이 작품은 재정적 NSERC, CSEE, nanoBridge 및 TRLabs에 의해 지원되었다.

위에서 언급 한 바와 같이, AAO 기반의 제조 과정에서 두 가지 주요 단계 (a)는 임의의 빈 AAO 템플릿의 합성 (주로 전도성 및 / 또는 투명) 기판 (그림 1의 회로도 설명)과 소 (B)의 성장이다 AAO 템플릿의 나노 세공 내의 분자 유기 나노 와이어 (그림 2). 이 절에서는이 프로세스에 대한 자세한 설명을 제공합니다. 1. 전도성 알루미늄 기판 위에 양극 산화 알루미늄 (AAO) 템플릿의 성장 <ol><li> 첫 번째 연마 알루미늄 포일에 의해 나노 다공성 알루미나 템플릿을 생성 한 후 (또는 전기 화학적 산화)을 아노다이징 처리. 두께 250 μm의 높은 순수성 현미 알루미늄 소형 (~ 2 × 2cm 2) 시트 (99.997 %) 절단하여 시작합니다. </li><li> 전해 대신에, 간단한 화학 연마 공정 18이 사용됩니다. 물속에서 질소 - 2 × 2cm 2 매의 작은 숫자80 인산 에칭 ° 5 분 열판에 C. </li></ol> 참고 : 알루미늄 시트를 미리 치료하는 데 사용되는 질소 - 인산 용액 15 부품 68 % 질산 85 부품 85 % 인산이다. 같이 구매 한 알루미늄의 표면 거칠기가 수 마이크론, 표면에 균일하지 않은 전기장을 생성하고 정렬 된 기공 배열의 형성을 방지의 순서 때문에 연마 단계는 이전의 양극에 필요합니다. 문헌에 전해는이 목적을 2,3에 광범위하게 사용되어왔다. 그러나 화학 연마도 비교 (또는 더 나은) 매끄러운 18를 가진 광택 표면을 얻을 저렴하고 쉬운 대안이다. <ol start="3"><li> 에칭 후, 20 분 동안 1 M 수산화 나트륨에 포일을 중화. 이러한 &quot;화학적 연마&quot;포일 지금은 양극 처리 할 준비가되어 있습니다. </li><li> 평평한 세포에 광택 알루미늄 시트를로드하고 3 % oxal로 15 분을 양극 처리40 V DC 바이어스 IC에서 산. </li></ol> 참고 : 호일 샘플은 두 단계의 양극 산화 과정이 2,3,19 주문 모공을 개선하기 위해 수행됩니다. 첫 번째 단계는 양극의 두 번째 단계에서 기공 성장을위한 시작 사이트 역할을 알루미늄 / 알루미나 인터페이스에서 알 표면과 나노 스케일의 보조개에 다공질 산화물 레이어를 생성합니다. <ol start="5"><li> 평평한 세포에서 제거하여 크롬 - 인산에 식각는 샘플. 60 뜨거운 접시에 천트의 비커에 샘플을 담가 ° C ~의 초기 산화막을 제거하는 30 분. </li><li> 다른 모든 매개 변수가 변경되지 유지하면서 2.5 분 동안 양극 산화 공정 (단계 1.4) 반복합니다. 단계 (1.4)에 양극 처리 같은 지역을 다시 전해질에 노출 될 것 같은 플랫 셀에 호일을 다시 정렬하려고합니다. </li></ol> 참고 : 최종 양극 산화 단계의 시간은 최종의 두께를 결정산화물 층과 그에 따라 변경 될 수 있습니다. 2.5 분의 시간. ~ 500 ㎚의 두께 (기공 길이)에 해당합니다. 두 번째 단계의 끝에서 잘 정렬 된 나노 기공 배열은 양극 알루미나 층에 생성됩니다. 양극 산화와 에칭주기가 더 기공 순서를 개선하기 위해 반복 할 수 있습니다. <ol start="7"><li> 나노 기공의 하단에 장벽 층을 얇게하고 나노 기공 직경을 넓혀 40 분 동안 실온에서 5 % 인산의 잠수함은 템플릿. 이 단계 후 최종 나노 기공의 직경은 ~ 60 ~ 70 나노 미터이다. </li></ol> 2. 투명 기판에 AAO 템플릿의 성장 (유리) <ol><li> 광촉매 (20 nm의 원자 층 증착), 오 (7 nm의 스퍼터링), 알 (1 ㎛, 스퍼터링) : 순차적으로 청소 유리 슬라이드에 다음과 같은 다층 시스템을 입금. </li></ol> 주 : 오 층은 양극 산화에 필요한 전극의 역할과 투명성 20이 저하되지 않습니다 &lt;/&gt;을 먹다. 광촉매 오와 유리 기판 사이에 투명한 접착 층 역할을합니다. <ol start="2"><li> 전도성 실버 에폭시를 사용하여 양극 처리 할 알루미늄 박막의 표면에 포일 전극을 연결합니다. 현재 분배를 개선하면서이 전원에서 샘플 적절한 연결을 발생합니다. </li></ol> 참고 : 이전에 언급 한 기술을 연마 유리 기판에 증착 아주 작은 알루미늄이 때문에 알루미늄 표면을 평평하게하는 실용적되지 않습니다. 대신,이 프로토콜은 다른 양극 / 에칭 단계를 통합하는 양극 처리 절차를 수정합니다. <ol start="3"><li> 플랫 셀에 샘플을로드하고 30 V DC 바이어스에서 3 % 옥살산을 사용하여 4 분간 알루미늄 박막을 양극 처리하십시오. </li><li> 플랫 셀에서 샘플을 제거하지 않고, 뜨거운 에칭 나는 부어 1 시간 60 DI 물과 크롬 - 인산에 식각 템플릿 ° C로 세포를 씻어셀에 N. </li></ol> 참고 : 부식액의 온도는 바로이 세포에 부어되면 감소하기 시작합니다. 따라서 에칭의 기간은 모두 산화막을 제거하기 위해 호일 샘플을 30 분에서 1 시간까지 증가합니다. <ol start="5"><li> 다시 세포를 씻어하고 첫 번째와 같은 조건에서 두 번째로 양극 처리, 30 V DC 바이어스에 3 % 옥살산을 사용하여, 4 분. </li><li> 단계 (2.4)를 반복합니다. 플랫 셀에서 샘플을 제거하지 않고 셀에 뜨거운 에칭을 부어 1 시간 60 DI 물과 크롬 - 인산에 식각 템플릿 ° C로 세포를 씻어. </li><li> 마지막으로 셀을 헹구어 내고 30 V DC에서 3 % 옥살산을 사용하여 세 번째 (마지막으로) 양극 산화 단계를 수행합니다. 정지 할 때를 결정하기 위해 시스템의 현재를 모니터링합니다. </li></ol> 참고 : 최종 동안 모니터링 할 현재의 요구odization. 처음 몇 초 후 전류는 1 ~ 2 mA에서 안정. 이 균일 한 양극이 진행 중임을 나타냅니다. 양극 산화 과정이 남아있는 알루미늄을 섭취되면 전해질 용액 (3 % 옥살산)는 현재 양극 (그림 3)의 급격한 증가의 원인이됩니다 기본 골드 레이어와 접촉하기 위해 올 것이다. 이 시점에서, 양극 처리가 중지됩니다. 시간은 4 분 마크 주위에 약해야한다. 균일 장벽 층은 용액과 금속 기판을 분리하기 때문에 현재이 상승 호일 샘플 (그림 3)에서 관찰되어 있지 않습니다. <ol start="8"><li> 40 분 동안 상온에서 5 % 인산의 템플릿을 잠수하여 호일 샘플 프로토콜과 유사한 기공 확대 단계를 수행합니다. </li></ol> 참고 :.이 모공을 넓혀하지만 양극 산화 과정이 장벽 층을 먹은 이후로 얇게 남아 아무도 없습니다 인터넷gure 4 유리 기판 / 20 나노 장벽 층의 부재와 티오 칠분의이 나노 AU / 500 나노 다공성 알 2 O 3의 계층 구조를 보여줍니다 명확 오 박막의 기초에 노출 된 모공. 그림 5a 및도 5b는 빈 AAO를 보여줍니다 각각 호일과 유리 기판에 템플릿이 있습니다. 3. AAO 템플릿의 기공 내 작은 분자 유기 나노 와이어의 보조 성장을 원심 분리기 <ol><li> 적절한 용매에있는 작은 분자 유기 포화 용액을 준비합니다. </li></ol> 참고 : 다음과 같은 유기 분자와 용매가 사용되었습니다 아세톤, 톨루엔, 클로로포름과 PCBM의 인 Alq 3 루 브린 (rubrene). 여기서부터 PCBM은 관심 분자라고합니다. <ol start="2"><li> 양극 처리 된 영역은 테스트 튜브의 상단을 향하도록 이러한 원심 분리기 시험관의 바닥에 서식 파일을로드합니다. 관은 대형 전자 있어야합니다내부 샘플에 맞게 계속하지. </li></ol> 참고 : 호일 샘플은, 그것은 호일을 지원하고 아래에 설명 된대로 원심 분리하는 동안 굽힘 방지하기 위해 유사한 크기의 웨이퍼를 사용하는 것이 도움이된다 그림 2는 샘플을 원심 분리기에 장착하는 방법에 대한 개략적 인 설명입니다.. <ol start="3"><li> 템플릿이 완전히 침수되는 등 충분한 PCBM 솔루션을 테스트 튜브를 채우기 위해 피펫을 사용합니다. </li><li> 원심 분리기에 테스트 튜브를로드하고 6,000 rpm에서 5 분 동안 실행됩니다. </li></ol> 주 : 샘플 각도에서 테스트 튜브에 장착 된 경우, 테스트 튜브 양극 처리 된 표면이 원심 분리기의 중심 (그림 2) 향하게하는 방식으로 장착되어 있는지 확인합니다. <ol start="5"><li> 원심 분리기가 중지되면, 테스트 튜브를 언로드 튜브에서 PCBM 솔루션을 붓는다. </li><li> 테스트 튜브에서 템플릿을 제거, 또는 L건조 ~ 1 분 동안 바닥에 처마를. </li><li> 반복 5-10 원심 실행의 총 수행 한 있도록 3.2-3.6 단계를 반복합니다. </li></ol> 참고 : 그 용매에있는 작은 분자의 낮은 용해도이 상황에서 더 많은 원심 분리기 실행이 나노 기공 예금 더 많은 자료를 도움이 될 것입니다. <ol start="8"><li> 시험관의 바닥에서 샘플을 제거하고 부드럽게 템플릿의 표면에 남아되는 모든 물질을 제거 템플릿의 표면을 청소하기 위해 톨루엔 (또는 각각의 용매)에 적신 면봉을 사용합니다. </li></ol>

