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Asistida por plasma Molecular Beam epitaxia de N-polar InAlN de barrera de transistores de alta movilidad de electrones

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10:31 min

November 24th, 2016

DOI :

10.3791/54775-v

November 24th, 2016


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0:05

Title

0:53

RF-assisted Plasma-assisted Molecular Beam Epitaxy (PAMBE) System and Sample Preparation

4:36

N-polar InAIN-barrier High-electron-mobility Transistor (HEMT) Growth

8:03

Results: N-polar InAIN-barriers High-electron-mobility Transistors Grown with PAMBE

9:30

Conclusion

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