Полевые транзисторы (сокращенно МОП или FET) являются неотъемлемой частью электронных схем и отличаются трехконтактным расположением выводов: затвор, сток и исток. Эти транзисторы работают как униполярные устройства, в которых в качестве носителей заряда используются либо электроны, либо дырки, в отличие от биполярных транзисторов, в которых используются носители обоих типов. Основная функция полевого транзистора — модулировать поток этих носителей от истока к стоку через канал. Разность напряжений между клеммами затвора и истока напрямую управляет проводимостью этого канала.

В зависимости от структуры затворных диодов полевые транзисторы подразделяются на переходные полевые транзисторы (JFET), полевые транзисторы металл-полупроводник (MESFET) и полевые транзисторы металл-оксид-полупроводник (MOSFET). JFET работают за счет расширения pn-перехода затвор-канал для управления проводимостью канала, что делает их очень эффективными в аналоговых схемах из-за их более низкого входного сопротивления. MESFET, в которых для выпрямления контакта используются металл-полупроводниковые диоды, предпочтительны в микроволновых приложениях из-за их надежного высокочастотного отклика и более низких температур изготовления. MOSFET-транзисторы, с другой стороны, являются наиболее распространенным типом, известным своим высоким входным сопротивлением и частым применением в цифровых схемах.

Каждый тип полевого транзистора дополнительно различается в зависимости от полупроводникового материала канала, что соответствует конкретным технологическим потребностям. Полевые транзисторы широко используются в усилителях, переключателях и стабилизаторах напряжения. Их конструктивные преимущества включают высокий входной импеданс, компактность, низкий уровень шума и пониженное энергопотребление, что делает их особенно выгодными по сравнению с традиционными биполярными транзисторами во многих приложениях. Эти особенности подчеркивают универсальность и полезность полевых транзисторов в широком спектре электронных компонентов и систем.