12.12 : מאפייני JFET

The output characteristics of a JFET describe the relationship between the drain current and the drain-source voltage at various levels of gate-source voltage.

At zero drain voltage and gate voltage, there is no net current flow.

At zero gate voltage, the current in the channel initially increases linearly with a varying source-drain voltage but then slows down. This is because the depletion layer of the reverse-biased gate-drain pn-diode expands.

This region is the Ohmic or linear region, where the JFET functions as a voltage-controlled resistor and can serve as an electronic switch.

As the drain-source voltage increases, the upper and lower depletion regions meet, and the JFET enters the saturation or pinch-off region. At this point, the current reaches saturation.

Beyond this point, the drain current remains nearly constant even with increased drain-source voltage. This is the region where JFETs are typically used as amplifiers.

If the drain-source voltage exceeds a certain limit, the JFET enters the breakdown region. In this region, the drain current increases rapidly, potentially damaging the device.

טרנזיסטורי אפקט שדה (JFET) מציגים מאפיינים תפעוליים ספציפיים המבוססים על הקשר בין זרם השפך (i_d) למתח מקור השפך (V_ds), יחד עם מתחי מקור השער (V_gs) משתנים.

הליבה של פעולת JFET היא שליטה בזרם השפך על ידי אפנון מתח מקור השער. כאשר מתח השפך והשער מוגדרים לאפס, ה-JFET אינו מציג זרימת זרם נטו, המייצג מצב של שיווי משקל. זרם השפך גדל באופן ליניארי ככל שמתח המקור-שפך משתנה, ושומר על מתח השער אפס. הקשר הליניארי הזה מגדיר את האזור האוהמי, שבו ה-JFET מתנהג כמו נגד מבוקר מתח ויכול לתפקד כמתג אלקטרוני, המווסת את זרימת הזרם בתגובה לשינויים במתח.

עם זאת, ככל שמתח מקור השפך עולה, ה-JFET עובר לאזור הרוויה או הצביטה. זה מתרחש כאשר שכבות הדלדול שנוצרות על ידי דיודת ה-p-n השער-שפך הפוכה מתרחבות כדי לפגוש זו את זו, ולמעשה צובטת את זרימת הזרם דרך הערוץ. מעבר לנקודה זו, זרם השפך מגיע לרמת רוויה ונשאר כמעט קבוע ללא קשר לעליות נוספות במתח מקור השפך. מאפיין זה הוא קריטי עבור יישומים שבהם JFETs משמשים כמגברים, המספקים זרם יציאה יציב עבור אותות כניסה משתנים.

אם מתח מקור השפך חורג מסף מסוים, ה-JFET יכול להיכנס לאזור התמוטטות, שם זרם השפך גדל במהירות ועלול להוביל לכשל בהתקן עקב זרימת זרם מוגזמת. התנהגות זו מדגישה את החשיבות של פעולה בגבולות המתח שצוינו כדי להבטיח את המהימנות והבטיחות של מעגלים מבוססי JFET. הבנת המאפיינים הללו מאפשרת יישום יעיל של JFETs בתצורות אלקטרוניות שונות, החל ממיתוג להגברה.

Tags

JFET Junction Field Effect Transistor Drain Current Drain source Voltage Gate source Voltage Ohmic Region Saturation Region Pinch off Region Voltage controlled Resistor Electronic Switch Amplifier Breakdown Region Voltage Limits Electronic Configurations

From Chapter 12:

article

Now Playing

12.12 : מאפייני JFET

Transistors

366 Views

article

12.1 : טרנזיסטור דו קוטבי

Transistors

511 Views

article

12.2 : תצורות של BJT

Transistors

373 Views

article

12.3 : עקרון העבודה של BJT

Transistors

376 Views

article

12.4 : מאפיינים של BJT

Transistors

622 Views

article

12.5 : דרכי פעולה של BJT

Transistors

939 Views

article

12.6 : תגובת תדר של BJT

Transistors

724 Views

article

12.7 : תדירות קטעון של BJT

Transistors

624 Views

article

12.8 : מיתוג BJTs

Transistors

363 Views

article

12.9 : מגברי BJT

Transistors

331 Views

article

12.10 : ניתוח אותות קטנים של מגברי BJT

Transistors

950 Views

article

12.11 : טרנזיסטור אפקט שדה

Transistors

294 Views

article

12.13 : הטיה של FETs

Transistors

212 Views

article

12.14 : קבל MOS

Transistors

689 Views

article

12.15 : MOSFET

Transistors

417 Views

See More

Copyright © 2025 MyJoVE Corporation. All rights reserved