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S., Hu, W., Yao, J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Coaxial+Organic+p-n+Heterojunction+Nanowire+Arrays:+One-Step+Synthesis+and+Photoelectric+Properties.">Coaxial Organic p-n Heterojunction Nanowire Arrays: One-Step Synthesis and Photoelectric Properties.</a> Advanced Materials. 24 (17), 2332-2336 (2012).</li><li>Duvail, J. L., Long, Y., Cuenot, S., Chen, Z., Gu, C. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Tuning+electrical+properties+of+conjugated+polymer+nanowires+with+the+diameter.">Tuning electrical properties of conjugated polymer nanowires with the diameter.</a> Applied Physics Letters. 90, 102114 (2007).</li><li>Briseno, A. L., Mannsfeld, S. C. B., Jenekhe, S. A., Bao, Z., Xia, Y. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Introducing+organic+nanowire+transistors.">Introducing organic nanowire transistors.</a> Materials Today. 11 (4), 38-47 (2008).</li><li>Kippelen, B., Br&#233;das, J. -. L. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Organic+photovoltaics.">Organic photovoltaics.</a> Energy &amp; Environmental Science. 2 (3), 251-261 (2009).</li><li>G&#252;nes, S., Neugebauer, H., Sariciftci, N. S. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Conjugated+polymer-based+organic+solar+cells.">Conjugated polymer-based organic solar cells.</a> Chemical Reviews. 107 (4), 1324-1338 (2007).</li><li>Coakley, K. M., McGehee, M. D. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Conjugated+Polymer+Photovoltaic+Cells.">Conjugated Polymer Photovoltaic Cells.</a> Chem. Mater. 16 (23), 4533-4542 (2004).</li></ol>

저자는 그들이 더 경쟁 재정적 이익이 없다는 것을 선언합니다.

