JoVE Logo
Autoren
Kontakt

Anmelden

Zum Anzeigen dieser Inhalte ist ein JoVE-Abonnement erforderlich. Melden Sie sich an oder starten Sie Ihre kostenlose Testversion.

In diesem Artikel

  • Zusammenfassung
  • Zusammenfassung
  • Einleitung
  • Protokoll
  • Ergebnisse
  • Diskussion
  • Offenlegungen
  • Danksagungen
  • Materialien
  • Referenzen
  • Nachdrucke und Genehmigungen

Zusammenfassung

Ein Protokoll wird demonstriert eine zweistufige Fertigung Technik um großformatige Einzellagen wachsen rechteckig geformte SnSe auf kostengünstige SiO2/Si Dielektrika Wafer in einer atmosphärischen Druck Quarz Ofen Schlauchsystem Flocken vorgestellt.

Zusammenfassung

Metallisches Zinn (SnSe) gehört zur Familie der geschichteten Metall Chalkogenid-Materialien mit einer Schnalle Struktur wie Phosphorene und hat Potenzial für Anwendungen im zweidimensionalen Nanoelektronik Geräte gezeigt. Obwohl viele Methoden, um SnSe Nanokristalle synthetisieren entwickelt worden sind, bleibt eine einfache Möglichkeit, groß dimensionierten einlagige SnSe Flocken fabrizieren eine große Herausforderung. Hier zeigen wir die experimentelle Methode direkt groß dimensionierten Einzellagen wachsen rechteckige SnSe am häufigsten verwendeten SiO2/Si isolierenden Substraten Methode eine einfache zweistufige Fertigung in einem Quarzrohr Atmosphärendruck Flocken Ofenanlage. Die Einzellagen-rechteckige SnSe Flocken mit einer durchschnittlichen Dicke von ~6.8 Å und seitlichen Abmessungen von ca. 30 µm × 50 µm wurden durch eine Kombination von Vapor Deposition Fördertechnik und Stickstoff Radierung Route hergestellt. Wir gekennzeichnet, die Morphologie, Mikrostruktur und elektrischen Eigenschaften der rechteckigen SnSe Flakes und ausgezeichnete Kristallinität und gute elektronische Eigenschaften erhalten. Dieser Artikel über die zweistufige Herstellungsverfahren kann Forscher andere ähnlichen zweidimensionale, groß dimensionierten, einschichtige Materialien mit einem Luftdruck-System wachsen helfen.

Einleitung

Forschung in zwei dimensionale (2D) Materialien hat in den letzten Jahren seit der erfolgreichen Isolation von Graphen, wegen der Möglichkeit der 2D Materialien mit hervorragenden elektrischen, optischen und mechanischen Eigenschaften über ihre Masse Pendants1 blühte. , 2 , 3 , 4 , 5. 2D Materialien zeigen vielversprechende Anwendungen in optoelektronischen und elektronische Geräte6,7, Katalyse und Wasserspaltung8,9, Oberfläche-enhanced Raman Streuung Fernerkundung 10,11, etc. die große Familie der geschichteten Materialien, die in 2D Materialien geblähter können zeigen große Vielfalt, von der semi-metallische Graphen bis hin zu den halbleitenden Übergangsmetall Dichalcogenides (TMDs ) und Phosphor (BP) zu isolierenden hexagonalen Bornitrid (h-BN) schwarz. Diese Materialien ihre Heterostrukturen haben in den letzten Jahren gut untersucht worden und haben viele neue Eigenschaften und Anwendungen12ausgestellt. Andere weniger studiert, aber ebenso vielversprechende 2D geschichteten Materialien in der IIIA-VIA (GaS, GaSe und InSe)13,14 , IVA-VIA (GeS, GeSe und SnS)15,16,17 Familien haben auch zuletzt empfangenen Aufmerksamkeit.

