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Nei dispositivi a semiconduttore, i diodi svolgono un ruolo cruciale nel dirigere il flusso di corrente e il loro funzionamento è principalmente classificato in polarizzazione diretta e polarizzazione inversa. Si dice che un diodo è polarizzato direttamente quando la sua regione di tipo p, è collegata al terminale positivo di una batteria e la sua regione di tipo n è collegata al terminale negativo. Questa configurazione riduce la barriera di potenziale all'interno del diodo, consentendo alla corrente di fluire facilmente dalla regione di tipo p alla regione di tipo n.

Il comportamento di un diodo in polarizzazione diretta è governato dalle sue caratteristiche I-V che sono influenzate dal materiale, dalla temperatura e dalle dimensioni fisiche del diodo. Quando polarizzata direttamente, la corrente (ID) di un diodo può essere descritta dall'equazione del diodo:

Equation 1

dove IS è la corrente di saturazione, q è la carica dell'elettrone, VD è la tensione applicata ai capi del diodo, n è il coefficiente di emissione, k è la costante di Boltzmann e T è la temperatura di giunzione. La tensione termica VT (kT/q) misura l'energia richiesta per spostare i portatori di carica attraverso il diodo e il suo valore a temperatura ambiente è di circa 26 mV.

Figure 1

Il diodo mostra una corrente trascurabile per tensioni inferiori alla tensione di inserimento, tipicamente 0,7 V per i diodi al silicio. Nella polarizzazione diretta, per ogni decade di variazione della corrente diretta, la tensione del diodo cambia di circa 60 mV. La corrente di saturazione (IS) varia con la temperatura e con l'area della sezione trasversale del diodo e raddoppia per ogni aumento di 10°C. A causa della dipendenza dalla temperatura di Is e VT, la caduta di tensione di un diodo diminuisce di circa 2 mV per ogni aumento di 1°C della temperatura a corrente costante, una proprietà sfruttata nei circuiti di rilevamento della temperatura come i termometri elettronici. Comprendere queste proprietà è fondamentale per l'elettronica in cui i diodi sono componenti centrali, come raddrizzatori, mixer di segnale e regolatori di tensione.

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DiodeForward BiasSemiconductorP typeN typeI V CharacteristicsDiode EquationSaturation CurrentThermal VoltageCut in VoltageTemperature Dependence

Dal capitolo 11:

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