12.11 : טרנזיסטור אפקט שדה

טרנזיסטורי אפקט שדה (FET) הינם חלק בלתי נפרד ממעגלים אלקטרוניים ומובחנים על ידי מערך שלושת המסופים שלהם: השער, השפך והמקור. טרנזיסטורים אלו פועלים כהתקנים חד-קוטביים, אשר מנצלים או אלקטרונים או חורים כנשאי מטען, בניגוד לטרנזיסטורים דו-קוטביים, המשתמשים בשני סוגי הנשאים. תפקידו העיקרי של ה-FET הוא לווסת את זרימת הנשאים הללו מהמקור לשפך דרך הערוץ. הפרש המתח בין מסופי השער והמקור שולט ישירות על המוליכות של ערוץ זה.

FETs מסווגים באופן נרחב על סמך המבנה של דיודות השער שלהם צומת-JFETs)FETs), מתכת-מוליך למחצה MESFETs)FETs)ומתכת-תחמוצת-מוליך למחצה JFETs. (MOSFETs)FETs פועלים על ידי הרחבת צומת הערוץ שער-pn כדי לשלוט על מוליכות הערוץ, מה שהופך אותם ליעילים ביותר במעגלים אנלוגיים בשל עכבת הכניסה הנמוכה יותר שלהם. מכשירי MESFET, המשתמשים בדיודות מוליכים למחצה מתכתיים ליישור מגע, מועדפים ביישומי מיקרוגל בגלל התגובה החזקה שלהם בתדר גבוה וטמפרטורות ייצור נמוכות יותר. מכשירי MOSFET, לעומת זאת, הם הסוג הנפוץ ביותר, הידוע בעכבת הכניסה הגבוהה והיישום התכוף שלהם במעגלים דיגיטליים.

ניתן להבחין בכל סוג של FET על סמך החומר המוליך למחצה של הערוץ, המספק צרכים טכנולוגיים ספציפיים. FETs נמצאים בשימוש נרחב במגברים, מתגים ומווסתי מתח. יתרונות העיצוב שלהם כוללים עכבת כניסה גבוהה, קומפקטיות, רעש נמוך וצריכת חשמל מופחתת, מה שהופך אותם ליתרון במיוחד על פני טרנזיסטורי צומת דו-קוטביים מסורתיים ביישומים רבים. תכונות אלו מדגישות את הרבגוניות והתועלת של FETs במגוון עצום של רכיבים ומערכות אלקטרוניות.