SnSe gehört zu der IVA-VIA Gruppe und kristallisiert sich in eine orthorhombic Struktur mit den Atomen in der Raumgruppe Pnma angeordnet und schnallte innerhalb der Schicht, wie die Kristallstruktur des Phosphorene. SnSe ist eine schmale Lücke Halbleiter mit einer Bandlücke von 0,6 eV, aber ist mehr bekannt für seine einzigartigen thermoelektrischen Eigenschaften, wie es ist berichtet, dass einen sehr hohen ZT (thermoelektrische Abbildung des Verdienstes) Wert von 2,6 bei 923 K18,19 , die hat seine einzigartige elektronische Struktur und geringe thermische Leitfähigkeit zugeschrieben worden. Während Bulk SnSe Kristalle sind im Handel erhältlich und können nach bekannten Methoden angebaut werden, wie z. B. die Bridgeman-Stockbarger Methode20 oder chemischen Dampf Transportmethode Größe21, groß paar-Layer und einschichtige SnSe auf Dielektrikum Substrate ist schwieriger. Es gibt viele Substrate, 2D materielles Wachstum, wie hochorientierte pyrolytischen Graphit (HOPG), Glimmer, SiO2, Si3N4und Glas zu unterstützen. Low-Cost SiO2 Dielektrika sind die am häufigsten verwendeten Substrat, wie diese ermöglichen die Herstellung von – Feldeffekt-Transistoren, wo die Dielektrika als Teil des elektrischen hinteren Tores dienen. Nach unserer Erfahrung, im Gegensatz zu Graphen und TMDs, es ist schwierig, paar- oder Single-Schicht SnSe Flocken von der mikromechanischen Peeling-Methode zu erhalten, als Schüttgut SnSe hat eine hohe Bindungsenergie22 32 MeV Füllharz / Å2, führt zu dick Schichten, auch an den Rändern der abgestoßene Partikel. Daher um die neuartigen elektronischen Eigenschaften der paar und einzelne Schicht SnSe zu studieren, ist eine neue, einfache und kostengünstige synthetische Methode, um qualitativ hochwertige großformatige einlagige SnSe Kristalle auf isolierenden Substraten vorbereiten erforderlich, zumal SnSe hat große Versprechen als Kandidat für thermoelektrische Anwendungen für die Energieumwandlung im niedrigen und mittleren Temperatur Bereich19gezeigt.

Mehrere Forscher entwickelten Methoden, um qualitativ hochwertige SnSe Kristalle zu synthetisieren. Liu Et al. 23 und Franzman Et al. 24 verwendet eine Lösungsphase Methode, um SnSe Nanokristallen in verschiedenen Formen, wie Quantenpunkte, Nanoplates, einzelne kristalline Nanosheets, Nanoflowers und Nanopolyhedra mit SnCl2 und Alkyl-Phosphin-Selen oder Dialkylcarbonat synthetisieren Diselenium als Vorläufer. Baumgardner Et al. 25 kolloidalen SnSe Nanopartikel durch Injektion von bis[bis(trimethylsilyl)amino]tin(II) in heißen Trioctylphosphine synthetisiert, und sie erhalten Nanokristalle ~ 4-10 Nm im Durchmesser. Boscher Et al. 26 verwendet eine Atmosphärendruck chemical Vapor Deposition Technik SnSe Filme auf Glassubstraten mit Zinn Titantetrachlorid und Diethyl metallisches Vorstufen mit Zinn Titantetrachlorid Verhältnis 10 größer als Diethyl metallisches und ihre synthetisierte zu erhalten SnSe Filme waren ungefähr 100 nm dick und Silber-Schwarz in Erscheinung. Zhao Et al. 27 verwendet Dampf Transport Ablagerung in einem niedrigen Vakuumsystem und synthetisiert Einkristall SnSe Nanoplates auf Glimmer Substraten und quadratischen Nanoplates von 1 bis 6 µm erzielt. Sind jedoch erhalten einlagigen SnSe Kristalle nicht möglich mit diesen Techniken. Li Et al. 28 synthetisiert erfolgreich Einzellagen-Einkristall SnSe Nanosheets mit einer synthetischen ein-Topf-Methode mit SnCl4 und SeO2 Vorläufer. Sie konnten jedoch nur um eine seitliche Größe von etwa 300 nm für ihre Nanosheets. Wir haben vor kurzem unsere Methode, um qualitativ hochwertige, großformatige einlagige SnSe Kristalle wachsen die Phase reine29sind. Dieses ausführliche Protokoll soll helfen, neue Praktiker zu anderen großen ultradünnen 2D Qualitätsmaterialien mit dieser Methodik zu wachsen.

