Bipolar Bağlantı Transistörü (BJT), özellikle ortak taban konfigürasyonunda bir PNP transistörü, yük taşıyıcılarının akışını kontrol ederek elektronik sinyalleri etkili bir şekilde güçlendirir veya değiştirir. Bu tartışma aktif modda çalışmasına odaklanmaktadır.

PNP konfigürasyonunda verici, pozitif yük taşıyıcılarla (delikler) yoğun bir şekilde katkılanırken, taban, negatif taşıyıcılarla (elektronlar) hafifçe katkılanır. Bu kurulum, verici-taban bağlantısı boyunca ileri bir eğilime izin vererek potansiyel bariyeri azaltır ve deliklerin vericiden tabana yayılmasına izin verir. Bu delikler daha sonra toplayıcıya doğru ilerlemeye çalışır. Bu yolculuk sırasında bazı delikler tabandaki elektronlarla yeniden birleşerek toplayıcıya ulaşan taşıyıcı sayısını azaltır ve taban akımına katkıda bulunur. Eş zamanlı olarak toplayıcının termal olarak üretilen elektronları tabana doğru hareket ederek toplayıcı akımına katkıda bulunur.

Verici akımının birincil bileşeni bu dağıtıcı deliklerdir. Baz akımı, bazdaki yük nötrlüğünün korunmasında çok önemli olan yayıcı akım ile toplayıcı akımı arasındaki farktan kaynaklanır. Transistörün verimliliği, iki kritik faktörü içeren mevcut kazancıyla ölçülür: verici verimliliği ve temel taşıma faktörü. Verici verimliliği, vericiden enjekte edilen ve çıkış akımına katkıda bulunan taşıyıcıların oranını gösterir. Buna karşılık baz taşıma faktörü, bu taşıyıcıların toplayıcıya ulaşan oranını yansıtır. İdeal olarak, her iki değerin de birliğe yaklaşması gerekir; bu da verimli taşıyıcı taşıma ve minimum rekombinasyonu ifade eder.

Ayrıca verici-baz bağlantısı açıkken toplayıcı ile taban arasında oluşabilecek herhangi bir kaçak akım, akım kazancı açısından toplayıcı akımının hesaplanmasına dahil edilir. Bu sızıntı, transistörün elektronik devrelerdeki performansını etkileyen operasyonel bir verimsizliği ifade eder.