나노 와이어 성장을위한 물리적 사진 그것은 완전히 유기 나노 와이어의 성장 방법을 이해하는 것이 먼저 중요합니다. 일단 우리는 그들이 성장하고 우리는 엔지니어 나노 구조, 장치 및 재료에이 증착 방법을 사용하여 모공에 자신을 형성하는 방법을 정확하게 알고있다. 과거에는 고분자 나노 와이어는 원심 분리기의 도움없이 템플릿 습윤 절차를 사용하여 제작되었지만, 유...

템플릿을 이용한 방법은 일반적으로 1-3 세로 방향으로 나노 와이어 어레이의 제작에 사용됩니다. 이 방법은 주로 각종 전자 및 광학 응용 프로그램의 바람직한 축 방향으로 4-6 또는 방사형으로 7 heterostructured 나노 와이어 격자, 복잡한 나노 와이어 형상의 간단한 제작을 할 수 있습니다. 또한이 높은 처리량과 다양성을 가진 저가의 상향식 (bottom-up) nanosynthesis 방법입니다. 그 결과로, 템플릿 감독 방법은 2,3 세계적으로 연구자들 사이 엄청난 인기를 얻고있다. &quot;템플릿 감독 방법&quot;의 기본 아이디어는 다음과 같습니다. 첫 번째 템플릿은 세로 방향의 원통형 나노 기공의 배열을 포함하는 제조된다. 구멍이 채워질 때까지 다음, 원하는 재료는 나노 기공 내에 입금됩니다. 결과적으로 원하는 재료는 기공 형태를 채택하고 T 내에서 호스팅 나노 와이어 어레이를 형성emplate. 마지막으로, 대상 응용 프로그램에 따라, 호스트 템플리트를 제거 할 수 있습니다. 그러나 이것은 또한 수직 순서를 파괴한다. 형상과 최종 나노 구조의 크기가 기공 형태와 따라서 호스트 템플리트의 합성을 모방하여 제작 과정의 중요한 부분이다. 나노 다공성 템플릿의 다양한 종류의 문헌 8에서보고되었다. 가장 일반적으로 사용되는 템플릿 () 폴리머 트랙 에칭 막, (B) 블록 공중 합체 및 (C) 양극 산화 알루미늄 (AAO) 템플릿 (가) 있습니다. 고분자 트랙 에칭 세포막을 만들려면 폴리머 포일 완전히 포일을 관통하고 대량 박 9에서 잠재 이온 트랙을 남기지 고 에너지 이온을 조사하고 있습니다. 트랙은 다음 선택적으로 폴리머 포일 9에서 나노 채널을 만들 새겨 져 있습니다. 나노 채널이 더 적합한 에칭 단계에서 확대 할 수 있습니다. 이 방법으로 중요한 문제 일의 비 균일하다전자 나노 채널, 위치 제어의 부족, 채널 간 비 균일 상대 거리, 낮은 밀도 (단위 면적당 채널 수 ~ 10 8 / ㎠), 그리고 가난 다공성 구조 1 주문. 블록 공중 합체 방법이 유사한 원통형 나노 다공성 템플릿은 먼저 모공 8에서 원하는 재료의 성장에 따라 만들어집니다. 과거에는, 메소드 (a)와 (b) 위에서 언급은 폴리머 나노 와이어는 8 조작하는 데 사용되었습니다. 그러나, 이러한 방법은 후 처리 단계에서 선택적 에칭의 가능성 부재로 인해 임의의 유기 물질의 나노 와이어를 합성에 적합하지 않을 수 있습니다. 사후 처리는 일반적으로 위에서 언급 한 템플릿에 대한 유기 용제를 필요로 호스트 템플리트의 제거를 포함한다. 이러한 용매는 유기 나노 와이어의 구조와 물리적 특성에 해로운 영향을 미칠 수 있습니다. 그러나 이러한 템플릿은 이상적인 호로 작동코발트 10, 니켈, 구리, 고분자 호스트를 제거하는 식각 공정에 영향을받지 금속 다층 11 일 같은 무기 나노 와이어 STS. 위에서 언급 한 방법에 대한 또 다른 잠재적 인 문제는 높은 온도에서 호스트 매트릭스의 가난한 열적 안정성이다. 어닐링 높은 온도는 종종 호스트 행렬의 좋은 열 안정성의 필요성을 나타내는 유기 나노 와이어의 결정을 개선하기 위해 필요합니다. 알루미늄의 제어 전기 산화 (또한 알루미늄의 &quot;양극&quot;라고도 함) 잘 알려진 산업 공정이며 일반적으로 자동차, 조리, 항공 우주 및 부식 12에서 알루미늄 표면을 보호하기 위해 다른 산업에 사용됩니다. 산화 알루미늄 (또는 &quot;양극 알루미나&quot;)의 본질은 양극에 사용되는 전해질의 pH에​​ 따라 크게 달라진다. 부식 저항 응용 프로그램의 경우, 양극은 일반적으로 WEA와 함께 수행됩니다소형, 비 다공성, &quot;장벽 유형&quot;알루미나 영화 만들기 12 K 지방산 (산도 ~ 5-7). 전해질 (산도 &lt;4) 강한 산성 경우, 산화로 인해 H + 이온으로 산화 지방 용해를 &quot;다공성&quot;가됩니다. 산화를 통해 지역의 전기장은 사전 패터닝하기 전에 양극에 따라서 로컬 H의 + 이온의 농도와 표면을 결정하는 최종 다공성 구조를 통해 몇 가지 컨트롤을 제공합니다. 모공 작은 직경 (~ 10-200 NM) 따라서 이러한 나노 다공성 양극 알루미나 필름은 다양한 재료 2,3의 나노 와이어를 합성 최근 몇 년 동안 널리 사용되어와, 원통형이다. 나노 다공성 양극 알루미나 템플릿은 전해질과 양극 전압의 산도와 같은 양극 매개 변수의 현명한 선택을 통해 더 나은 열 안정성, 높은 기공 밀도, 장거리 기공 순서 및 기공 직경의 우수한 조정 기능, 길이, 간 기공 분리 기공 밀도를 제공합니다나이 2,3. 이러한 이유 때문에 우리는 유기 나노 와이어 성장을위한 호스트 행렬 AAO 템플릿을 선택합니다. 또한, 알루미나 등의 무기 산화물 따라서 알루미나 표면의 13 유기 용액 (낮은 표면 에너지)의 확산 유니폼을 촉진, 높은 표면 에너지를 가지고. 또한, 우리의 목표는 직접 전도성 및 / 또는 투명 기판에서 이러한 나노 와이어 어레이를 성장하는 것입니다. 그 결과로, 기공은 우리가 아래에 설명과 같은 추가 고려 사항이 필요 하단 말에 종료됩니다. 얇은 템플릿 가난한 기계적 안정성으로 인해 관통 기공 템플릿 원하는 기판에 연속 전송에서 나노 와이어의 성장은 종종 가난한 인터페이스 품질로 인해 바람직이며,이 방법은 짧은 길이의 나노 와이어 (얇은 템플릿)에도 가능하지 않습니다 . π-공액 유기 물질은 크게 두 가지 범주로 분류 될 수있다 : (a) 긴 사슬 복합 폴리머 및 (b) 작은 분자량 유기의<html> emiconductors. 많은 그룹은 과거에 AAO 템플릿의 원통형 나노 세공 내 긴 사슬 고분자 나노 와이어의 합성을보고있다. 이 주제에 대한 종합적인 검토가 심판 8,14의 요금으로 이용 가능합니다. 그러나 AAO에서 상업적으로 중요한 작은 분자 유기 나노 와이어의 합성 (예 : 루 브린 (rubrene), 트리스 - 8 - 히드 록시 알루미늄 (인 Alq 3)와 PCBM 등) 매우 드문 경우입니다. AAO 템플릿의 나노 세공 내에서 루 브린 (rubrene)과 인 Alq 3의 물리 기상 증착 여러 그룹 4,15-17에 의해보고되었다. 그러나 유기물의 얇은 층만이 (~ 30 nm의) 기공 내에 입금 (~ 50 nm의 직경)와 장기간 퇴적 기공 입구에게 4,16,17을 차단하는 경향이있다 할 수 있습니다. 기공 직경 15 (~ 200 nm의) 충분히 큰 경우 전체 기공 충전이 방법으로 달성 될 수있다. 따라서 하위 100 nm의 범위의 기공 직경 적용하는 다른 방법을 찾는 것이 중요합니다. 템플릿 젖음 &quot;방법 8,14&quot;&gt; 다른 작은 분자 유기에 사용 된 또 다른 방법은 소위 &quot;입니다. 그러나 대부분의 보고서에서 측면 열린 모공과 큰 직경 모두 두꺼운 상용 템플릿 (~ 50 μm의) (~ 200 nm의) 사용되어왔다. 이러한 방법은 한면에 나노 와이어를 생산하지되기 전에, 아마도 모공 내의 용액의 침투를 방지 기공 내에 갇힌 공기 주머니의 존재로 인해 언급 한 바와 같이 모공을 마감했다. 우리는이 이전에 이러한 문제를 극복하고 원하는 기판에 임의의 크기를 가진 작은 분자 유기 나노 와이어 어레이의 성장을 할 수있는 새로운 방법을 보도했다. 무엇을 다음에, 우리는 세부적인 프로토콜 잠재적 한계와 미래의 수정을 설명합니다.