Access restricted. Please log in or start a trial to view this content.

Protokoll

Achtung: Einige der Chemikalien und in dieser Arbeit verwendeten Gase sind giftig, krebserregend, brennbaren und explosiven. Nutzen Sie alle entsprechenden Sicherheitsmaßnahmen bei der Durchführung einer Aufdampfen Transport einschließlich des Einsatzes von technischen Kontrollen (Abzug) und persönliche Schutzausrüstung (Schutzbrille, professionelle Schutzmasken, Handschuhe, Kittel, in voller Länge Hosen und geschlossene Schuhe).

1. Auto-Tune-Funktion der Temperatur-Regler-Parameter

Hinweis: Bevor die Synthese von SnSe Flocken, das Heizsystem des Ofens muss kalibriert werden, indem Sie die folgenden Handbuch des Herstellers.

  1. Festlegen Sie 80 % der am häufigsten verwendeten Temperatur als die Solltemperatur. Hier, 560 oC für 1 h und laufen Sie den Ofen.
  2. Wenn die Temperatur nähert sich 560 oC, drücken Sie die "SET" Taste für 2 s, Hinweis, das der Parameter "HAL" erscheint, und drücken Sie die "SET" Taste für 1 s nächsten Parameter gehen.
  3. Weiterhin die "SET" Taste drücken. Nach "Cont = 3" angezeigt wird, legen Sie es als 2. Das System startet die Auto-Tune-Funktion, um den Wert für Int, Pro und Lt ausarbeiten und dann System 3 gehen. Wenn auto-Tune benötigt wird, legen Sie es als 2.

2. Vorbehandlung Quarzröhren und keramische Boote

Hinweis: Sind vor der Synthese von SnSe Flocken, eine hohe Temperatur, die Reinigung erforderlich ist, wo ein neues Keramik-Boot und einem neuen Quarzrohr vorbehandelt.

  1. Ein neues Keramik-Boot innerhalb einer neuen 1-Zoll-Durchmesser Quarzrohr zu positionieren. Platz 1-Zoll-Durchmesser-Quarzrohr innerhalb einer horizontalen Rohrofen mit einem neuen 2-Zoll-Durchmesser Quarzrohr. Stellen Sie sicher, dass die beiden Enden der Rohre fest fixiert und unterstützt werden.
  2. Schließen Sie den Deckel des Ofens und erhitzen Sie Rohrofen auf 1.000 oC über 30 min.
  3. Wenn die Temperatur in der Mitte des Ofens 1.000 oC nähert, halten Sie den Ofen 1.000 oC für 30 min. Verschieben Sie dann allmählich die Rohrofen von einem Ende zum anderen um die gesamte Länge des Rohres für die Reinigung der Rohrwand Quarz und keramische Boot zu heizen.
  4. Danach lassen Sie die Rohrofen auf Raumtemperatur abkühlen durch den Ofen ausschalten. Wenn der Ofen auf Raumtemperatur abgekühlt ist, öffnen Sie den Deckel des Ofens und nehmen Sie das neue Keramik-Boot und der neuen 1-Zoll-Durchmesser Quarzrohr, die für die spätere Experimente verwendet werden können.

