JoVE Logo

Войдите в систему

Диод смещен в обратном направлении, когда положительная клемма внешнего источника напряжения подключена к материалу n-типа, а отрицательная клемма — к материалу p-типа. Эта конфигурация противодействует естественному направлению тока через диод, эффективно увеличивая ширину области обеднения и барьерный потенциал. Условия обратного смещения создают минимальный ток утечки, в первую очередь из-за неосновных носителей заряда. Эта утечка становится значительной, когда обратное напряжение превышает тепловое напряжение в стандартных комнатных условиях, что приводит к сглаживанию кривой зависимости тока от напряжения (ВАХ). В отличие от экспоненциального увеличения тока, наблюдаемого при прямом смещении, увеличение обратного смещения незначительно.

Однако, на практике обратный ток в диодах часто превышает прогнозируемый ток насыщения. Например, диоды, предназначенные для небольших сигналов с обратными токами насыщения на уровне фемтоампер, могут иметь обратные токи наноамперного уровня. Хотя этот обратный ток немного увеличивается с увеличением обратного напряжения, эти изменения слишком малы, чтобы заметно повлиять на ВАХ. Этот обратный ток возникает в результате генерации теплового носителя внутри перехода, в зависимости от физических размеров диодного перехода.

Резкое увеличение обратного тока происходит, когда приложенное обратное напряжение достигает критического порога, известного как напряжение пробоя, специфичного для каждого диода. Это явление, представленное перегибом ВАХ, означает существенное увеличение тока при минимальном увеличении напряжения.

Figure 1

Важно понимать, что пробой диода не является по своей сути разрушительным, при условии, что ток остается в пределах безопасной рабочей зоны, обычно определяемой его максимальной рассеиваемой мощностью, указанной в таблице данных. Внешняя схема, предназначенная для ограничения обратного тока до безопасного уровня, необходима для предотвращения потенциального повреждения. Стабилитроны, спроектированные для работы в зоне пробоя для регулирования напряжения, являются примером диодов, которые безопасно работают в этих условиях.

Теги

DiodeReverse BiasDepletion RegionBarrier PotentialLeakage CurrentMinority Charge CarriersThermal VoltageCurrent voltage I V Response CurveReverse Saturation CurrentThermal Carrier GenerationBreakdown VoltageZener DiodesVoltage Regulation

Из главы 11:

article

Now Playing

11.3 : Диод: обратное смещение

Diodes

473 Просмотры

article

11.1 : Идеальный диод

Diodes

570 Просмотры

article

11.2 : Диод: прямое смещение

Diodes

801 Просмотры

article

11.4 : Стабилитроны

Diodes

316 Просмотры

article

11.5 : Моделирование прямых характеристик диода

Diodes

423 Просмотры

article

11.6 : Модель диода со слабым сигналом

Diodes

675 Просмотры

article

11.7 : Моделирование обратной характеристики диода

Diodes

207 Просмотры

article

11.8 : полуволновой выпрямитель

Diodes

571 Просмотры

article

11.9 : Полуволновой выпрямитель

Diodes

589 Просмотры

article

11.10 : Мостовой выпрямитель

Diodes

400 Просмотры

article

11.11 : Клипперная цепь

Diodes

298 Просмотры

article

11.12 : Цепь зажима

Diodes

325 Просмотры

article

11.13 : Схема удвоителя напряжения

Diodes

400 Просмотры

article

11.14 : Диод с барьером Шоттки

Diodes

245 Просмотры

JoVE Logo

Исследования

Образование

О JoVE

Авторские права © 2025 MyJoVE Corporation. Все права защищены