<table border="1">
		<tbody>
		 <tr>
			<td></td>
			<td></td>
			<td></td>
			<td>Reagents</td>
		 </tr>
		 <tr>
			<td>Toluene</td>
			<td>Fisher Scientific</td>
			<td>T324-4</td>
			<td></td>
		 </tr>
		 <tr>
			<td>68% Nitric Acid</td>
			<td>Fisher Scientific</td>
			<td>A200-212</td>
			<td></td>
		 </tr>
		 <tr>
			<td>85% Phosphoric Acid</td>
			<td>Fisher Scientific</td>
			<td>A242-4</td>
			<td></td>
		 </tr>
		 <tr>
			<td>10% Chromic Acid</td>
			<td>RICCA Chemical Company</td>
			<td>2077-32</td>
			<td></td>
		 </tr>
		 <tr>
			<td>10% Oxalic Acid</td>
			<td>Alfa Aesar</td>
			<td>FW.90.04</td>
			<td></td>
		 </tr>
		 <tr>
			<td>Chloroform</td>
			<td>Fisher Scientific</td>
			<td>C607-4</td>
			<td></td>
		 </tr>
		 <tr>
			<td>Aluminum Sheets</td>
			<td>Alfa Aesar</td>
			<td>7429-90-5</td>
			<td></td>
		 </tr>
		 <tr>
			<td>PCBM</td>
			<td>Nano-C</td>
			<td>Nano-CPCBM-BF</td>
			<td></td>
		 </tr>
		 <tr>
			<td>Alq3</td>
			<td>Sigma Aldrich</td>
			<td>444561-5G</td>
			<td></td>
		 </tr>
		 <tr>
			<td>Rubrene</td>
			<td>Sigma Aldrich</td>
			<td>551112-1G</td>
			<td></td>
		 </tr>
		 <tr>
			<td></td>
			<td></td>
			<td></td>
			<td>Equipment</td>
		 </tr>
		 <tr>
			<td>FlexAL Atomic Layer Deposition (ALD)</td>
			<td>Oxford Instruments</td>
			<td></td>
			<td>For deposition of TiO2</td>
		 </tr>
		 <tr>
			<td>PVD Sputter System</td>
			<td>Kurt J. Lesker</td>
			<td></td>
			<td>For deposition of Au &amp; Al</td>
		 </tr>
		 <tr>
			<td>Flat Cell</td>
			<td>Princeton Applied Research</td>
			<td>K0235</td>
			<td>For anodization of Al</td>
		 </tr>
		 <tr>
			<td>Centrifuge</td>
			<td>HERMLE Labnet</td>
			<td>Z206 A</td>
			<td>For deposition of organic nanowires</td>
		 </tr>
	 </tbody>
 </table>

ultrahigh density array of vertically aligned small-molecular organic nanowires on arbitrary substrates

