Beam Epitaxy המולקולרית בסיוע פלזמה של N-קוטבי InAlN-מחסום טרנזיסטורים-ניידות גבוהה-אלקטרון

8.4K Views

10:31 min

November 24th, 2016

DOI :

10.3791/54775-v

November 24th, 2016


Transcript

Explore More Videos

117

Chapters in this video

0:05

Title

0:53

RF-assisted Plasma-assisted Molecular Beam Epitaxy (PAMBE) System and Sample Preparation

4:36

N-polar InAIN-barrier High-electron-mobility Transistor (HEMT) Growth

8:03

Results: N-polar InAIN-barriers High-electron-mobility Transistors Grown with PAMBE

9:30

Conclusion

Related Videos

article

09:53

ספקטרומטריית מסת קרן מולקולרית עם קרינת אולטרה סגולה אבק מתכוונן (VUV) Synchrotron

12.9K Views

article

10:37

הפרדה מרחבית של קונפורמרים מולקולריים ואשכולות

8.8K Views

article

10:39

מדידת רנטגן Beam קוהרנטיות לאורך כיוונים מרובים באמצעות 2-D דמקה שלב פומפיה

9.5K Views

article

12:22

מדידות התפצלות וזמינות ביולוגיות של הסביבה פלוטוניום שימוש דיפוזיה בThin Films

11.2K Views

article

07:47

שימוש של חלקיקים של הקורבן להסיר את ההשפעות של Shot-רעש חורים לתקשר מפוברק על ידי E-הקורה ליתוגרפיה

7.2K Views

article

08:43

השפעת הכיפוף על המאפיינים החשמליים של יחיד אורגני גמיש קריסטל מבוססות טרנזיסטורים שדה ותוצאה

8.0K Views

article

10:58

יון ממוקדת קרן פבריקציה נוספת של Nanobatteries המבוסס על LiPON של מצב מוצק ליתיום בחיי עיר בדיקה

10.0K Views

article

14:16

ייצור של דיודות Schottky על Heterostructure BeMgZnO/ZnO Zn-הקוטב גדלה פלזמה בסיוע קרן מולקולרית Epitaxy

7.5K Views

article

10:25

חד-ספרתיות ננומטר ליתוגרפיה קרינה עם תיקון סטייה סריקה הילוכים מיקרוסקופ אלקטרוני

10.0K Views

article

10:42

הכנת קרן Isotopically טהורה 229Th יון ללימודים של 229mth

6.5K Views

JoVE Logo

Privacy

Terms of Use

Policies

Research

Education

ABOUT JoVE

Copyright © 2025 MyJoVE Corporation. All rights reserved