使用互补金属氧化物半导体高密度微电极阵列系统从急性脑切片中获得高质量的癫痫样活性

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06:28 min

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September 27th, 2024

DOI :

10.3791/67065-v

September 27th, 2024

•

Melissa L. Blotter*¹^,², Isaac W. Stubbs*¹^,², Jacob H. Norby*¹^,², Maxwell Holmes¹^,², Ben Kearsley³, Alexis Given¹, Kutter Hine¹^,⁴, Micah R. Shepherd⁵, R. Ryley Parrish¹^,²

¹Department of Cell Biology and Physiology, Brigham Young University, ²Neuroscience Center, Brigham Young University, ³Department of Statistics, Brigham Young University, ⁴Department of Biology, Brigham Young University, ⁵Department of Physics and Astronomy, Brigham Young University

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211 4 0 HD MEA

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Introduction

1:00

Equipment Preparation for CMOS‐HD‐MEA Experimentation

2:23

Chip Preparation and Placement of Brain Slice to Record High‐Quality Seizure‐Like Activity Using CMOS‐HD‐MEA System

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