JoVE Logo

Sign In

10.2 : יסודות מוליכים למחצה

קיימת שונות במוליכות החשמלית של חומרים - מתכות, מוליכים למחצה ומבודדים המוצגים לראווה בעזרת דיאגרמות פס האנרגיה.

למתכות כגון נחושת (Cu), אבץ (Zn) או עופרת (Pb) יש התנגדות נמוכה והן כוללות פסי הולכה שאינם תפוסים במלואם או חופפים לפסי הערכיות, מה שהופך את פער האנרגיה ללא קיים. זה מאפשר לאלקטרונים ברמות האנרגיה הגבוהות ביותר של פס הערכיות לעבור בקלות לפס ההולכה עם השגת אנרגיה קינטית מינימלית משדה חשמלי מופעל. כתוצאה מכך, עם מצבים זמינים רבים הקרובים למצבים מלאים, מתכות מקלות על זרימה קלה של זרם חשמלי.

למוליכים למחצה יש פס הערכיות מלא ופס הולכה ריק המופרדים על ידי פער אנרגיה קטן, בסדר גודל של 1 eV, המאפשר לכמה אלקטרוני ערכיות להיות מעוררים תרמית לפס ההולכה בטמפרטורת החדר. זה מביא למספר מתון של נושאי מטען, מה שהופך את המוליכים למחצה ליותר מוליכים מאשר מבודדים אך פחות ממתכות. אנרגיית פער הפס משתנה עבור מוליכים למחצה, כמו 1.12 eV עבור סיליקון (Si) ו-1.42 eV עבור גליום ארסניד (GaAs).

במבודדים כמו SiO2, פס הערכיות מלא באלקטרונים, ופס ההולכה ריקה. למבודדים יש פער אנרגיה גדול, מה שמקשה על ריגוש של אלקטרוני ערכיות על ידי פס ההולכה בטמפרטורת החדר. הסיבה לכך היא שאלקטרוני הערכיות במבודדים מעורבים בקשרים קוולנטיים חזקים ודורשים אנרגיה משמעותית כדי להישבר. פער אנרגיה גדול מפריד בין הערכיות המלאות לבין פסי ההולכה הריקים, ואנרגיה תרמית בטמפרטורת החדר אינה מספיקה כדי לעורר אלקטרונים על פני פער זה. כתוצאה מכך, מעט מאוד אלקטרונים זמינים להולכה, והחומר אינו יכול להוליך זרם חשמלי ביעילות.

Tags

SemiconductorsElectrical ConductivityMetalsInsulatorsEnergy Band DiagramsConduction BandValence BandBandgapCharge CarriersSiliconSilicon DioxideGallium ArsenideResistivityThermal ExcitationElectrical Current

From Chapter 10:

article

Now Playing

10.2 : יסודות מוליכים למחצה

Basics of Semiconductors

529 Views

article

10.1 : יסודות המוליך למחצה

Basics of Semiconductors

674 Views

article

10.3 : יסודות מוליכים למחצה

Basics of Semiconductors

484 Views

article

10.4 : יסודות מוליכים למחצה

Basics of Semiconductors

496 Views

article

10.5 : יסודות מוליכים למחצה

Basics of Semiconductors

388 Views

article

10.6 : יסודות המוליך למחצה

Basics of Semiconductors

448 Views

article

10.7 : הטיה של צומת P-N

Basics of Semiconductors

402 Views

article

10.8 : צומת מתכת-מוליכים למחצה

Basics of Semiconductors

281 Views

article

10.9 : הטיה של צומת מתכת-מוליכים למחצה

Basics of Semiconductors

201 Views

article

10.10 : רמת פרמי

Basics of Semiconductors

452 Views

article

10.11 : דינמיקת רמת פרמי

Basics of Semiconductors

217 Views

JoVE Logo

Privacy

Terms of Use

Policies

Research

Education

ABOUT JoVE

Copyright © 2025 MyJoVE Corporation. All rights reserved