(3) Vorbehandlung SiO 2 /Si Substrate

  1. Schneiden den SiO2/Si Wafer (300 nm dicke SiO2 stark dotierten Si) (siehe Tabelle der Materialien) mit einer Diamant-Körner in angemessener Höhe (ca. 1,5 cm × 2 cm) als Wachstum Substrate verwendet werden.
  2. Reinigen Sie die SiO2/Si Substrate in Aceton, Isopropanol und Wasser, gefolgt von einer Stickstoff-Fönen.

4. Synthese von Bulk rechteckig geformte SnSe Flocken

  1. Rang 0,010 g SnSe Pulver (siehe Tabelle der Materialien) in das saubere Keramik Boot. Legen Sie ein sauberes SiO2/Si Substrat (ca. 1,5 cm × 2 cm) auf das keramische Boot, Wachstum zugewandten SnSe Pulver. Positionieren Sie das keramische Boot in einem sauberen 1-Zoll-Durchmesser-Quarz-Rohr.
  2. Legen Sie den Durchmesser von 1 Zoll Quarzrohr innerhalb einer horizontalen Rohrofen mit einem 2-Zoll-Durchmesser Quarzrohr auf der Außenseite, und sicherzustellen Sie, dass die Keramik Boot flussaufwärts der Heizzone der Rohrofen liegt. Ziehen Sie die Laschen an beiden Enden des Rohres und schließen Sie das Entlüftungsventil, das die 2-Zoll-Durchmesser Quarzrohr Dichtungen.
  3. Schalten Sie die Pumpe, die mit dem Quarzrohr, Pumpe das Rohr mit einem Druck von ~ 1 × 10-2 Mbar, Luft und Feuchtigkeit in das Rohr zu entfernen verbindet. Nach, dass der Druck erreicht ist, schalten Sie die Pumpe aus.
  4. Öffnen Sie dann die Träger Gasventile, mit Hilfe der Gaszähler, um die Gasströme zu kontrollieren. Stellen 40 standard cm3 / min. (Sccm) Ar und 10 Sccm H2 (Reinheit: 99,9 %) in das Quarzrohr bis Atmosphärendruck erreicht wurde. Öffnen Sie die Entlüftungsventilen um einen kontinuierlichen Fluss von Gas in die Quarzröhren zu ermöglichen.
  5. Schließen Sie den Deckel des Ofens und erhitzen Sie schnell Rohrofen mit einem 35 oC Heizung-Minutentarif.
  6. Wenn die Temperatur in der Mitte des Ofens 700 oC nähert, bewegen Sie schnell Rohrofen SnSe Pulver in der Mitte des Ofens zu positionieren. Das SnSe Pulver verdunsten, und die Masse, die SnSe Flocken werden auf der SiO2/Si Oberfläche hinterlegen.
  7. Öffnen Sie nach 15 min Wachstumszeit den Ofen Deckel um schnell Rohrofen auf Raumtemperatur abkühlen. Unterdessen stellen Sie den Fluss von Ar/H2 Trägergas auf maximum, die dazu beitragen, um die nicht umgesetztes Gas oder Partikel aus den Rohren zu fahren. Nach Abschluss des Wachstumsprozesses bulk SnSe Flocken auf der Oberfläche der SiO2/Si Substrate gewonnen werden.

