Ein Bipolartransistor (BJT), genauer gesagt ein PNP-Transistor in einer gemeinsamen Basiskonfiguration, verstärkt oder schaltet elektronische Signale effektiv, indem er den Fluss der Ladungsträger steuert. Diese Diskussion konzentriert sich auf seinen Betrieb im aktiven Modus.

In der PNP-Konfiguration ist der Emitter stark mit positiven Ladungsträgern (Löchern) dotiert, während die Basis leicht mit negativen Ladungsträgern (Elektronen) dotiert ist. Diese Konfiguration ermöglicht eine Vorwärtsvorspannung über die Emitter-Basis-Verbindung, wodurch die Potentialbarriere verringert wird und Löcher vom Emitter in die Basis diffundieren können. Diese Löcher versuchen dann, zum Kollektor zu gelangen. Während dieser Reise rekombinieren einige Löcher mit Elektronen in der Basis, wodurch die Anzahl der Ladungsträger, die den Kollektor erreichen, verringert wird und zum Basisstrom beiträgt. Gleichzeitig bewegen sich die thermisch erzeugten Elektronen des Kollektors zur Basis und tragen zum Kollektorstrom bei.

Die Hauptkomponente des Emitterstroms sind diese diffundierenden Löcher. Der Basisstrom ergibt sich aus der Differenz zwischen Emitterstrom und Kollektorstrom, die für die Aufrechterhaltung der Ladungsneutralität in der Basis entscheidend ist. Die Effizienz des Transistors wird anhand seiner Stromverstärkung gemessen, die zwei entscheidende Faktoren umfasst: die Emittereffizienz und den Basistransportfaktor. Die Emittereffizienz gibt den Anteil der vom Emitter eingespeisten Träger an, der zum Ausgangsstrom beiträgt. Im Gegensatz dazu spiegelt der Basistransportfaktor den Anteil dieser Träger wider, der den Kollektor erreicht. Idealerweise sollten beide Werte nahe eins liegen, was einen effizienten Trägertransport und minimale Rekombination bedeutet.

Darüber hinaus wird jeder Leckstrom zwischen Kollektor und Basis, wenn die Emitter-Basis-Verbindung offen ist, in die Berechnung des Kollektorstroms hinsichtlich der Stromverstärkung einbezogen. Dieser Leckstrom weist auf eine Betriebsineffizienz hin, die die Leistung des Transistors in elektronischen Schaltkreisen beeinflusst.