최근 몇 년 사이에 π-공액 유기 반도체는 대 면적, 저비용 디스플레이, 태양 전지, 인쇄 및 유연한 전자 및 유기 스핀 밸브 등 다양한 응용 프로그램의 수가 활성 물질로 떠오르고있다. 유기물 (a)는 저가의 저온 처리 및 전자 광학 및 스핀 수송 특성 (b) 분자 설계 할 수 있습니다. 이러한 기능은 유기물 실리콘 지배 전자 제품 시장에서 틈새 시장을 개척하기 위해 설정 한 주류 무기 반도체를 위해 쉽게 사용할 수 없습니다. 유기 기반 장치의 첫 번째 세대는 물리적 기상 증착 또는 솔루션 처리에 의해 성장 박막 형상에 초점을 맞추고있다. 그러나, 유기 나노 구조는 위에서 언급 한 응용 프로그램의 성능을 향상하는 데 사용할 수 있으며 상당한 노력이 유기 나노 제조하는 방법을 탐구에 투자되었다는 것을 깨달았다되었습니다. t는 &quot;&gt; 유기 나노 구조의 특히 흥미로운 클래스가 세로 방향으로 유기 나노 와이어, 나노로드 또는 나노 튜브가 잘 조직화, 고밀도 어레이로 구성되는 하나입니다. 이러한 구조는 매우 다재다능하고 다양한 애플리케이션에 이상적 형태 구조입니다 화학 센서, 분할 쌍극자 nanoantennas, 반경 heterostructured &quot;코어 - 쉘 (core-shell)&quot;나노 와이어 태양 광 장치 및 크로스 포인트 구조를 가진 메모리 장치.와 같은 구조는 일반적으로 템플릿 감독 방식에 의해 실현된다. 과거에는이 메소드가있다 금속 및 무기 반도체 나노 와이어 어레이를 성장하는 데 사용됩니다. 최근에 π-공액 고분자 나노 와이어는 나노 다공성 템플릿 내에서 성장하고있다. 그러나 이러한 접근 방식은 기술적으로 중요한 π-공액 작은 분자량 유기물의 성장 나노 와이어에 한정된 성공이 있었다 트리스 - 8-히드 록시 알루미늄 (인 Alq 3), 루 브린 (rubrene) 및 메타일반적으로 유기 디스플레이, 태양 전지, 박막 트랜지스터 및 스핀 트로닉스 등 다양한 분야에 사용됩니다 anofullerenes. 최근에 우리는 새로운 &quot;원심 분리를 이용한&quot;접근 방식을 채택하여 위에서 언급 한 문제를 해결 할 수있게되었습니다. 이 방법은 따라서 수직으로 정렬 나노 와이어 배열의 패턴 할 수있는 유기 물질의 스펙트럼을 넓혀. 인 Alq 3 루 브린 (rubrene)과 methanofullerenes의 기술적 중요성으로 인해, 우리의 방법은 이러한 재료의 나노 구조는 앞서 언급 한 유기 소자의 성능에 미치는 영향을 탐구하는 데 사용할 수 있습니다. 이 문서의 목적은 위에서 언급 한 프로토콜의 기술적 인 세부 사항을 설명하는 것입니다, 중요한 단계, 제한 할 수 수정, 문제를 논의하기 위해,이 프로세스가 임의의 기판 그리고 마지막에 작은 분자 유기 나노 와이어의 성장을 확장 할 수 방법을 보여줍니다 - 촬영하고 미래의 어플리케이션.

로 (그림 5, 6) 아래의 그림에 의해 입증이 원심 분리기를 이용한 드롭 주조 방법은 지속적으로 나노 와이어를 생성합니다. AAO 템플릿의 기공 내부에 제조 된 나노 와이어가 수직으로 덮인 바닥과 서로 정렬, 제복, 전기적으로 격리됩니다. 나노 와이어의 직경은 템플릿에서 기공의 직경에 의해 결정됩니다. 그들은 성공적으로 나중에 설명 많은 장치에서 이러한 구조의 잠재적 인 응용 ?...

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Ultrahigh Density Array of Vertically Aligned Small-molecular Organic Nanowires on Arbitrary Substrates

우리는 수직으로 정렬 작은 분자 유기 나노 와이어의 초고 밀도 배열을 제조하기위한 간단한 방법을보고합니다. 이 방법은 저렴 임의의 기판에 성장 할 수있는 복잡한 heterostructured 하이브리드 나노 와이어 형상의 합성 수 있습니다. 이러한 구조는 유기 전자 공학, 광전자 공학, 화학 감지, 태양 전지 및 스핀 트로닉스의 잠재적 인 응용 프로그램이 있습니다.

임의 기판에 수직으로 정렬 작은 분자 유기 나노 와이어의 초 밀도 배열

In  recent years &pi;-conjugated  organic semiconductors have emerged as the active material in a number of  diverse applications including large-area, ...

ultrahigh-density-array-vertically-aligned-small-molecular-organic

Research

JoVE Journal

Engineering

14.9K 조회수.  University of Alberta. 우리는 수직으로 정렬 작은 분자 유기 나노 와이어의 초고 밀도 배열을 제조하기위한 간단한 방법을보고합니다. 이 방법은 저렴 임의의 기판에 성장 할 수있는 복잡한 heterostructured 하이브리드 나노 와이어 형상의 합성 수 있습니다. 이러한 구조는 유기 전자 공학, 광전자 공학, 화학 감지, 태양 전지 및 스핀 트로닉스의 잠재적 인 응용 프로그램이 있습니다.

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Micropunching Lithography for Generating Micro- and Submicron-patterns on Polymer Substrates

Conducting polymers have attracted great attention since the discovery of high conductivity in doped polyacetylene in 19771. They offer the advantages of low weight, easy tailoring of properties and a wide spectrum of applications2,3. Due to sensitivity of conducting polymers to environmental conditions (e.g., air, oxygen, moisture, high temperature and chemical solutions), lithographic techniques present significant technical challenges when working with these materials4. For example, current photolithographic methods, such as ultra-violet (UV), are unsuitable for patterning the conducting polymers due to the involvement of wet and/or dry etching processes in these methods. In addition, current micro/nanosystems mainly have a planar form5,6. One layer of structures is built on the top surfaces of another layer of fabricated features. Multiple layers of these structures are stacked together to form numerous devices on a common substrate. The sidewall surfaces of the microstructures have not been used in constructing devices. On the other hand, sidewall patterns could be used, for example, to build 3-D circuits, modify fluidic channels and direct horizontal growth of nanowires and nanotubes.
A macropunching method has been applied in the manufacturing industry to create macropatterns in a sheet metal for over a hundred years. Motivated by this approach, we have developed a micropunching lithography method (MPL) to overcome the obstacles of patterning conducting polymers and generating sidewall patterns. Like the macropunching method, the MPL also includes two operations (Fig. 1): (i) cutting; and (ii) drawing. The "cutting" operation was applied to pattern three conducting polymers4, polypyrrole (PPy), Poly(3,4-ethylenedioxythiophen)-poly(4-styrenesulphonate) (PEDOT) and polyaniline (PANI). It was also employed to create Al microstructures7. The fabricated microstructures of conducting polymers have been used as humidity8, chemical8, and glucose sensors9. Combined microstructures of Al and conducting polymers have been employed to fabricate capacitors and various heterojunctions9,10,11. The "cutting" operation was also applied to generate submicron-patterns, such as 100- and 500-nm-wide PPy lines as well as 100-nm-wide Au wires. The "drawing" operation was employed for two applications: (i) produce Au sidewall patterns on high density polyethylene (HDPE) channels which could be used for building 3D microsystems12,13,14, and (ii) fabricate polydimethylsiloxane (PDMS) micropillars on HDPE substrates to increase the contact angle of the channel15.