5. Herstellung von einschichtigen rechteckig geformte SnSe Flocken

  1. Legen Sie als gewachsen Bulk SnSe/SiO2/Si Probe nach oben auf ein neues sauber Keramik Boot. Positionieren Sie das keramische Boot innerhalb einer neuen sauberen 1-Zoll-Durchmesser Quarzrohr.
  2. Setzen Sie die 1-Zoll-Durchmesser Quarzrohr innerhalb der horizontalen Rohrofen mit einem 2-Zoll-Durchmesser Quarzrohr mit dem keramischen Boot befindet sich oberhalb der Heizzone der Rohrofen. Ziehen Sie die Laschen an beiden Enden des Rohres und schließen Sie das Entlüftungsventil um die 2-Zoll-Durchmesser Quarzrohr zu versiegeln.
  3. Schalten Sie die Pumpe, die mit dem Quarzrohr, Pumpe Unterrohr mit einem Druck von ~ 1 × 10-2 Mbar, Luft und Feuchtigkeit in das Rohr zu entfernen verbindet. Wenn das erreicht ist, schalten Sie die Pumpe.
  4. Öffnen Sie die Träger Gasventile, mit Hilfe der Gaszähler, um die Gasströme zu kontrollieren. Einführen von 50 Sccm N2 (Reinheit: 99,9 %) in das Quarzrohr bis Luftdruck erreicht ist. Öffnen Sie die Entlüftungsventilen um einen kontinuierlichen Fluss von Gas in die Quarzröhren zu ermöglichen.
  5. Schließen Sie den Deckel des Ofens und erhitzen Sie schnell Rohrofen 700 oC in nur 20 Minuten.
  6. Wenn die Temperatur in der Mitte des Ofens 700 oC nähert, bewegen Sie schnell Rohrofen SnSe/SiO2/Si Gesamtprobe in der Mitte des Ofens zu positionieren.
  7. Pflegen Sie den Ofen auf 700 oC für ~ 5-20 min um die Radierung abzuschließen. Danach öffnen Sie den Deckel des Ofens, und kühlen Sie schnell die Rohrofen auf Raumtemperatur ab. Unterdessen halten Sie den Gasstrom N2 auf ein Maximum, die dazu beitragen, um die nicht umgesetztes Gas oder Partikel aus den Rohren zu fahren. Nach Abschluss der Ätzvorgang beobachten Sie die Einzellagen-rechteckigen geformten SnSe Flocken auf der Oberfläche der SiO2/Si Substrate erhalten.
    Hinweis: Die Radierung Gas- und Radierung Zeit sind die wichtigsten Steuerungsgrößen in diesem Prozess. Die Radierung ist untersucht, in Referenz 29, so sehen Referenz 29 für weitere Details.

Access restricted. Please log in or start a trial to view this content.

Ergebnisse

Schematische Darstellungen der experimentellen Apparat, optische Bilder, atomic Force Microscopy (AFM) Bilder, Rasterelektronenmikroskopie (SEM) Bilder scannen, und Übertragung Elektronenmikroskopie (TEM) Bilder von vorgefertigten SnSe Flocken sind in Abbildung 1dargestellt, Abbildung 2und Abbildung 3. Die optische Bilder werden von einem herkömmlichen Lichtmikroskop durchgeführt. Das Okular ist 1...

Access restricted. Please log in or start a trial to view this content.

Diskussion

Hier ist die Kombination aus einer Dampf-Transport-Abscheidungsverfahren und ein Stickstoff Radierung Technik in einem atmosphärischen Druck-System erstmals gemeldet. In diesem Protokoll sind die entscheidenden Schritte im Abschnitt der Herstellung von einschichtigen SnSe Flocken.

Obwohl die Mischproben geätzt werden können, um eine qualitativ hochwertige Einscheiben-Stichprobe zu bilden, die Dicke der Mischproben sollte einheitlich sein und die Zersetzungstemperatur von Mischproben sollte ...

Access restricted. Please log in or start a trial to view this content.

Offenlegungen

Wir haben nichts zu veröffentlichen.

Danksagungen

Diese Forschung wurde unterstützt durch die 1.000 Talente-Programm für junge Wissenschaftler der China National Natural Science Foundation of China (Grant Nr. 51472164), die A * STAR-Pharos-Programm (Grant Nr. 152 70 00014), und Einrichtung von NUS Center for Advanced 2D unterstützen Materialien.

Access restricted. Please log in or start a trial to view this content.

