JoVE Logo

Oturum Aç

12.12 :  JFET'in Özellikleri

Bağlantı Alanı Etkili Transistörler (JFET'ler), değişen kapı kaynağı voltajlarının (V_gs) yanı sıra drenaj akımı (i_d) ve drenaj kaynağı voltajı (V_ds) arasındaki ilişkiye dayalı olarak belirli operasyonel özellikler sergiler.

Bir JFET'in çalışmasının özü, kapı kaynağı voltajını modüle ederek drenaj akımını kontrol etmektir. Drenaj ve kapı voltajı sıfıra ayarlandığında JFET, denge durumunu temsil eden net akım akışı göstermez. Kaynak-drenaj voltajı değiştikçe drenaj akımı doğrusal olarak artar ve kapı voltajını sıfır tutar. Bu doğrusal ilişki, JFET'in voltaj kontrollü bir direnç gibi davrandığı ve voltajdaki değişikliklere yanıt olarak akım akışını modüle eden bir elektronik anahtar olarak işlev görebildiği Ohmik bölgeyi tanımlar.

Bununla birlikte, drenaj kaynağı voltajı arttıkça JFET doyma veya sıkışma bölgesine geçiş yapar. Bu, ters taraflı kapı-drenaj p-n diyotunun oluşturduğu tükenme katmanları birbiriyle buluşacak şekilde genişlediğinde ve kanaldaki akım akışını etkili bir şekilde kestiğinde meydana gelir. Bu noktanın ötesinde, drenaj akımı bir doyum seviyesine ulaşır ve drenaj kaynağı voltajındaki daha fazla artışa bakılmaksızın neredeyse sabit kalır. Bu özellik, JFET'lerin amplifikatör olarak kullanıldığı ve değişen giriş sinyalleri için kararlı bir çıkış akımı sağladığı uygulamalar için kritik öneme sahiptir.

Drenaj kaynağı voltajı belirli bir eşiği aşarsa, JFET, drenaj akımının hızla arttığı arıza bölgesine girebilir ve aşırı akım akışı nedeniyle potansiyel olarak cihazın arızalanmasına yol açabilir. Bu davranış, JFET tabanlı devrelerin güvenilirliğini ve emniyetini sağlamak için belirtilen voltaj sınırları dahilinde çalışmanın önemini vurgulamaktadır. Bu özellikleri anlamak, JFET'lerin anahtarlamadan amplifikasyona kadar çeşitli elektronik konfigürasyonlarda etkili bir şekilde uygulanmasına olanak tanır.

Etiketler

JFETJunction Field Effect TransistorDrain CurrentDrain source VoltageGate source VoltageOhmic RegionSaturation RegionPinch off RegionVoltage controlled ResistorElectronic SwitchAmplifierBreakdown RegionVoltage LimitsElectronic Configurations

Bölümden 12:

article

Now Playing

12.12 : JFET'in Özellikleri

Transistörler

364 Görüntüleme Sayısı

article

12.1 : Bipolar Bağlantılı (Kavşak) Transistor

Transistörler

511 Görüntüleme Sayısı

article

12.2 : Bipolar Bağlantı Transistörleri Yapılandırmaları

Transistörler

372 Görüntüleme Sayısı

article

12.3 : Bipolar Bağlantı Transistörünin Çalışma Prensibi

Transistörler

374 Görüntüleme Sayısı

article

12.4 : Bipolar Bağlantı Transistörünün Özellikleri

Transistörler

622 Görüntüleme Sayısı

article

12.5 : BJT'nin Çalışma Modları

Transistörler

937 Görüntüleme Sayısı

article

12.6 : Bipolar Bağlantı Transistörünün Frekans Tepkisi

Transistörler

721 Görüntüleme Sayısı

article

12.7 : Bipolar Bağlantı Transistörlerinin Kesme Frekansı

Transistörler

623 Görüntüleme Sayısı

article

12.8 : Bipolar Bağlantı Transistörlerin Değiştirilmesi

Transistörler

363 Görüntüleme Sayısı

article

12.9 : Bipolar Bağlantı Transistör Amplifikatörler

Transistörler

330 Görüntüleme Sayısı

article

12.10 : Bipolar Bağlantı Transistörlü Yükselteçlerin Küçük Sinyal Analizi

Transistörler

947 Görüntüleme Sayısı

article

12.11 : Alan Etkili Transistör

Transistörler

292 Görüntüleme Sayısı

article

12.13 : Yüzey Birleşimli Alan Etkili Transistörlerin (FET) Öngerilimlenmesi

Transistörler

212 Görüntüleme Sayısı

article

12.14 : MOS Kapasitör

Transistörler

688 Görüntüleme Sayısı

article

12.15 : MOSFET

Transistörler

414 Görüntüleme Sayısı

See More

JoVE Logo

Gizlilik

Kullanım Şartları

İlkeler

Araştırma

Eğitim

JoVE Hakkında

Telif Hakkı © 2020 MyJove Corporation. Tüm hakları saklıdır