A micropunching lithography approach is developed to generate micro- and submicron-patterns on top, sidewall and bottom surfaces of polymer substrates. It overcomes the obstacles of patterning conducting polymers and generating sidewall patterns. This method allows rapid fabrication of multiple features and is free of aggressive chemistry.

마이크로 및 Submicron 패턴 폴리머 기판을 생성하기위한 리소그래피를 Micropunching

Conducting polymers have attracted great attention since the discovery of high conductivity in doped polyacetylene in 19771. They offer the advantages of ...

연구

공학

Controlling the Size, Shape and Stability of Supramolecular Polymers in Water

For aqueous based supramolecular polymers, the simultaneous control over shape, size and stability is very difficult1. At the same time, the ability to do so is highly important in view of a number of applications in functional soft matter including electronics, biomedical engineering, and sensors. In the past, successful strategies to control the size and shape of supramolecular polymers typically focused on the use of templates2,3, end cappers4 or selective solvent techniques5. 
Here we disclose a strategy based on self-assembling discotic amphiphiles that leads to the control over stack length and shape of ordered, chiral columnar aggregates. By balancing electrostatic repulsive interactions on the hydrophilic rim and attractive non-covalent forces within the hydrophobic core of the polymerizing building block, we manage to create small and discrete spherical objects6,7. Increasing the salt concentration to screen the charges induces a sphere-to-rod transition. Intriguingly, this transition is expressed in an increase of cooperativity in the temperature-dependent self-assembly mechanism, and more stable aggregates are obtained. 
For our study we select a benzene-1,3,5-tricarboxamide (BTA) core connected to a hydrophilic metal chelate via a hydrophobic, fluorinated L-phenylalanine based spacer (Scheme 1). The metal chelate selected is a Gd(III)-DTPA complex that contains two overall remaining charges per complex and necessarily two counter ions. The one-dimensional growth of the aggregate is directed by &pi;-&pi; stacking and intermolecular hydrogen bonding. However, the electrostatic, repulsive forces that arise from the charges on the Gd(III)-DTPA complex start limiting the one-dimensional growth of the BTA-based discotic once a certain size is reached. At millimolar concentrations the formed aggregate has a spherical shape and a diameter of around 5 nm as inferred from 1H-NMR spectroscopy, small angle X-ray scattering, and cryogenic transmission electron microscopy (cryo-TEM). The strength of the electrostatic repulsive interactions between molecules can be reduced by increasing the salt concentration of the buffered solutions. This screening of the charges induces a transition from spherical aggregates into elongated rods with a length &gt; 25 nm. Cryo-TEM allows to visualise the changes in shape and size. In addition, CD spectroscopy permits to derive the mechanistic details of the self-assembly processes before and after the addition of salt. Importantly, the cooperativity -a key feature that dictates the physical properties of the produced supramolecular polymers- increases dramatically upon screening the electrostatic interactions. This increase in cooperativity results in a significant increase in the molecular weight of the formed supramolecular polymers in water.

The goal of this experiment is to determine and control the size, shape and stability of self-assembled discotic amphiphiles in water. For aqueous based supramolecular polymers such level of control is very difficult. We apply a strategy using both repulsive and attractive interactions. The experimental techniques applied to characterize this system are broadly applicable.

물에 Supramolecular 폴리머의 크기, 모양과 안정성을 제어

For aqueous based supramolecular polymers, the simultaneous control over shape, size and stability is very difficult1. At the same time, the ability to do ...

Monolayer Contact Doping of Silicon Surfaces and Nanowires Using Organophosphorus Compounds

Monolayer Contact Doping (MLCD) is a simple method for doping of surfaces and nanostructures1. MLCD results in the formation of highly controlled, ultra shallow and sharp doping profiles at the nanometer scale. In MLCD process the dopant source is a monolayer containing dopant atoms.
In this article a detailed procedure for surface doping of silicon substrate as well as silicon nanowires is demonstrated. Phosphorus dopant source was formed using tetraethyl methylenediphosphonate monolayer on a silicon substrate. This monolayer containing substrate was brought to contact with a pristine intrinsic silicon target substrate and annealed while in contact. Sheet resistance of the target substrate was measured using 4 point probe. Intrinsic silicon nanowires were synthesized by chemical vapor deposition (CVD) process using a vapor-liquid-solid (VLS) mechanism; gold nanoparticles were used as catalyst for nanowire growth. The nanowires were suspended in ethanol by mild sonication. This suspension was used to dropcast the nanowires on silicon substrate with a silicon nitride dielectric top layer. These nanowires were doped with phosphorus in similar manner as used for the intrinsic silicon wafer. Standard photolithography process was used to fabricate metal electrodes for the formation of nanowire based field effect transistor (NW-FET). The electrical properties of a representative nanowire device were measured by a semiconductor device analyzer and a probe station.

A detailed procedure for surface doping of Silicon interfaces is provided. The ultra-shallow surface doping is demonstrated by using phosphorus containing monolayers and rapid annealing process. The method can be used for doping of macroscopic area surfaces as well as nanostructures.

유기 화합물을 사용하여 실리콘 표면과 나노 와이어의 단층 연락 도핑

Monolayer Contact Doping (MLCD) is a simple method for doping of surfaces and nanostructures1. MLCD results in the formation of highly controlled, ultra ...