Materialien

NameCompanyCatalog NumberComments
SnSe powderSigma-Aldrich1315-06-6(99.999%) toxic, carcinogenic
Ar gasexplosive
H2 gasflammable, explosive
SiO2/Si wafer300 nm thick SiO2 on heavily doped Si
AcetoneSigma-Aldrich67-64-1toxic, flammable
IsopropanolSigma-Aldrich67-63-0flammable
Quartz tubeDongjing Quartz Company, China
Ceramic boatDongjing Quartz Company, China
Optical microscopeOlympus, BX51
Atomic force microscopyBrukerUsing FastScan-A probe type and ScanAsyst-air
Scanning electron microscopyJEOL JSM-6700F
transmission electron microscopyFEI Titan
Tube furnaceMTI Corporation

Referenzen

  1. Geim, A. K., Novoselo, K. S. The Rise of Graphene. Nature Mater. 6, 183-191 (2007).
  2. Chhowalla, M., Shin, H. S., Eda, G., Li, L. -J., Loh, K. P., Zhang, H. The Chemistry of Two-Dimensional Layered Transition Metal Dichalcogenide Nanosheets. Nat. Chem. 5, 263-275 (2013).
  3. Zhang, W., Wang, Q., Chen, Y., Wang, Z., Wee, A. T. S. Van der Waals Stacked 2D Layered Materials for Optoelectronics. 2D Mater. 3 (1-17), 02200(2016).
  4. Li, M. -Y., et al. Epitaxial Growth of a Monolayer WSe2-MoS2 Lateral p-n Junction with an Atomically Sharp Interface. Science. 349, 524-528 (2015).
  5. Wang, H., Yuan, H., Hong, S. S., Li, Y., Cui, Y. Physical and Chemical Tuning of Two-Dimensional Transition Metal Dichalcogenides. Chem. Soc. Rev. 44, 2664-2680 (2015).
  6. Wang, Q. H., Kalantar-Zadeh, K., Kis, A., Coleman, J. N., Strano, M. S. Electronics and Optoelectronics of Two-Dimensional Transition Metal Dichalcogenides. Nat.Nanotechnol. 7, 699-712 (2012).
  7. Kim, K. S., et al. Large-Scale Pattern Growth of Graphene Films for Stretchable Transparent Electrodes. Nature. 457, 706-710 (2009).
  8. Shalom, M., Gimenez, S., Schipper, F., Herraiz-Cardona, I., Bisquert, J., Antonietti, M. Controlled Carbon Nitride Growth on Surfaces for Hydrogen Evolution Electrodes. Angew. Chem. 126, 3728-3732 (2014).
  9. Liu, J., et al. Metal-Free Efficient Photocatalyst for Stable Visible Water Splitting via a Two-Electron Pathway. Science. 347, 970-974 (2015).
  10. Jiang, J., Zou, J., Wee, A. T. S., Zhang, W. Use of Single-Layer g-C3N4/Ag Hybrids for Surface-Enhanced Raman Scattering (SERS). Sci.Rep. 6 (1-10), 34599(2016).
  11. Jiang, J., Zhu, L., Zou, J., Ou-yang, L., Zheng, A., Tang, H. Micro/Nano-Structured Graphitic Carbon Nitride-Ag Nanoparticle Hybrids as Surface-Enhanced Raman Scattering Substrates with Much Improved Long-Term Stability. Carbon. 87, 193-205 (2015).
  12. Jariwala, D., Marks, T. J., Hersam, M. C. Mixed-dmensional van der Waals Heterostructures. Nature Mater. 16, 170-181 (2017).
  13. Late, D. J., et al. GaS and GaSe Ultrathin Layer Transistors. Adv. Mater. 24, 3549-3554 (2012).
  14. Klein, A., Lang, O., Schlaf, R., Pettenkofer, C., Jaegermann, W. Electronically Decoupled Films of InSe Prepared by van der Waals Epitaxy: Localized and Delocalized Valence States. Phys. Rev. Lett. 80, 361-364 (1998).
