Asistida por plasma Molecular Beam epitaxia de N-polar InAlN de barrera de transistores de alta movilidad de electrones
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November 24th, 2016
DOI :
November 24th, 2016
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0:05
Title
0:53
RF-assisted Plasma-assisted Molecular Beam Epitaxy (PAMBE) System and Sample Preparation
4:36
N-polar InAIN-barrier High-electron-mobility Transistor (HEMT) Growth
8:03
Results: N-polar InAIN-barriers High-electron-mobility Transistors Grown with PAMBE
9:30
Conclusion
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