Evaluating Plasmonic Transport in Current-carrying Silver Nanowires

Plasmonics is an emerging technology capable of simultaneously transporting a plasmonic signal and an electronic signal on the same information support1,2,3. In this context, metal nanowires are especially desirable for realizing dense routing networks4. A prerequisite to operate such shared nanowire-based platform relies on our ability to electrically contact individual metal nanowires and efficiently excite surface plasmon polaritons5 in this information support. In this article, we describe a protocol to bring electrical terminals to chemically-synthesized silver nanowires6 randomly distributed on a glass substrate7. The positions of the nanowire ends with respect to predefined landmarks are precisely located using standard optical transmission microscopy before encapsulation in an electron-sensitive resist. Trenches representing the electrode layout are subsequently designed by electron-beam lithography. Metal electrodes are then fabricated by thermally evaporating a Cr/Au layer followed by a chemical lift-off. The contacted silver nanowires are finally transferred to a leakage radiation microscope for surface plasmon excitation and characterization8,9. Surface plasmons are launched in the nanowires by focusing a near infrared laser beam on a diffraction-limited spot overlapping one nanowire extremity5,9. For sufficiently large nanowires, the surface plasmon mode leaks into the glass substrate9,10. This leakage radiation is readily detected, imaged, and analyzed in the different conjugate planes in leakage radiation microscopy9,11. The electrical terminals do not affect the plasmon propagation. However, a current-induced morphological deterioration of the nanowire drastically degrades the flow of surface plasmons. The combination of surface plasmon leakage radiation microscopy with a simultaneous analysis of the nanowire electrical transport characteristics reveals the intrinsic limitations of such plasmonic circuitry.

Silver nanowires can simultaneously transport electrons and optical information in the form of surface plasmons. A procedure is described here to realize such a shared circuitry and the limitations at propagating both information carriers are evaluated.

Plasmonics is an emerging technology capable of simultaneously transporting a plasmonic signal and an electronic signal on the same information ...

Preparation and Use of Photocatalytically Active Segmented Ag|ZnO and Coaxial TiO2-Ag Nanowires Made by Templated Electrodeposition

Photocatalytically active nanostructures require a large specific surface area with the presence of many catalytically active sites for the oxidation and reduction half reactions, and fast electron (hole) diffusion and charge separation. Nanowires present suitable architectures to meet these requirements. Axially segmented Ag|ZnO and radially segmented (coaxial) TiO2-Ag nanowires with a diameter of 200 nm and a length of 6-20 &#181;m were made by templated electrodeposition within the pores of polycarbonate track-etched (PCTE) or anodized aluminum oxide (AAO) membranes, respectively. In the photocatalytic experiments, the ZnO and TiO2 phases acted as photoanodes, and Ag as cathode. No external circuit is needed to connect both electrodes, which is a key advantage over conventional photo-electrochemical cells. For making segmented Ag|ZnO nanowires, the Ag salt electrolyte was replaced after formation of the Ag segment to form a ZnO segment attached to the Ag segment. For making coaxial TiO2-Ag nanowires, a TiO2 gel was first formed by the electrochemically induced sol-gel method. Drying and thermal annealing of the as-formed TiO2 gel resulted in the formation of crystalline TiO2 nanotubes. A subsequent Ag electrodeposition step inside the TiO2 nanotubes resulted in formation of coaxial TiO2-Ag nanowires. Due to the combination of an n-type semiconductor (ZnO or TiO2) and a metal (Ag) within the same nanowire, a Schottky barrier was created at the interface between the phases. To demonstrate the photocatalytic activity of these nanowires, the Ag|ZnO nanowires were used in a photocatalytic experiment in which H2 gas was detected upon UV illumination of the nanowires dispersed in a methanol/water mixture. After 17 min&#160;of illumination, approximately 0.2 vol% H2 gas was detected from a suspension of ~0.1 g of Ag|ZnO nanowires in a 50 ml 80 vol% aqueous methanol solution.

Preparation and Use of Photocatalytically Active Segmented Ag|ZnO and Coaxial TiO2-Ag Nanowires Made by Templated Electrodeposition

Procedures are outlined to prepare segmented and coaxial nanowires via templated electrodeposition in nanopores. As examples, segmented nanowires consisting of Ag and ZnO segments, and coaxial nanowires consisting of a TiO2 shell and a Ag core were made. The nanowires were used in photocatalytic hydrogen formation experiments.

준비 및 광촉매 활성 분단 자세의 사용 | ZnO의 동축 티오<sub&gt; 2</sub템플릿 기반 전착에 의해 만들어진&gt; - 자세 나노 와이어

Photocatalytically active nanostructures require a large specific surface area with the presence of many catalytically active sites for the oxidation and ...

Resonance Raman Spectroscopy of Extreme Nanowires and Other 1D Systems

This paper briefly describes how nanowires with diameters corresponding to 1 to 5 atoms can be produced by melting a range of inorganic solids in the presence of carbon nanotubes. These nanowires are extreme in the sense that they are the limit of miniaturization of nanowires and their behavior is not always a simple extrapolation of the behavior of larger nanowires as their diameter decreases. The paper then describes the methods required to obtain Raman spectra from extreme nanowires and the fact that due to the van Hove singularities that 1D systems exhibit in their optical density of states, that determining the correct choice of photon excitation energy is critical. It describes the techniques required to determine the photon energy dependence of the resonances observed in Raman spectroscopy of 1D systems and in particular how to obtain measurements of Raman cross-sections with better than 8% noise and measure the variation in the resonance as a function of sample temperature. The paper describes the importance of ensuring that the Raman scattering is linearly proportional to the intensity of the laser excitation intensity. It also describes how to use the polarization dependence of the Raman scattering to separate Raman scattering of the encapsulated 1D systems from those of other extraneous components in any sample.

The paper describes a method for producing extreme nanowires by melt infiltration into carbon nanotubes and how 1D systems may be characterized and investigated using Resonance Raman Spectroscopy to determine vibrational and optical excitation energies.

극단적 인 나노 와이어 및 기타 1D 시스템의 공명 라만 분광법

This paper briefly describes how nanowires with diameters corresponding to 1 to 5 atoms can be produced by melting a range of inorganic solids in the ...