  15. Gomes, L. C., Carvalho, A. Phosphorene Analogues: Isoelectronic Two-Dimensional Group-IV Monochalcogenides with Orthorhombic Structure. Phys. Rev. B. 92 (1-8), 085406(2015).
  16. Xue, D., Tan, J., Hu, J., Hu, W., Guo, Y., Wan, L. Anisotropic Photoresponse Properties of Single Micrometer-Sized GeSe Nanosheet. Adv. Mater. 24, 4528-4533 (2012).
  17. Antunez, P. D., Buckley, J. J., Brutchey, R. L. Tin and Germanium Monochalcogenide IV-VI Semiconductor Nanocrystals for Use in Solar Cells. Nanoscale. 3, 2399-2411 (2011).
  18. Zhao, L. D., et al. Ultralow Thermal Conductivity and High Thermoelectric Figure of Merit in SnSe Crystals. Nature. 508, 373-377 (2014).
  19. Zhao, L. D., et al. Ultrahigh Power Factor and Thermoelectric Performance in Hole-Doped Single-Crystal SnSe. Science. 351, 141-144 (2016).
  20. Bhatt, V. P., Gireesan, K., Pandya, G. R. Growth and Characterization of SnSe and SnSe2 Single Crystals. J. Cryst. Growth. 96, 649-651 (1989).
  21. Yu, J. G., Yue, A. S., Stafsudd, O. M. Growth and Electronic Properties of the SnSe Semiconductor. J. Cryst. Growth. 54, 248-252 (1981).
  22. Zhang, L., et al. Tinselenidene: a Two-dimensional Auxetic Material with Ultralow Lattice Thermal Conductivity and Ultrahigh Hole Mobility. Sci. Rep. 6 (1-9), (2016).
  23. Liu, X., Li, Y., Zhou, B., Wang, X., Cartwright, A. N., Swihart, M. T. Shape-Controlled Synthesis of SnE (E=S, Se) Semiconductor Nanocrystals for Optoelectronics. Chem. Mater. 26, 3515-3521 (2014).
  24. Franzman, M. A., Schlenker, C. W., Thompson, M. E., Brutchey, R. L. Solution-Phase Synthesis of SnSe Nanocrystals for Use in Solar Cells. J. Am. Chem. Soc. 132, 4060-4061 (2010).
  25. Baumgardner, W. J., Choi, J. J., Lim, Y. -F., Hanrath, T. SnSe Nanocrystals: Synthesis, Structure, Optical Properties, and Surface Chemistry. J. Am. Chem. Soc. 132, 9519-9521 (2010).
  26. Boscher, N. D., Carmalt, C. J., Palgrave, R. G., Parkin, I. P. Atmospheric Pressure Chemical Vapour Deposition of SnSe and SnSe 2 Thin Films on Glass. Thin Solid Films. 516, 4750-4757 (2008).
  27. Zhao, S., et al. Controlled Synthesis of Single-Crystal SnSe Nanoplates. Nano Res. 8, 288-295 (2015).
  28. Li, L., et al. Single-Layer Single-Crystalline SnSe Nanosheets. J. Am. Chem. Soc. 135, 1213-1216 (2013).
  29. Jiang, J., et al. Two-Step Fabrication of Single-Layer Rectangular SnSe Flakes. 2D Mater. 4 (1-9), 021026(2017).

Access restricted. Please log in or start a trial to view this content.

Nachdrucke und Genehmigungen

Genehmigung beantragen, um den Text oder die Abbildungen dieses JoVE-Artikels zu verwenden

Genehmigung beantragen

Weitere Artikel entdecken

Engineeringvapor Ausgabe 133gro formatige Einzellagenrechteckige SnSe Flockenzweistufigen synthetische MethodeTransport AblagerungLuftdruck SystemStickstoff Radierung Technik

This article has been published

Video Coming Soon

JoVE Logo

Datenschutz

Nutzungsbedingungen

Richtlinien

Kontakt

BIBLIOTHEKS-EMPFEHLUNG

JoVE-Newsletter

Forschung

Lehre

Autoren

Bibliothekare

ÜBER JoVE

Copyright © 2025 MyJoVE Corporation. Alle Rechte vorbehalten