胶带以覆盖片2C的基底。
此外，将带有单面粘合剂的3.17毫米泡沫胶带放在2D片的底部。然后，将片2C拟合到片2B的凹槽中。将设备的连接器包装固定在胶带上，定向使设备刀柄的长度悬挂。
通过将片2D滑入片2C来固定设备。握住组件的边缘，小心地提起以从第2B件中取出。将工件2C和2D上的朝外半圆与工件2A上的相应导轨对齐，以使组件适合孔板的盖子。
通过在导轨上压装 2E 件来确保装配位置的安全。将设备悬浮在孔板中后，将组件转移到振荡器中，并以低于每分钟100转的速度运行。对于需要多种溶液或洗涤步骤的反应，小心地将盖子转移到含有所需溶液的新孔板的适当孔中。
完成此步骤后，将片2B粘在台面上。要从孔板上取出装置，请从盖子上取下片2E。然后，通过握住设备小心地卸下组件。
调整装配体的方向，使工件 2C 朝向工作台顶部，使零件 2D 朝上。将设备的刀柄平行于工作台对齐。将组件的部件 2C 安装到部件 2B 中。
在2C片的标签上施加轻微的压力，将2D件与2C件分开。使用镊子，从胶带上取下设备的连接器包装，然后将设备转移到存储容器中。使用该协议演示了硅方形样品中密歇根式微电极阵列的表面处理。
采用气相沉积法进行APTES胺功能化。在此之后，碳二亚胺交联化学用于固定锰TBAP。沉积后，硅样品的椭圆偏振测量产生的平均APTES层厚度为8.5埃，而理论单层厚度为7埃。
X射线光电能谱分析表明，气相APTES处理后氮和碳的原子浓度百分比增加，表明化学沉积。同样，在溶液相固定化后检测到锰。此外，用于微电极阵列电阻抗谱分析的波特图显示，涂层过程前后的阻抗幅度之间没有统计学差异。
因此，使用涂层工艺对电极阵列进行了成功的涂层。该协议通过最大限度地降低设备损坏的风险，促进了皮质内微电极的表面改性。该领域的其他人可能会根据其设备和化学程序调整该方法。