A Fabrication Method for Highly Stretchable Conductors with Silver Nanowires

Stretchable electronics are identified as a key technology for electronic applications in the next generation. One of the challenges in fabrication of stretchable electronic devices is the preparation of stretchable conductors with great mechanical stability. In this study, we developed a simple fabrication method to chemically solder the contact points between silver nanowire (AgNW) networks. AgNW nanomesh was first deposited on a glass slide via spray coating method. A reactive ink composed of silver nanoparticle (AgNPs) precursors was applied over the spray coated AgNW thin films. After heating for 40 min, AgNPs were preferentially generated over the nanowire junctions to solder the AgNW nanomesh, and reinforced the conducting network. The chemically modified AgNW thin film was then transferred to polyurethane (PU) substrates by casting method. The soldered AgNW thin films on PU exhibited no obvious change in electrical conductivity under stretching or rolling process with elongation strains up to 120%.

A simple synthesis method is used to chemically solder silver nanowire thin film to fabricate highly stretchable and conductive metal conductors.

Stretchable electronics are identified as a key technology for electronic applications in the next generation. One of the challenges in fabrication of ...

Effect of Bending on the Electrical Characteristics of Flexible Organic Single Crystal-based Field-effect Transistors

The charge transport in an organic semiconductor depends highly on the molecular packing in the crystal, which influences the electronic coupling immensely. However, in soft electronics, in which organic semiconductors play a critical role, the devices will be bent or folded repeatedly. The effect of bending on the crystal packing and thus the charge transport is crucial to the performance of the device. In this manuscript, we describe the protocol to bend a single crystal of 5,7,12,16-tetrachloro-6,13-diazapentacene (TCDAP) in the field-effect transistor configuration and to obtain reproducible I-V characteristics upon bending the crystal. The results show that bending a field-effect transistor prepared on a flexible substrate results in nearly reversible yet opposite trends in charge mobility, depending on the bending direction. The mobility increases when the device is bent toward the top gate/dielectric layer (upward, compressive state) and decreases when bent toward the crystal/substrate side (downward, tensile state). The effect of bending curvature was also observed, with greater mobility change resulting from higher bending curvature. It is suggested that the intermolecular &#960;-&#960; distance changes upon bending, thereby influencing the electronic coupling and the subsequent carrier transport ability.

This manuscript describes the bending process of an organic single crystal-based field-effect transistor to maintain a functioning device for electronic property measurement. The results suggest that bending causes changes in the molecular spacing in the crystal and thus in the charge hopping rate, which is important in flexible electronics.

유연한 유기 단결정 기반 전계 효과 트랜지스터의 전기적 특성에 영향 절곡

The charge transport in an organic semiconductor depends highly on the molecular packing in the crystal, which influences the electronic coupling ...

Morphology Control for Fully Printable Organic&#8211;Inorganic Bulk-heterojunction Solar Cells Based on a Ti-alkoxide and Semiconducting Polymer

The photoactive layer of a typical organic thin-film bulk-heterojunction (BHJ) solar cell commonly uses fullerene derivatives as the electron-accepting material. However, fullerene derivatives are air-sensitive; therefore, air-stable material is needed as an alternative. In the present study, we propose and describe the properties of Ti-alkoxide as an alternative electron-accepting material to fullerene derivatives to create highly air-stable BHJ solar cells. It is well-known that controlling the morphology in the photoactive layer, which is constructed with fullerene derivatives as the electron acceptor, is important for obtaining a high overall efficiency through the solvent method. The conventional solvent method is useful for high-solubility materials, such as fullerene derivatives. However, for Ti-alkoxides, the conventional solvent method is insufficient, because they only dissolve in specific solvents. Here, we demonstrate a new approach to morphology control that uses the molecular bulkiness of Ti-alkoxides without the conventional solvent method. That is, this method is one approach to obtain highly efficient, air-stable, organic-inorganic bulk-heterojunction solar cells.

Morphology Control for Fully Printable Organic&amp;#8211;Inorganic Bulk-heterojunction Solar Cells Based on a Ti-alkoxide and Semiconducting Polymer

A method for fully printable, fullerene-free, highly air-stable, bulk-heterojunction solar cells based on Ti alkoxides as the electron acceptor and the electron-donating polymer fabrication is described here. Moreover, a method for controlling the morphology of the photoactive layer through the molecular bulkiness of the Ti-alkoxide units is reported.

에 Ti-알콕사이드와 반도체 성 고분자를 기반으로 어느 정도의 인쇄 가능한 유기 - 무기 대량 이종 접합 태양 전지에 대한 형태 제어

The photoactive layer of a typical organic thin-film bulk-heterojunction (BHJ) solar cell commonly uses fullerene derivatives as the electron-accepting ...

Well-aligned Vertically Oriented ZnO Nanorod Arrays and their Application in Inverted Small Molecule Solar Cells

This manuscript describes how to design and fabricate efficient inverted solar cells, which are based on a two-dimensional conjugated small molecule (SMPV1) and [6,6]-phenyl-C71-butyric acid methyl ester (PC71BM), by utilizing ZnO nanorods (NRs) grown on a high quality Al-doped ZnO (AZO) seed layer. The inverted SMPV1:PC71BM solar cells with ZnO NRs that grew on both a sputtered and sol-gel processed AZO seed layer are fabricated. Compared with the AZO thin film prepared by the sol-gel method, the sputtered AZO thin film exhibits better crystallization and lower surface roughness, according to X-ray diffraction (XRD) and atomic force microscope (AFM) measurements. The orientation of the ZnO NRs grown on a sputtered AZO seed layer shows better vertical alignment, which is beneficial for the deposition of the subsequent active layer, forming better surface morphologies. Generally, the surface morphology of the active layer mainly dominates the fill factor (FF) of the devices. Consequently, the well-aligned ZnO NRs can be used to improve the carrier collection of the active layer and to increase the FF of the solar cells. Moreover, as an anti-reflection structure, it can also be utilized to enhance the light harvesting of the absorption layer, with the power conversion efficiency (PCE) of solar cells reaching 6.01%, higher than the sol-gel based solar cells with an efficiency of 4.74%.

This manuscript describes how to design and fabricate efficient inverted SMPV1:PC71BM solar cells with ZnO nanorods (NRs) grown on a high quality Al-doped ZnO (AZO) seed layer. The well-aligned vertically oriented ZnO NRs exhibit high crystalline properties. The power conversion efficiency of solar cells can reach 6.01%.

잘 정렬 된 수직 지향 ZnO Nanorod 배열 및 그들의 응용 프로그램에서 반전 된 작은 분자 태양 전지

This manuscript describes how to design and fabricate efficient inverted solar cells, which are based on a two-dimensional conjugated small molecule ...